JPS63197041A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体およびそ
の製造方法に関する。

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリの媒体がある。

光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｕＧｅ、ＭｎＳｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ　Ｉ　Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料が知ら
れている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法
等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄
膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均　
な膜が得られることがあげられる。

このような要求に答え、−Ｆ記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜か大きな注目を集
めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。

従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。。

また、特願昭６０−１７９９５７号には、放射線硬化型
化合物の硬化塗膜を保護層として用いる旨の開示がある
。

しかし、上記の無機膜や磁性薄膜層は、スパッタによっ
て設層するため、設層時に基板に反りが生じてしまう。

　また、放射線硬化型化合物の硬化膜では、硬化時に収
縮するためにやはり反りが生じ、媒体の記録、再生特性
の良好なものが得られない。

なお、このような問題は、いわゆる相転移りイブの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、媒体の反りが防止され、記録、再生特
性が良好で、しかも、高温、高湿下においても反りの発
生が少ない光記録媒体とその製造方法を提供することに
ある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、第１の発明は、基板上に記録層をイ１する記
録部分を有し、この記録部分と保護板とを接着一体化し
た光記録媒体において、一方の面に硬化性皮膜を形成し
た保護板を用いて一体化したことを特徴とする光記録媒
体である。

また、第２の発明は、ディスク状基板上に記録層を有す
る記録部分を有し、この記録部分と保護板とを接着して
一体化する光記録媒体の製造方法において、記録部分を
有する基板が記録層側またはそれと反対側に凸の反りを
有しており、一方の面に硬化性皮膜を形成して、基板と
逆方向に凸の反りを有する保護板を上記記録部分と積層
して接着一体化し、ディスク径１００ｍｍあたりの媒体
の反りが±１５０−以下である媒体を得ることを特徴と
する光記録媒体の製造方法である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体として、光磁気記録媒体の一実施例
を第１図に示す。

本発明の光磁気記録媒体１は、いわゆる片面記録型のも
のであり、基板２上に、記録層としての磁性薄膜層３２
を有する記録部分３を有し、記録部分３は接着剤層７を
介して、予め一方の面に硬化性皮膜９を有する保護板８
と接着一体化される。　第１図では、硬化性被膜９は、
保護板８の基板２とは反対側に形成されているが、後述
するように必要に応じて保護板８のいずれか一方の面に
設けられる。

記録部分３は、基板２側から、基板側保護層３１、磁性
薄膜層３２の無機膜の積層体と、この上面に、直接ある
いは無機膜の基板裏面側保護層３３を介して放射線硬化
型化合物等からなる打機保護コート層３４が設層されて
構成される。

本発明で用いられる基板２は、通常ガラスないし樹脂製
であり、好ましい樹脂材質としては、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテ
ン樹脂などがあげられる。

これらの樹脂のうち、耐久性、特に反りなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、１０，
０００〜１５，０００程度であることが好ましい。

このような基板２の８３０　ｒ＋ｍの屈折率は通常１．
５５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みない
し読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

このようなディスク状基板の記録層形成面には、トラッ
キング用の溝ないしピットが形成されてもよい。　溝な
いしピットの深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６
　ｎ〜λ／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率で
ある）とされる。

また、溝の巾は、０．４〜２．０声程度とされる。

また、アドレス用のビットが形成されていてもよい。

そして、通常、この溝の凹部に位置する記録層を記録ト
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、カード、シート等と
してもよい。

このような基板２上には、基板側保護層３１か設層され
ることが好ましい。

基板側保護層３１の材質としては、５ｉＯ１Ｓｉｎ□、
Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ等の各種酸化物、５ｔ３
Ｎ４、ＡＩＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の各種窒化物、あるいは
これらの混合物、さらには各種無機ガラスであってよい
が、好ましいものは、ケイ素を含有するもの、特に、ケ
イ素を含む２種以−トの金属または半金属と、酸素また
は酸素および窒素とを含有するものである。

この場合、保護層３１中に含まれるケイ素以外の金属ま
たは半金属としては、Ａ１、Ｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓ
ｒ、Ｚｎ、Ｎａ、に等かある。

また、保護層３１は通常非晶質状態であり、酸素を必須
とし、必要に応じこれに窒素を含む。　従って、これら
はいわゆるガラス質ないしこれに窒化物を添加したもの
である。

このような保護層３１は、各種気相成膜法、例えば、ス
パッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズマ
ＣＶＤ、光ＣＶＤ、特に所望の組成のターゲットを用い
るスパッタ法、２種以上の異なる組成からなるターゲッ
トを用いた多元スパッタ法あるいは酸素、窒素を用いる
反応性スパッタ法等によって形成される。

そして、このような保護層の厚さは、３００〜３０００
人、特に５００〜２０００人とすることか好ましい。　
この値が３００人未満であると、耐候性が悪く、また３
０００人をこえると、感度が低丁する。　また、保護層
中の不純物として、成膜雰囲気中に存在するＡｒ、Ｎ２
等が入ってもよい。　その他、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｕｂ、Ｃ
ｒ２Ｏ３、ＭｎＯ，１，Ｃｏｏ。

Ｎｉ０１ＡＳ２０３等が全体の１．０ｗｔ％程度以下含
有されてもよい。

また、記録層が、希土類−遷移金属磁性薄膜からなる光
磁気記録媒体においては、上記のような保護層材質を下
地保護層として設け、この十゛地保護層の上に誘電体層
を設けて、下地保護層と誘電体層とから基板側保護層３
１を構成することが好ましい。

誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉｎ。

Ｓｉ３Ｎ４等が好ましく、特にケイ素と他の１神以上の
金属または半金属とを含有し、さらに酸素および窒素を
含有するものも好ましい。

この場合、Ｆ地保護層の層厚は３００〜１０００人程度
、誘電体層の層厚は５００〜１５００人程度が好ましい
。

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層３２は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層３２の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ
等の希土類金属と好ましくはＦｅ、ＣＯ等の遷移金属の
合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成
したものである。

この場合、ＦｅとＣＯの総合有量は、６５〜８５ａｔ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等かある。

なお、磁性薄膜層中には１０ａｔ％以下の範囲でＣｒ、
Ａｌ１．Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ。

Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含自され
てもよい。

また、希土類元素として１０ａｔ％以下の範囲てＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層３２の厚さは、通常、１００〜１
０，０００人程度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔｅ−３ｅ、Ｔｅ−３ｅ−Ｓｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ−
１ｎ、Ｔｅ−３ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ　−３ｂ−３，Ｔｅ−Ｇ
ｅ−Ａｓ−３ｉ、Ｔｅ　−３ｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−３１−３
ｂ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−１ｎ−Ｇａ、
Ｔｅ−３ｉ　−Ｂ　１−Ｔｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１−Ｉｎ
−３゜Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−３ｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ　−
３，Ｔｅ−Ｇｅ−３ｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ　−Ｇａ、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−３−１ｎ、５ｅ−Ｇｅ　−Ｔｆｌ、５ｅ−Ｔ
ｅ−Ａｓ、５ｅ−Ｇｅ−ＴＪ２−３ｂ、５ｅ−Ｇｅ−Ｂ
ｉ、５ｅ−３（以上、特公開５４−４１９０２号、特許
第１００４８３５号など） ＴｅｏＸ　く特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４
２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、 Ｔｅ０Ｘ十Ｐｂ０Ｘ　（特許第９７４２５８号）、 ＴｅａＸ＋ＶＯＸ　（特許第９７４２５７号）、その他
、Ｔｅ−ＴＪ２、Ｔｅ−Ｔｆｌ−３ｉ、５ｅ−Ｚｎ−３
ｂ、Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮＸ等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−３ｎ、５ｉ−３ｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｆｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ１等の結
晶構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−３ｂ等
の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーテインク法等のドライコーチイング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜１−
程度とされる。

そして、通常、磁性薄膜層３２上（基板２と反対側）に
は、直接あるいは基板裏面側保護層３３を介して有機保
護コート層３４が設層される。

基板裏面側保護層３３は、上記の基板側保護層３１と同
様な材質および設層方法でよく、また、層厚もほぼ同様
とされる。

有機保護コート層３４の材質としては、通常公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１，６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（
メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリ
レート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジ
アクリレート（メタクリレート）、多官能オリコニステ
ルアクリレート（アロニツクスＭ−７１００、Ｍ−５４
００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００、Ｍ−６２５０、Ｍ
−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８１０
０等、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボラン４
０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのものにＣ
０ＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノールエチレ
ンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレート）、
下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合環にア
クリル基（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−
アクリル基のついた化合物、 ｉ）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ６）Ｈ０ＣＨ２
）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ２ く特殊アクリレ−）Ｆ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以ｔ、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、およびド記
式−・般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられ
る。

Ｚ　υ ８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＨ） ■ ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ−
（−Ｍ−Ｎ−）−−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　Ｍ：２
個アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリレー
トし）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記　
般式で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウ
レタンエラストマーのアクリル交情体、あるいはこれら
のものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げ
られる。

（式中Ｒ１、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系三重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層３４
の膜厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μ
ｍである。

この膜厚が０，１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層３２の耐久性が向上しない。　また、３０μ
ｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録
媒体の反りや保護コート層中のクラックが生じ、実用に
耐えない。

このような塗膜は、通常、スピンコード、グラビア塗布
、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法
を組み合わせて設層すれはよい。　この時の塗膜の設層
条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ
等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護コート層とするには、
電子線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツト
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンツインメチルエーテル、ヘンジインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノヘンソフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような有機保護コート層３４の上には、通常、接着
剤層７を介して保護板８が接着一体化される。

保護板８の材質は、基板２と同様なものでよいが、樹脂
を用いる場合、樹脂材質は特別に透明性等を要求される
ことはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリビニ
ルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩ワ
７ 化ヒニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ふ
っ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、ユリ
ア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、アル
キド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂等
の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

ただ、反りの矯正の制御が容易となり、同一形状のもの
が容易に人手できる等の点ては、保護板８は基板２と同
一の樹脂を用いることが好ましい。

保護板８の形状、寸法等は上記の基板２のそわとほぼ同
様とされる。

そして、保護板８の一方の面には、硬化性皮膜９が設層
される。

硬化性皮膜９は、保護板８が有機保護コート層３４と接
着一体化される以前に、保護板８−にに上記の有機保護
コート層３４と同様に塗布設層され、保護板８にあらか
じめ反りを付与するためのものであり、一般に、塗布後
、収縮するものであればどのようなものであってもよい
か、耐久性、耐湿性、硬度、作業性、量産性等の点て、
放射線硬化型化合物を塗布後、放射線硬化させたものが
好ましい。

放射線硬化型化合物としては、上記の有機保護コート層
３４と同様なものを用いればよい。

また、硬化性皮膜９の硬度は、鉛筆硬度（ＪＩＳ　Ｋ−
５４００）でＨ〜３Ｈであることが好ましい。　硬度が
Ｈより軟らかいと、保護板８の反りが不十分となりやす
く、３Ｈよりも硬くなると、硬化性皮膜９にクラック等
が発生しやすくなり、硬化性皮膜９が不安定になる。

硬化性皮膜９の膜厚は、１〜５００−程度て、より好ま
しくは１０〜１００μｍである。

膜厚が１μｓ未満であると、保護板８による反りの矯正
が不１分となりやすく、５００戸をこえると保護板８の
反りが大きくなりすぎたり硬化性皮膜９にクラックが生
じたりしてしまう。

硬化性皮膜９を設層した保護板８をこのようなものとす
るのは、基板２に記録部分３を設層する際に、基板２に
生じた反りを矯正するためである。

すなわち、基板側保護層３１、磁性薄膜層３２、基板裏
面側保護層３３はスパッタ等によって設層されるため、
これらの材質、設層条件等により、基板２に凸または凹
状の反りが生じることがある。

また、上記の有機保護コート層３４は、硬化の際に収縮
するため、基板２は有機保護コート層３４側に凹状に反
ることになる。

従って、こわらの反りが組み合わされ、基板２は凸ある
いは凹状に反ることになる。

一方、上記の硬化性皮膜９を設層した保護板８には、硬
化性皮膜９が硬化、収縮する際に、硬化性皮膜９側に凹
状に反りが発生する。

従って、基板２に反りが発生した場合、硬化性皮膜９に
よって保護板８に基板２とは逆側に反りを与え、両者の
凸面同士あるいは凹面同士を対向させて接着一体化する
ことにより、結果として、反りのない平坦な光記録媒体
が得られる。

また、硬化性皮膜９を設層することにより、保護板８の
剛性が向−トするので、基板２と一体化後に例えば、高
温、高湿下で保存した後においても、媒体の反りを抑制
できる。

このような保護板８は、前述したように接着剤層７を介
して接着される。　接着剤層の膜厚は１〜１００μｍ程
度とされる。

さらに、これら一体化後の基板２や保護板８の裏面（ｉ
ｆｆ！薄膜層３２を設けていない側の而）には各種保護
膜としてのコーティングを行うこともできる。

なお、基板２の反りは、ディスク径１００ｍｍあたり、
±１　ｍｍ以下、特に±２００μｓ〜±１　ｍｍ程度で
ある。　また、保護板８のディスク径１００ｍｍあたり
の反りの大きさは、基板２と逆方向の反りであって、基
板２の１００ｍｍ径あたりの反りの大きさの±２ｏｏ、
＋ｎ以内とする。

これにより、媒体の１００ｍｍ径あたりの反りは±１５
０−以下となる。

コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層３４の材質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果 本発明の光記録媒体は、基板上に記録層を有する記録部
分を有し、この記録部分と、一方の面に硬化性皮膜を有
する保護板とが接着一体化されて形成される。

このため、保護板に反りを付与することができ、記録部
分の形成によって反りが生じた場合、基板と基板の反り
と逆方向に反らせた保護板とを接着することにより、反
りがなく平坦で、記録、再生特性の劣化がない光記録媒
体が得られる。

また、保護板の剛性が向上するため、高温、高湿下での
保存後においても、媒体の反りの発生が少ない。

そして、硬化性皮膜の硬度、膜厚等を適当に調整するこ
とにより保護板に所望の反りを与えることができるため
、基板の反りの矯正が容易である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
光デイスクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板
２上に、ＳｉＯの基板側保護層３１を層厚８００人にス
パッタで設層し、さらにこの上に２１　ａｔ％Ｔｂ、６
８ａｔ％Ｆｅ、７ａｔ％Ｃｏ、４ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を
、スパッタリングによりて厚さ８００人に設層し、磁性
薄膜層３２とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層３２上に、ＳｉＯの基板裏面側保護層３
３を層厚１５００人にスパッタで設層し、このトに、下
記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を有機保護コ
ート層３４として、スピンコードで設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート　（アロエックスＭ
−８０３０）　　　　１００重量部光増感剤　　　　　
　　　　　　　５重量部このような塗布組成物を設層後
、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬化させ、硬化膜とし
た。　膜厚は、５−であった。

上記のような記録部分が設層された基板２は、記録部分
側に凸状であり、ディスク中心部と外周部との高さの差
（反りの量）の平均は５００声であった。

このような基板２に、下記表１に示されるような種々の
硬化性皮膜９を設層した保護板８を硬化性皮膜９が外側
になるようにホットメルト系接着剤によって接着一体化
し、サンプルを作製した（サンプルＮｏ、１〜３）。　
なお、保護板８は、基板２と同材質、同寸法であり、硬
化性皮膜９は、スピンコードによって設層し、紫外線硬
化を行った。

保護板８の反りの量を表１に示す。

なお、サンプルＮｏ、４は、硬化性皮膜９を設けない比
較例である。

これらについて下記の測定を行った。

（１）接着後の反りの量 （２）初期のＣ／Ｎ比 線速　　　　　　　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　ｃ搬
送周波数　　　　　　　　１．０ＭＨｚ分解能　　　　
　　　　　　３０ＫＨｚ記録パワー（８３０ｎｒｎ）　
　　３〜６ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）　　　１ｍＷ
上記条件にてＣ／Ｎ比を測定し、サンプルＮｏ、１を基
準（ＯｄＢ）とした。

く３）保存後の反りの変化量 ６０℃、９０％ＲＨにて１０００時間保存し、さらに２
０℃、５０％ＲＨで６時間保存後の媒体の反りの量を測
定した。

結果を表１に示す。

以上の結果より本発明の効果は明らかである。

なお、このような効果は相転移型のＴｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ
ａ、ｘ、Ｔｅ−３ｅ等の記録層でも同様に実現した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録媒体の１例を示す光磁気記録
媒体の断面図である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、　２・・・基板、３・・・記
録部分、　　　３１−・・基板側保護層、３２・・・磁
性薄膜層、 ３３・・・基板裏面側保護層、 ３４・・・有機保護コート層、 ７・・・接着剤層、 ８・・・保護板、　　　　　　９・・・硬化性皮膜出願
人　　ティーディーケイ株式会社 代理人　　弁理士　　石　井　陽　− Ｆ　Ｉ　Ｇ、　１

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に記録層を有する記録部分を有し、この記
   録部分と保護板とを接着一体化した光記録媒体において
   、 一方の面に硬化性皮膜を形成した保護板を用いて一体化
   したことを特徴とする光記録媒体。
2. （２）硬化性皮膜が、硬化性樹脂を放射線硬化したもの
   である特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
3. （３）硬化性皮膜の硬度が、Ｈ〜３Ｈである特許請求の
   範囲第１項または第２項に記載の光記録媒体。
4. （４）硬化性皮膜の膜厚が、１〜５００μｍである特許
   請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光記
   録媒体。
5. （５）媒体がディスク状をなし、ディスク径１００ｍｍ
   あたりの媒体の反りが±１５０μｍ以下である特許請求
   の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光記録媒
   体。
6. （６）基板と保護板が、同一の樹脂で形成されている特
   許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の光
   記録媒体。
7. （７）記録部分が、記録層上に有機保護コート層を有す
   る特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載
   の光記録媒体。
8. （８）ディスク状の基板上に記録層を有する記録部分を
   有し、この記録部分と保護板とを接着して一体化する光
   記録媒体の製造方法において、 記録部分を有する基板が記録層側またはそれと反対側に
   凸の反りを有しており、一方の面に硬化性皮膜を形成し
   て、基板と逆方向に凸の反りを有する保護板を上記記録
   部分と積層して接着一体化し、ディスク径１００ｍｍあ
   たりの媒体の反りが±１５０μｍ以下である媒体を得る
   ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
9. （９）基板の反りがディスク径１００ｍｍあたり１ｍｍ
   以下である特許請求の範囲第８項に記載の光記録媒体の
   製造方法。
10. （１０）保護板のディスク径１００ｍｍあたりの反りの
    大きさが、基板のディスク径１００ｍｍあたりの反りの
    大きさの±２００μｍ以内である特許請求の範囲第８項
    または第９項に記載の光記録媒体の製造方法。