JPS63317941A

JPS63317941A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPS63317941A
Application number: JP62153027A
Authority: JP
Inventors: Hajime Utsunomiya; 肇宇都宮; Kenji Uchiyama; 内山　謙治; Hideki Ishizaki; 石崎　秀樹; Masaru Takayama; 勝高山
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1987-06-19
Filing date: 1987-06-19
Publication date: 1988-12-26
Anticipated expiration: 2011-08-07
Also published as: JP2523328B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】工　発明の背景技術分野本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。

先行技術とその問題点光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体がある
。

光磁気メモリの記録媒体としては、Ｍ　ｎ　Ｂ　ｉ　、　Ｍ　ｎ　Ａ　Ｉｌ、Ｇ　ｅ　、　
Ｍ　ｎ　Ｓ　ｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ１Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料が知ら
れている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法
等の方法で、プラスチックやカラス等の透明基板上に薄
膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、磁化容易軸がｌ膜面に垂直方向にあり、さらに、カー効
果やファラデー効果が大きいという点をあげることがで
きる。

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度て、補償
点が室温付近であること、第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
な膜が得られることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜か大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生か不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。

従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。　しかし、これらは、いずれも未だ耐食性
あるいは膜と基板との密着性の点で満足できるものては
ない。

また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭５９−５２４４３号公報、同第６０−１７７
４４９号公報）。

また、特開昭６０−１４５５２５号にはＳｉ３ＮイとＳ
　ｉ　０２との混合膜を保護層として用いる旨の提案が
なされている。

しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものてはその効果は十分
とはいえず、また記録の際の感度および再生の際のＣ／
Ｎ比の点でも満足のいくものではない。

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。

ＩＩ　　発明の目的本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐
久性に優れ、記録、再生特性も良好な光記録媒体を提供
することにある。

■　発明の開示このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、基板上に記録層を有し、基板と記録層との間
および／または記録層の上に保護層を有する光記録媒体
において、前記保護層がケイ素と、アルミニウムおよび
／またはホウ素と、アルカリ金属元素の１種以上と、酸
素と、イツトリウム、ランタノイド元素およびアクチノ
イド元素の１種以上とを含有することを特徴とする光記
録媒体である。

また、第２の発明は、基板上に記録層を有し、基板と記
録層との間および／または記録層の上に保護層を有する
光記録媒体において、前記保護層がケイ素と、アルミニ
ウムおよび／またはホウ素と、アルカリ金属元素の１種
以上と、２価の金属元素の１種以上と、酸素と、イツト
リウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元素の１
種以上とを含有することを特徴とする光記録媒体である
。

■　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示される。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に、保護層３１を有し、その上に記録層としての磁性
薄膜層４を有し、その上に基板裏面側保護層３５が設け
られる。

このような本発明の保護層３１は、ケイ素と、アルミニ
ウムおよび／またはホウ素と、アルカリ金属元素（Ｍｌ
）の１種以上と、酸素と、イツトリウム、ランタノイド
元素およびアクチノイド元素の１種以上とを含有する。

　また、本発明の第２の発明のおいては、保護層３１は
さらに２価の金属元素（Ｍ２）の１種以上を含有する。

このような各元素を含有させることによって、きわめて
良好な耐久性と耐食性とが発揮され、記録、再生特性も
優れたものとなる。

この場合、これら各必須元素の１っても欠けたときには
、本発明の効果は実現しない。

このような場合、ケイ素、アルミニウムおよび／または
ホウ素、アルカリ金属（Ｍｌ）の１種以上、および２価
の金属（Ｍ２）の１種以上は、通常酸化物の形で含有さ
れ、ガラス質を形成する。

ガラス質としてのこれらケイ素、アルミニウムおよび／
またはホウ素、アルカリ金属（Ｍｌ）の１種以上、ある
いはこれに２価の金属（Ｍ２）の１種類以上を加えたも
のとをそれぞれの元素の酸化物の化学量論組成に換算し
たとき、これらの酸化物中の酸化ケイ素の含有量は、３
０〜７０　ｗ　ｔ％であることか好ましい。

これは３０ｗｔ％未満であると耐食性の点で不利になり
、７０　ｗ　ｔ％をこえると安定性の点で不利となるか
らである。

また化学量論組成酸化物に換算したとき上記酸化物中の
、アルカリ金属（Ｍｌ）の１種以上の酸化物の含有量は
、０．５〜１０ｗｔ％であることが好ましい、これは０
．５ｗｔ％未満になると、耐食性、ターゲットコストの
面で不利になり、１０ｗｔ％をこえると、安定性の面で
不利になるからである。

本発明に用いるアルカリ金属（Ｍｌ）としては、Ｌｉ、
Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ等が挙げられるが、中でも
特にＬｉ％Ｎａ、にの１〜３種を用いるのが好ましい。

　これら２種以上の（Ｍｌ）を用いる場合、それぞれの
量比は任意である。

また２　（［１１ｉの金属元素（Ｍ２）としては、Ｂａ
、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｒ等の１種以上が挙げら
れ、なかでも特にＢａ、Ｃａ。

Ｓｒの１〜３種を用いるのが好ましい。　これら２種以
上のＭ２を用いる場合、それぞれの量比は任意である。

また、化学量論組成に換算した酸化物中のＭ２の酸化物
は、５０　ｗ　ｔ％以下の含有量とすることによって、
耐食性が向上する。　この場合、添加量は１０〜３５ｗ
ｔ％であることが好ましい。

さらに、保護層には、上記のとおりアルミニウム、ホウ
素が含有される。　上記ガラス質組成の残部が、アルミ
ニウムおよび／またはホウ素の酸化物から形成されるこ
とによって耐食性はさらに向上する。

Ｂと　八ｎとを含有させる場合、互いの量比は任意であ
る。

なお、ケイ素、アルカリ金属の１種以上（Ｍ’　）、２
価の金属元素（Ｍ２）、アルミニウムおよび／またはホ
ウ素の酸化物の化学量論組成は、それぞれＳｉＯ２、Ｍ
１２０、Ｍ２Ｏ、Ａ　Ｊ２２０３　オよびＢ２Ｏ２であ
る。

上記ガラス質中において、上記の各元素は、以下のよう
に含有される。

まずＳｉは、通常Ｓｉの酸化物（通常、５ｉＯ２）とし
て含有される。　また、アルカリ金属（Ｍｌ）も通常酸
化物（通常Ｌｉ２０、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ％　
ｃｓ２ｏ１Ｆｒ２ＯなどのＭ１２０）として含有される
。

また、２価金属（Ｍ２）も通常酸化物（通常、Ｂａｄ、
Ｃａｂ、ＭｇＯ１ＺｎＯ１ｐｂｏ。

ＳｒＯなとのＭ、、Ｏ）として含有される。

さらに　Ａρおよび／またはＢも通常酸化物（通常、　
Ａｌ２Ｏ２、Ｂ２０３　）として含有される。　すなわ
ち、化学量論組成て示ずならば、５１０２とＭ’ＯとＭ
２Ｏに加え、ＡＩＬｚ　Ｏ３，Ｂ２０３の１種以上が含
有されてガラス質か形成されるものである。

これらの酸化物は、その保護層組成において上記の化学
量論的な組成比をはずれていてもよい。

また、本発明の保護層は、上記ガラス質にイツトリウム
、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうちの１
種以上が含有されている。　これらのうちでは、特にイ
ツトリウムおよびランタノイド元素のうちの１種以上が
含有されるのが好ましい。

これらを含有することによって、記録感度やＣ／Ｎ比が
より良好なものになる。

そして、特にイツトリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）　
、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム
（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｎ）　、サマリウム（Ｓｍ
）およびユーロピウム（Ｅｕ）からなる郡から選ばれた
元素ρし種以上が含有されるとより一層好ましい結果か
得られる。　このとき、記録感度、Ｃ／Ｎ比等の記録、
再生特性のみならず、耐久性、耐食性等の面でもより良
好な結果が得られるからである。

これらイツトリウム、ランタノイド元素およびアクチノ
イド元素の１種以上、（以下これらをＲとする）は保護
層中にて上記ガラス質と混合されるものであるが、元素
単体あるいは化合物いずれかの形で含有されてもよい。

　化合物として含有される場合は、通常酸化物の形て含
有されことか好ましい。

このような場合、記録、再生特性とともに耐食性や耐久
性を向上させるためには、上記Ｒは、元素単体、あるい
は部分酸化物の形で含有されるのが好ましい。　これは
、これら各元素が保護膜中で酸素トラップの役割をし、
耐食性、耐久性の向上に寄与するからである。

また、こわらイツトリウム、ランタノイド元素およびア
クチノイド元素の１種以上の含有量はケイ素、アルミニ
ウムおよび／またはホウ素、アルカリ金属の１種以上、
およびそれに２価の金属の１種以上を加えたものの総計
に対し３〜１７５ａｊ％、より好ましくは３〜１４９ａ
ｔ％である。　これは、３ａｔ％未満であると本発明の
効果か無く、１７５ａｔ％をこえるとＣ／Ｎ特性か低下
するからである。

なお、」二記のイツトリウム、ランタノイド元素および
アクチノイド元素は、一般に各元素の化学量組成酸化物
（一般にＹ２Ｏ３、Ｌ　ａ　２０３等のＲ２０１、ただ
し、ＣｅはＣｅＯ２）に対し、酸素量が９０％以下の単
体または酸化物として含有されることが好ましい。

このような保護層は、通常非晶質状態にある。

なお、このような保護層中のＳｉ、ＡＩｌ、Ｂ、アルカ
リ金属、２価の金属、Ｙ、ランタノイド元素、アクチノ
イド元素およびその他の元素の分析は、オージェ、ＳＩ
ＭＳ、ＥＳＣＡ、ＬＡＭＭＡ等によって行えばよい。

また、このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、
スパッタ法、蒸着法、イオンブレーテインク法、プラズ
マＣＶＤ、光ＣＶＤ等により設層される。　特にスパッ
タ法を用いることが好ましく、この場合設層されるべき
組成の対応するターゲットを用いるスパッタ法、２種以
上の異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッ
タ法、あるいは酸素を用いる反応性スパッタ法等によっ
て形成される。　そして特に、上記のガラス質とイツト
リウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元素の１
種以上をターゲットとして用いる２元スパッタ法を用い
ることが好ましい。

そして、このような保護層の厚さは、３００〜３０００
人、特に５００〜２０００人とすることが好ましい。

この値が３００人未満であると、耐候性が悪く、また３
０００人をこえると、感度が低下する。

また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るＡｒ、Ｎ、、等が入ってもよい。

その他、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ，Ｃｒ２ｏ３、ＭｎＯ，、
Ｃｏｏ、Ｎｉｐ、ＡＳ２０３等が全体の１．Ｏｗｔ％程
度以下含有されてもよい。

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希土類金属と好ましくはＦｅ、ＣＯ等の遷移金属の合
金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成し
たものである。

この場合、ＦｅとＣｏの総合有量は、６５〜８５ａｔ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０８［％以下の範囲で
Ｃｒ、Ａｌ１．Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ。

Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含
有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａｔ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、１００〜１ｏｏ
ｏｏ人程度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、Ｔｅ−３ｅ、Ｔｅ−３ｅ−３ｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ、　　Ｔ
ｅ−Ｔｎ、　　Ｔｅ−３ｎ１　Ｔｅ−Ｇｅ　　−５ｂ−
３％　Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ−５ｉ、　　Ｔｅ　　−３ｉ、
　　Ｔｅ−Ｇｅ−３ｉ−３ｂ、　　Ｔｅ−Ｇｅ　　−Ｂ
ｉ、　　Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｇａ、　　Ｔｅ−３ｉ　　
−Ｂ　　ｉ　　−Ｔ　　１１　、　Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１−
Ｉｎ−３゜Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−３ｂ、　　Ｔｅ−Ｇｅ−
５ｅ　　−３，Ｔｅ−Ｇｅ−３ｅ、　　Ｔｅ−Ａｓ−Ｇ
ｅ　　−Ｇａ、　　Ｔｅ−Ｇｅ−３−Ｉｎ、　　５ｅ−
Ｇｅ　　−Ｔ　Ｉｌ、　　５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ、　　５ｅ
−Ｇｅ−Ｔｌｌ　−３ｂ、５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ％５ｅ−３
（以上、特公昭５４−４１９０２号、特許第１００４８
３５号など）ＴｅＯｘ　　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７
４２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、Ｔｅ０Ｘ＋Ｐｂ０Ｘ　（特許第９７４２５８号）、Ｔｅ０Ｘ十ＶＯＸ　（特許第９７４２５７号）、その他
、Ｔｅ−ＴＩＬ、Ｔｅ−Ｔｌ１−３ｉ、５ｅ−Ｚｎ−３
ｂ、Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ１ＴｅＮＸ等のＴｅ、Ｓｅを主体
とするカルコゲン系Ｇｅ−３ｎ、５ｉ−Ｓｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−ＡＬＬ　−Ｃｕ、Ｃｕ−ＡＬＬ等の
結晶構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−３ｂ
等の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜１戸
程度とされる。

基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂材
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられる
。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれてあってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、１０，
０００〜１５，０００程度であることか好ましい。

このような基板２の８３０ｎｍの屈折率は通常１．５５
〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みない
し読み出し光に対する透過率は８６％以」二とする。

このようなティスフ状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の１］は、０．４〜２．０−程度と
される。

また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は犬きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明においては磁性薄膜層４の上に基板裏面側保護層
３５を設けてもよい。

このような基板裏面側保護層３５の材質としては、ガラ
ス質のものであれば特に制限はなく、保護層３１と同様
な材質を用いてもよい。

この場合、好ましい保護層材質としては、特願昭６１−
３’ＯＯ８５９号、同６１−３０２２７５号、同６１−
３０３２２４号、同６１−３０７３００号、同６１−３
１３６１４号、同６１−３１３６１５号、同６１−３１
４９４９号、同６１−３１４９４８号、同６１−３１３
７２０号等か開示されている。　このとき、耐久性、耐
食性より優れたものとなる。

また、この基板裏面側保護層３５は、前記の保護層３１
と同材質にすることもできる。　なお、場合によっては
必要に応じ、保護層３１を前記と異なる組成とし、基板
裏面側保護層３５のみを前記のＳｉとＭｌとＭ２とＡｆ
ｔおよび／またはＢと、Ｒと０とを含有する組成として
もよい。

また、このような基板裏面側３５の形成方法は、保護層
３１の方法に準じて行えばよく、その膜厚は３００〜３
０００人とすることが好ましい。

また、通常、基板裏面側保護層３５の上には、有機保護
コート層５が設けられる。

有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
ずアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものか用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１，６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（
メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリ
レート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジ
アクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステ
ルアクリレート（アロニックスＭ−７１００、Ｍ−５４
００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００、Ｍ−６２５０、Ｍ
−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８１０
０等、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボラン４
０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのものにＣ
０ＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノールエチレ
ンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレート）、
下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合環にア
クリル基（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−
アクリル基のついた化合物、１）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ）２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ３（特殊アクリレートＢ）３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＯＣ（ＯＣ３Ｈ６）ｎ−ＯＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ）（特殊アクリレートＤ）（特殊アクリレートＥ）ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＦ）式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール綜合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣ０Ｃ）−（ＣＨ２ＣＨ２０）４
−ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） ― ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレート■）（特殊アクリレートＪ）ＩＩ）　　　　　　　　Ａ　　　　　ＡＡ−（Ｘ−Ｙ＋
−Ｘ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　（特殊アクリレートＫ）１　２）Ａ＋Ｍ−Ｎ
−）−−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基酸、（特殊アクリレートし）また、放射線硬
化型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能
オリゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーの
アクリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の
官能基が導入されたもの等が挙げられる。

（式中Ｒ１、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）ｌまた、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の
膜厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μｍ
である。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分てなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。　また、３０μｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない
。

このような塗膜は、通常、スピンコード、グラビア塗布
、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法
を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜の設層
条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ
等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アントラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層
６を介して保護板７が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板７を用いる。

このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
ユリア樹脂、不飽和ポリニスデル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７
として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介
して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層３１、基板裏面側保護層３５、有機保護コ
ート層５等を有する基板をさらに１セツト用いて、内磁
性薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層６を用いて
貼り合せて、内基板の裏面側から書き込みを行なう、い
わゆる両面記録タイプとしてもよい。　さ　らに、これ
らの基板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けてい
ない側の面）には各種保護膜としてのコーティングを行
うことが好ましい。

コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層５の材質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果本発明の光記録媒体は、記録感度およびＣ／Ｎ比等の記
録、再生特性がきわめて良好である。　そして耐久性、
耐食性もきわめて良好である。

■　発明の具体的実施例以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］直径１３ｃｍ、Ｊブさ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系
の光ティスクク゛レードポリカーボネート樹脂の基板２
」二に、下記表１に示される種々の組成のガラス質の保
護層３１を設層した。　なお、設層に際しては、所定の
カラスと、イツトリウム、ランタンイド元素およびアク
チノイド元素のうちの１種以上とをターゲットとして用
い、酸素を含む雰囲気下で反応性の多元スパッタリング
を行った。　表１中のｗｔ％は保護層の金属元素をオー
ジェ分光分析にて分析し、各元素を化学刊論組成酸化物
に換算して、その含有量を求めた。　各元素の化学量論
組成酸化物換算の含有量は、イツトリウム、ランクメイ
ド元素およびアクチノイド元素（Ｒ）以外の化学量論組
成酸化物中に占めるｗｔ％として表１に示されている。

　また、表中Ｍは、Ｓｉ、アルカリ金属元素Ｍ’、Ａｎ
、Ｂ、あるいはこれに２　（ｉの金属元素Ｍ２を加えた
ものの総計を表わし、表１には、膜中におけるＭに対す
るイツトリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素の１種以上（Ｒ）のａｔ％を併記する。　なお膜厚
は各サンプルにつき全て８００人とした。

このような保護層の上に２５ａｔ％Ｔｂ、６３ａｔ％Ｆ
’ｅ、７ａｔ％Ｃｏ、５ａｔ％Ｔｉ合金薄膜を、スパッ
タリングによって厚さ８００人に設層し、磁性薄膜層４
とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｔ
ｉデツプをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層４」二に、さらに、表１に示される　Ｎ
ｏ、９における保護層３１の基板裏面側保護層３５を８
００人に設層した。

この基板裏面側保護層３５の上に、下記の放射線硬化型
化合物を含む塗布組成物を有機保護コート層５として、
スピンコードにより設層した。

（塗布組成物）多官能オリゴエステルアクリレート１００重量部光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬
化させ、硬化膜とした。

このようにして、下記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。

これについて下記の特性を測定した。

（１）耐久性ビートサイクルテスト・・・・Ｉ　ＥＣ−２−３８（−
１０℃〜６０℃、９ｏ％ＲＨ）上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を測
定した。　この条件の場合主に膜のパクリ、クラック等
がバーストエラーの増加に寄与していた。

（２）耐食性高温高湿（８０℃、８０％ＲＨ）保存テスト上記加速試
験にてバーストエラーが２倍となる時間を測定した。　
この条件の場合主に孔食（ピンホール）の発生がバース
トエラーの増加に寄与していた。

（３）Ｃ／Ｎ比下記の条件にてＣ／Ｎ比を測定した。

線速　　　　　　　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　ｃ搬
送周波数　　　　　　　　１．０Ｍ　Ｈｚ分解能　　　
　　　　　　　３０ＫＨｚビ′デオバンド巾　　　　　
　１００Ｈｚ記録パワー（８３０ｎｍ）　　３〜６ｍＷ
再生パワー（８３０ｎｍ）　　１ｍＷ結果を表１．２に示す。

なお、このような効果は、相転移型のＴｅ　−Ｇｅ、Ｔ
ｅａ、、、Ｔｅ−３ｅ等の記録層でも同様に実現した。

以上の結果より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。符号の説明１・・・光磁気記録媒体、２・・・基板３１・・・保護層、３５・・・基板裏面側保護層、４・・・磁性薄膜層、５・・・有機保護コート層、６・・・接着剤層、７・・・保護板Ｆ　Ｉ　Ｇ、　１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に記録層を有し、基板と記録層との間およ
び／または記録層の上に保護層を有する光記録媒体にお
いて、前記保護層がケイ素と、アルミニウムおよび／ま
たはホウ素と、アルカリ金属元素の１種以上と、酸素と
、イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素の１種以上とを含有することを特徴とする光記録媒
体。
（２）前記保護層中のイットリウム、ランタノイド元素
およびアクチノイド元素の１種以上の含有量がケイ素と
、アルミニウムおよび／またはホウ素と、アルカリ金属
元素の１種以上との総計に対し、３〜１７５ａｔ％含有
される特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
（３）前記保護層中のケイ素、アルミニウムおよび／ま
たはホウ素、ならびにアルカリ金属元素の１種以上をそ
れぞれの元素の酸化物の化学量論組成に換算したとき、
これらの酸化物中の酸化ケイ素の含有量が３０〜７０ｗ
ｔ％である特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
光記録媒体。
（４）前記保護層中のケイ素、アルミニウムおよび／ま
たはホウ素、ならびにアルカリ金属元素の１種以上をそ
れぞれの元素の酸化物の化学量論組成に換算したとき、
これらの酸化物中のアルカリ金属の１種以上の酸化物の
含有量が、０．５〜１０ｗｔ％である特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）基板と記録層との間に保護層を有し、この保護層
がケイ素と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、ア
ルカリ金属の１種以上と酸素と、イットリウム、ランタ
ノイド元素およびアクチノイド元素の１種以上とを含有
する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の光記録媒体。
（６）基板と記録層との間、および記録層の上に保護層
を有し、少なくとも基板と記録層との間の保護層が、ケ
イ素と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、アルカ
リ金属の１種以上と、酸素と、イットリウム、ランタノ
イド元素およびアクチノイド元素の１種以上とを含有す
る特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載
の光記録媒体。
（７）基板上に記録層を有し、基板と記録層との間およ
び／または記録層の上に保護層を有する光記録媒体にお
いて、前記保護層がケイ素と、アルミニウムおよび／ま
たはホウ素と、アルカリ金属元素の１種以上と、２価の
金属元素の１種以上と、酸素と、イットリウム、ランタ
ノイド元素およびアクチノイド元素の１種以上とを含有
することを特徴とする光記録媒体。
（８）前記保護層中のイットリウム、ランタノイド元素
およびアクチノイド元素の１種以上の含有量が、ケイ素
と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、アルカリ金
属元素の１種以上と、２価の金属元素の１種以上との総
計に対し、３〜１７５ａｔ％含有される特許請求の範囲
第７項に記載の光記録媒体。
（９）前記、保護層中のケイ素、アルミニウムおよび／
またはホウ素、アルカリ金属の１種以上、ならびに２価
の金属元素の１種以上をそれぞれの元素の酸化物の化学
量論組成に換算したとき、これらの酸化物中の酸化ケイ
素の含有量が３０〜７０ｗｔ％である特許請求の範囲第
７項または第８項に記載の光記録媒体。
（１０）前記保護層中のケイ素、アルミニウムおよび／
またはホウ素、アルカリ金属元素の１種以上ならびに２
価の金属元素の１種以上を、それぞれの元素の酸化物の
化学量論組成に換算したとき、これらの酸化物中のアル
カリ金属の１種以上の酸化物の含有量が０．５〜１０ｗ
ｔ％、また２価の金属元素の１種以上の酸化物の含有量
が５０ｗｔ％以下である特許請求の範囲第７項ないし第
９項のいずれかに記載の光記録媒体。
（１１）基板と記録層との間に保護層を有し、この保護
層がケイ素と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、
アルカリ金属の１種以上と、２価の金属の１種以上と、
酸素と、イットリウム、ランタノイド元素およびアクチ
ノイド元素の１種以上とを含有する特許請求の範囲第７
項ないし第１０項のいずれかに記載の光記録媒体。
（１２）基板と記録層の間および記録層の上に保護層を
有し、少なくとも基板と、記録層との間の保護層が、ケ
イ素と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、アルカ
リ金属の１種以上と、２価の金属の１種以上と、酸素と
、イットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイド
元素の１種以上とを含有する特許請求の範囲第７項ない
し第１１項のいずれかに記載の光記録媒体。