JPS63153741A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体がある
。

光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｕＧｅ、ＭｎＳｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ１Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料が知ら
れている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法
等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄
膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
な膜が得られることがあげられる゛。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。

従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。　しかし、これらは、いずれも未だ耐食性
あるいは膜と基板との密着性の点で満足できるものでは
ない。

また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上環の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭５９−５２４４３号公報、同第６０−１７７
４４９号公報）。

しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものであっても、未だそ
の効果は十分とはいえず、さらにより一層の改善が望ま
れている。

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。

■　発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐
久性に優れた光記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は基板上に記録層を有し、この記録層
の上面および／または下面に、直接または中間層を介し
て保護層を有する光記録媒体において、 保護層が、酸化ケイ素と、酸化ホウ素と、酸化アルミニ
ウムと、アルカリ金属酸化物とを含有し、酸化ケイ素含
有量が、４０〜６０％、アルカリ金属酸化物含有量が０
．５〜１０ｗｔ％であることを特徴とする光記録媒体で
ある。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に、記録層としての磁性薄膜層４を有し、この磁性薄
膜層４の下面および上面にはそれぞれガラス質からなる
保護層３１．３５が設けられる。

本発明においては、第１図に示される保護層３１．３５
のうち、少なくとも一方の保護層を設ければよいが、磁
性薄膜層４を完全に保護することを考えれば、第１図の
ごとく両方に設けることが好ましい。

このような本発明のガラス質からなる保護層３１．３５
は、酸化ケイ素か４０〜６０ｗＬ％含有される。

この値が６０ｗｔ％を超えると耐食性の点で不利であり
、また４０胃Ｌ％未満となると膜の安定性の点で不利で
ある。

このような酸化ケイ素は、保護層中に通常、５ｉｎ２の
形で存在する。

さらに、本発明の保護層中には、アルカリ金属酸化物が
０．５〜１０ｗｔ％含有される。

この値が１０ｗｔ％を超えると磁性層に悪影習を与えて
しまう可能性があり、また、０．５ｗｔ％未満となると
耐久性の点で不充分となる。

なお、アルカリ金属酸化物の含有量の下限値としては１
．０ｗｔ％が好ましく、またその上限値としては７．０
ｗｔ％が好ましい。

用いるアルカリ金属酸化物としては、 Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ、に２０、Ｒｂ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｆ
ｒ２Ｏ等が挙げられるが、中でも特にＬｉ２Ｏ，Ｎａ、
Ｏ，に２０が好ましい。

これらは、１種類のみならず、２種類以上を併用しても
よい。　本発明の保護層中には、さらに酸化ホウ素と酸
化アルミニウムとの総和が３０〜５９．５ｗｔ％の範囲
で含有される。

酸化ホウ素および酸化アルミニウムは、保護層中に通常
それぞれＢ２０３　、　Ａ　Ｉｔ２０３の形で存在する
。　この含有量が５９．５田し％をこえたり、あるいは
３０ｗｔ％未満なると、前記酸化ケイ素の含有量ないし
アルカリ金属酸化物の含有量が所定の範囲外となり、本
発明の実効がなくなるからである。

なお、通常、酸化ホウ素の含有量は、保護層中に１．０
〜４０ｗｔ％程度、また酸化アルミニウムのそれは３．
０〜４５ｗｔ％程度である。

なお、本発明において、第１図に示すごとく磁性薄膜層
の上面および下面にそれぞれ保護層３１．３５を設ける
場合には、これらの保護層３１と保護層３５との組成は
同一であっても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ
異なりた組成としてもよい。

また、一方の保護層のみの組成を本発明内の所定の組成
とすることもできる。

このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、スパッ
タ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ、光ＣＶＤ、特に２種以上の異なる組成からなるター
ゲットを用いた多元スパッタ法あるいは酸素を用いる反
応性スパッタ法等によって形成される。

そして、このような保護層の厚さは、磁性薄膜層の上面
および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ３００
〜３０００人、特に５００〜２０００人とすることが好
ましい。

この値が３００λ未満であると、耐候性が悪く、また３
０００人をこえると、感度が低下する。

なお、このような保護層３１を基板２上に設・　　け、
この上に後述する中間層を設ける場合には、保護層３１
の厚さは３０ＯＮ１０００λ程度、中間層を５００〜１
５００人程度とすることが好ましい。

また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るＡｒ、Ｎ２等が入ってもよい。

その他、Ｆｅ２０３、Ｃｕｂ、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ，、
Ｃｏｏ、Ｎ　ｉ　Ｏ，Ａｓ２Ｏ３等が全体の１．Ｏｗｔ
％程度以下含有されてもよい。

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希土類金属と好ましくはＦｅ、ｃｏ等の遷移金属の合
金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成し
たものである。

この場合、ＦｅとＣｏの総合有量は、６５〜８５ａｔ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａｔ％以下の範囲で
Ｃｒ、ＡＪＺ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ％Ｖ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ。

Ａｕ等か含有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａｔ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ％Ｌａ％Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ％Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、１００〜１００
００λ程度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔｅ−３ｅ、Ｔｅ−３ｅ−３ｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ−
Ｔｎ、Ｔｅ−５ｎ％Ｔｅ−Ｇｅ−５ｂ−Ｓ、Ｔｅ−Ｇｅ
−Ａｓ−３ｉ、Ｔｅ　−Ｓｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｉ−Ｓｂ
、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１．Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｇａ、Ｔｅ−
３ｉ　−Ｂｉ−Ｔ１％Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１−Ｉｎ−３゜Ｔ
ｅ−Ａｓ−Ｇｅ−５ｂ％Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ−Ｓ、Ｔｅ−
Ｇｅ−３ｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ　−Ｇａ、Ｔｅ−Ｇｅ−
５−Ｉｎ％　５ｅ−Ｇｅ　−Ｔｆｆｉ、　５ｅ−Ｔｅ−
Ａｓ％５ｅ−Ｇｅ−Ｔｊ２−３ｂ、５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、
５ｅ−３（以上、特公昭５４−４１９０２号、特許第１
００４８３５号など） ＴｅａＸ　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４
２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、 ＴｅａＸ＋ＰｂＯ，（特許第９７４２５８号）、 ＴｅａＸ＋ＶＯ，（特許第９７４２５７号）、その他、
Ｔｅ−Ｔｉｔ、Ｔｅ−ＴＪ２−３ｉ、５ｅ−Ｚｎ−Ｓｂ
、Ｔｅ−５ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮＸ等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−３ｎ、５ｉ−３ｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｊ！−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ１等の結
晶構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−３ｂ等
の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜１−
程度とされる。

基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂材
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられる
。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、ｔｏ、
ｏｏｏ〜１５，０００程度であることが好ましい。

このような基板２の８３０　ｎｍの屈折率は通常１．５
５〜１．５ｅ程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みない
し読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、え／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、０．４〜２．０−程度とさ
れる。

また、アドレス用のビットが形成されていてもよい。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

なお、前述した本発明の保護層は、第１図に示されるよ
うに磁性層としての磁性薄膜層４の上面および／または
下面に直接設層してもよいし、また磁性薄膜層と中間層
を介して接するように設けてもよい。

中間層を設ける場合には、通常、第１図に示される基板
側の保護層３１と磁性薄膜層４との間に設けることが特
に好ましい。

このような中間層としては、酸素、炭素、窒素、硫黄等
を含む化合物、例えば５ｉｎ２、Ｓ　ｉ　ＯＸ％ＡＩＮ
、Ａｎ□Ｏ，、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＢＮ、ＴｉＯ２、
ＴｉＮ等の各種誘電体物質またはその他の無機ないし有
機膜が挙げられる。

なお、各種誘電体物質は２種以上用いてもよい。

また、通常、磁性薄膜層上（基板２と反対側）に設けら
れる保護層３５の上には、有機保護コート層５が設けら
れる。

有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
千ツマ−、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロエックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）：ｓ　−ＣＣ
Ｈ２ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ６）１−ＯＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１．ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ２ＣＨ２０）　４−
ＣＣＨ２０Ｈ２（特殊アクリレ−）４（） （特殊アクリレート■） （特殊アクリレートＪ） Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ（
−Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基が導入されたもの等が挙げられる。

（式中Ｒ１、Ｒ２，アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の
膜厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μｍ
である。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。　また、３０μｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない
。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーボート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層
６を介して保護板７が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板７を用いる。

このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７
として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介
して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層３１，３５、有機保護コート層５等を有す
る基板をさらに１セツト用いて、内磁性薄膜層を内側に
して対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて、両基
板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タ
イプとしてもよい。　さらに、これらの基板２や保護板
７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）には各
種保護膜としてのコーティングを行うことが好ましい。

コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層５の材質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層、特に磁性薄膜層の上面
および／または下面に所定の組成からなる保護層を有す
る。

従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性にきわめて優
れた効果を有する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
光デイスクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板
２上に、下記表１に示される種々の組成の保護層３１を
設層した。

なお、設層に際しては、スパッタリング法、場合により
多元スパッタ法を用いた。　膜厚は各サンプルにつき全
て８００人とした。

このような保護層の上に２１ａｔ％Ｔｂ、６８ａｔ％Ｆ
ｅ、７ａｔ％Ｃｏ、４ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を、スパッタ
リングによって厚さ８００人に設層し、磁性薄膜層４と
した。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ・、Ｃ０１
Ｃｒチツプをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層４上に、さらに、種々の組成のガラス質
からなる保護層３５を設層した。

この保護層３５の組成および膜厚は、それぞれのサンプ
ルに用いた保護層３１のそれらと同様のものとした。

この保護層３５の上に、下記の放射線硬化型化合物を含
む塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナー
コートで設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。

このようにして、下記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。

これについて下記の特性を測定した。

（１）耐久性 ヒートサイクルテスト−Ｉ　Ｅ　Ｃ−２−３８（−１０
℃〜＋６５℃、９３％ＲＨ） 上記加速試験にてピットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。　この条件の場合主に膜のハクリ、クラッ
ク等がピットエラーレートの増加に寄与していた。

（２）耐食性 高温高湿（６０℃、９０％ＲＨ）保存テスト上記加速試
験にてピットエラーレートが２倍となる時間を測定した
。　この条件の場合主に孔食（ピンホール）の発生がピ
ットエラーレートの増加に寄与していた。

結果を表１に示す。

［実施例２］ 実施例１のサンプル１０１（表１）において、磁性薄膜
層の組成をＴｂ２１％、Ｆｅ７２％、Ｃｏ７％とし、磁
性薄膜層４と保護層３１との間に、中間層としてＺｎＳ
のスパッタ膜（８００人厚１を形成した以外は、サンプ
ル１０１の場合と同様にしてサンプル２０１を作製した
。

このサンプル２０１について、上記の耐久性、耐食性の
試験を行った。

この結果、サンプル２０１の耐久性、耐食性は、それぞ
れサンプル１０１のものとほぼ同等であることが確認さ
れた。

なお、このような効果は、相転移型のＴｅ−Ｇｅ、Ｔｅ
ａＸ、Ｔｅ−５ｅ等の記録層でも同様に実現した。

以上の結果より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １・−光磁気記録媒体、　２・・・基板３１．３５−保
護層、　４・・・磁性薄膜層、５・−有機保護コート層
、　　６−接着剤層、７・−保護板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に記録層を有し、この記録層の上面および
   ／または下面に、直接または中間層を介して保護層を有
   する光記録媒体において、保護層が、酸化ケイ素と、酸
   化ホウ素と、酸化アルミニウムと、アルカリ金属酸化物
   とを含有し、酸化ケイ素含有量が、４０〜６０％、アル
   カリ金属酸化物含有量が０．５〜１０ｗｔ％であること
   を特徴とする光記録媒体。