JP2554482C - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
Ｉ 発明の背景
技術分野
本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記録、再生を行う光磁気
記録媒体等の光記録媒体に関する。 先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体ある。 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢｉ，ＭｎＡｌＧｅ，ＭｎＳｂ，ＭｎＣｕＢｉ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，Ｇ
ｄＣｏ，ＰｔＣｏ，ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＯ3，Ｇ
ｄＩＧ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＢｉ，ＣｏＦｅ2Ｏ4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で
、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁
気 記録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点をあげることができる。 このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が１００〜２００℃程度で、補償点が室温付近であるこ
と、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られることが
あげられる。このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土類−遷移金
属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集めている。 しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体にお
いて、磁性薄膜層は大気に接したまま保存されると、大気中の酸素や水により希
土類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生が不可能とな
る。さらには、Ｓ／Ｎ比を向上させるために、記録の読みとりの際の回転角をで
きるだけ大きくする必要がある。 そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板反対側表面に中間層を
設けた構成を有するものが多く研究されている。 従来、このような防湿性等の耐食性付与のためあるいは、力一効果に多重干渉
の効果やファラデー効果を加えて回転角を増大させるために中間層としては、一
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真
空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよく知られている（特開昭５８−８０１４２
号公報、同第５９−５２４４３号公報等）。 しかし、これらは、いずれも未だ耐食性等の点で満足できるものではない。 また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合物、特に、Ｓｉ3Ｎ4とＳ
ｉＯ2との混合物、Ｓｉ3Ｎ4とＳｉＯとの混合物またはＡｌＮとＡｌ2Ｏ3との混
合物を用いることも公知である（特開昭６０−１４５５２５号公報）。 しかしながら、このものについても、耐食性、Ｃ／Ｎ比、膜剥離、クラック、
初期の記録媒体のソリ等の変形、成膜速度等の点で満足できるものとはいえない
。 なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録層を有する光記録媒体 でも同様である。 II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐久性、Ｃ／Ｎ比の優れ
た、また膜剥離、クラック、初期のソリ等が少なく良好な光記録媒体を提供する
ことにある。 III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。 すなわち、本発明は、基板上に記録層を有し、この記録層と基板との間に中間
層を有する光記録媒体において、 中間層がケイ素およびアルミニウムを含有するものであって、４０〜８０wt%
の窒化ケイ素を含有し、残部が窒化アルミニウム、酸化アルミニウムおよび酸化
ケイ素のなかの少なくとも２種からなるスパッタ膜であることを特徴とする光記
録媒体である。 IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。 本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例が第１図に示されている
。 第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２上に、中間層３１を有
し、この上に記録層としての磁性薄膜層４が設けられている。 本発明においては、さらに必要に応じて磁性薄膜層４上に、保護層３５を設け
てもよい。 このような本発明の中間層３１は、ＳｉおよびＡｌを必須元素として含む。 ＳｉおよびＡｌは、酸化物、窒化物として含有され、しかも、窒化ケイ素を必
須とし、これに窒化アルミニウム、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素のなかの
少なくとも２種を含有する。この際、Ｓｉ、Ａｌは酸化物と窒化物の組み合わせ
で含有されることになる。 これら各酸化物および窒化物は通常化学量論組成であるが、これから偏奇した ものであってもよい。 この場合、窒化ケイ素量は４０〜８０wt% とする。多すぎても少なすぎても、
記録再生特性や耐久性や耐食性が劣化する。なお、特開昭６１−２２４５８号公
報および同６１−２７８０６２号公報には、窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4９０〜９５モル
％程度（９０wt% 程度以上）と、これに酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3や窒化ケイ素
ＡｌＮ等を含むものが開示されているが、これらでは後記実施例から明らかなよ
うにＣ／Ｎや耐久性等の点で不十分である。 なお、酸化物と窒化物との含有率は、窒化物リッチにすることが好ましく、通
常、窒素量は酸素量に対して原子比で１〜２０倍程度とすることが好ましい。こ
うすることにより、優れた記録再生特性を保ち、かつ安定で耐久性、耐食性に優
れた保護層となる。 この範囲未満、すなわちＯリッチであると出力が低下してしまい、また、逆に
、Ｎリッチすぎると層歪が大きくなり耐久性が低下する。 さらに、このような中間層３１においては、厚さ方向に所定の元素の濃度勾配
をつけてもよく、この場合、中間層３１の基板側をＮ、Ｏ、リッチにすることが
好ましい。あるいは相対的に基板側をＯリッチ、磁性薄膜側をＮリッチとしても
よい。 こうすることにより経時劣化が少なく記録再生特性に優れた記録媒体が
得られる。 なお、前述したように、このような中間層材質をさらに後述する磁性薄膜層の
上（基板反対側）に保護層３５として設けて、前記中間層３１と併用することも
できる。併用する場合には、これら中間層と保護層の組成はそれぞれ同一であっ
ても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ異なった組成としてもよい。 なお、好ましい態様において、金属または半金属としてＳｉとＡｌとを用いる
場合、これらの量比には特に制限はないが、通常は原子比でＳｉ／Ａｌは０．５
〜２０程度とする。 Ｓｉ／Ａｌ比が０．５未満であっても、また、２０超であっても、優れた耐久
性が得られない。 このような中間層３１の波長８００ｎｍにおける屈折率は、１．８〜３．０、
より好ましくは２．０〜２．５とする。 屈折率が１．８未満であると、カー回転角増幅効果が小さく、出力が低下する
。 また、３．０を超えると、出力が低下し、またノイズが増加する。 このような中間層は、スパッタ法、特に２種以上の異なる組成からなるターゲ
ットを用いた多元スパッタ法あるいは酸素を用いる反応性スパッタ法等によって
形成される。 そして、このような中間層の厚さは、また中間層材質を磁性薄膜層上に設ける
ときの保護層の厚さは、それぞれ３００〜３０００Å、特に５００〜２０００Å
とすることが好ましい。 この値が３００Å未満であると、カー回転角増大効果が小さくかつ耐候性が悪
く、また３０００Åをこえると、感度が低下し、かつ生産効率も低下する。 また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在するＡｒ、Ｎ2等が入っ
てもよい。 その他、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元素が不
純物として入りうる。 本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変調された熱ビームある
いは変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は
磁気−光変換して再生するものである。 このような磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等の希土類金属と好まし
くはＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜とし
て形成したものである。この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５at％で
あることが好ましい。 そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／またはＴｂである。 そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等がある。 なお、これら磁性薄膜層中には１０at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ
、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有されてもよい
。 また、希土類元素として１０at％以下の範囲でＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含有しても
よい。 このような磁性薄膜層の厚さは、通常、１００〜１０，０００Å程度である。 この他記録層の材質としては、いわゆる相転 移タイプのものとして、例えば
、 Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｉｎ、Ｔｅ−Ｓｎ、Ｔｅ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｉ、Ｔｅ−Ｓｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｉ−
Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｇａ、Ｔｅ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｔｌ、
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ
、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｇａ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓ−Ｉｎ、Ｓｅ−
Ｇｅ−Ｔｌ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔｌ−Ｓｂ、Ｓｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、
Ｓｅ−Ｓ（以上、特公昭５４−４１９０２号、特許第１００４８３５号など） ＴｅＯx（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４２５７号記載のＴｅ酸化
物中に分散されたＴｅ）、 ＴｅＯx＋ＰｂＯx（特許第９７４２５８号）、 ＴｅＯx＋ＶＯx（特許第９７４２５７号）、その他、Ｔｅ−Ｔｌ、Ｔｅ−Ｔｌ
−Ｓｉ、Ｓｅ−Ｚｎ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｇａ、ＴｅＮx等のＴｅ、Ｓｅを主体
とするカルコゲン系 Ｇｅ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｓｎ等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ等の結晶構造変化によって色変化
を生じる合金、Ｉｎ−Ｓｂ等の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。 このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のドラ
イコーティング方式等を用いて設層すればよい。そしてその設層厚さは２０nm〜
１μm 程度とされる。 本発明で用いられる基板２は、通常、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹
脂材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメ
チルペンテン樹脂などがあげられる。 これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐性等の点でポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。 この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリカーボネート、芳香族
−脂肪族ポリカーボネート、芳香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが
、特に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これらのうちでは融
点、 結晶性、とり扱い等の点でビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好まし
い。中でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も好ましく用い
られる。また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、１０，０００〜１５，
０００程度であることが好ましい。 このような基板２の波長８３０nmの屈折率は通常１．５５〜１．５９程度であ
る。 なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光ないし読み出し光に対す
る透過率は８６％以上とする。 このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、トラッキング用の溝が形
成されてもよい。 溝の深さは、λ／８ｎ程度、特にλ／６ｎ〜λ／１２ｎ（ここに、ｎは基板の
屈折率である）とされる。また、溝の巾は、０．４〜２．０μｍ程度とされる。 またアドレス用のピットが形成されていてもよい。 そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記録トラック部として、
書き込み光および読み出し光を基板裏面側から照射することが好ましい。 このように構成することにより、書き込み感度と読み出しのＣ／Ｎ比が向上し
、しかもトラッキングの制御信号は大きくなる。 また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等としてもよい。 また、通常、磁性薄膜層４上（基板２と反対側）あるいはこの上に設けられる
保護層３５の上には、有機保護コート層５が設けられる。 保護層３５は、前述の中間層材質を用いることができる。また、この他、各種
ガラス質、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＳｉＣ、ＺｎＳ等の１種以上を用いてもよい。 保護層３５の厚さは通常３００〜３０００Å程度とする。 有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々の有機系の物質を用い
ればよい。 より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線等の放射線で硬化させ
たものを用いるのがよい。 用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル 重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれ
らのエステル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのような
アリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射
線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入したモノマ
ー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。 放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の化合物が、オリゴマー
としては分子量２０００〜１００００のものが用いられる。 これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート
、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート
、ジエチレングリコールメタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げられるが、特に好ましい
ものとしては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタクリレート）、
ペンタエリスリトールアクリレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアクリレー
ト（メタクリレート）、多官能オリゴエステルアクリレート（アロニックスＭ−
７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００、Ｍ−６２５０、Ｍ−６
５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタン
エラストマー（ニッポラン４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノールエチレンオキシド付加物の
アクリレート（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール
縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル基の
ついた化合物、 １） （ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣＨ2）3−ＣＣＨ2ＯＨ （特殊アクリレートＡ） ２） （ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣＨ2）3−ＣＣＨ2ＯＨ3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔ＣＨ2＝ＣＨＣＯ（ＯＣ3Ｈ6）n−ＯＣＨ2〕3−ＣＣＨ2ＣＨ3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合
物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｂと
いう）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃと
いう）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｄと
いう）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる。 ８） ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4−ＣＯＣＨ＝ＣＨ2 （特殊アクリレートＨ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オリゴ
エステルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれ
らのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射線硬化型
化合物を用いてもよい。 このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重合性を示す不飽和
二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物
のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結合、
マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の、放射線照射による架橋ある
いは重合する基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂である。 放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例としては、塩化ビニル系共重
合体、飽和ポリエスルテル樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂
、フェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂としては、多官能ポリエス
テル樹脂、ポリエーテルエステル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体
（ＰＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を含有するアクリルエステルおよびメタク
リルエステルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効である
。 このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の膜厚は０．１〜３０μ
m、より好ましくは１〜１０μm である。 この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成できず、湿度が高い雰囲
気中での防湿効果が十分でなく、磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、３
０μｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反りや保護膜
中のクラックが生じ、実用に耐えない。 このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア塗布、スプレーコート
、ディッピング等、種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。 この時
の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ等を考慮し
て適宜決定すればよい。 このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線、紫外線等の放射線を
塗膜に照射すればよい。 電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１００〜７５０ＫＶ、好
ましくは１５０〜３００ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メ ガラッドになるように照射するのが好都合である。 一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線硬化型化合物の中には
、通常、光重合増感剤が加えられる。 この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例えばベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオ
キシベンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ビスジア
ルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、アセトラキノン、フェナントラキノ
ン等のキノン類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド
等のスルフィド類等を挙げることができる。光重合増感剤は樹脂固形分に対し、
０．１〜１０重量％の範囲が望ましい。 そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物を含有する塗膜を紫外
線によって硬化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。 たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電球等を用いればよい。 このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層６を介して保護板７が
設けられる。すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の
面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる片面記録の場合には、この保護板７
を用いる。 このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求されることはなく、種
々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピ
レン、ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、アル
キド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が
使用可能である。 なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７として用いてもよい。 このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同様とされる。 このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介して接着される。接着
剤層は、通常、ホットメルト樹脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μ
ｍ程度とされる。 他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の中間層３１、磁性薄膜層４、保
護層３５、有機保護コート層５等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性
薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて、両基板の裏面
側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい。 さらに、こ
れらの基板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）には各種
保護膜としてのコーティングを行うことが好ましい。 コーティングの材質としては、前述した有機保護コート層５の材質と同様なも
のとしてもよい。 Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層と基板との間に所定の組成からなる中間層を有
する。 従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性、再生出力、Ｃ／Ｎ比がきわめて高
く、エラーレートが少ないという効果を有する。 VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。 ［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の光ディスクグレードポ
リカーボネート樹脂からなる基板２上に、下記表１に示される種々の組成（組成
比は、表記の化合物に換算したものである）および屈折率（波長８００ｎｍにお
ける）の中間層３１をスパッタリング法、場合により多元スパッタ法により設層
した。なお、屈折率は組成の他、スパッタ条件（ガス圧・ガス組成）により調整
した。膜厚は各サンプルにつき全て８００Åとした。 このような中間層の上に２１ａｔ％Ｔｂ，６８ａｔ％Ｆｅ，７ａｔ％Ｃｏ，４
ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ８００Åに設層し、磁性薄
膜層４とした。 なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃｒチッブをのせたもの
を用いた。 この磁性薄膜層４上に、さらに、保護層３５に８００Å厚に設層した。材質は
ホウケイ酸系ガラスとした。 下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を有機保護コート層５として、ス
ピンナーコートで設層した。 （塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬化させ、硬
化膜とした。 このようにして、下記表１に示されるような種々のサンプルを作製した。 これらについて下記の特性を測定した。 （１）初期のＣ／Ｎ比 線 速 ４ｍ／ｓｅｃ 搬送周波数 １．０ＭＨｚ 分解能 ３０ＫＨｚ 記録パワー（８３０ｎｍ） ３〜６ｍＷ 再生パワー（８３０ｎｍ） １ｍＷ （２）耐久性 ６０℃、９０％ＲＨにて１，０００ｈｒ保存し、ビットエラーレートの変化、
膜の剥離等外観の変化を測定した。 ビットエラーレートは上記（１）の条件にてＮＲＺ信号を記録し測定した。な
お、初期のビットエラーレートは３×１０-6であった。 結果を表１に示す。 以上の結果より本発明の効果は明らかである。 なお、このような効果は、相転移型のＴｅ−Ｇｅ、ＴｅＯx、Ｔｅ−Ｓｅ等の
記録層でも、同様に実現した。
記録媒体等の光記録媒体に関する。 先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体ある。 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢｉ，ＭｎＡｌＧｅ，ＭｎＳｂ，ＭｎＣｕＢｉ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，Ｇ
ｄＣｏ，ＰｔＣｏ，ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＯ3，Ｇ
ｄＩＧ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏＢｉ，ＣｏＦｅ2Ｏ4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で
、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁
気 記録媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点をあげることができる。 このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が１００〜２００℃程度で、補償点が室温付近であるこ
と、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られることが
あげられる。このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土類−遷移金
属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集めている。 しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体にお
いて、磁性薄膜層は大気に接したまま保存されると、大気中の酸素や水により希
土類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生が不可能とな
る。さらには、Ｓ／Ｎ比を向上させるために、記録の読みとりの際の回転角をで
きるだけ大きくする必要がある。 そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板反対側表面に中間層を
設けた構成を有するものが多く研究されている。 従来、このような防湿性等の耐食性付与のためあるいは、力一効果に多重干渉
の効果やファラデー効果を加えて回転角を増大させるために中間層としては、一
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真
空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよく知られている（特開昭５８−８０１４２
号公報、同第５９−５２４４３号公報等）。 しかし、これらは、いずれも未だ耐食性等の点で満足できるものではない。 また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合物、特に、Ｓｉ3Ｎ4とＳ
ｉＯ2との混合物、Ｓｉ3Ｎ4とＳｉＯとの混合物またはＡｌＮとＡｌ2Ｏ3との混
合物を用いることも公知である（特開昭６０−１４５５２５号公報）。 しかしながら、このものについても、耐食性、Ｃ／Ｎ比、膜剥離、クラック、
初期の記録媒体のソリ等の変形、成膜速度等の点で満足できるものとはいえない
。 なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録層を有する光記録媒体 でも同様である。 II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐久性、Ｃ／Ｎ比の優れ
た、また膜剥離、クラック、初期のソリ等が少なく良好な光記録媒体を提供する
ことにある。 III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。 すなわち、本発明は、基板上に記録層を有し、この記録層と基板との間に中間
層を有する光記録媒体において、 中間層がケイ素およびアルミニウムを含有するものであって、４０〜８０wt%
の窒化ケイ素を含有し、残部が窒化アルミニウム、酸化アルミニウムおよび酸化
ケイ素のなかの少なくとも２種からなるスパッタ膜であることを特徴とする光記
録媒体である。 IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。 本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例が第１図に示されている
。 第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２上に、中間層３１を有
し、この上に記録層としての磁性薄膜層４が設けられている。 本発明においては、さらに必要に応じて磁性薄膜層４上に、保護層３５を設け
てもよい。 このような本発明の中間層３１は、ＳｉおよびＡｌを必須元素として含む。 ＳｉおよびＡｌは、酸化物、窒化物として含有され、しかも、窒化ケイ素を必
須とし、これに窒化アルミニウム、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素のなかの
少なくとも２種を含有する。この際、Ｓｉ、Ａｌは酸化物と窒化物の組み合わせ
で含有されることになる。 これら各酸化物および窒化物は通常化学量論組成であるが、これから偏奇した ものであってもよい。 この場合、窒化ケイ素量は４０〜８０wt% とする。多すぎても少なすぎても、
記録再生特性や耐久性や耐食性が劣化する。なお、特開昭６１−２２４５８号公
報および同６１−２７８０６２号公報には、窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4９０〜９５モル
％程度（９０wt% 程度以上）と、これに酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3や窒化ケイ素
ＡｌＮ等を含むものが開示されているが、これらでは後記実施例から明らかなよ
うにＣ／Ｎや耐久性等の点で不十分である。 なお、酸化物と窒化物との含有率は、窒化物リッチにすることが好ましく、通
常、窒素量は酸素量に対して原子比で１〜２０倍程度とすることが好ましい。こ
うすることにより、優れた記録再生特性を保ち、かつ安定で耐久性、耐食性に優
れた保護層となる。 この範囲未満、すなわちＯリッチであると出力が低下してしまい、また、逆に
、Ｎリッチすぎると層歪が大きくなり耐久性が低下する。 さらに、このような中間層３１においては、厚さ方向に所定の元素の濃度勾配
をつけてもよく、この場合、中間層３１の基板側をＮ、Ｏ、リッチにすることが
好ましい。あるいは相対的に基板側をＯリッチ、磁性薄膜側をＮリッチとしても
よい。 こうすることにより経時劣化が少なく記録再生特性に優れた記録媒体が
得られる。 なお、前述したように、このような中間層材質をさらに後述する磁性薄膜層の
上（基板反対側）に保護層３５として設けて、前記中間層３１と併用することも
できる。併用する場合には、これら中間層と保護層の組成はそれぞれ同一であっ
ても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ異なった組成としてもよい。 なお、好ましい態様において、金属または半金属としてＳｉとＡｌとを用いる
場合、これらの量比には特に制限はないが、通常は原子比でＳｉ／Ａｌは０．５
〜２０程度とする。 Ｓｉ／Ａｌ比が０．５未満であっても、また、２０超であっても、優れた耐久
性が得られない。 このような中間層３１の波長８００ｎｍにおける屈折率は、１．８〜３．０、
より好ましくは２．０〜２．５とする。 屈折率が１．８未満であると、カー回転角増幅効果が小さく、出力が低下する
。 また、３．０を超えると、出力が低下し、またノイズが増加する。 このような中間層は、スパッタ法、特に２種以上の異なる組成からなるターゲ
ットを用いた多元スパッタ法あるいは酸素を用いる反応性スパッタ法等によって
形成される。 そして、このような中間層の厚さは、また中間層材質を磁性薄膜層上に設ける
ときの保護層の厚さは、それぞれ３００〜３０００Å、特に５００〜２０００Å
とすることが好ましい。 この値が３００Å未満であると、カー回転角増大効果が小さくかつ耐候性が悪
く、また３０００Åをこえると、感度が低下し、かつ生産効率も低下する。 また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在するＡｒ、Ｎ2等が入っ
てもよい。 その他、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元素が不
純物として入りうる。 本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変調された熱ビームある
いは変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は
磁気−光変換して再生するものである。 このような磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等の希土類金属と好まし
くはＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜とし
て形成したものである。この場合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５at％で
あることが好ましい。 そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／またはＴｂである。 そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等がある。 なお、これら磁性薄膜層中には１０at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ
、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有されてもよい
。 また、希土類元素として１０at％以下の範囲でＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含有しても
よい。 このような磁性薄膜層の厚さは、通常、１００〜１０，０００Å程度である。 この他記録層の材質としては、いわゆる相転 移タイプのものとして、例えば
、 Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｉｎ、Ｔｅ−Ｓｎ、Ｔｅ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｉ、Ｔｅ−Ｓｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｉ−
Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｇａ、Ｔｅ−Ｓｉ−Ｂｉ−Ｔｌ、
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ
、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｇａ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓ−Ｉｎ、Ｓｅ−
Ｇｅ−Ｔｌ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔｌ−Ｓｂ、Ｓｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、
Ｓｅ−Ｓ（以上、特公昭５４−４１９０２号、特許第１００４８３５号など） ＴｅＯx（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４２５７号記載のＴｅ酸化
物中に分散されたＴｅ）、 ＴｅＯx＋ＰｂＯx（特許第９７４２５８号）、 ＴｅＯx＋ＶＯx（特許第９７４２５７号）、その他、Ｔｅ−Ｔｌ、Ｔｅ−Ｔｌ
−Ｓｉ、Ｓｅ−Ｚｎ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｇａ、ＴｅＮx等のＴｅ、Ｓｅを主体
とするカルコゲン系 Ｇｅ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｓｎ等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ等の結晶構造変化によって色変化
を生じる合金、Ｉｎ−Ｓｂ等の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。 このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のドラ
イコーティング方式等を用いて設層すればよい。そしてその設層厚さは２０nm〜
１μm 程度とされる。 本発明で用いられる基板２は、通常、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹
脂材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメ
チルペンテン樹脂などがあげられる。 これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐性等の点でポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。 この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリカーボネート、芳香族
−脂肪族ポリカーボネート、芳香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが
、特に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これらのうちでは融
点、 結晶性、とり扱い等の点でビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好まし
い。中でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も好ましく用い
られる。また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、１０，０００〜１５，
０００程度であることが好ましい。 このような基板２の波長８３０nmの屈折率は通常１．５５〜１．５９程度であ
る。 なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光ないし読み出し光に対す
る透過率は８６％以上とする。 このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、トラッキング用の溝が形
成されてもよい。 溝の深さは、λ／８ｎ程度、特にλ／６ｎ〜λ／１２ｎ（ここに、ｎは基板の
屈折率である）とされる。また、溝の巾は、０．４〜２．０μｍ程度とされる。 またアドレス用のピットが形成されていてもよい。 そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記録トラック部として、
書き込み光および読み出し光を基板裏面側から照射することが好ましい。 このように構成することにより、書き込み感度と読み出しのＣ／Ｎ比が向上し
、しかもトラッキングの制御信号は大きくなる。 また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等としてもよい。 また、通常、磁性薄膜層４上（基板２と反対側）あるいはこの上に設けられる
保護層３５の上には、有機保護コート層５が設けられる。 保護層３５は、前述の中間層材質を用いることができる。また、この他、各種
ガラス質、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＳｉＣ、ＺｎＳ等の１種以上を用いてもよい。 保護層３５の厚さは通常３００〜３０００Å程度とする。 有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々の有機系の物質を用い
ればよい。 より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線等の放射線で硬化させ
たものを用いるのがよい。 用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル 重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれ
らのエステル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのような
アリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射
線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入したモノマ
ー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。 放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の化合物が、オリゴマー
としては分子量２０００〜１００００のものが用いられる。 これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート
、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート
、ジエチレングリコールメタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げられるが、特に好ましい
ものとしては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタクリレート）、
ペンタエリスリトールアクリレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアクリレー
ト（メタクリレート）、多官能オリゴエステルアクリレート（アロニックスＭ−
７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００、Ｍ−６２５０、Ｍ−６
５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタン
エラストマー（ニッポラン４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノールエチレンオキシド付加物の
アクリレート（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール
縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル基の
ついた化合物、 １） （ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣＨ2）3−ＣＣＨ2ＯＨ （特殊アクリレートＡ） ２） （ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣＨ2）3−ＣＣＨ2ＯＨ3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔ＣＨ2＝ＣＨＣＯ（ＯＣ3Ｈ6）n−ＯＣＨ2〕3−ＣＣＨ2ＣＨ3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合
物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｂと
いう）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃと
いう）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｄと
いう）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる。 ８） ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4−ＣＯＣＨ＝ＣＨ2 （特殊アクリレートＨ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オリゴ
エステルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれ
らのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射線硬化型
化合物を用いてもよい。 このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重合性を示す不飽和
二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物
のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結合、
マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の、放射線照射による架橋ある
いは重合する基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂である。 放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例としては、塩化ビニル系共重
合体、飽和ポリエスルテル樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂
、フェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂としては、多官能ポリエス
テル樹脂、ポリエーテルエステル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体
（ＰＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を含有するアクリルエステルおよびメタク
リルエステルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効である
。 このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の膜厚は０．１〜３０μ
m、より好ましくは１〜１０μm である。 この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成できず、湿度が高い雰囲
気中での防湿効果が十分でなく、磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、３
０μｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反りや保護膜
中のクラックが生じ、実用に耐えない。 このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア塗布、スプレーコート
、ディッピング等、種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。 この時
の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ等を考慮し
て適宜決定すればよい。 このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線、紫外線等の放射線を
塗膜に照射すればよい。 電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１００〜７５０ＫＶ、好
ましくは１５０〜３００ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メ ガラッドになるように照射するのが好都合である。 一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線硬化型化合物の中には
、通常、光重合増感剤が加えられる。 この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例えばベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオ
キシベンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ビスジア
ルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、アセトラキノン、フェナントラキノ
ン等のキノン類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド
等のスルフィド類等を挙げることができる。光重合増感剤は樹脂固形分に対し、
０．１〜１０重量％の範囲が望ましい。 そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物を含有する塗膜を紫外
線によって硬化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。 たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電球等を用いればよい。 このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層６を介して保護板７が
設けられる。すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の
面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる片面記録の場合には、この保護板７
を用いる。 このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求されることはなく、種
々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピ
レン、ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、アル
キド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が
使用可能である。 なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７として用いてもよい。 このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同様とされる。 このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介して接着される。接着
剤層は、通常、ホットメルト樹脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μ
ｍ程度とされる。 他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の中間層３１、磁性薄膜層４、保
護層３５、有機保護コート層５等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性
薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて、両基板の裏面
側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい。 さらに、こ
れらの基板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）には各種
保護膜としてのコーティングを行うことが好ましい。 コーティングの材質としては、前述した有機保護コート層５の材質と同様なも
のとしてもよい。 Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層と基板との間に所定の組成からなる中間層を有
する。 従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性、再生出力、Ｃ／Ｎ比がきわめて高
く、エラーレートが少ないという効果を有する。 VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。 ［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の光ディスクグレードポ
リカーボネート樹脂からなる基板２上に、下記表１に示される種々の組成（組成
比は、表記の化合物に換算したものである）および屈折率（波長８００ｎｍにお
ける）の中間層３１をスパッタリング法、場合により多元スパッタ法により設層
した。なお、屈折率は組成の他、スパッタ条件（ガス圧・ガス組成）により調整
した。膜厚は各サンプルにつき全て８００Åとした。 このような中間層の上に２１ａｔ％Ｔｂ，６８ａｔ％Ｆｅ，７ａｔ％Ｃｏ，４
ａｔ％Ｃｒ合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ８００Åに設層し、磁性薄
膜層４とした。 なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃｒチッブをのせたもの
を用いた。 この磁性薄膜層４上に、さらに、保護層３５に８００Å厚に設層した。材質は
ホウケイ酸系ガラスとした。 下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を有機保護コート層５として、ス
ピンナーコートで設層した。 （塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬化させ、硬
化膜とした。 このようにして、下記表１に示されるような種々のサンプルを作製した。 これらについて下記の特性を測定した。 （１）初期のＣ／Ｎ比 線 速 ４ｍ／ｓｅｃ 搬送周波数 １．０ＭＨｚ 分解能 ３０ＫＨｚ 記録パワー（８３０ｎｍ） ３〜６ｍＷ 再生パワー（８３０ｎｍ） １ｍＷ （２）耐久性 ６０℃、９０％ＲＨにて１，０００ｈｒ保存し、ビットエラーレートの変化、
膜の剥離等外観の変化を測定した。 ビットエラーレートは上記（１）の条件にてＮＲＺ信号を記録し測定した。な
お、初期のビットエラーレートは３×１０-6であった。 結果を表１に示す。 以上の結果より本発明の効果は明らかである。 なお、このような効果は、相転移型のＴｅ−Ｇｅ、ＴｅＯx、Ｔｅ−Ｓｅ等の
記録層でも、同様に実現した。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の光記録媒体の１例を示す光磁気記録媒体の断面図である。
符号の説明
１…光磁気記録媒体、
２…基板、
３１…中間層、
３５…保護層、
４…磁性薄膜層、
５…有機保護コート層、
６…接着剤層、
７…保護板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に記録層を有し、この記録層と基板との間に中間層を有する光記録
媒体において、 中間層がケイ素およびアルミニウムを含有するものであって、４０〜８０wt%
の窒化ケイ素を含有し、残部が窒化アルミニウム、酸化アルミニウムおよび酸化
ケイ素のなかの少なくとも２種からなるスパッタ膜であることを特徴とする光記
録媒体。 （２）前記中間層の８００nmの波長における屈折率が１．８〜３．０である特許
請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
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