JPS63166042A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPS63166042A
JPS63166042A JP61313720A JP31372086A JPS63166042A JP S63166042 A JPS63166042 A JP S63166042A JP 61313720 A JP61313720 A JP 61313720A JP 31372086 A JP31372086 A JP 31372086A JP S63166042 A JPS63166042 A JP S63166042A
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内山　謙治
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石崎　秀樹
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勝 高山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。
先行技術とその問題点 光記録媒体の−・つとして、光磁気メモリ用の媒体があ
る。
光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡＩＬＧｅ、ＭｎＳｂ。
ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。
ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。
ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ１Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料が知ら
れている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法
等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄
膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。
このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
・な膜が得られることがあげられる。
このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。
そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものか多く研
究されている。
従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。　しかし、これらは、いずれも未だ耐食性
あるいは膜と基板との密着性の点で満足できるものでは
ない。
また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上環の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭５９−５２４４３号公報、同第６０−１７７
４４９号公報）。
また、特開昭６０−１４５５２５号にはＳｉ３Ｎ４とＳ
　ｉ　Ｏ２との混合膜を保護層として用いる旨の提案が
なされている。
しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものであっても、未だそ
の効果は十分とはいえず、さらにより一層の改善が望ま
れている。
なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。
ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐
久性、Ｃ／Ｎ比の優れた、また膜剥離、クラック、初期
のソリ等が少なく良好な光記録媒体を提供することにあ
る。
■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によフて達成される。
すなわち、本発明における第１の発明は、基板上に記録
層を有する光記録媒体において、基板と記録層との間お
よび／または記録層の基板と反対側に保護層を有し、記
録層の基板側に記録層と直接接して中間層を有し、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と２価の
金属元素とを含有し、さらに酸素および窒素を含有し、
中間層がケイ素と１種以上の金属または半金属とを含有
し、さらに酸素および窒素を含有することを特徴とする
光記録媒体である。
また、第２の発明は、基板上に記録層を有する光記録媒
体において、 基板と記録層との間および／または記録層の基板と反対
側に保護層を有し、記録層の基板側に記録層と直接接し
て中間層を有し、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素とアルミ
ニウムおよび／またはホウ素と２価の金属元素とを含有
し、さらに酸素および窒素を含有し、中間層がケイ素と
１種以上の金属または半金属とを含有し、さらに酸素お
よび窒素を含有することを特徴とする光記録媒体である
。
なお、本発明者らは、本発明の先願として、ケイ素と他
の２価の金属元素とを含有し、さらに酸素および窒素を
含有する本発明の保護層についての提案をすでに行って
いるが、本発明ではこの保護層にさらに上記の中間層を
積層するので、Ｃ／Ｎ比はさらに高いものとなる。
■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。
第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に、非晶質の基板側保護層３１を有し、この上に中間
層４を有し、この上に記録層としての磁性薄膜層５が設
けられる。
本発明においては、さらに磁性薄膜層５上に非晶質の基
板裏面側保護層３５を設けることが好ましい。
このような本発明の非晶質の保護層３１゜３５は、金属
または半金属元素としてケイ素と２価の金属元素とを含
有し、さらに酸素および窒素を含有する。
このような各元素を含有させることによって、きわめて
良好な耐久性と耐食性とが発揮される。　この場合、こ
れら各必須元素の１つでも欠けたときには、本発明の効
果は実現しない。
また２価の金属元素（以下Ｒという）は、Ｂａ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｒ等の１種以上が挙げられ、なか
でも特にＢａ、Ｃａ。
Ｓｒの１〜３種を用いるのが好ましい。　これら２種以
上のＲを用いる場合、それぞれの量比は任意である。
本発明においては金属または半金属中のケイ素の原子比
Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｒ）が０．３〜０．９、特に０．３〜０
．８であることが好ましい。
Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｒ）が０．３未満であると、耐食性の点
で不利となり、０．９をこえると安定性の点で不利とな
るからである。
また、酸素および窒素中の酸素の原子比Ｏ／（０＋Ｎ）
は０．４〜０．８、特に０．５〜０．８であることが好
ましい。
０／　（０＋Ｎ）が０．４未満となると、耐食性の点で
不利となり、０．８をこえると電磁変換特性および耐久
性の点で不利となるからである。
本発明においては、金属または半金属元素としてさらに
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよく、
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有することによ
って耐食性がさらに向トする。
この場合、ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素
に対する原子比（Ｂおよび／またはＡｌ２）／Ｓｉは１
．０以下、特に０．１〜１．０、より好ましくは０．３
〜１．０であることが好ましい。
（Ｂおよび／またはＡｌ１）／Ｓｉが１．０をこえると
、耐食性、耐久性、膜の均一性の点で不利となる。　た
だし、０．１未満では添加の実効がない。
Ｂと　八２とを含有させる場合、互いの量比は任意であ
る。
本発明において、上記の各元素は、保護層中に以下のよ
うに含有される。
まずＳｔは、Ｓｉの酸化物（通常、 ５ｉｎ２）およびＳｉの窒化物（通常、５１３Ｎ４）、
として含有される。　ま　た、２価金属の酸化物（ＲＯ
）は、通常、ＢａＯ。
ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＳｒＯなどとして含
有される。
さらに＾１および／またはＢが含有される場合は酸化物
（通常、Ａｌ１−２０３．Ｂ２０ｓ　）や窒化物（通常
、ＡｆｆｉＮ、ＢＮ）として含有される。　すなわち、
化学量論組成で示すならば、Ｓｉｎ、とＲＯとに加え、
Ｓ　ｉ、Ｎ、。
Ａｌ１２０３．Ａｊ！Ｎ、Ｂ２０３およびＢＮの１種以
上が含有されるものである。
これらの化合物は、その組成において上記の化学量論的
な組成比をはずれていてもよい。
そして、本発明において最終的に保護層中には、Ｓｉの
酸化物（Ｓ　ｉ　Ｏ２換算）対Ｓｉの窒化物（Ｓｉ３Ｎ
４換算）のモル比が５０対５０〜９０対１０程度である
。
さらにＡρおよび／またはＢが含有される場合は、Ｓｉ
、八ｊ！およびＢの酸化物の総計（ＳｉＯ□、Ａｊｌｚ
Ｃ）３およびＢ２Ｏ３換算）対Ｓｉ、＾１およびＢの電
化物の総計 （ｓｉ３Ｎ、、　　八ＩＮおよびＢＮ換算）のモル比が
５０対５０〜９０対１０程度である。
この場合、化学量論組成で示したときの＾１□０３とＢ
２Ｏ３との量比や、Ｓｉ、Ｎ。
と＾２ＮとＢＮとの量比は任意である。
本発明においては１価の金属元素Ｌｉ。
Ｎａ、　　に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、好ましくはＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋが通常酸化物の形で、例えばＬ　ｉ２０　ｒ　Ｎ
　ａ　２０　、　　に２０．Ｒｂ２Ｏ。
Ｃｓ、Ｏ，Ｆｒ２Ｏ等として含有されていてもよい。　
これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の１０ｗｔ％
以下とする。
このような保護層は、通常非晶質状態にある。
なお、本発明において、第１図に示すごとく磁性薄膜層
の上面および下面にそわぞれ保護層３１．３５を設ける
場合には、これらの保註層３１と保護層３５との組成は
同一であっても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ
異なフだ組成としてもよい。
また、一方の保護層のみの組成を本発明内の所定の組成
とすることもできる。
このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、スパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ、光ＣＶＤ、特に所望の組成のターゲットを用いるス
パッタ法、２種以上の異なる組成からなるターゲットを
用いた多元スパッタ法あるいは酸素、窒素を用いる反応
性スパッタ法等によって形成される。
そして、このような保護層の厚さは、磁性薄膜層の上面
および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ３００
〜３０００人、特に５００〜２０００人とすることが好
ましい。
この値が３００λ未満であると、耐候性が悪く、また３
０００人をこえると、感度が低下する。
なお、このような保護層３１を基板２上に設ける場合に
は、保護層３１の厚さは３００〜１０００人程度とする
とさらに好ましい。
また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るＡｒ、Ｎ、等が入ってもよい。
その他、Ｆｅ２Ｏ，、Ｃｕｂ、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ，、
Ｃｏｏ、Ｎｉ０１Ａｓ２０．等が全体の１．ｏｗｔ％程
度以下含有されてもよい。
本発明に用いられる中間層４は、ケイ素と他の１種以上
の金°属または半金属とを含有し、さらに酸素および窒
素を含有する。
中間層４中において、ケイ素は、通常、酸化物（５ｉ　
０　、　Ｓ　ｉ　Ｏ２）および窒化物（ＳｉａＮ４）と
して含有されるが、これらの化合物は、その組成におい
て、上記の化学量論的な組成比をはずれていてもよい。
また、ケイ素以外の金属または半金属も、通常、酸化物
および窒化物として含有される。
ケイ素以外の金属または半金属としては、希土類元素、
Ａｌｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂ等が挙げられる。
これらのうち、下記（１）、（２）の希土類元素または
ＡＩｔを必須元素として含むことが特に好ましい。
（１）中間層４中に必須元素として希土類元素が含有さ
れる場合、 希土類元素としては、Ｓｃ、Ｙ％　Ｌａ〜Ｓｍ、Ｅｕ−
Ｌｕのいずれであってもよく、これらの１種以上が含有
される。
なお、希土類元素は酸素の他、一部窒素と結合してもよ
いのはもちろんである。
これらのうち、少なくともＬａおよびＣｅのうち一種以
上が含有されることが好ましい。
ＬａおよびＣｅの酸化物としては、通常、Ｌａ２０３Ｓ
よびＣｅＯ２である。
これらは、一般には化学量論組成であるが、これらから
偏置したものであってもよい。
ＣｅおよびＬａの酸化物はいずれか一方であってもよく
、両者が含有されてもよいが、両者が含有される場合、
その量比は任意である。
中間層４中には、これらのＬａおよび／またはＣｅの酸
化物の他、Ｙ、Ｅｒ、Ｐｒ等の希土類元素の酸化物が希
土類酸化物中１０ａｔ％（金属換算）程度以下含有され
ていてよい。
また、これらの他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａ
ＩＬ等の酸化物が含有されていてもよい。
これらの元素のうち、Ｆｅは、１０ａＬ％以下、また、
その他の元素は合計で１０ａｔ％以下含有されてもよい
。
なお、中間層４は、通常、非晶質状態にある。
このような中間層４中の希土類元素化合物とＳｉ化合物
との比は、希土類元素化合物の合計／（Ｓｉ化合物＋希
土類化合物の合計）として、０．０５〜０．５（重量比
）程度である。
この比が上記範囲未満であると、出力が低下し、また、
高温高湿下での耐久性に乏しくなる。
上記範囲を越えると、ノイズが増加しまた、高温高湿下
での耐久性に乏しくなる。
また、中間層４中のＯ／Ｎ原子比は、０．２〜３程度で
ある。
この比が０．２未満であると、高温高湿下での耐久性に
乏しくなる。
また、３を越えると、出力が低下し、経時劣化もおき易
い。
これら原子比の測定は、オージェ電子分光あるいはＥＤ
Ａ等の分析手段に従えばよい。
なお、中間層４中には、厚さ方向に酸素および窒素の濃
度勾配が存在してもよい。
この場合、基板側が酸素リッチ、また基板と反対側が窒
素リッチとするのが好適である。
より詳細には、中間層４の基板側の界面近傍の（０／Ｎ
）＋＋原子比１．０〜１００程度、基板と反対側界面近
傍の（０／Ｎ）、原子比０．１〜２．０であり、（ｏ／
Ｎ）ｍ　／　（０／Ｎ）ｕが１〜１００であることが好
ましい。
あるいは、窒素・酸素共基板側でリッチとなるように濃
度勾配をつけてもよい。
（２）中間層４中に必須元素としてＡ２か含有される場
合、ＡＪＺは、通常、化学量論組成としてＡ　Ｉｔ　２
０３およびＡｆｌ、Ｎとして含有されるが、これから偏
置したものであってもよい。
従って、この場合の中間層４中には、前記のＳｉＯ２，
５ｉＯ１Ｓｉ３Ｎ、に加え、Ａｆｉ２０３およびＡｆｉ
Ｎが含有される。
この場合、酸化物と窒化物との含有率は、窒化物リッチ
にすることが好ましく、通常窒素量は酸素量に対しての
原子比で１〜２０倍程度程度ることが好ましい。　こう
することにより、優れた記録再生特性を保ち、かつ安定
で耐久性、耐食性に優れた保護層となる。
この範囲未満すなわち０リツチであると出力が低下して
しまい、また、逆にＮリッチであると膜歪が大きくなり
耐久性が低下する。
さらに、このような中間層４においては、厚さ方向に所
定の元素の濃度勾配をつけてもよく、この場合、中間層
３１の基板側をＮ、０、リッチにすることが好ましい。
　あるいは相対的に基板側をＯリッチ、磁性薄膜側をＮ
リッチとしてもよい。
こうすることにより、経時劣化が少なく記録再生特性に
優れた記録媒体が得られる。
なお、好ましい態様においては、金属または半金属とし
てＳｉとＡＩとを用いる場合、これらの量比には特に制
限はないが、通常は原子比でＳ　ｉ　／　Ａ　１は０．
５〜２０程度とする。
Ｓ　ｉ　／　Ａ　Ｉ！、比が０．５未満であっても、ま
た、２０．［であっても優れた耐久性が得られない。
このような、例えば上記（１）、（２）で代表される各
種中間層４の８００ｎｍにおける屈折率は、１．８〜３
．０、より好ましくは２．０〜２．５とする。
屈折率が１．８未満であると、カー回転角増幅効果が小
さく、出力が低下する。
また、３．０を超えると、出力が低下し、またノイズが
増加する。
このような中間層４は各種気相成膜法、例えば、スパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ、光ＣＶＤ特に２種以上の異なる組成からなるターゲ
ットを用いた多元スパッタ法あるいは酸素を用いる反応
性スパッタ法等によって形成される。
なお、上記したようなケイ素と希土類元素とを含有する
中間層４を設層するには、スパッタ法を用いることが好
ましく、特に、ターゲットとしては、希土類酸化物、好
ましくは Ｌａ２Ｏ３および／またはＣｅＯ□と、５ｉＯ７および
Ｓｉ３Ｎ４の混合物の焼結体を用いることが好ましい。
この場合、希土類酸化物、特にＬａ２Ｏ３および／また
はＣｅＯ２の一部または全部を、発火合金であるアラニ
ルメタル、ヒユーバーメタル、ミツシュメタル、ウェル
スバッハメタル等の酸化物に換えて用いることもできる
。　これらの合金の組成を下記表１に示す。
表　　　　１ そして、このような中間層４の厚さは、３００〜３００
０人、特に５００〜２０００人とすることが好ましい。
この値が３００人未満であると、カー回転角増大効果が
小さくかつ耐候性が悪く、また３０００人をこえると、
感度が低下し、かつ生産効率も低下する。
また、中間層４中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するＡｒ、Ｎ２等が入ってもよい。
その他、Ｆｅ、Ｎ　ｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ
、Ｎａ、に等の元素が不純物として入りつる。
本発明において記録層として用いる磁性薄膜層５は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。
このような磁性薄膜層５の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希土類金属と好ましくはＦｅ、ＣＯ等の遷移金属の合
金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成し
たものである。
この場合、ＦｅとＣＯの総合有量は、６５〜８５ａＬ％
であることが好ましい。
そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。
そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。
なお、これら記録層中には１０ａｔ％以下の範囲でＣｒ
、Ａｎ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ％Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｇｅ。
Ａｕ等が含有されてもよい。
また、希土類元素として１０ａし％以下の範囲でＳｃ％
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ％Ｐｒ、Ｎｄ％Ｐｍ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。
Ｌｕ等を含有してもよい。
このような磁性薄膜層５の厚さは、通常、１００〜ｉｏ
、ｏｏｏλ程度である。
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして１例えば、 Ｔｅ−５ｅ、Ｔｅ−５ｅ−５ｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ−
Ｉｎ、Ｔｅ−３ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂ−Ｓ、Ｔｅ−Ｇｅ
−Ａｓ−５ｉ、Ｔｅ　−５ｉ、　Ｔｅ−Ｇｅ−５１−Ｓ
ｂ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−Ｂ　ｉ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−Ｉ　ｎ
−Ｇａ、　Ｔｅ−５ｉ　−Ｂ　ｉ　−Ｔ　１１％Ｔｅ−
Ｇｅ−Ｂ　ｉ　−１ｎ−Ｓ。
Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−５ｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ　−５，Ｔ
ｅ−Ｇｅ−５ｅ％Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ　−Ｇａ、　　Ｔｅ
−Ｇｅ−５−［ｎ、　　５ｅ−Ｇｅ　　−Ｔｌ、　　５
ｅ−Ｔｅ−Ａｓ、　　５ｅ−Ｇｅ−Ｔｌｌ　−３ｂ、５
ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、５ｅ−Ｓ　（以上、特公昭５４−４１
９０２号、特許第１００４８３５号など） Ｔｅａ、（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４２
５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、 Ｔｅａ、＋ｐｂｏ、（特許第９７４２５８号）、 Ｔ　ｅ　ＯＸ　＋　Ｖ　Ｏｘ　　（特許第９７４２５７
号）、その他、Ｔｅ−Ｔ（Ｌ、Ｔｅ−Ｔｉ２−Ｓｉ、５
ｅ−Ｚｎ−５ｂ％Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ。
ＴｅＮ、等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−５ｎ、５ｉ−Ｓｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ％Ａｇ−ＡＬＬ−Ｃｕ％Ｃｕ−ＡＪ２等の結
晶構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−３ｂ等
の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。
このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜１−
程度とされる。
本発明で用いられる基板２は、通常ガラスないし樹脂製
であり、好ましい樹脂材質としては、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテ
ン樹脂などがあげられ、る。
これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、１０．
０００〜ｔｓ、ｏｏｏ程度であることが好ましい。
このような基板２の８３０　ｒ＋＋ｓの屈折率は通常１
．５５〜１．５９程度である。
なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みない
し読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。
このようなディスク状基板の記録層形成面には、トラッ
キング用の溝が形成されてもよい。
溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、０．４〜２．０−程度とさ
れる。
また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。
そして、通常、この溝の四部に位置する記録層を記録ト
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。
また、通常磁性薄膜層５上（基板２と反対側）あるいは
この上に設けられるガラス質の基板裏面側保護層３５の
上には、有機保護コート層６が設けられる。
有機保護コート層６の材質としては、通常公知の種々の
有機系の物質を用いればよい。
より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸１．マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子［２０００〜１００
００のものが用いられる。
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリ　　！）メチロールプロパントリ
アクリレート（メタクリル基ト）・　トリチ０−ルブ０
パ′シア　　２）クリレート（メタクリレート）、多官
能オリゴエステルアクリレート（アロニックスＭ−７１
００、Ｍ−５４００，Ｍ−５５００，Ｍ−３）５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００％Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、束　　４）亜合成）、ウレタ
ンエラストマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体
、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入さ
れたもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアク　
　５）リレート（メタクリレート）、下記一般式で示さ
れるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基（メタク
リル基）・またはε−カプロラクトン−アクリル基のつ
いた化合物、　　　　　　　　６）（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ
ＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２０Ｈ（特殊アクリレートＡ） （ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）：３−ＣＣＨ２０Ｈ３（
特殊アクリレートＢ） （Ｃ）１２　＝ＣＨＣ０（ＯＣ３Ｈｓ　）ｎ　−０ＣＨ
２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ｍ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ｍ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ｍ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ｍ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。
（ｎ中１６）　　　　　　（特殊アクリレートＧ）８）
　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−ＣＯ
ＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレート■） （特殊アクリレートＪ） Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　く特殊アクリレートに）１２）　　　Ａ（
−Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｍ：２価
アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリレート
し）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般
式で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレ
タンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらの
ものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げら
れる。
（式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、ｙａ維毒素誘導体を挙げることができる。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層６の
膜厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μｍ
である。
この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層５の耐久性が向上しない。　また、３０μｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐久なし
１　。
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
電ｒ線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧ｌ
ＯＯ〜７５０Ｋｖ、好マシくハ１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。
一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。
このような有機保護コート層６の上には、通常接着剤層
７を介して保護板８が設けられる。
すなわち、前記の基板２の裏面（＠性薄膜層５を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板８を用いる。
このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板８
として用いてもよい。
このものの形状、寸法等は上記の基板２のそわとほぼ同
様とされる。
このような保護板８は、前述したように接着剤層７を介
して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。
他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層５、中間層４、保護層３１゜３５、有機保護コート層
６等を有する基板をさらに１セツト用いて、画記録層を
内側にして対向させて、接着剤層７を用いて貼り合せて
、両店板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面
記録タイプとしてもよい。　さらに、こわらの基板２や
保護板８の裏面（ｉｆｉ性薄膜薄膜層５けていない側の
面）には各種保護膜としてのコーティングを行うことが
好ましい。
コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層６の材質と同様なものとしてもよい。
■　発明の効果 本発明の光記録媒体は、基板上に所定の組成からなる中
間層、記録層を順次有し、基板と中間層との間および／
または記録層の上面に所定の組成からなる保護層を有す
る。
従って、このような構成を存する媒体は耐食性、再生出
力、Ｃ／Ｎ比がきわめて高く、エラーレートが少ないと
いう効果を有する。
■　発明の具体的実施例 以Ｆ、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。
［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
光デイスクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板
２上に、ガラス質の基板側保護層３１を、さらにこのト
に中間層４をそれぞれスパッタ法、場合により多元スパ
ッタ法で設層した。　膜厚は、それぞれ５００人、８０
０人とした。　なお、こわらの保護層３１と中間層４の
組成（組成比は、表記の化合物に換算したものである）
および中間層４の８００ｎｍにおける屈折率は、下記表
２に示されるように種々のものとした。
表中Ｍは、Ｓｉ＋Ｒ等の金属ないし半金属の総計を示す
。
また、サンプルＮｏ、　　１２におけるＭＭは、表１に
示されるミツシュメタルの酸化物である。
なお、屈折率は組成の他、スパッタ条件（ガス圧・ガス
組成）により調整した。
さらに中間層４の上に２１　ａｔ％Ｔｂ、６８ａｔ％Ｆ
ｅ、７ａＬ％Ｃｏ、４ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を、スパッタ
リングによって厚さ８００人に設層し、磁性薄膜Ｒ５と
した。
なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。
この磁性薄膜層５上に、さらに、種々の組成のガラス質
の基板裏面側保護層３５を設層した。
このガラス質の基板裏面側保護層３５の組成は、所定の
サンプルに用いたガラス質の基板側保護層３１のそれら
と同様のものとした。　また、膜厚は８００人とした。
この保護層３５の、上に、下記の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物を有機保護コート層６として、スピンナ
ーコートで設層した。
（塗４ｉ組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００ｆｉ量部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。
このようにして、下記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。
これらについて下記の特性を測定した。
（１）初期のＣ／Ｎ比 線速　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　ｃ搬送周波数　　
１．０ＭＨｚ 分解能　　　　３０にＨｚ 記録パワー（８３０ｎｍ）　　　３〜６ｍＷ再生パワー
（８３０ｎｍ）　　　　１ｍＷ（２）耐久性 ヒートサイクルテスト−Ｉ　Ｅ　Ｃ−２−３８（−１０
℃〜＋６５℃、９３％ＲＨ） 上記加速試験にてピットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。　この条件の場合主に膜の剥離、クラック
等がピットエラーレートの増加に寄与していた。
（３）耐食性 高温高湿（７０℃、９０％ＲＨ）保存テスト上記加速試
験にてピットエラーレートが２倍となる時間を測定した
。　この条件の場合主に孔食（ビンホールンの発生がピ
ットエラーレートの増加に寄与していた。
結果を表２に示す。
以上の結果より本発明の効果は明らかである。
なお、このような効果は相転移型のＴｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ
ａＸ、Ｔｅ−５ｅ等の記録層でも同様に実現した。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の光記録媒体の１例を示す光磁気記録
媒体の断面図である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、　　２・・・基板３１・・・
基板側保護層、４・・・中間層５・・・磁性薄膜層、３
５・・・基板裏面側保護層６・・・有機保護コート層、
７・・・接着剤層、８・・・保護板 ＦＩＧ、１

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に記録層を有する光記録媒体において、 基板と記録層との間および／または記録層の基板と反対
    側に保護層を有し、記録層の基板側に記録層と直接接し
    て中間層を有し、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と２価の
    金属元素とを含有し、さらに酸素および窒素を含有し、
    中間層がケイ素と１種以上の金属または半金属とを含有
    し、さらに酸素および窒素を含有することを特徴とする
    光記録媒体。
  2. （２）保護層に含有される金属または半金属元素中のケ
    イ素の原子比が０．３〜０．９である特許請求の範囲第
    １項に記載の光記録媒体。
  3. （３）保護層に含有される酸素および窒素中の酸素の原
    子比が０．４〜０．８である特許請求の範囲第１項また
    は第２項に記載の光記録媒体。
  4. （４）前記中間層の８００ｎｍにおける屈折率が１．８
    〜３．０である特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
    ずれかに記載の光記録媒 体。
  5. （５）中間層に含有される金属または半金属が希土類元
    素である特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか
    に記載の光記録媒体。
  6. （６）中間層に含有される金属または半金属が、アルミ
    ニウムである特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
    れかに記載の光記録媒 体。
  7. （７）基板上に記録層を有する光記録媒体において、 基板と記録層との間および／または記録層の基板と反対
    側に保護層を有し、記録層の基板側に記録層と直接接し
    て中間層を有し、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素とアルミ
    ニウムおよび／またはホウ素と２価の金属元素とを含有
    し、さらに酸素および窒素を含有し、中間層がケイ素と
    １種以上の金属または半金属とを含有し、さらに酸素お
    よび窒素を含有することを特徴とする光記録媒体。
  8. （８）保護層に含有される金属または半金属元素中のケ
    イ素の原子比が０．３〜０．９である特許請求の範囲第
    ７項に記載の光記録媒体。
  9. （９）保護層に含有されるホウ素および／またはアルミ
    ニウムのケイ素に対する原子比が１．０以下である特許
    請求の範囲第７項または第８項に記載の光記録媒体。
  10. （１０）保護層に含有される酸素および窒素中の酸素の
    原子比が０．４〜０．８である特許請求の範囲第７項な
    いし第９項のいずれかに記載の光記録媒体。
  11. （１１）前記中間層の８００ｎｍにおける屈折率が１．
    ８〜３．０である特許請求の範囲第７項ないし第１０項
    のいずれかに記載の光記録媒体。
  12. （１２）中間層に含有される金属または半金属が希土類
    元素である特許請求の範囲第７項ないし第１１項のいず
    れかに記載の光記録媒体。
  13. （１３）中間層に含有される金属または半金属が、アル
    ミニウムである特許請求の範囲第７項ないし第１１項の
    いずれかに記載の光記録媒体。
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