JPS62281143A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 ■　発明の背１；先 技術分野 本発明は、レーザー九等の熱および光を用いて↑１１報
の記録、１Ｆ生を行う光磁気記録媒体に関１「る。

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｊ２Ｇｅ、ＭｎＳｂ、ＭｎＣｕＢ１、
ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、 Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｏ３、Ｇ　ｄ　Ｉ　Ｇ　、　Ｇ　ｄ　
Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２Ｏ
４等の材料が知られている。　これらは、真空蒸着法や
スパッタリング法等の方法で、プラスチックやカラス等
の透明基板上に薄１漠として形成される。　これらの光
磁気記録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 ざらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることかできる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥か比較的少な
いこと、 第３に比較的大面ｈ１にわたって磁気的、機械的に均一
な）漠が得られることがあげられる。

このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は、大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、＋１７報の記
録、再生が不可能となる。

そこで、−・般には、直配磁性薄膜層の表面に保Ｓ層を
設けた構成の光磁気記録媒体が多く研究されている。

従来、このような防湿性の保護層としては、−酸化ケイ
素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、硫
化亜鉛等の無機系の真空蒸若膜や樹脂膜等を設ける試み
（特開昭５８−８０１４２号等）が開示されている。

光電気記録媒体では、基板側から記録・再生を行うのか
有利であり、基板としては透明性のものを用いる。

光デイスク用の基板としては、製造の容易さ、取り扱い
易さ等の点で、樹脂性のものが好ましく、これらのうち
では、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂等が好適である。

このような樹脂性の基板Ｅには、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性薄膜層を設層する。

この中間層は干渉層としての機能を打し、Ｃ／Ｎ比を向
上させ、かつ磁性薄膜層の劣化を防止する耐食性付与の
機能を有する。

このような中間層の材質としては、例えばＳｉｎ、Ｓｉ
ｎ□等の酸化ケイ素、ＡｆｆｉＮ、Ｓ　ｉ３Ｎ、、Ｚｎ
Ｓ、Ｓ　ｉ、Ｇｅなどが提案されている（特開昭５８−
８０１４２号等）。

これらのうち、窒化ケイ素は、Ｃ／Ｎ比、耐た膜構造で
は、Ｃ／Ｎ比、耐食性、耐久性等の点で末だ不１−分で
あり、より一層の向−ヒが必要である。

［Ｉ　発明の目的 本発明の目的は、記録・再生特性に優れ、しかも磁性薄
膜層の劣化か防止され、耐食性、耐久性に優れ、さらに
は、ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐれた光磁気
記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明、は樹脂製の基板上に窒化ケイ素から
形成される中間層を有し、この中間層上に希土類−遷移
金属の磁性薄膜層を有する光磁気記録媒体において、」
−記中間層が酸素を含有し、上記中間層における基板側
酸素含有油か＆４４＋ＩＥ）貰１１ζ％％但ｌのそれと
１十へ−に矢い７戸を４聾漕とする光磁気記録媒体であ
る。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の光磁気記録媒体の一実施例か、第１図に示され
ている。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
−トに中間層３を有する。

本発明の中間層３は、窒化ケイ素から形成される。

Ｓｉ３Ｎ、は一般的に化学量論組成であるが、これから
偏置しているものであってもかまわない。

この場合、層全体の平均のＮ　／　Ｓ　ｉ原子比は０．
７〜１．２程度である。

窒化ケイ素中間層３には酸素が含有されるが層中のＯ／
　Ｓ　ｉ原子比は、層全体の平均として０．２〜１．０
、より好ましくは０．２〜０．６である。

このときＯ／　Ｓ　ｉ比が０．２未満となると耐久性向
上効果の実効かなくなってしまう。

また、１．０をこえると、みかけ」二のカー回転角が減
少し、特性に悪化！を与えてしまう。

このような中間層３の厚さ方向には、中間層３中におけ
る基板側の酸素含有量が後述する磁性薄膜層４側のそれ
と比べ大きくなるような所定の酸素濃度分布が存在する
。

このような窒化ケイ素中間層３中の酸素４度分４ｉは、
例えば、窒化ケイ素中間層３の基板２側から１／４まで
の位置のＯ／　Ｓ　ｉ原子比が、磁性薄＋ＩＱ層４側か
ら１／４までの位置の０／Ｓｉ原子比の３倍以上、より
好ましくは５倍以上となるようにする。

この値か３倍未満になると、Ｃ／Ｎ比、耐食性、耐久性
が悪化する。　一方、この値か上記の好適範囲である５
倍以上になると、Ｃ／Ｎ比、耐久性は格段と向トする。

、窒化ゲイ素中間層３中に上記のような酸素濃度分布を
もたせることにより、下記の作用か生じる。

すなわち、第１に、窒化ケイ素中間層３の基板側の酸素
濃度を適当に設定することにより。

基板（ポリカーボネート樹脂では８３０ｎｍに′　　て
屈折率約１．５７）と窒化ケイ素中間層３との界面での
反射を有効に防止でき、良好な記録・１［１生特性か得
られる。

第２に、磁性薄膜層４側の窒化ケイ素中間層３中の酸素
濃度を低くおさえることによって、後述するＦｅおよび
Ｃｏを必須含有成分とする磁性薄ｊｌ！２層４の劣化を
有効に防止することかできる。

なお、酸素濃度分布は、連続的であっても非連続的てあ
ってもよい。

このような窒化ケイ素中間層３の膜Ｊ７方向に存在する
Ｏ　／　Ｓ　ｉの原子比分布は、例えば以−ドに述べる
方法によって測定される。

すなわち、まず最初に、窒化ケイ素中間層３を磁性薄膜
層４側から一定のエッチンク速度でイオンエツチングを
行いなから、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）、ＡＥＳ
　（オージェ分光分析）、ＥＳＣＡなどで元素分析を行
う。　そして、ポリカーボネート樹脂等の基板２に到達
し、炭素Ｃが検出されるまでの時間をｄ１１１定する。

この要した時間の最初から１／４までの時間および３／
４から基板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果
より、層中所定箇所の０　／　Ｓ　ｉ平均原子比が算出
される。

なお、層全体平均のＯ／　Ｓ　ｉ原子比も算出できるこ
とはいうまでもない。

このように１漠厚方向に酸素濃度分Ｉ５が存在する窒化
ケイ素中間層３を設層するには、Ｓｉ、Ｎ、および５ｉ
ｎ２をターゲットに用い、両者のスパッタレートを制御
して、これを変化させながら成膜する２元スパッタ法、
あるいは、酸素を含む雰囲気中で、Ｓｉ３Ｎ４をターゲ
ットに用い、酸素濃度を制御して、これを変化させて成
膜する反応性スパッタ、あるいは、酸素および窒素を含
む雰囲気中で、Ｓｉをターゲットに用い、酸素および窒
素濃度を制御して、これらを変化させて成膜する反応性
スパッタ等を用いる。

これらスパッタリングにおける条件は、通常のものであ
ってよい。

また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えば、蒸着
等を適宜用いることも可能である。

このように設層される窒化ケイ素中間層３の膜厚は、５
００〜１５００人、より好ましくは７００〜１０００人
である。

なお、通常、窒化ケイ素中間層は非晶質状態にある。

また、成＠雰囲気中に存在するＡｒ等が入ってもよい。

その他、場合によっては少量のＡ２、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｂａ
等の元素を添加してもよい。

上述の窒化ケイ素中間層３が設層される基板２は、樹脂
によって形成される。

好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などか
あげられる。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、１０，
０００〜１５，０００程度であることが好ましい。

このような基板２の８３０ｒ＋ｍの屈折率は通常１．５
５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

また、基板２は、通常ディスク状とし、１．２〜１．５
ｍｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性Ｔ４成膜形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することか好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御１５
号は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

前述した窒化ケイ素中間層３の上には、＆ｆｉ性薄膜薄
膜層４層される。

本発明の磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生するものであ
る。

このような磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希土類金属とＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金をスパッ
タ、蒸＠法等により、非晶質膜として形成したものであ
り、しかもＦｅとＣｏを必須含有成分とするものである
。

この場合、ＦｅとＣＯの総合有量は、６５〜８５ａｔ、
％であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａｊ％以下の範囲で
Ｃｒ、Ａｌ１、Ｔ１、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、■、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａＬ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ
、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の膜厚は、０．０１〜１−が好ま
しい。

ざらに、このような磁性薄膜層４の基板２と反対側には
、各柚の保護層を１層以上設けることが好ましい。

第１図においては、保護層５と保護膜６とが設けられて
いる。

この場合、保護層５の材質としては、保護層としての機
能を有するものであれば特に制限はされないが、好まし
くは酸化物、窒化物の薄膜である。

酸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。

これらの中では、特に窒化ケイ素が好適である。

このような薄膜の厚さは０．１〜１０μｍＪ’１度とす
る。

なお、保護層５の形成は真空蒸着、スパッタ等によれば
よい。

一方、保護膜６の材質としては、通常、公知の種々の有
機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのかよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を任
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘々７体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基か尋人されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはと
−カブロラクトンーアクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ８）ｎ　　０
ＣＨ２）３　　ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝Ｌ、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および上記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＯＣ）ｌ＝ｃｌ−１２（特殊アクリレートＨ） ＾ ■ ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレート１） 普 ＣＨ３ＣＨ２０−Ｃｏ−（ＣＨ２）５−０ＣＯＣＨ＝Ｃ
Ｈ２（特殊アクリレートＪ） １１）　　　　　　　Ａ　　　　　Ａ Ａ、アクリル酸、　　　ｘ、多価アルコールＹ：り盆均
唆　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ（
−Ｍ−Ｎ−）−−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｍ：２
価アルコールＮ：２塩基酸　　　　　く特殊アクリレー
トし）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一
般式で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウ
レタンエラストマーのアクリル、変性体、あるいはこれ
らのものにＣ０ＯＨ等の゛σ能基が導入ざわたもの等が
挙げられる。

（式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架槁あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射ａ感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一袖含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の保護１摸６の１１Ｑ厚
は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μｍであ
る。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。　また、３０μｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない
。

このような塗＋ｍは、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜
の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗
膜厚さ等巻考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すわばよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０にＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ヘンシフエノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
拍　アセドラキノン　フエナントラキノン専のキノン類
、ペンシルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲か望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗１摸を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような保護膜６の上には、通常接着剤層７を介して
保護板８が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄１反層４を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合にのみ、この保護板８を用いる。

このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、柿々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の各柿熱射塑性樹脂、フェノール樹脂、
ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板８
として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板８は、前述したように接着剤層７を介
して接看される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の磁性Ｔ４
膜層４、保護層５．保護膜６等を有する基板をさらに１
セツト用いて２両磁性薄膜層を内側にして対向させて、
接着剤層７を用いて貼り合せて、両基板の裏面側から書
き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい
。

さらに、これらの基板２や保護板８の裏面（磁性薄膜層
４を設けていない側の而）には各柿保護膜としてのハー
ドコート層を設けることか好ましい。

ハードコート層の材質としては、前述した保護膜６の材
質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果 本発明の光電気記録媒体は、樹脂性基板と磁性薄膜層と
の間に酸素を含有し、その酸素濃度に所定の分布をもつ
窒化ケイ素中間層を仔している。　そのため、記録、再
生特性に優れ、しかも磁性薄１反層の経時劣化も少ない
。

特に、基板がポリカーボネート樹脂で形成される場合、
磁性薄膜層の経時劣化はより少なくなる。　しかも、ソ
リ等に対する耐性もより一層向上する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

し実ｈＦｒ例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
ポリカーボネート樹脂（分子量１５０００）からなる基
板上に、窒化ケイ素中間層を反応性スパッタリングによ
り、厚さ８００人に設層した。

なお、スパッタリングに際して、窒化ケイ素中間層に所
定の酸素濃度分１１を設けるために、酸素および窒素を
含むＡｒ雰囲気中で、作動圧ＩＰａにてＳｉをターゲッ
トとして用い、酸素および窒素濃度を時間的に一１ｒ８
シた。

設ＦＸＩｒ＆、膜中の元素分析をイオンエツチングしな
からオージェ分光分析にて行ったところ、基板側からｊ
膜厚の１／４の位置までのＯ／　Ｓ　ｉ原子比（Ｘｌ）
は０．９であり、磁性薄膜層側から１／４の位置までの
Ｏ／　Ｓ　ｉ原子比（ｘ４）は０．１５であった。

また膜全体の平均０　／　Ｓ　ｉ原子比（ｘ）およびＮ
　／　Ｓ　ｉ原子比（ｙ）は、それぞれＣ１３および０
．８であった。

この窒化ケイ素中間層のうえに２１ａし％Ｔｂ　　、　
　６８ａＬ％　Ｆｅ　　、　　７ａｊ％　Ｃｏ　　、　
　４ａｊ％　Ｃｒ合金薄膜をスパッタリングによって、
厚さ８００人に設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層上にＳｉ、Ｎ４の保護層を膜厚１０００
人にスパッタリングで設層し、この保護層のうえに下記
の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を保護膜として
スピンナーコートで設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 偕た　涌或　８０　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　に　ｉｏ　　弓　田（こ
のような塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。

この時の膜厚は５μｍであった。

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面上にも行った
。　さらに保護膜上に直径１３ｃｍのポリカーボネート
ｍ脂製の保護板を接着剤を用いて接着し、本発明のサン
プルとした（サンプルＮｏ、１）。　　これに準じてサ
ンプルＮ００１の窒化ケイ素中間層を下記表１に示す酸
素濃度分布をもつ窒化ケイ素中間層とした以外は、Ｎｏ
、　　１の場合と同様にして各種サンプルを作製した。

以上のサンプルについて、以下に示すような特性値をｉ
！１．１１定した。

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時
間保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した。

回転スピード　　　　　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　
ｃ搬送周波数　　　　　　　　　５００ＫＨｚ分解能　
　　　　　　　　　　　３０ＫＨｚ記録パワー（８３０
ｎｍ）　　　　　３〜４ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）
　　　　　　　１ｍＷ（２）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時間保存後の
ＥＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表１ 表１に示される結果より、本発明の効果が明らかである
。

すなわち、Ｎ０９１〜Ｎｏ、　５で示される本発明のも
のは、Ｘｌがｘ４より大きいので、Ｃ／Ｎ比、ピットエ
ラーレート、これらの保存後の値のいずれも良好な結果
を示す。

この場合、ｘ、／ｘ４が３以上となるＮ０１１〜Ｎｏ、
　４では、保存後のピットエラーレートの増大はきわめ
て少なくなる。　特にＮ００１およびＮｏ、　２は、Ｘ
１／Ｘ４．Ｘおよびｙの値が最適範囲内にあるため、き
わめてすぐれた結果を示し、Ｘ　（／　Ｘ　４が５以上
、モしてＸが０．２〜１．０、特に０．２〜０．６、ｙ
が０．７〜１．２であると、保存劣化の防止効果はきわ
めて大きいことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １・−光磁気記録媒体、 ２・一基板 ３−窒化ケイ素中間層、 ４・−磁性薄膜層、 ５−保護層、 ６・−保護１漠、 ７−・接着剤層、 ８・−保護板 出願人　　ティーディーケイ株式会社 ・　　′ニ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂製の基板上に窒化ケイ素から形成される中間
   層を有し、この中間層上に希土類−遷移金属の磁性薄膜
   層を有する光磁気記録媒体において、 上記中間層が酸素を含有し、上記中間層における基板側
   酸素含有量が磁性薄膜層側のそれと比べ大きいことを特
   徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）窒化ケイ素中間層の基板側から１／４までの位置
   の窒化ケイ素中間層中のＯ／Ｓｉ原子比が、磁性薄膜層
   側から１／４までの位置の窒化ケイ素中間層中のＯ／Ｓ
   ｉ原子比の３倍以上である特許請求の範囲第１項に記載
   の光磁気記録媒体。
3. （３）窒化ケイ素中間層の層全体の平均のＯ／Ｓｉ原子
   比が０．２〜１．０である特許請求の範囲第１項または
   第２項に記載の光磁気記録媒体。
4. （４）窒化ケイ素中間層の層全体の平均のＮ／Ｓｉ原子
   比が０．７〜１．２である特許請求の範囲第１項ないし
   第３項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
5. （５）樹脂製の基板がポリカーボネート樹脂である特許
   請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体。