JPS62281144A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその間迎点 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．　　ＭｎＡｆｆｉＧｅ、　　ＭｎＳｂ　、Ｍ
ｎＣｕＢ１．　　ＧｄＦｅ、　　ＴｂＦｅ　、ＧｄＣｏ
、　　ＰｔＣｏ　、　ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、　　ＧｄＦｅＣｏ　、 ＴｂＦｅ０３　、　　Ｇｄ　　ＩＧ、　　ＧｄＴｂＦｅ
　、ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．　　ＣｏＦｅ　２０゜等の
材料が知られている。　これらは、真空蒸着法やスパッ
タリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の遣明
基板上に薄ｌ摸として形成される。　これらの光磁気記
録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、ｗＪ
倶点が室温付近であること、１２に、ノイズとなる結晶
粒界などの欠陥が比較的少ないこと、 第３に比較的大面積にわたって磁気的、８１絨的に均一
な膜か得られることがあげられる。

このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性溝）艮か大きな注目を
集めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光＠気記録媒体において、磁性薄膜層は、大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性源１＠層の表面に保護層を
設けた構成の光磁気記録媒体が多く研究されている。

従来、このような防湿性の保護層としては、−酸化ケイ
素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、硫
化曲鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂ｊ＠等を設ける試
み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示されている。

光磁気記録媒体では、基板側から記録・再生を行うのが
有利であり、基板としては透明性のものを用いる。

光デイスク用の基板としては、製造の容易さ、取り扱い
易さ等の点で、樹脂性のものが好ましく、これらのうち
では、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル
樹ｊ指、ポリカーボネート樹脂等が好適である。

このような樹脂性の基板上には、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性源１反層を設層する
。

この中間層は干渉層としての機能を苔し、Ｃ／Ｎ比を向
上させ、かつ磁性薄膜層側析防止する耐食性付与の機能
を存する。

このような中間層の材質としては１例えばＳｉＯ，５ｉ
０２等の酸化ケイ素、ＡｕＮ、Ｓ　ｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、
Ｓ　ｉ、Ｇｅなどが提案されている（特開昭５８−８０
１４２号等）。

これらのうち、窒化アルミニウムは、Ｃ／Ｎ比、耐久性
等の点で好適であるが、従来使用されていた膜構造では
、Ｃ／Ｎ比、耐食性、耐久が必要である。

■　発明の目的 本発明の目的は、記録・再生特性に優れ、しかも磁性薄
膜層の劣化が防止され、耐食性、耐久性に優れ、さらに
は、ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐれた光磁気
記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、樹脂製の基板上に窒化アルミニウ
ムから形成される中間層を有し、この中間層上に希土類
−遷移金属の磁性薄膜層を有する光磁気記録媒体におい
て、上記中間層が酸素を含有し、上記中間層における基
板側酸素含有量が磁性薄膜層側のそれと比へ大きいこと
を特徴とする光電気記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の光磁気記録媒体の一実施例が、第１図に示され
ている。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に中間層３を有する。

本発明の中間層３は、窒化アルミニウムから形成される
。

Ａ４２Ｎは一般的に化学量論組成であるが、これから偏
置しているものであってもかまわない。

この場合、層全体の平均のＮ／Ａ　ｆｆｉ原子比は０．
６〜０．９９程度である。

窒化アルミニウム中間層３には酸素が含有されるが層中
のＯ／Ａ１原子比は、層全体の平均として０．２〜１．
０、より好ましくは０．２〜０．７である。

このとき０／Ａ２原子比が０．２未満となると耐久性向
上効果の実効がなくなってしまう。

また、１．０をこえると、みかけ上のカー回転角か減少
し、特性に悪影響を与えてしまう。

このような中間層３の厚さ方向には、中間層３中におけ
る基板側の酸素含有量が後述する磁性薄膜層４側のそれ
と比べ大きくなるような所定の酸素濃度分布が存在する
。

このような窒化アルミニウム中間層３中の酸素濃度分布
は、例えば、窒化アルミニウム中間層３の基板２側から
１／４までの位置の０／Ａ２原子比が、磁性／ｌｖ膜層
４側がら１／４までの位置のＯ／　Ａ　ｆｆｉ　Ｎ子比
の３倍以上、より好ましくは５倍以上となるようにする
。

この値が３倍未満になると、Ｃ／Ｎ比、耐食性、耐久性
が悪化する。　一方、この値が上記の好適範囲である５
倍以上になると、Ｃ／Ｎ比、耐久性は格段と向上する。

窒化アルミニウム中間層３中に上記のような酸素濃度分
布をもたせることにより、下記の作用が生じる。

すなわち、第１に、窒化アルミニウム中間層３の基板側
の酸素濃度を適当に設定することにより、基板（ポリカ
ーボネート樹脂では８３０ｎｍにて屈折率約１．５７）
と窒化アルミニウム中間層３との界面での反射を有効に
防止でき、良好な記録・再生特性が得られる。

第２に、磁性薄膜層４側の窒化アルミニウム中間層３中
の酸素濃度を低くおさえることによって、後述するＦｅ
およびｃｏを必須含有成分とするｉ性薄膜層４の劣化を
有効に防止することができる。

なお、酸素濃度分布は、連続的であっても非連続的であ
ってもよい。

このような窒化アルミニウム中間層３のｌｌ５１ｇ方向
に存在するＯ／Ａｌの原子比分布は、例えば以下に述へ
る方法によって測定される。

すなわち、まず最初に、窒化アルミニウム中間層３を磁
性薄膜層４側から一定のエツチング速度でイオンエツチ
ングを行いなから、５１Ｍ５　（２次イオンｌｉ：Ｌ量
分析）、ＡＥＳ　（オージェ分光分析）、ＥＳＣＡなど
で元素分析を行う。　そして、ポリカーボネート樹脂等
の基板２に到達し、炭素Ｃが検出されるまでの時間を６
１１１定する。

この要した時間の最初から１／４までの時間および３／
４から基板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果
より、層中所定箇所の０７Ａｕ平均原子比が算出される
。

なお５贋金体平均のＯ／ＡｌＬ原子比も算出できること
はいうまでもない。

このように１１５！厚方向に酸素濃度分布が存在する窒
化アルミニウム中間層３を設層するには、／ＭＡＮおよ
びＡｊＺ２０３をターゲットに用い、両者のスパッタレ
ートを制御して、これを変化させなから成膜する２元ス
パッタ法、あるいは、酸素を含む雰囲気中でＡＲＮをタ
ーゲットに用い、酸素濃度をＢＪ御して、これを変化さ
せて成膜する反応性スパッタ、あるいは、酸素および窒
素を含む雰囲気中で、Ａ２をターゲットに用い、酸素お
よび窒素濃度を制御して、これらを変化させて成膜する
反応性スパッタ等を用いる。

これらスパッタリングにおける条件は、通常のものであ
ってよい。

また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えば、蒸着
等を適宜用いることも可能である。

このように設層される窒化アルミニウム中間層３の膜厚
は、５００〜１５００人、より好ましくは７００〜１０
００人である。

なお、通常、窒化アルミニウム中間層は非晶質ないし多
結晶状態にある。

また、成膜雰囲気中に存在する八「等が入ってもよい。

その他、場合によっては少量のＺｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｂａ
等の元素を添加してもよい。

上述の窒化アルミニウム中間層３が設層される基板２は
、樹脂によって形成される。

好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹ＪＩＢ、エポキシ樹月旨、ポリメチルペンテン樹脂
などがあげられる。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂か好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
敢も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、ｔｏ、
ｏｏｏ〜１５，０００程度であることか好ましい。

このような基板２の８３０　ｒ＋ｍの屈折率は通常１６
５５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行？ので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

また、基板２は、通常ディスク状とし、１．２〜１．５
１１１０１程度の厚さとする。

このようなディスク状基握の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することか好ましい。

このように構成することにより、古き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラフ・キングの制御信
号は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、前述した窒
化アルミニウム中間層３の上には、磁性薄膜層４が設層
される。

本発明の磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は暖気−光変換して再生するものであ
る。

このような磁性＋４膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ
等の希土類金属とＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金をスパ
ッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもので
あり、しかもＦｅとＣｏを必須含有成分とするものであ
る。

この場合、ＦｅとＣｏの総合有量は、６５〜８５ａＬ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａし％以下ｄ）　覚
　叩　づ　／’　　　−Ａ　　　／ｌ　　　　　　Ｔ　
　ｉ　　　　　　　ｎ　　４　　　　　　（’　　　：
Ｍｏ、　　Ｍｎ、　　Ｖ、　Ｎｉ、　　Ｃｕ、　　Ｚｎ
、　　Ｇｅ　、Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａＬ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を
含有してもよい。

このような磁性薄膜層の膜厚は、０．０１〜１−が好ま
しい。

さらに、このような磁性薄膜層４の基板２と反対側には
、各種の保護層を１層以上設けることが好ましい。

第１図においては、保護層５と保護膜６とが設けられて
いる。

この場合、保護層５の材質としては、保護層としての機
能を有するものであれば特に制限はされないが、好まし
くは酸化物、窒化物の薄膜である。

酸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。

これらの中では、特に窒化アルミニウムが好適である。

このような薄膜の厚さは０．１〜１０μｍ程度とする。

なお、保護層５の形成は真空蒸着、スパッタ等によれば
よい。

一方、保護膜６の材質としては、通常、公知の種々の有
機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子１２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０，Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはと
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３　　ＣＣＨ
２ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０（ＯＣ３８６）ｎ　　０
ＣＨ２）３−ＣＣ８２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１．ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
Ｃ０ＣＨ＝ＣＨ２く辱場朱アクリレートＨ） ■ ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝Ｃ）１２ く特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） １１）　　　　　　　Ａ　　　　　Ａ Ａ−（Ｘ−Ｙ−）−Ｘ−Ａ Ａ°アクリル酸、　　　Ｘ：鐘アルコールＹ：多塩基酸
　　　　　悸昂朱アクリレートに）１２）　　　Ａ（−
Ｍ−Ｎ）−Ｍ−Ａ Ａニアクリル酸、　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基唆
　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化型
オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オリ
ゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのアク
リル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能
基が導入されたもの等が挙げられる。

（式中Ｒ，、Ｒ２・アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル糸二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の保護膜６の膜厚は０．
１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μ国である。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。　また、３０μｍ
をこえると、樹月旨膜の硬化の際に伴う収縮により記録
媒体の反りや保護服中のクラックが生じ、実用に耐えな
い。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、袖々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗Ｉ摸に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００にＶの放
射線加速器を用い、吸収線■を０．５〜２０メガラツト
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
キノン類、ペンシルジスルフィド、テトラメチルチウラ
ムモノスルフィド等のスルフィド類等を挙げることがで
きる。　光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１
０重世％の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗１反を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような保護膜６の上には、通常接着剤層７を介して
保護板８が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合にのみ、この保護板８を用いる。

このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ボッウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各棟熱町塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板８
として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板８は、前述したように接着剤層７を介
して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層５．保護膜６等を有す、る基板をざらに１
セツト用いて、画題性薄膜層を内側にして対向させて、
接着剤層７を用いて貼り合せて、両基板の裏面側から書
き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい
。

さらに、これらの基板２や保護板８の裏面（磁性薄膜層
４を設けていない側の而）には各種保護膜としてのハー
ドコート層を設けることが好ましい。

ハードコート層の材質としては、前述した保護ｌｌ５ｉ
６の材質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果 本発明の光磁気記録媒体は、樹脂性基板と磁性薄膜層と
の間に酸素を含有し、その酸素濃度に所定の分布をもつ
窒化アルミニウム中間層を有している。　そのため、記
録、再生特性に優れ、しかも磁性薄膜層の経時劣化も少
ない。

特に、基板かポリカーボネート樹脂で形成される場合、
磁性源ｌ膜層の経時劣化はより少なくなる。　しかも、
ソリ等に対する耐性もより一層向上する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

し実施例１」 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
ポリカーボネート樹脂（分子量１５０００）からなる基
板上に、窒化アルミニウム中間層を反応性スパッタリン
グにより、厚さ８００人に設層した。

なお、スパッタリングに際して、窒化アルミニウム中間
層に所定の酸素濃度分布を設けるために、酸素および窒
素を含むＡｒ雰囲気中で、作動圧ＩＰａにてＡ２をター
ゲットとして用い酸素および窒素濃度を時間的に制御し
た。

設層後、膜中の元素分析をイオンエツチングしなからオ
ージェ分光分析にて行ったところ、基板側から膜厚の１
／４の位置までのＯ／Ａ　Ｍ原子比（ｘｌ）は０．５で
あり、磁性薄膜層側から１／４の位置までのＯ／Ａ　Ｍ
原子比（Ｘ４）は０．１であった。

また膜量体の平均０／ＡＪ２原子比（Ｘ）およびＮ／Ａ
Ｉｌ原子比（ｙ）は、それぞれ０．４および０．７であ
った。

この窒化アルミニウム中間層のうえに２１ａＬ％　Ｔｂ
　　、　　６８　ａし％　Ｆｅ　　、　　７ａｔ％　Ｃ
Ｏ、４ａｔ、％Ｃｒ合金薄膜をスパッタリングによって
、厚さ８００人に設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層上にＡＩＬＮの保護層を膜厚１０００人
にスパッタリングで設層し、この保護層のうえに下記の
放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を保護膜としてス
ピンナーコートで設層した。

（塗！５組成物） 多官ｒｊヒオリゴエステルアクリレート１００重量部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。

この時の膜厚は５μｍであった。

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面上にも行った
。　ざらに保護膜上に直径１３ｃｍのポリカーボネート
樹脂製の保護板を接着剤を用いて接着し、本発明のサン
プルとした（サンプルＮｏ、１）。　これに準じてサン
プルＮ０１１の窒化アルミニウム中間層を下記表１に示
す酸素濃度分布をもつ窒化アルミニウム中間層とした以
外は、Ｎ０９１の場合と同様にして各種サンプルを作製
した。

以上のサンプルについて、単１に示すような特性値を測
定した。

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時
間保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した。

回転スピード　　　　　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　
ｃ搬送周波数　　　　　　　　　５００にＨｚ分解能　
　　　　　　　　　　　３０　ＫＨｚ記録パワー（８３
０ｎｍ）　　　　　３〜４ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ
）　　　　　　　１ｍＷ（２）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時間保存後の
ＥＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表１ 表１に示される結果よ１、本発明の効果が明らかである
。

すなわち、Ｎｏ、　　１〜Ｎ０９４で示される本発明の
ものは、Ｘ、がｘ４より大きいので、Ｃ／Ｎ比、ピット
エラーレート、これらの保存後の値のいずれも良好な結
果を示す。　特にＮｏ、　　１およびＮＯ１２はＸ　１
　／　Ｘ　４　、　Ｘおよびｙの値が最適範囲内にある
ため、きわめてすぐれた結果を示し、Ｘ　１　／　Ｘ　
４が３以上、特に５以上、Ｘが０．２〜１．０、特に０
．２〜０．７、ｙが０．６〜０．９９であると、保存劣
化の防止効果はきわめて大きいことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、 ３・・・窒化アルミニウム中間層、 ４・・・磁性薄膜層、 ５・・・保護層、 ６・・・保護膜、 ７・・・接着剤層、 ８・・・保護板 ・ニー、具 □伊□＋−

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂製の基板上に窒化アルミニウムから形成され
   る中間層を有し、この中間層上に希土類−遷移金属の磁
   性薄膜層を有する光磁気記録媒体において、 上記中間層が酸素を含有し、上記中間層における基板側
   酸素含有量が磁性薄膜層側のそれと比べ大きいことを特
   徴とする光磁気記録媒 体。
2. （２）窒化アルミニウム中間層の基板側から１／４まで
   の位置の窒化アルミニウム中間層中のＯ／Ａｌ原子比が
   、磁性薄膜層側から１／４までの位置の窒化アルミニウ
   ム中間層中の Ｏ／Ａｌ原子比の３倍以上である特許請求の範囲第１項
   に記載の光磁気記録媒体。
3. （３）窒化アルミニウム中間層の層全体の平均のＯ／Ａ
   ｌ原子比が０．２〜１．０である特許請求の範囲第１項
   または第２項に記載の光磁気記録媒体。
4. （４）窒化アルミニウム中間層の層全体の平均のＮ／Ａ
   ｌ原子比が０．６〜０．９９である特許請求の範囲第１
   項ないし第３項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
5. （５）樹脂製の基板がポリカーボネート樹脂である特許
   請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光磁
   気記録媒体。