JP2960824B2

JP2960824B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2960824B2
Application number: JP4285440A
Authority: JP
Inventors: 肇宇都宮; 正則小須田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1992-09-30
Filing date: 1992-09-30
Publication date: 1999-10-12
Anticipated expiration: 2014-10-12
Also published as: EP0590230A2; JPH06111400A; DE69328657D1; DE69328657T2; EP0590230A3; US5552237A; EP0590230B1

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体のうち、光磁気記録媒体は情
報容量が大きい点で有望視され、近年その開発進歩が著
しい。光磁気記録媒体は、透明基板上に、誘電体層を介
して記録層磁性膜を設けて構成されている。そして、最
近では、記録層上に第２の誘電体層を設け、記録層を一
対の誘電体層で挟持するとともに、その最上層に金属反
射層を設け、再生信号の出力を高めている。

【０００３】このような金属反射層としては、光反射率
やコストの点でＡｌないしＡｌ合金が有望とされてい
る。例えば、米国特許第４７１７６２８号明細書では２
〜１０at％のＮｉを含むＡｌ−Ｎｉ合金が記録感度や再
生のＣ／Ｎの点ですぐれているとされている。また、特
開平２−２９２７５３号には、Ａｌ−Ｔａ合金、同２−
２８５５３３号にはＡｌ等とＲｅとの合金、同２−２６
７７５２号には、Ａｌ−Ｎｂ合金等が提案されている。

【０００４】一方、このように金属反射層を積層する場
合、記録層、金属反射層間に設層される第２の誘電体層
としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物が
使用されており、このうち、窒化ケイ素は２程度の屈折
率を示すので、金属反射層の下に積層したとき、良好な
エンハンス効果が発揮されるとされている。しかし、金
属反射層も、各種窒化物等の第２の誘電体層も、ともに
熱伝導率が高く、記録時に記録層からの熱の散逸を助長
してしまい、記録感度が低く、また記録され始める記録
パワーしきい値（Ｐｔｈ）が高く、低記録パワーで記録
できないという欠点がある。

【０００５】ところで、光記録に際しては、単に記録パ
ワーのしきい値が低いだけでなく、エラーレートが小さ
く、例えば光変調方式記録では、バイトエラーレート
（ＢＥＲ）が特に５×１０^-5以下となる記録パワー下限
値（Ｐmin ）が低い必要がある。しかし、従来の構造で
は、この下限値Ｐmin の点でも不十分である。

【０００６】他方、記録パワーを高めていくと、記録信
号間の分解能が低下してくる。光変調方式において、所
定の分解能、例えばＩＳＯ規格§２４．１の規格に従
い、各回転数での３Ｔ、８Ｔ信号間の分解能が４０％ま
で低下する記録パワー上限値をＰmax とすると、このＰ
max −Ｐmin が記録パワーのマージンとして定義されて
いる。そして、このような記録パワーのマージンは、ど
のような記録方式でもできるだけ広いことが望まれる。
ドライブ装置ごとに記録レーザパワーは変動しており、
また光学系や検出系にもばらつきがある他、各装置ごと
においても、レーザパワーの温度変動や経時劣化、光学
系や検出系の経時劣化、装填時のディスクのチルト角の
変動やホコリによる散乱等、記録再生条件に各種変動要
因が存在する。また、異なる機種のドライブ装置への互
換性も必要とされる。これらから、装置ごと、あるいは
装置間や機種間の変動要因があっても、常に安定な記録
再生を行うことができるようにするためには、記録パワ
ーマージンは広ければ広いほどよい。これによりドライ
ブ装置の設計が容易となり、ドライブ制御も容易となる
からである。しかし、従来の構造では、この記録パワー
マージンも狭い。

【０００７】そこで、本発明者らは、光磁気記録媒体の
記録感度を向上し、安定な記録再生を行うことができる
記録パワーマージンを広いものとするために、記録層の
金属反射層側に設層する第２の誘電体層に、Ｙを含む希
土類元素の１種以上の酸化物と、酸化ケイ素と、窒化ケ
イ素とを含有させる旨を提案している（特願平４−４０
２７７号等）。このような第２の誘電体層を用いること
により、特に光変調方式において、記録感度が格段と向
上する。より詳細には、記録感度のうち、記録され始め
るしきい値Pth は著しく低下する。このしきい値Pth の
低下は、用いる第２の誘電体層の熱伝導率が小さいの
で、熱伝導率の大きい金属反射層を用いても記録層に対
する畜熱効果が発揮されるためであると考えられる。さ
らに、上記の提案によれば、記録感度のうち、光変調方
式におけるバイトエラーレートＢＥＲが５．０×１０^-5
以下となる記録パワー下限値Ｐmin も著しく低下する。
そして、分解能４０％以上が得られる記録パワー上限値
Ｐmax とＰmin との間の記録パワーマージンもきわめて
広いものとなる。

【０００８】ところで、光磁気記録ディスクに記録を行
なう方法には、光変調方式と磁界変調方式がある。光変
調方式では、変調した記録レーザ光で記録を行うのに対
し、磁界変調方式では、光ヘッドから集光した記録レー
ザー光をディスクの記録層にＤＣ的に照射してその温度
を上昇させておき、これと同時に、変調された磁界を光
ヘッドと反対側に配置した磁気ヘッドから記録層に印加
し、記録を行なう。従って、この方式ではオーバーライ
ト記録が可能であり、書き換え可能型ディスク（ミニデ
ィスクＭＤ）などへの応用が実現しつつある。

【０００９】しかし、磁界変調方式では、連続レーザ光
を照射するため、光変調方式とは熱のかかり方が異な
り、よりジッタの発生が多くなる。前記のＭＤ規格で
は、ＣＬＶ線速１．４m/s 、印加磁界２００OeにてＥＦ
Ｍ信号を記録し、３Ｔ信号のジッタが４０nsecを切る小
さい方のパワーをＰmin 、大きい方のパワーをＰmax と
したとき、１．４×Ｐmin を最適パワー、（Ｐmax −Ｐ
min ）／２を記録パワーマージンとしており、これら最
適パワーが小さく、マージンが広いことが望まれるのは
前記と同様である。

【００１０】しかし、光変調方式の記録において小さい
最適パワーと広い記録パワーマージンを示す層構成で
も、磁界変調方式の記録においては必ずしも最適の最適
パワーと記録パワーマージンとを示すものではないこと
が判明した。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、小さい最適パワーと、広い記録パワーマージンを示
す磁界変調方式の記録用の光磁気記録媒体を提供するこ
とである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。（１）基板上に、順に、第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、金属反射層および保護コートを有し、前記
第１の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反射率
曲線における最も薄い厚さでの反射率の第１極小点ｔ
_min よりも薄い厚さとし、磁界変調方式により光磁気記
録を行う光磁気記録媒体。（２）前記第１の誘電体層の厚さが３０nm以上、０．９
９ｔ_min 以下である上記（１）の光磁気記録媒体。（３）前記第１の誘電体層の屈折率ｎが１．８〜３．０
である上記（１）または（２）の光磁気記録媒体。（４）前記第１の誘電体層が窒化ケイ素を主成分とする
上記（１）〜（３）のいずれかの光磁気記録媒体。（５）前記第２の誘電体層の屈折率ｎが１．８〜３．０
であり、厚さが８０nm以下である上記（１）〜（４）の
いずれかの光磁気記録媒体。（６）前記第２の誘電体層が窒化ケイ素を主成分とする
上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録媒体。（７）前記第２の誘電体層が、Ｙを含む希土類元素の１
種以上の酸化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とを含有
する上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録媒体。（８）前記記録層が、希土類元素とＦｅとを含有する上
記（１）〜（７）のいずれかの光磁気記録媒体。（９）前記記録層が５〜１５at% のＣｏと２〜１０at%
のＣｒを含有し、Ｃｏ／Ｃｒの原子比が０．５〜５．０
である上記（８）の光磁気記録媒体。（１０）前記記録層の厚さが１０〜１０００nmである上
記（１）〜（９）のいずれかの光磁気記録媒体。

【００１３】

【作用効果】本発明では、第１の誘電体層の厚さを、反
射率の第１極小点（最小極小反射率膜厚）ｔmin よりも
薄い厚さとして十分な反射率を得るとともに、熱容量を
小さくし、下方の樹脂基板の蓄熱効果をより有効に発揮
させて感度を向上させる。この感度向上により、Ｐmin
が低下し、最適記録パワーＰ_o が低下するが、これと同
時に記録パワーマージンも拡大するという予想外の効果
が生じる。このような効果は、従来知られておらず、こ
のため従来の媒体では、ｔmin より薄い第１の誘電体層
を用いた例はない。

【００１４】同時に、従来と比較して膜厚が薄くなるの
で、成膜時間が短縮化する。第１の誘電体層は窒化ケイ
素等の誘電体物質であり、そのスパッタ等の成膜には時
間を要し、冷却手段も必要とするので成膜時間の短縮化
による量産性の向上はきわめて大なるものとなる。しか
も感度が向上するので、より一層キュリー点Ｔｃの高い
記録層材料が使えるようになり、この結果Ｃ／Ｎが向上
し、温度特性が向上し、高温下で使用しても特性劣化が
ないような媒体設計をすることができる。

【００１５】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の光磁気記録媒体の好適例が図１に
示される。この光磁気記録媒体１は、基板２上に、第１
の誘電体層４、記録層５、第２の誘電体層６および反射
層７を順次積層したものである。

【００１６】基板２と記録層５との間に設けられる第１
の誘電体層４は記録層５のエンハンス効果に加え、耐食
性の向上のためにも設けられるものであるが、その厚さ
を反射率の第１極小点ｔｍｉｎより薄くすることによ
り、それ自体の熱容量を小さくし、下方樹脂基板による
蓄熱効果を有効に発揮させる。これにより、前記のとお
り、感度が向上し、ジッタ４０ｎｓｅｃを切る記録パワ
ーをＰｍｉｎ、Ｐｍａｘとしたとき、Ｐｍｉｎが低下
し、最適パワー１．４Ｐｍｉｎも低下する。また、記録
パワーマージン（Ｐｍａｘ−Ｐｍｉｎ）／２が拡大す
る。

【００１７】上記の反射率の第１極小点について説明す
るならば、反射率−膜厚曲線には、膜内での干渉効果に
より極大点、極小点が周期的に表れる。１例として、記
録光波長７８０nmにおけるＳｉＮｘの膜厚と反射率との
関係を図２に示す。図２のカーブは、ＳｉＮｘのｘの値
を変化させて屈折率ｎを変化させたときのシミュレーシ
ョンカーブであり、図中これには実測値がプロットされ
ている。これらからわかるように、シミュレーションカ
ーブと実測値はきわめてよい一致をみており、ｎ＝２．
０では７６nm付近、ｎ＝２．３では６３nmに最も薄い膜
厚での極小点、すなわち第１極小点ｔmin が存在するこ
とがわかる。そこで本発明では、このｔmin より薄い膜
厚で所定の反射率を確保しようというものである。な
お、従来ｔmin より薄い膜厚を用いなかったのは、耐食
性、信頼性の点で厚い膜厚で反射率を高めた方がよいの
ではないかと考えられていたからである。

【００１８】しかし、窒化ケイ素等の誘電体層では３０
nm程度の膜厚とすれば十分な耐食性、信頼性が得られる
ことが判明した。これらから、第１の誘電体層４の厚さ
は好ましくは３０nm以上、特に４０nm以上、さらには４
５nm以上とし、またその上限は好ましくは０．９９ｔmi
n 、特に０．９８ｔmin 、さらには０．９６ｔmin とす
ればよい。なお、ｔmin は一般に４０〜９０nm程度であ
る。

【００１９】第１の誘電体層４の屈折率（複素屈折率の
実部）ｎは１．８〜３．０、特に１．８〜２．５とする
ことが好ましい。ｎが小さすぎるとカー回転角が小さく
なり、出力が低下し、大きすぎると出力が低下し、ノイ
ズが増大する。

【００２０】第１の誘電体層４の組成は、酸化物、炭化
物、窒化物、硫化物、例えば、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、Ａｌ
Ｎ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＺｎＳ、ＢＮ、ＴｉＯ
₂ 、ＴｉＮ等ないしこれらの混合物などの各種誘電体物
質を用いる。これらのうちでは、特に窒化ケイ素を主成
分（好ましくは窒化ケイ素９０重量％以上）とするか、
あるいは実質的に窒化ケイ素からなるものが好ましい。
そして、その成膜には、種々の気相成膜法を用いること
ができるが、通常スパッタ法を用いることが好ましい。
スパッタ法としては対応する組成の焼結体をターゲット
として用いても、窒素等を用いた反応性スパッタを用い
てもよい。

【００２１】記録層５上に設けられる第２の誘電体層６
は、記録層５のエンハンス効果と耐食性の向上のために
設けられるものである。従って、第１の誘電体層４と同
様の材質はいずれも使用可能である。ただし、本発明で
は、金属反射層７を設けたときの蓄熱効果付与による感
度向上や、記録パワーマージン拡大の機能を発揮する点
で、窒化ケイ素を好ましくは９０重量％以上含むもの、
あるいは一種以上の希土類元素（Ｙを含む）の酸化物
と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素とが含有されるものが好
ましく、特に希土類元素の酸化物と酸化ケイ素と、窒化
ケイ素とを含むものが最適である。

【００２２】このような場合、希土類元素としては、
Ｙ、Ｌａ〜Ｓｍ、Ｅｕ〜Ｌｎのいずれであってもよく、
これらの１種以上が含有される。これらのうち、Ｙを含
むランタノイド元素、特に少なくともＬａおよびＣｅの
うち１種以上が含有されることが好ましい。Ｌａおよび
Ｃｅの酸化物としては、通常、Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＣｅＯ
₂ である。これらは、一般に化学量論組成であるが、こ
れらから偏奇したものであってもよい。Ｌａおよび／ま
たはＣｅが含まれる場合、ＬａおよびＣｅの酸化物はい
ずれか一方であってもよく、両者が含有されてもよい
が、両者が含有される場合、その量比は任意である。ま
た、Ｌａおよび／またはＣｅの酸化物の他、Ｙ、Ｅｒ等
の希土類元素の酸化物が希土類酸化物中１０at％（金属
換算）程度以下含有されていてよい。また、これらの
他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ等の酸化物が
含有されていてもよい。これらの元素のうち、Ｆｅは、
１０at％以下、また、その他の元素は合計で１０at％以
下含有されてもよい。

【００２３】最適例としての第２の誘電体層６中には希
土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒化ケイ素が含有され
る。酸化ケイ素は通常ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、また窒化ケイ
素はＳｉ_３Ｎ_４の形で含有される。これらはこの化学量
論組成から偏奇していてもよい。また、このような第２
の誘電体層６中の希土類元素酸化物とＳｉ化合物との量
比は、それぞれ化学量論組成換算で、希土類元素酸化物
の合計／（Ｓｉ化合物＋希土類元素酸化物の合計）とし
て、０．０５〜０．５（モル比）程度であり、化学量論
組成換算で、５〜５０モル％の希土類元素酸化物を含有
することが好ましい。この比が小さすぎると、出力が低
下し、高温高湿下での耐久性に乏しくなってくる。ま
た、大きすぎると、ノイズが増加し、高温高湿下での耐
久性に乏しくなってくる。なお、希土類元素／Ｓｉの原
子比は０．０３〜０．６程度である。また、第２の誘電
体層６中のＯ／Ｎ原子比は、０．２〜３程度である。こ
の比が小さすぎると、高温高湿下での耐久性に乏しくな
り、大きすぎると出力が低下し、経時劣化が生じてく
る。これら原子比の測定には、オージェ電子分光あるい
はＥＤＳ等の分析手段を用いればよい。なお、第２の誘
電体層６中には、厚さ方向に酸素および窒素の濃度勾配
が存在してもよい。

【００２４】これら第２の誘電体層６の６００〜９００
ｎｍにおける屈折率（複素屈折率の実部）ｎは、好まし
くは１．８〜３．０、より好ましくは１．８〜２．５と
する。屈折率が１．８未満であると、カー回転角が小さ
く、出力が低下する。また、３．０を越えると、出力が
低下し、またノイズが増加する。

【００２５】このような第２の誘電体層６を設層するに
は、スパッタ法を用いることが好ましい。ターゲットと
しては、希土類酸化物、好ましくはＬａ₂ Ｏ₃ および／
またはＣｅＯ₂ と、ＳｉＯ₂ およびＳｉ₃ Ｎ₄ の混合物
の焼結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸
化物、特にＬａ₂ Ｏ₃ および／またはＣｅＯ₂ の一部ま
たは全部を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバ
ーメタル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の
酸化物に換えて用いることもできる。また、これに準
じ、その他の気相成膜法、例えばＣＶＤ法、蒸着法、イ
オンプレーティング法等を適宜用いることも可能であ
る。なお、誘電体層中の不純物として、成膜雰囲気中に
存在するＡｒ、Ｎ₂ 等が入ってもよい。その他、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ等の元
素が不純物として入りうる。

【００２６】この第２の誘電体層６の膜厚は８０nm以
下、好ましくは５〜６０nm、特に５〜５０nmとすること
が好ましい。光透過率を高め、出力を向上するために
は、膜厚は薄くすることが好ましいが、第２の誘電体層
６上に設けられる反射層７に熱伝導率の小さい材質を用
いれば、その膜厚をより薄くすることができる。なお、
膜厚が薄すぎるとノイズが増加し、厚すぎると出力やＣ
／Ｎが劣化してくる。このような第２の誘電体層６は、
膜応力が小さく、ヒートサイクル下での耐久性が良好で
ある。また記録層の保護効果も高い。

【００２７】このような第２の誘電体層上に設層される
金属反射層７の材質は、公知の各種金属材料、例えばＡ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉおよびＦｅ等
の金属やその合金のいずれであってもよい。これらのう
ちでは、Ａｌ、Ｎｉあるいはこれらの合金、特にＡｌ系
合金やＮｉ系合金は、本発明の第２の誘電体層と組み合
わせたとき所定の反射率を示し、出力が向上し、すぐれ
た感度および記録パワーマージン向上効果を発揮する点
で好ましい。

【００２８】Ａｌ系合金としてはＡｌを８０〜９９wt％
含有し、これにＮｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ａ
ｕ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｚ
ｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ等
の一種以上を含有させたものが好適である。Ａｌ系合金
は、記録パワーマージン拡大効果の点でもっとも優れて
いる。またＣ／Ｎもきわめて高くなる。そして、記録感
度も向上する。特に、Ｎｉを２０wt％以下、特に１〜１
０wt％含有し、残実質的にＡｌのＡｌ−Ｎｉ合金は好適
である。

【００２９】またＮｉ系合金は、熱伝導率が小さく、も
っともすぐれた記録感度向上効果を示す点で特に好まし
いこれらのうちでは、特にＮｉを３５〜７５wt％含有
し、これにＣｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅの１種以上を含
有するものが好ましい。そして、これらのうち、Ｎｉを
３５〜７５wt％、特に４０〜７０wt％、Ｃｏを０．１〜
５wt％、特に０．５〜５wt％、Ｃｒを０．１〜２５wt
％、特に０．５〜２５wt％、Ｗを０〜６wt％、Ｍｏを２
〜３０wt％、特に５〜３０wt％、およびＦｅを０．１〜
２５wt％、特に１〜２２wt％含有する、いわゆるハステ
ロイ合金は特に好ましい。この場合、これらに加え、３
wt％以下の範囲のＣｕ、Ｎｂ、Ｔａや、２wt％以下のＭ
ｎや、１wt％以下のＳｉ、Ｔｉ等が含有されていてもよ
い。これらＮｉ系合金では、前記第２の誘電体層と組み
合わせたとき、きわめて高い感度が実現する。また、熱
伝導率の低いＮｉ系合金を用いることにより、第２の誘
電体層６の厚さを薄くして出力を向上するとともに金属
反射層７そのものの膜厚も薄くすることができる。

【００３０】このような金属反射層７の膜厚は、４０〜
１５０nm、より好ましくは５０〜１００nmとすればよ
い。膜厚が必要以上に薄くなると、金属反射層７積層効
果がなくなり出力やＣ／Ｎが低下してしまう。厚すぎる
と感度が低下する。

【００３１】このような反射層７積層後の媒体の光反射
率は、１５％以上であることが好ましく、また反射層７
の複素屈折率の実部ｎは１．５〜３．５、虚部消衰係数
ｋは２．５〜７．０とするのが好ましい。このような反
射層７はスパッタ、蒸着、イオンプレーティング等によ
り形成することができるが、特にスパッタによって形成
されることが好ましい。

【００３２】このような反射層上には、保護コート８が
設層される。保護コート８は、例えば紫外線硬化樹脂等
の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μｍ程度
の厚さに設層すればよい。保護コート８は、層状であっ
てもシート状であってもよい。保護コート８は、特にア
クリレート系等の放射線硬化型化合物および光重合増感
剤を含有する塗膜を放射線硬化したものであることが好
ましい。

【００３３】このような反射層７および第２の誘電層６
がその上に設層される記録層５は、変調された熱ビーム
あるいは変調された磁界により、情報が磁気的に記録さ
れるものであり、記録情報は磁気−光変換して再生され
るものである。記録層５は、光磁気記録が行えるもので
あればその材質に特に制限はないが、希土類金属元素を
含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、
スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッ
タにより、非晶質膜として形成したものであることが好
ましい。

【００３４】希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、
Ｇｄ、Ｓｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ま
しい。希土類金属は１５〜２３ａｔ％程度含有される。
遷移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。この場
合、ＦｅとＣｏの総含有量は、５５〜８５ａｔ％である
ことが好ましい。

【００３５】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、３０
at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０at％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類金属元素を含有しても
よい。このような記録層５の層厚は、通常、１０〜１０
００nm程度である。これらのうちでは、５〜１５at% の
Ｃｏと２〜１０at% のＣｒとを含有し、Ｃｏ／Ｃｒの原
子比が０．５〜５．０であるものは１５０〜１７０℃の
キュリー点Ｔｃを示し、良好な温度特性を示すので好適
である。

【００３６】基板２と第１の誘電体層４との間には保護
層３が設層されてもよいが、その材質としては、ガラ
ス、例えばホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラ
ス、アルミニウムホウケイ酸ガラス等あるいはこのもの
にＳｉ_３Ｎ_４等を含むものなどを用いればよい。なかで
も、ＳｉＯ_３４０〜８０ｗｔ％のホウケイ酸ガラス、バ
リウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガラ
スや、これらのＳｉＯ_２の一部をＳｉ_３Ｎ_４等で置換し
たものが好ましい。保護層３の膜厚は３０〜１５０ｎｍ
程度とすればよい。

【００３７】基板２は、記録光および再生光（４００〜
９００ｎｍ程度、特に６００〜８５０ｎｍ程度の半導体
レーザー光、特に７８０ｎｍ）に対し、実質的に透明
（好ましくは透過率８０％以上）な材質から形成され
る。これにより、基板裏面側からの記録および再生が可
能となる。基板材質としては樹脂やガラスを用いる。樹
脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ア
モルファスポリオレフィン等の各種熱可塑性樹脂が好適
である。なお、必要に応じ、基板２の外表面や、外周面
等に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。また、基板２
の記録層５形成面には、トラッキング用のグループが形
成されていてもよい。基板２の裏面（記録層５を設けて
いない側の面）には各種保護膜としてのコーティングを
行うことが好ましい。コーティイングの材質としては、
前述した有機保護コート層８の材質と同様なものとして
もよい。

【００３８】本発明は、磁界変調型の光磁気記録に適用
される。この方式では、通常、光磁気記録ディスクの表
面（記録層側）上に磁気ヘッドを配置し、ディスクの裏
面上に光ヘッドを配置して、光ヘッドから一定強度のレ
ーザー光を基板を通して記録層に照射し、変調された磁
界を磁気ヘッドから記録層のレーザースポット部に印加
して記録を行なう。磁気ヘッドと光ヘッドとは位置関係
が固定されており、これらはディスクの径方向に一体的
に移動して所定トラックへアクセスする。印加磁界は８
０〜３００Oe程度とする。本発明において用いる磁気ヘ
ッドや光ヘッドの構成に特に制限はなく、通常の磁界変
調方式の光磁気記録に用いられる各種磁気ないし光ヘッ
ドから適宜選択すればよい。

【００３９】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。

【００４０】実施例１ＳｉターゲットとＮ₂ ガスを用い、基板上に、高周波マ
グネトロンスパッタにより種々の膜厚のＳｉＮｘ膜を成
膜した。ＳｉＮｘ膜としては、ｘ＝１．３０、ｎ＝２．
０、ｋ≒０と、ｘ＝０．７５、ｎ＝２．３、ｋ≒０との
２種の膜を成膜した。この場合、ｎはエリプソメータに
よって測定した。また、これらのｎ、ｋを用いシミュレ
ーションにより、７８０nmにおける膜厚−反射率曲線を
求めた。シミュレーション結果と実測値を図２に示す。

【００４１】次に、ポリカーボネートを射出成形して６
４ｍｍ径、厚さ１．２ｍｍの基板サンプルを得た。この
基板上に、上記のＳｉＮｘの第１の誘電体層を高周波マ
グネトロンスパッタにより設層した。ｘ＝１．３０、ｎ
＝２．０についてはｔｍｉｎ（７６ｎｍ）未満の５８ｎ
ｍと、ｔｍｉｎ以上の１００ｎｍ、ｘ＝０．７５、ｎ＝
２．３についてはｔｍｉｎ（６３ｎｍ）未満の３０ｎｍ
と、ｔｍｉｎ以上の９５ｎｍとして、互いに反射率を揃
えた。次に、この第１の誘電体層上に、Ｔｂ_１９Ｆｅ
_６５Ｃｏ_８Ｃｒ_８（Ｔｃ１５０℃）の組成を有する記録
層を、スパッタにより層厚２０ｎｍに設層した。

【００４２】さらに、この記録層上に、Ｌａ_２Ｏ_３３０
モル％、ＳｉＯ_２２０モル％およびＳｉ_３Ｎ_４５０モル
％を含有する第２の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより形成した。膜厚は２０ｎｍ、ｎ＝２．０、ｋ
≒０、希土類元素／Ｓｉの原子比は０．３５であった。

【００４３】この第２の誘電体層上に、金属反射層を高
周波マグネトロンスパッタにより膜厚９０nmとなるよう
に設層した。この金属反射層の組成は、Ａｌ９７．０
at%、Ｎｉ３．０at% であった。

【００４４】この反射層上に保護コートを設層した。保
護コートは、オリゴエステルアクリレートを含有する紫
外線硬化型樹脂を塗布した後、紫外線硬化して５μm 厚
の膜厚とした。なお、膜組成は、オージェ分光分析にて
測定した。

【００４５】これらのサンプルについて、（１）反射
率、（２）最適記録パワーおよび記録パワーマージンを
測定した。

【００４６】（１）反射率（媒体）７８０ｎｍの波長の半導体レーザを照射して、７８０ｎ
ｍでの反射率を光磁気記録ディスク検査機で測定した。

【００４７】（２）最適法記録パワーおよび記録パワー
マージンディスクをＣＬＶ１．４m/s で回転し、７８０nmの連続
レーザ光を照射しつつ２００Oeの印加磁界で磁界変調し
て、ＥＦＭ信号を記録した。記録パワーを変化させて３
Ｔ信号のジッタを測定し、ジッタが４０nsecを切るパワ
ーＰmin 、Ｐmax を測定し、最適記録パワーＰ_o ＝１．
４Ｐmin と記録パワーマージン（Ｐmax−Ｐmin ）／２
を算出した。これらの結果を表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】表１に示される結果から、第１の誘電体層
の膜厚をｔmin 未満とすることにより、同一反射率に設
計したｔmin 以上の膜厚のときと比較して、Ｐ_o が低下
し、マージンが拡大することがわかる。

【００５０】実施例２実施例１のｎ＝２．０、ｔｍｉｎ＝７６ｎｍの第１の誘
電体層と、実施例１のＬａＳｉＯＮの第２の誘電体層お
よびＳｉＮｘ（ｘ＝１．３０）ｎ＝２．０、ｋ≒０）の
第２の誘電体層とを用いその膜厚を下記表２のように設
定して実験を行った。なお、Ａｌ−Ｎｉ反射層の厚さは
６０ｎｍとした。結果を表２に示す。

【００５１】

【表２】

【００５２】表２に示される結果から、ＬａＳｉＯＮ系
の第２の誘電体層のすぐれた効果が明らかである。

【００５３】実施例３実施例１のｎ＝２．０、ｔｍｉｎ＝７６ｎｍ、５８ｎｍ
厚さの第１の誘電体層を用いる場合において、記録層の
組成をＴｂ_１８．０Ｆｅ_６４．０Ｃｏ_１０．０Ｃｒ
_８．０（Ｔｃ１６０℃）にかえてディスクを作製した。
また、記録層として実施例１のＴｂ_１９．０Ｆｅ
_６５．０Ｃｏ_８．０Ｃｒ_８．０（Ｔｃ１５０℃）を用
い、第１の誘電体層をＳｉＮｘ（ｔｍｉｎ＝７６ｎｍ、
ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０）、膜厚１２０ｎｍ、第２の
誘電体層をＳｉＮｘ，ｘ＝１．３０、ｎ＝２．０、膜厚
４０ｎｍとしたディスクを得た。両ディスクのＡｌＮｉ
反射層の厚さは６０ｎｍであり、反射率はともに２０％
である。これらディスクの室温と７０℃雰囲気下でのＰ
_０と、７０℃でのジッタ増加量を測定した。

【００５４】

【表３】

【００５５】表３に示される結果から、本発明に従い、
より一層高いＴｃの記録層の使用が可能であり、温度特
性が向上することがわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の１例を示す断面図で
ある。

【図２】第１の誘電体層の膜厚と反射率との関係を示す
グラフである。

【符号の説明】１光磁気記録媒体２基板３保護層４第１の誘電体層５記録層６第２の誘電体層７金属反射層８保護コート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 11/10 521 G11B 7/24

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、順に、第１の誘電体層、記録
層、第２の誘電体層、金属反射層および保護コートを有
し、前記第１の誘電体層の厚さを、記録光波長での厚さ−反
射率曲線における最も薄い厚さでの反射率の第１極小点
ｔ_min よりも薄い厚さとし、磁界変調方式により光磁気記録を行う光磁気記録媒体。
【請求項２】前記第１の誘電体層の厚さが３０nm以
上、０．９９ｔ_min 以下である請求項１の光磁気記録媒
体。
【請求項３】前記第１の誘電体層の屈折率ｎが１．８
〜３．０である請求項１または２の光磁気記録媒体。
【請求項４】前記第１の誘電体層が窒化ケイ素を主成
分とする請求項１〜３のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項５】前記第２の誘電体層の屈折率ｎが１．８
〜３．０であり、厚さが８０nm以下である請求項１〜４
のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項６】前記第２の誘電体層が窒化ケイ素を主成
分とする請求項１〜５のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項７】前記第２の誘電体層が、Ｙを含む希土類
元素の１種以上の酸化物と、酸化ケイ素と、窒化ケイ素
とを含有する請求項１〜５のいずれかの光磁気記録媒
体。
【請求項８】前記記録層が、希土類元素とＦｅとを含
有する請求項１〜７のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項９】前記記録層が５〜１５at% のＣｏと２〜
１０at% のＣｒを含有し、Ｃｏ／Ｃｒの原子比が０．５
〜５．０である請求項８の光磁気記録媒体。
【請求項１０】前記記録層の厚さが１０〜１０００nm
である請求項１〜９のいずれかの光磁気記録媒体。