JPS63164040A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メそす用の媒体がある
。

光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｆｆｉＧｅ、ＭｎＳｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ　Ｉ　Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。

Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　Ｂ　ｉ　、　Ｃｏ　Ｆ
　ｅ　２０４等の材料が知られている。　これらは、真
空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、プラスチック
やガラス等の透明基板−Ｌに薄１１Ｑとして形成される
。　これらの光磁気記録媒体に共通している特性として
は、 磁化容易軸が１漠面に垂直方向にあり、さらに、カー効
果やファラデー効果が大きいという点をあげることがで
きる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
な膜が得られることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質重直磁性薄１１！２が大きな注目
を集めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性？ｌＩＩ！２層の基板側な
いし基板反対側表面に保護層を設けた構成を４ｒするも
のが多く研究されている。

従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。　しかし、これらは、いずれも未だ耐食性
あるいはＩＩｒＡと基板との密着性の点で満足できるも
のではない。

また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭５９−５２４４３号公報、同第６０−１７７
４４９号公報）。

また、特開昭６０−１４５５２５号にはＳｉ、Ｎ、と５
ｉ０２との混合膜を保護層として用いる旨の提案がなさ
れている。

しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものであっても、末だそ
の効果は十分とはいえず、さらにより一層の改みが望ま
れている。

なる、このような問題は、いわゆる相転移夕゛イブの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。

■　発明の目的 本発明の［１的は゛、記録層の劣化が防止され、耐食性
、耐久性に優れた光記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以ドの本発明によって達成される。

すなわち、本発明における第１の発明は、基板りに記録
層を有し、この記録層の−Ｌ面および／またはＦ面に、
直接または中間層を介して保護層を４７する光記録媒体
において、保護層が、金属または半金属元素としてケイ
素と２価の金属元素とを含イｆし、さらに酸素および窒
素を含有することを特徴とする光記録媒体である。

また、第２の発明は、基板上に記録層を有し、この記録
層のＬ面および／または下面に、直接または中間層を介
して保護層を有する光記録媒体において、保護層が、金
属または半金属元素としてケイ素とアルミニウムおよび
／またはホウ素と２価の金属元素とを含有し、さらに酸
素および窒素を含有することを特徴とする光記録媒体で
ある。

■　発明の具体的構成 以Ｆ、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施例
が第１し１に示されている。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、Ｊ１ζ
板２にに、記録層としての磁性源■々層４を有し、この
磁性薄膜層４のＦ面および１−血にはそれぞれ非晶質の
保護層３１．３５が設けられる。

本発明においては、第１図に示される保護層３１．３５
のうち、少なくとも一方の保護層を設ければよいが、磁
性薄膜層４を完全に保護することを考えれば、第１図の
ごとく両ノｊに設けることが好ましい。

このような本発明の通常非晶質の保護層３１．３５は、
金属または、′ｌ′、金属元素としてケイ素と２価の金
属元素とを含ｈ−シ、さらに酸素および窒素を含イｆす
る。

このような各元素を含ｊｆさせることによって、きわめ
て良好な耐久性と耐食性とが発揮される。　この場合、
これら各必須元素の１つでも欠けたときには１本発明の
効果は実現しない。

また２僅の金属元素（以下Ｒという）は、Ｂａ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｒ等の１種以上が挙げられ、なか
でも特にＢａ、Ｃａ。

Ｓｒの１〜３種を用いるのが好ましい。　これら２種以
上のＲを用いる場合、それぞれの量比は任意である。

本発明においては金属または半金属中のケイ素の原子比
Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｒ）が０．３〜０．９、特に０．３〜０
．８であることが好ましい。

Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｒ）が０．３未満であると、耐食性の点
で不利となり、０．９をこえると安定性の点で不利とな
るからである。

また、酸素および窒素中の酸素の原ｒ比Ｏ／（０＋Ｎ）
は０．４〜０，８、特に０．５〜０．８であることが好
ましい。

０／　（０＋Ｎ）が０．４未満となると、耐食性の点で
不利となり、０，８をこえると電磁変換特性および耐久
性の点で不利となるからである。

本発明においては、金属または半金属元素としてさらに
アルミニウムおよび／またはホウ素を含イ「してもよく
、アルミニウムおよび／またはホウ素を含イ「すること
によって耐食性がさらに向］ニする。

この場合、ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素
に対するＪｆＡ７−比（Ｂおよび／または八ｌ　）　／
　Ｓ　ｉは１．０以下、特にＯ，１〜１．０、より好ま
しくは０．３〜１．０であることが好ましい。

（Ｂおよび／または八ｎ）／Ｓｉが１．０をこえると、
耐食性、耐久性、１漠の均一・性の点で不利となる。　
ただし、０．１未満では添加の実効がない。

Ｂと／ｌとを含４ｒさせる場合、Ｉｆいの（ｌ（比は任
、０である。

本発明において、Ｌ記の各元素は、保護層中に以下のよ
うに含有される。

まずＳｉは、Ｓｉの酸化物（通常、 ５ｉ（）２）およびＳｉの窒化物（通常、ＳＬ、ＪＮ４
）、として含イ！される。　　また、２価金属の酸化物
（ＲＯ）は、通常、ＢａＯ。

Ｃａｂ、ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＳｒＯなどとして含
有される。

さらに八２および／またはＢが含有される場合は酸化物
（通常、Ａｕ２０３．８２０３　）や窒化物（通常、Ａ
ｆｆｉＮ、ＢＮ）として含有される。　すなわち、化学
量論組成で示すならば、ＳｉＯ２とＲＯとに加え、Ｓ　
ｉ３Ｎ、。

Ａ！１２０３　、Ａｊ２Ｎ、Ｂ２０３およびＢＮ＋７）
１種以−ヒが含イ「されるものである。

これらの化合物は、その組成においてＦ記の化学：門１
論的な組成比をはずれていてもよい。

そして、本発明において最終的に保護層中には、Ｓｉの
酸化物（Ｓｉｎ２換算）対Ｓｉの窒化物（Ｓｉ、Ｎ４換
算）のモル比が５０対５０〜９０対１０程度である。

さらに＾Ｕおよび／またはＢが含有される場合は、Ｓｉ
、　　八ｆｉおよびＢの酸化物の総計（Ｓｉｎ２．　　
＾２□０３およびＢ２Ｏ３換算）対Ｓｉ、八ｆｆｉおよ
びＢの′や化物の総計（Ｓ　ｉ　３　Ｎ４．　　Ａｆｆ
ｉ　ＮおよびＢＮ換算）のモル比が５０対５０〜９０対
１０程度である。

この場合、化学：１１論組成で示したときの八ｆｆ１２
０．．とＢ２Ｏ３との：Ｉモル比、Ｓｉ、Ｎ、Ｉと　＾
２ＮとＢＮとの：１七比は任意である。

本発明においては１価の金属元素Ｌｉ。

Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、好ましくはＬｉ、Ｎａ、
Ｋが通常酸化物の形で、例えばＬｉ２Ｏ，Ｎａ２０．に
２０．Ｒｂ２０゜Ｃｓ２Ｏ，Ｆｒ２Ｏ等として含有され
ていてもよい。　これら１価の金属の酸化物の含有：引
は全体の１０ｗＬ％以Ｆとする。

このような保護層は、通学非晶質状態にある。

なお、本発明において５第１図に示すごとく磁性薄膜層
のＬ面およびＦ面にそれぞれ保護層３１．３５を設ける
場合には、これらの保護層３１と保護層３５との組成は
同一であっても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ
異なった組成としてもよい。

また、　一方の保護層のみの組成を本発明内の所定の組
成とすることもできる。

このような保護層は、各種気相成膜法１例えば、スパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ、九ＣＶＤ、特に所望の組成のターゲットを用いるス
パッタ法、２種以にの異なる組成からなるターゲットを
用いた多元スパッタ法あるいは酸素、窒素を用いる反応
性スパッタ法等によって形成される。

そして、このような保護層の厚さは、磁性薄１漠層のに
面および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ３０
０〜３０００人、特に５００〜２０００人とすることが
好ましい。

この値が３００λ未満であると、耐較性が悪く、また３
０００人をこえると、感度が低下する。

なお、このような保護層３１を基板２上に設け、この［
に後述する中間層を設ける場合には、保護層３１の厚さ
は３００〜１０００人程度、中間層を５００〜１５００
人程度とすることが好ましい。

また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るＡｒ、８２等が入ってもよい。

その他、Ｆｅ２Ｏ３，Ｃｕｂ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ０１１
．Ｃｏ０１Ｎｉｐ、Ａｓ２０３等が全体の１．ＯｗＬ％
程度以下含有されてもよい。

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層４の材質としては。

Ｇｄ、Ｔｂ等の希土類金属と好ましくはＦｅ、ＣＯ等の
遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜
として形成したものである。

この場合、ＦｅとＣｏの総合イＴ　！ｉｔは、６５〜８
５ａ１％であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希り類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａＬ％以下の範囲で
Ｃｒ、Ａｒｔ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ。

Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａｔ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、！００〜ｉ　ｏ
ｏｏｏ人程度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔｅ−５ｅ、Ｔｅ−３ｅ−３ｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ−
Ｔｎ、Ｔｅ−５ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ　−３ｂ−３，Ｔｅ−Ｇ
ｅ−Ａｓ−３ｉ、Ｔｅ　−５ｉ、　Ｔｅ−Ｇｅ−３１−
Ｓｂ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｇａ
、Ｔｅ−３ｉ　−Ｂｉ−ＴＱ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１−Ｉｎ
−３、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−３ｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｓ　−
３，Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ、　　Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ　　−Ｇ
ａ、　　Ｔｅ−Ｇｅ−５−Ｉｎ、　　５ｅ−Ｇｅ　　−
ＴＱ、　　５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ、　　５ｅ−Ｇｅ−ＴＩＬ
　　−３ｂ、５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、５ｅ−３（以ト、特公
昭５４−４１９０２号、特許第１００４８３５号など） ＴｅＯｘ　　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７
４２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、 Ｔｅａ、＋ｐｂｏＸ　（特許第９７４２５８号）、 Ｔｅａ、＋ＶＯ，（特許第９７４２５７号）、その他、
Ｔｅ−Ｔｎ、Ｔｅ−Ｔｆｌ−５ｉ、５ｅ−Ｚｎ−５ｂ、
Ｔｅ−５ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮイ等のＴｅ、Ｓｅをｔ体とするカルコゲン系 Ｇｅ−３ｎ、５ｉ−５ｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａ１等の結晶構
造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−３ｂ等の結
晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜ｌ−
程度とされる。

基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂材
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられる
。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹ＪＩＦｆであることが好ましい
。　これらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点で
ビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい
。　中でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート
樹脂は最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数を均分子！逢は、ｔｏ
、ｏｏｏ〜１５，０００程度であることが好ましい。

このような基板２の８３０　ｎｍの屈折率は通常１．５
５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、古き込みない
し読み出し光に対する透過率は８６％以トとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
７１２　ｎ　（こにに、ｎは基板の屈折率である）とさ
れる。　また、溝の１１１は、０．４〜２．０−程度と
される。

また、アドレス用のビットが形成されていてもよい。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性＠膜層を記
録トラック部として、古き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、ｉｖき込み感度と読み
出しのＣ／Ｎ比が向トし、しかもトラッキングのｆ、ｌ
Ｊ御信号は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

なお、前述した本発明の保護層は、第１図に示されるよ
うに磁性（＃　Ｉ！：１層４のＬ面および／またはＦ面
に直接設層してもよいし、また中間層を介して設けても
よい。

中間層を設ける場合には、通常、第１図に示される基板
側の保護層３１と磁性薄膜層４との間に設けることが特
に好ましい。。

このような中間層としては、酸素、炭素、窒誹：、硫黄
等を含む化合物、例えば５ｉｎ２、Ｓ　ｉｏ、、ＡＩＮ
、Ａｊ！２０３．Ｓ　ｉ３Ｎ、、ＺｎＳ、ＢＮ、Ｔ　ｉ
　０２　、Ｔ　ｉ　Ｎ等の各種誘電体物質またはその他
の無機ないし４＋　ＲＩＩＱが挙げられる。

なお、各種誘電体物質は２種以ト混合して用いてもよい
。

また、通常、磁性薄膜層ト（基板２と反対側）に設けら
れる保護層３５のトには、有機保護コート層５が設けら
れる。

４１機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電を線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合をイ
ｆすアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子−中に含有または導入
したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げるこ
とができる。

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分″Ｆ量２０００〜１０
０００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、ｌ、６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴニスデル
アクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００，Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０，Ｍ−８１００等、束ｉ１ｊ合成）、ウレタンエ
ラストマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が４人された
もの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレー
ト（メタクリレート）、Ｆ記一般式で示されるペンタエ
リスリトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）また
はε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３　　ＣＣＨ
２０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ６）ｎ　　０
ＣＨ２）３　　ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以ド、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝ｌ、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以Ｆ、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝ｌ、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以ド、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以ド、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、およびド記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレート■） （特殊アクリレートＪ） Ａニアクリノー唆、　　　ｘ：多価アルコールＹ：４Ｕ
ｒ”！唆　　　　（特殊アクリレートに）１２）　　　
Ａ＋Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記　般式で示される多官能オ
リゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基が導入されたもの等が挙げられる。

（式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射＋１！ｉｉ感応変性することによって得ら
れる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系ニー重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいはｍ合する
基を熱可りｌ性樹脂の分子中に含有、または導入した樹
脂である。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱１Ｔｆｆｌ性樹脂の例
としては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル
樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、
フェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共ｉ［合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸Ｊ
＾を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステ
ルを重合成分として少くとも　挿含むアクリル系樹脂等
も有効である。

このような放射線硬化型化合物の打機保護コート層５の
膜厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μｍ
である。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、　一様な膜を形成
できず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が１分でなく
、磁性薄膜層４の耐久性が向［二しない。　また、３０
μｍをこえると、ＦＡ脂膜の硬化の際に伴う収縮により
記録媒体の反りや保護膜中のクラックが生し、実用に耐
えない。

このような塗１漠は１通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗）１１、スプレーコート、ディッピング等、種々の
公知の方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の
塗膜の設層条件は、塗ｎｒＡ組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００にＶの放
射線加速器を用い、吸収線用を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

ノｆ、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィト類等を挙げることができる。　
光１ｎ合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０屯ｆ
１％の範囲か望ましい。

そして、このような九市合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような打機保コ舊コート層５のトには、通常接着剤
層６を介して保護板７が設けられる。

すなわち、＋ｆｉｆ記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を
設けていない側の面）側からのみ記録・ｉｌＦ生を行う
、いわゆる片面記録の場合には、この保護板７を用いる
。

このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の外種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
エリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各腫無機材質を保護板７
として用いてもよい。

このものの形状、１法等はＬ記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板７は、面述したように接着ｆｌｌＪ層
６を介して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメ
ルト樹脂等の接着剤であって、このｌｌｌ２Ｊゾは１〜
１００μｍ程度とされる。

他方、Ｌ記の保４板７を用いる代りに、Ｌ記の磁性薄膜
層４、保護層３１，３５、有機保護コート層５等を有す
る基板をさらに１セツト用いて、両磁性薄１１！２層を
内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて
、両ＪＡ板の裏面側から古き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。　さらに、これらのＪ、Ｉ
Ｉ、板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていな
い側の面）には外種保、ｉｆ！　ＩＩＡとしてのコーデ
ィングを行うことが好ましい。

コーディングの材質としては、１）η述したイノ゛機保
護コート層５の材質と同様なものとしてもよい。

Ｖ９．明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層のＬ面および／または下
面に所定の組成からなる保護層をイｆする。

従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性にきわめて優
れた効果を有する。

■　発明の具体的実施例 以Ｆ１本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］ 直径１３ｃｍ、５さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
光デイスクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板
２Ｆに、Ｆ記表１に示される種々の組成のガラス質から
なる保護層３１を設層した。　なお、設層に際しては、
スパッタリング法、場合により多元スパッタ法を用いた
。　表１中のｗＬ％は表！に示す化合物に換算して表示
している。　またＭはＳｉ＋Ｒ等の全金属ないしｔ金属
の総計を表わす。　ｎ’Ａ厚は各サンプルにつき全て８
００人とした。

このような保護層のＬに２１ａＬ％Ｔｂ、６８ａｔ％Ｆ
ｅ、７ａＬ％Ｃｏ、４ａＬ％Ｃ「合金薄膜を、スパッタ
リングによってＪ”Ｊさ８００人に設層し、磁性薄膜層
４とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層４Ｆに、ざらに、種々の組成のガラス？
１からなる保護層３５を設層した。

この保護層３５の組成およびＩ＋！２　Ｊ”Ｊは、所定
のサンプルに用いた保護層３１のそれらと同様のものと
した。

この保護層３５の−にに、Ｆ記の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナ
ーコートで設層した。

（塗イ１を組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００　！Ｔｊ　ｊ＋１部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５屯」１」部このよ
うな塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架
橋硬化させ、峡化膜とした。

このようにして、ド記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。

これについてド記の特性を？１ｌｌＩ定した。

（り耐久性 ビートサイクルテスト・・・ｌＥＣ−２−３８（−１０
℃〜＋６５℃、９３％ＲＨ） Ｌ記加速試験にてピットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。　この条件の場合ｔに膜のハクリ、クラッ
ク等がピットエラーレートの増加に寄生していた。

（２）耐食性 高温高湿（６０℃、９０％ＲＨ）保存テストＥ記加速試
験にてピットエラーレートが２倍となる時間を測定した
。　この条件の場合主に孔食（ピンホール）の発生がピ
ットエラーレートの増加に寄与、していた。

結果を表１に示す。

［実施例２］ 実施例１のサンプル１０１（表１）において、磁性薄膜
層の組成をＴｂ２１％、Ｆｅ７２％、Ｃｏ７％とし、磁
性薄膜層４と保Ｊ４Ａ層３１との間に、中間層としてＺ
ｎＳのスパッタ１漠（８００人厚）を形成した以外は、
サンプル１０１の場合と同様にしてサンプル２０１を作
製した。

このサンプル２０１について、Ｌ記の耐久性、耐食性の
試験を行った。

この結果、サンプル２０１の耐久性、耐食性は、それぞ
れサンプル１０１のものとほぼ同等であることが確認さ
れた。

なお、このような効果は、相転移Ｊ３１ｊのＴｅ−Ｇｅ
、Ｔｅａ、　、Ｔｅ−５ｅ等の記録層でも同様に実現し
た。

以［ニの結果より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、　　２・・・基板３１．３５
・・・保護層、　４・・・磁性薄膜層、５・・・有機保
護コート層、　　６・・・接着剤層、７・・・保護板 出願人　　ティーディーケイ株式会社 代理人　　弁理ト　　石　井　陽　イーｔ、　ユ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基板上に記録層を有し、この記録層の上面および
   ／または下面に、直接または中間層を介して保護層を有
   する光記録媒体において、保護層が、金属または半金属
   元素としてケイ素と２価の金属元素とを含有し、さらに
   酸素および窒素を含有することを特徴とする光記録媒体
   。 （２）金属または半金属元素中のケイ素の原子比が０．
   ３〜０．９である特許請求の範囲第１項に記載の光記録
   媒体。 （３）酸素および窒素中の酸素の原子比が ０．４〜０．８である特許請求の範囲第１項または第２
   項に記載の光記録媒体。 （４）基板をに記録層を有し、この記録層の上面および
   ／または下面に、直接または中間層を介して保護層を有
   する光記録媒体において、保護層が、金属または半金属
   元素としてケイ素とアルミニウムおよび／またはホウ素
   と２価の金属元素とを含有し、さらに酸素および窒素を
   含有することを特徴とする光記録媒体。 （５）金属または半金属元素中のケイ素の原子比が０．
   ３〜０．９である特許請求の範囲第４項に記載の光記録
   媒体。 （６）ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素に対
   する原子比が１．０以下である特許請求の範囲第４項ま
   たは第５項に記載の光記録媒体。 （７）酸素および窒素中の酸素の原子比が ０．４〜０．８である特許請求の範囲第４項ないし第６
   項のいずれかに記載の光記録媒体。