JP2630400B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2630400B2 JP2630400B2 JP62172378A JP17237887A JP2630400B2 JP 2630400 B2 JP2630400 B2 JP 2630400B2 JP 62172378 A JP62172378 A JP 62172378A JP 17237887 A JP17237887 A JP 17237887A JP 2630400 B2 JP2630400 B2 JP 2630400B2
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- Japan
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。
光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb,MnCuBi,GdFe,TbFe,GdCo,PtCo,TbCo,T
bFeCo,GdFeCo,TbFeO3,GdIG,GdTbFe,GdTbFeCoBi,CoFe2O4
等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに、カー効
果やファラデー効果が大きいという点をあげることがで
きる。
bFeCo,GdFeCo,TbFeO3,GdIG,GdTbFe,GdTbFeCoBi,CoFe2O4
等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに、カー効
果やファラデー効果が大きいという点をあげることがで
きる。
このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が
室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。
室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。
このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁気性薄膜が大きな注目を
集めている。
土類−遷移金属の非晶質垂直磁気性薄膜が大きな注目を
集めている。
このような光磁気記録媒体では、記録・再生特性を向
上させ、さらにはC/N比を向上させるため記録・再生時
の回転角をできるだけ大きくする必要がある。
上させ、さらにはC/N比を向上させるため記録・再生時
の回転角をできるだけ大きくする必要がある。
そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に、
誘電体層としての中間層を設けて、カー効果に多重干渉
の効果やファラデー効果を加えて回転角を増大させる構
成とするものが多く研究されている。
誘電体層としての中間層を設けて、カー効果に多重干渉
の効果やファラデー効果を加えて回転角を増大させる構
成とするものが多く研究されている。
従来、このような中間層としては、一酸化ケイ素、二
酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無
機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよく知られ
ている（特開昭58−80142号公報、同第59−52443号公報
等）。
酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無
機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよく知られ
ている（特開昭58−80142号公報、同第59−52443号公報
等）。
また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合
物、特に、Si3N4とSiO2との混合物、Si3N4とSiOとの混
合物またはAlNとAl2O3との混合物を用いることも公知で
ある（特開昭60−145525号公報）。
物、特に、Si3N4とSiO2との混合物、Si3N4とSiOとの混
合物またはAlNとAl2O3との混合物を用いることも公知で
ある（特開昭60−145525号公報）。
さらには、中間層として、無アルカリ無機ガラスを用
いたもの（特開昭60−177449号公報）、窒化ケイ素を主
成分として、屈折率が2.1以上なる添加成分を含有した
もの（同61−22458号公報）、窒化ケイ素と酸化アルミ
ニウムおよび酸化イットリウムを含有するターゲットを
スパッタしたスパッタ層（同61−278062号公報）等も提
案されている。
いたもの（特開昭60−177449号公報）、窒化ケイ素を主
成分として、屈折率が2.1以上なる添加成分を含有した
もの（同61−22458号公報）、窒化ケイ素と酸化アルミ
ニウムおよび酸化イットリウムを含有するターゲットを
スパッタしたスパッタ層（同61−278062号公報）等も提
案されている。
しかしながら、これらの中間層は透過率の点で十分で
なく、C/N比が未だ低く満足できるものではなかった
り、あるいは膜応力が大きく、そのため基板にソリが生
じたり、成膜時にピンホールが生じる等の欠点がある。
また、耐食性の面でも十分ではなく、改良が望まれてい
る。
なく、C/N比が未だ低く満足できるものではなかった
り、あるいは膜応力が大きく、そのため基板にソリが生
じたり、成膜時にピンホールが生じる等の欠点がある。
また、耐食性の面でも十分ではなく、改良が望まれてい
る。
なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。
録層を有する光記録媒体でも同様である。
II発明の目的 本発明の主たる目的は、透過率が高く耐食性も良好な
中間層を用いることにより、記録・再生特性、特にC/N
比が優れ、またピンホールや基板のソリ等が少なく、さ
らには耐食性も良好な光記録媒体を提供することにあ
る。
中間層を用いることにより、記録・再生特性、特にC/N
比が優れ、またピンホールや基板のソリ等が少なく、さ
らには耐食性も良好な光記録媒体を提供することにあ
る。
III発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。
る。
すなわち、第１の発明は、基板上に記録層を有し、こ
の記録層と基板との間に中間層を有する光記録媒体にお
いて、 中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素とを含有し、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
の記録層と基板との間に中間層を有する光記録媒体にお
いて、 中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素とを含有し、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
また、第２の発明は、基板上に記録層を有し、この記
録層と基板との間に中間層を有する光記録媒体におい
て、 前記中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素と、さらにイットリウム、ランタノイド元素およ
びアクチノイド元素のうちの１種以上とを含有し、 イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素のうちの１種以上の含有量が30at％以下であり、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
録層と基板との間に中間層を有する光記録媒体におい
て、 前記中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素と、さらにイットリウム、ランタノイド元素およ
びアクチノイド元素のうちの１種以上とを含有し、 イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素のうちの１種以上の含有量が30at％以下であり、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
また、第３の発明は、基板上に記録層を有し、この記
録層と基板との間に中間層を有し、 中間層と基板の間および／または記録層上に保護層を
有する光記録媒体において、 中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素とを含有し、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
録層と基板との間に中間層を有し、 中間層と基板の間および／または記録層上に保護層を
有する光記録媒体において、 中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素とを含有し、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
また、第４の発明は、基板上に記録層を有し、この記
録層と基板との間に中間層を有し、 中間層と基板の間および／または記録層上に保護層を
有する光記録媒体において、 前記中間層が4A族〜6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素と、さらに イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素のうちの１種以上とを含有し、 イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素のうちの１種以上の含有量が30at％以下であり、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
録層と基板との間に中間層を有し、 中間層と基板の間および／または記録層上に保護層を
有する光記録媒体において、 前記中間層が4A族〜6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素と、さらに イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素のうちの１種以上とを含有し、 イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素のうちの１種以上の含有量が30at％以下であり、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％
であり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含
有量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光
記録媒体である。
IV発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。
が第１図に示されている。
第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板
２上に、中間層４を有し、この上に記録層としての磁性
薄膜層５が設けられている。
２上に、中間層４を有し、この上に記録層としての磁性
薄膜層５が設けられている。
また、本発明の別の態様では、基板２と中間層４の間
および／または磁性薄膜層５の上に保護層31,35を有す
るものである。
および／または磁性薄膜層５の上に保護層31,35を有す
るものである。
このような本発明の中間層４は、4A族ないし6A族元素
の１種以上と、1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの
１種以上と酸素とを含有する。
の１種以上と、1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの
１種以上と酸素とを含有する。
また、さらにこれに、イットリウム、ランタノイド元
素およびアクチノイド元素の１種以上とを含有してもよ
い。
素およびアクチノイド元素の１種以上とを含有してもよ
い。
この場合4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量は５
〜40at％、より好ましくは５〜35at％である。4A族ない
し6A族元素の１種以上の含有量が5at％未満であると、
屈折率が低くなり、エンハンス効果が得られなくなって
しまい、40at％をこえると耐食性が低下し、しかも膜応
力が大きくなってしまうからである。
〜40at％、より好ましくは５〜35at％である。4A族ない
し6A族元素の１種以上の含有量が5at％未満であると、
屈折率が低くなり、エンハンス効果が得られなくなって
しまい、40at％をこえると耐食性が低下し、しかも膜応
力が大きくなってしまうからである。
また、1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以
上の含有量は５〜50at％、より好ましくは10〜45at％で
ある。1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上
の含有量が5at％未満であると耐食性が低下し、50at％
をこえるとエンハンス効果が低下し、しかも耐食性も低
下してしまうからである。
上の含有量は５〜50at％、より好ましくは10〜45at％で
ある。1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上
の含有量が5at％未満であると耐食性が低下し、50at％
をこえるとエンハンス効果が低下し、しかも耐食性も低
下してしまうからである。
また、酸素の含有量は、20〜70at％、より好ましくは
25〜65at％である。酸素の含有量が20at％未満であると
透過率が低下し、C/Nが低下し、また、耐久性に乏し
く、70at％をこえると膜構造が不安定になるからであ
る。
25〜65at％である。酸素の含有量が20at％未満であると
透過率が低下し、C/Nが低下し、また、耐久性に乏し
く、70at％をこえると膜構造が不安定になるからであ
る。
4A族ないし6A族の元素としては、4A族としてTi、Zr、
Hf、5A族としてＶ、Nb、Ta、6A族としてCr、Mo、Ｗがあ
り、中でも好ましいものとしては、Ti、Zr、Nb、Moが挙
げられる。この他、これらのうち２種以上を組み合わせ
て含有するものであってもよい。組み合わせて含有する
場合、その量比は任意であり、好ましいものとしては、
Ti−Zr、Ti−Hf等がある。
Hf、5A族としてＶ、Nb、Ta、6A族としてCr、Mo、Ｗがあ
り、中でも好ましいものとしては、Ti、Zr、Nb、Moが挙
げられる。この他、これらのうち２種以上を組み合わせ
て含有するものであってもよい。組み合わせて含有する
場合、その量比は任意であり、好ましいものとしては、
Ti−Zr、Ti−Hf等がある。
また、1A族および2A族元素ならびに鉛としては、Pbの
他1A族としてLi、Na、Ｋ、Rb、Cs、Fr、2A族としてBe、
Mg、Ca、Sr、Ba、Raがあり、中でも好ましいものとして
は、Pb、Ba、Sr、Li、Mg、Ca等が挙げられる。この他こ
れらのうち２種以上を組み合わせて含有するものであっ
てもよい。組み合わせて含有する場合、その量比は任意
であり、好ましいものとしては、Pb−Sr、Pb−Sr−Ba等
がある。
他1A族としてLi、Na、Ｋ、Rb、Cs、Fr、2A族としてBe、
Mg、Ca、Sr、Ba、Raがあり、中でも好ましいものとして
は、Pb、Ba、Sr、Li、Mg、Ca等が挙げられる。この他こ
れらのうち２種以上を組み合わせて含有するものであっ
てもよい。組み合わせて含有する場合、その量比は任意
であり、好ましいものとしては、Pb−Sr、Pb−Sr−Ba等
がある。
また、本発明の中間層は、上記組成以外に、イットリ
ウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうち
の１種以上とが含有されてもよい。これらのうちでは、
特にイットリウムおよびランタノイド元素のうちの１種
以上が含有されるのが好ましい。
ウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうち
の１種以上とが含有されてもよい。これらのうちでは、
特にイットリウムおよびランタノイド元素のうちの１種
以上が含有されるのが好ましい。
これらを含有すると、記録感度やC/N比がより良好な
ものになり、耐久性も向上する そして、特にイットリウム（Ｙ）、ランタン（La）、
セリウム（Ce）、ネオジム（Nd）、サマリウム（Sm）お
よびユーロピウム（Eu）からなる群から選ばれた元素が
含有されると、より一層好ましい結果が得られる。この
とき、記録感度、C/N比等の記録、再生特性のみなら
ず、耐久性、耐食性等の面でもより良好な結果が得られ
るからである。
ものになり、耐久性も向上する そして、特にイットリウム（Ｙ）、ランタン（La）、
セリウム（Ce）、ネオジム（Nd）、サマリウム（Sm）お
よびユーロピウム（Eu）からなる群から選ばれた元素が
含有されると、より一層好ましい結果が得られる。この
とき、記録感度、C/N比等の記録、再生特性のみなら
ず、耐久性、耐食性等の面でもより良好な結果が得られ
るからである。
これらイットリウム、ランタノイド元素、アクチノイ
ド元素（以下これらをＲとする）は、中間層中に混合含
有されるものであるが、元素担体あるいは化合物いずれ
かの形で含有される。化合物としては、通常酸化物の形
で含有されることが好ましい。
ド元素（以下これらをＲとする）は、中間層中に混合含
有されるものであるが、元素担体あるいは化合物いずれ
かの形で含有される。化合物としては、通常酸化物の形
で含有されることが好ましい。
中間層におけるこれらイットリウム、ランタノイド元
素およびアクチノイド元素のうちの１種以上の含有量
は、30at％以下、好ましくは、１〜20at％である。1at
％未満ではこれら元素の添加効果がうすく、30at％をこ
えると光透過率の低下に伴うC/N比の低下をまねくから
である。
素およびアクチノイド元素のうちの１種以上の含有量
は、30at％以下、好ましくは、１〜20at％である。1at
％未満ではこれら元素の添加効果がうすく、30at％をこ
えると光透過率の低下に伴うC/N比の低下をまねくから
である。
なお、このような中間層中の4A族ないし6A族元素の１
種以上、1A族および2A族元素ならびに、鉛のうちの１種
以上および酸素、さらにはイットリウム、ランタオノイ
ド元素およびアクチノイド元素のうちの１種以上、その
他の元素の分析は、オージェ分光分析、SIMS、ESCA、LA
MMA等によって行えばよい。
種以上、1A族および2A族元素ならびに、鉛のうちの１種
以上および酸素、さらにはイットリウム、ランタオノイ
ド元素およびアクチノイド元素のうちの１種以上、その
他の元素の分析は、オージェ分光分析、SIMS、ESCA、LA
MMA等によって行えばよい。
このような中間層は、各種気相成膜法、例えば、スパ
ッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCV
D、光CVD等により設層される。中でも特に、スパッタ法
を用いることが好ましく、この場合設層されるべき組成
に対応するターゲットを用いるスパッタ法、２種以上の
異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッタ法
あるいは酸素を用いる反応性スパッタ法等によって形成
される。
ッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCV
D、光CVD等により設層される。中でも特に、スパッタ法
を用いることが好ましく、この場合設層されるべき組成
に対応するターゲットを用いるスパッタ法、２種以上の
異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッタ法
あるいは酸素を用いる反応性スパッタ法等によって形成
される。
本発明に用いるターゲットとしては、4A族ないし6A族
元素の１種以上と、1A族および2A族ならびに鉛のうちの
１種以上と、酸素とを有する種々のものでよいが、その
好適例としては、BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、PbTiO3−Pb
ZrO3、BaZrO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、KNbO3、PbMoO
4、Pb2MoO6等が挙げられる。
元素の１種以上と、1A族および2A族ならびに鉛のうちの
１種以上と、酸素とを有する種々のものでよいが、その
好適例としては、BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、PbTiO3−Pb
ZrO3、BaZrO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、KNbO3、PbMoO
4、Pb2MoO6等が挙げられる。
また、用いるターゲットとしては、4A族ないし6A族元
素の１種類以上と、1A族および2A族ならびに鉛のうちの
１種以上と、酸素とさらにインットリウム、ランタノイ
ド元素およびアクチノイド元素のうちの１種以上とを有
する種々のものであってもよく、この場合の好適なター
ゲットとしては、BiTiO3−Nd2O3−TiO2、CaTiO3−La2O3
−TiO2、PLZT、BaTiO3−SrTiO3−La2O3−TiO2、MgTiO3
−CaTiO3−La2O3、MgTiO3−CaTiO3−La2Ti2O3、Nd2Ti2O
7−（BaPb）TiO3−TiO2、 PbTiO3−Sm2O3−PbZrO3、PbTiO3−La2O3−PbHfO3、PbZr
O3−ThO2等が挙げられる。
素の１種類以上と、1A族および2A族ならびに鉛のうちの
１種以上と、酸素とさらにインットリウム、ランタノイ
ド元素およびアクチノイド元素のうちの１種以上とを有
する種々のものであってもよく、この場合の好適なター
ゲットとしては、BiTiO3−Nd2O3−TiO2、CaTiO3−La2O3
−TiO2、PLZT、BaTiO3−SrTiO3−La2O3−TiO2、MgTiO3
−CaTiO3−La2O3、MgTiO3−CaTiO3−La2Ti2O3、Nd2Ti2O
7−（BaPb）TiO3−TiO2、 PbTiO3−Sm2O3−PbZrO3、PbTiO3−La2O3−PbHfO3、PbZr
O3−ThO2等が挙げられる。
これらは、強誘電性を有するセラミックコンデンサー
材料、マイクロ波誘電体、圧電セラミック、サーミスタ
材料、圧電結晶、光学結晶、集電結晶等としても知られ
ている。
材料、マイクロ波誘電体、圧電セラミック、サーミスタ
材料、圧電結晶、光学結晶、集電結晶等としても知られ
ている。
この他、上記のように中間層組成に複数の酸化物や金
属を選択し、多元スパッタリングをしてもよく、必要に
応じ反応性スパッタを行ってもよい。
属を選択し、多元スパッタリングをしてもよく、必要に
応じ反応性スパッタを行ってもよい。
なお、動作圧力、投入パワー等のスパッタ条件は、公
知の条件範囲から組成に応じ適宜選択すればよい。
知の条件範囲から組成に応じ適宜選択すればよい。
そして、このような中間層の厚さは30〜300nm、特に5
0〜200nmであることが好ましい。
0〜200nmであることが好ましい。
さらに、膜厚をλ/4n（λは使用レーザー波長、ｎは
中間層の屈折率）に設定したとき、エンハンス効果は、
最適となる。
中間層の屈折率）に設定したとき、エンハンス効果は、
最適となる。
このような中間層は非晶質状態であることが好まし
い。
い。
また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N2等が入ってもよい。
するAr、N2等が入ってもよい。
その他、Fe、Ni、Cu、Mn等の元素が不純物として一般
に5at％程度以下含有されていてもよい。
に5at％程度以下含有されていてもよい。
本発明において記録層として用いる磁性薄膜層５は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。
このような磁性薄膜層５の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。
この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であるこ
とが好ましい。
とが好ましい。
そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／
またはTbである。
またはTbである。
そして、その好適例としては、 TbFeCo、GdFeCo、 GdTbFeCo等がある。
なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でC
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。
また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
このような磁性薄膜層の厚さは、通常、10〜1000nm程
度である。
度である。
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−In、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−
Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeOx（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeOx＋PbOx（特許第974258号）、 TeOx＋VOx（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNx等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−In、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−
Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeOx（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeOx＋PbOx（特許第974258号）、 TeOx＋VOx（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNx等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。
このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。
本発明では、中間層と基板の間および／または記録層
の上に保護層31,35を有してもよい。このとき媒体とし
ての耐久性、耐食性はより好ましいものとなる。
の上に保護層31,35を有してもよい。このとき媒体とし
ての耐久性、耐食性はより好ましいものとなる。
このような保護層31,35の材質としては、酸素、炭素、
窒素、硫黄等を含む化合物、例えば、SiO2、SiO、AlN、
Al2O3、Si3N4、ZnS、BN、TiO2、TiN等ないしこれらの混
合物などの各種誘電体物質；ガラス、例えばホウケイ酸
ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウ
ムイ酸ガラス等あるいはこのものにSi3N4等を含むもの
などを用いればよい。なかでも、SiO240〜80wt％のホウ
ケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウ
ムホウケイ酸ガラスや、これらのSiO2の一部をSi3N4等
で置換したものが好ましい。
窒素、硫黄等を含む化合物、例えば、SiO2、SiO、AlN、
Al2O3、Si3N4、ZnS、BN、TiO2、TiN等ないしこれらの混
合物などの各種誘電体物質；ガラス、例えばホウケイ酸
ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウ
ムイ酸ガラス等あるいはこのものにSi3N4等を含むもの
などを用いればよい。なかでも、SiO240〜80wt％のホウ
ケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウ
ムホウケイ酸ガラスや、これらのSiO2の一部をSi3N4等
で置換したものが好ましい。
これらのうちで特に好ましいものとしては、下記のも
のが挙げられる。
のが挙げられる。
（１）酸化ケイ素40〜60wt％と、BaO、CaO、SrO、MgO、
ZnO、PbO等の２価金属酸化物50wt％以下および／または
アルカリ金属酸化物10wt％以下と、酸化ホウ素および／
または酸化アルミニウムとを含有するもの。
ZnO、PbO等の２価金属酸化物50wt％以下および／または
アルカリ金属酸化物10wt％以下と、酸化ホウ素および／
または酸化アルミニウムとを含有するもの。
（２）Siと他の金属または半金属元素としてBa、Ca、S
r、Mg、Zn、Pb等の１種以上、Al、Ｂの１種以上および
アルカリ金属元素の１種以上のうちの少なくとも１つと
を含み、全金属ないし半金属中のSi原子比が0.3〜0.9で
あり、さらにＯおよびＮを含み、O/（Ｏ＋Ｎ）が0.4〜
0.8であるもの。
r、Mg、Zn、Pb等の１種以上、Al、Ｂの１種以上および
アルカリ金属元素の１種以上のうちの少なくとも１つと
を含み、全金属ないし半金属中のSi原子比が0.3〜0.9で
あり、さらにＯおよびＮを含み、O/（Ｏ＋Ｎ）が0.4〜
0.8であるもの。
また、特願昭61−300859号、同61−302275号、同61−
303224号、同61−7300号、同61−313614号、同61−3136
15号、同61−314949号、同61−314948号、同61−31372
号等に開示されているものを用いれば耐久性、耐食性は
より優れたものとなる。
303224号、同61−7300号、同61−313614号、同61−3136
15号、同61−314949号、同61−314948号、同61−31372
号等に開示されているものを用いれば耐久性、耐食性は
より優れたものとなる。
保護層31,35の膜厚は、通常30〜300nm程度とする。
本発明で用いられる基板２は、通常、ガラスないし樹
脂製であり、好ましい樹脂材質としては、アクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチル
ペンテン樹脂などがあげられる。
脂製であり、好ましい樹脂材質としては、アクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチル
ペンテン樹脂などがあげられる。
これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
耐性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
この場合のポリカーボネート樹脂としは、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これ
らのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェ
ノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中でも
ビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これ
らのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェ
ノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中でも
ビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。
00〜15,000程度であることが好ましい。
このような基板２の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59
程度である。
程度である。
なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光
ないし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
ないし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。
またアドレス用のピットが形成されていてもよい。
そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。
としてもよい。
また、通常、磁性薄膜層５上（基板２と反対側）ある
いはこの上に設けられる保護層35の上には、有機保護コ
ート層６が設けられる。
いはこの上に設けられる保護層35の上には、有機保護コ
ート層６が設けられる。
有機保護コート層６の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。
々の有機系の物質を用いればよい。
より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−
5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−
8060,M−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １）（CH2＝CHCOOCH2）3−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２）（CH2＝CHCOOCH2）3−CCH2OH3） （特殊アクリレートＢ） ３）〔CH2＝CHOC（OC3H6）n−OCH2〕3−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−
5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−
8060,M−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １）（CH2＝CHCOOCH2）3−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２）（CH2＝CHCOOCH2）3−CCH2OH3） （特殊アクリレートＢ） ３）〔CH2＝CHOC（OC3H6）n−OCH2〕3−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
８）CH2＝CHCOO−（CH2CH2O）4−COCH＝CH2 （特殊アクリレートＨ） 12）Ａ−（Ｍ−Ｎn−Ｍ−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸 （特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルポロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルポロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層６
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。
この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。
電球等を用いればよい。
このような有機保護コート層６の上には、通常接着剤
層７を介して保護板８が設けられる。
層７を介して保護板８が設けられる。
すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層５を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板８を用いる。
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板８を用いる。
このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
８として用いてもよい。
８として用いてもよい。
このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ
同様とされる。
同様とされる。
このような保護板８は、前述したように接着剤層７を
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。
他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の中間層
４、磁性薄膜層５、保護層31,35、有機保護コート層６
等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性薄膜層
を内側にして対向させて、接着剤層７を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基板２や
保護板８の裏面（磁性薄膜層５を設けていない側の面）
には各種保護膜としてのコーティングを行うことが好ま
しい。
４、磁性薄膜層５、保護層31,35、有機保護コート層６
等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性薄膜層
を内側にして対向させて、接着剤層７を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基板２や
保護板８の裏面（磁性薄膜層５を設けていない側の面）
には各種保護膜としてのコーティングを行うことが好ま
しい。
コーティングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層６の材質と同様なものとしてもよい。
ト層６の材質と同様なものとしてもよい。
Ｖ発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層と基板との間に所定の
組成からなる中間層を有する。
組成からなる中間層を有する。
従って、本発明の媒体は、耐食性が良好で、中間層の
屈折率、透過率が高いため、C/N比がきわめて良好で、
しかも中間層の膜応力が低いため、基板のソリが無く、
中間層にピンホールが無い等の優れた効果を発揮する。
屈折率、透過率が高いため、C/N比がきわめて良好で、
しかも中間層の膜応力が低いため、基板のソリが無く、
中間層にピンホールが無い等の優れた効果を発揮する。
VI発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上
に、ガラス（SiO2 48wt％、Al2O3 15wt％、B2O3 14wt
％、Na2O 3wt％、K2O 2wt％、BaO 5wt％、CaO 9wt％、M
gO 4wt％）の保護層31を高周波マグネトロンスパッタに
て80nm厚に設層した。
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上
に、ガラス（SiO2 48wt％、Al2O3 15wt％、B2O3 14wt
％、Na2O 3wt％、K2O 2wt％、BaO 5wt％、CaO 9wt％、M
gO 4wt％）の保護層31を高周波マグネトロンスパッタに
て80nm厚に設層した。
その上に、下記表１に示される種々の組成の中間層４
をスパッタリング法、場合により多元スパッタ法により
設層した。なお、膜組成はオージェ分光分析にて測定し
た。また、膜厚は80nmとした。
をスパッタリング法、場合により多元スパッタ法により
設層した。なお、膜組成はオージェ分光分析にて測定し
た。また、膜厚は80nmとした。
このような中間層の上に25at％Tb,63at％Fe,7at％Co,
5at％,Ti合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ80nm
に設層し、磁性薄膜層５とした。
5at％,Ti合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ80nm
に設層し、磁性薄膜層５とした。
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Tiチッ
プをのせたものを用いた。
プをのせたものを用いた。
この磁性薄膜層５上に、さらに保護層31と同様の材質
の保護層35を膜厚80nmに設層した。
の保護層35を膜厚80nmに設層した。
下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を有機保
護コート層５として、スピンコートで設層した。
護コート層５として、スピンコートで設層した。
（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。
し架橋硬化させ、硬化膜とした。
このようにして、下記表１に示されるような種々のサ
ンプルを作製した。
ンプルを作製した。
これらについて下記の特性を測定した。
（１）初期のC/N比 線速 4m/sec 搬送周波数 1.0MHz 分解能 30KHz ビデオバンド巾 100Hz 記録パワー（830nm） ３〜6mW 再生パワー（830nm） 1mW （２）膜応力 各サンプルの中間層４と同様のものを厚さ50μｍのポ
リイミドフィルムを10×30mmに切ったものの上に設層
し、ポイミドフィルムのそり量から通常の方法で膜応力
を算出した。
リイミドフィルムを10×30mmに切ったものの上に設層
し、ポイミドフィルムのそり量から通常の方法で膜応力
を算出した。
（３）耐食性 ヒートサイクルテスト……IEC−２−38（−10℃〜60
℃、90％RH） 上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を
測定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック等
がバーストエラーの増加に寄与していた。
℃、90％RH） 上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を
測定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック等
がバーストエラーの増加に寄与していた。
結果を表１に示す。
以上の結果より本発明の効果は明らかである。
また、サンプル１〜４の1A族、2A族、鉛元素をそれぞ
れＫ、Li、Srにおき換えて、同様の実験を行ったが、同
様な結果を得た。
れＫ、Li、Srにおき換えて、同様の実験を行ったが、同
様な結果を得た。
なお、このような効果は、相転移型のTe−Ge、TeOx、
Te−Se等の記録層でも、同様に実現した。
Te−Se等の記録層でも、同様に実現した。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の光記録媒体の１例を示す光磁気記録
媒体の断面図である。 符号の説明 １…光磁気記録媒体、２…基板、４…中間層、31,35…
保護層、５…磁性薄膜層、６…有機保護コート層、７…
接着剤層、８…保護板
媒体の断面図である。 符号の説明 １…光磁気記録媒体、２…基板、４…中間層、31,35…
保護層、５…磁性薄膜層、６…有機保護コート層、７…
接着剤層、８…保護板
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に記録層を有し、この記録層と基板
との間に中間層を有する光記録媒体において、 中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素とを含有し、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％で
あり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含有
量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項２】前記中間層の膜厚が３〜300nmである特許
請求の範囲第１項の光記録媒体。 - 【請求項３】基板上に記録層を有し、この記録層と基板
との間に中間層を有する光記録媒体において、 前記中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素と、さらにイットリウム、ランタノイド元素および
アクチノイド元素のうちの１種以上とを含有し、 イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元
素のうちの１種以上の含有量が30at％以下であり、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％で
あり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含有
量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項４】前記中間層の膜厚が30〜300nmである特許
請求の範囲第３項の光記録媒体。 - 【請求項５】基板上に記録層を有し、この記録層と基板
との間に中間層を有し、 中間層と基板の間および／または記録層上に保護層を有
する光記録媒体において、 中間層が4A族ないし6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素とを含有し、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％で
あり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含有
量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項６】基板上に記録層を有し、この記録層と基板
との間に中間層を有し、 中間層と基板の間および／または記録層上に保護層を有
する光記録媒体において、 前記中間層が4A族〜6A族元素の１種以上と、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上と、 酸素と、さらに イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元
素のうちの１種以上とを含有し、 イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元
素のうちの１種以上の含有量が30at％以下であり、 4A族ないし6A族元素の１種以上の含有量が５〜40at％で
あり、 1A族および2A族元素ならびに鉛のうちの１種以上の含有
量が５〜50at％であり、 酸素の含有量が20〜70at％であることを特徴とする光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172378A JP2630400B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172378A JP2630400B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6417230A JPS6417230A (en) | 1989-01-20 |
| JP2630400B2 true JP2630400B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=15940798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62172378A Expired - Fee Related JP2630400B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630400B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741997A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS58100250A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用材料 |
-
1987
- 1987-07-10 JP JP62172378A patent/JP2630400B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6417230A (en) | 1989-01-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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