JPH10162442A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH10162442A JPH10162442A JP8324262A JP32426296A JPH10162442A JP H10162442 A JPH10162442 A JP H10162442A JP 8324262 A JP8324262 A JP 8324262A JP 32426296 A JP32426296 A JP 32426296A JP H10162442 A JPH10162442 A JP H10162442A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録層のキュリー温度を高く設定することに
より繰り返し記録再生特性が劣化することなく、信号量
が増大した光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る光磁気記録媒体１は、基板
２上に形成された第１の誘電体層３と、この第１の誘電
体層３上に形成され、少なくとも窒化シリコンを含有す
る第２の誘電体層４と、この第２の誘電体層４上に形成
され、キュリー温度が２００℃以上の磁性膜を有する記
録層５とを備える。この光磁気記録媒体１は、第１の誘
電体層３の熱電導率が第２の誘電体層４の熱電導率と比
較して小とされてなる。
より繰り返し記録再生特性が劣化することなく、信号量
が増大した光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る光磁気記録媒体１は、基板
２上に形成された第１の誘電体層３と、この第１の誘電
体層３上に形成され、少なくとも窒化シリコンを含有す
る第２の誘電体層４と、この第２の誘電体層４上に形成
され、キュリー温度が２００℃以上の磁性膜を有する記
録層５とを備える。この光磁気記録媒体１は、第１の誘
電体層３の熱電導率が第２の誘電体層４の熱電導率と比
較して小とされてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利
用して情報信号を再生する光磁気記録媒体に関し、特
に、記録層のキュリー温度を高く設定することを可能と
する光磁気記録媒体に関する。
用して情報信号を再生する光磁気記録媒体に関し、特
に、記録層のキュリー温度を高く設定することを可能と
する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば、コンピューター等に用い
られる記録媒体の分野において、処理される情報量の増
大に伴い外部メモリとして用いられる記録媒体の記録容
量の増大が求められている。また、従来のＩＳＯフォー
マット光磁気記録再生装置の分野においては、光源に波
長が６８０ｎｍの赤色レーザーダイオードが用いられ、
記録容量を従来の４倍とするシステムか発売されてお
り、さらに記憶容量を従来の８倍とするシステムの要望
も高まっている。
られる記録媒体の分野において、処理される情報量の増
大に伴い外部メモリとして用いられる記録媒体の記録容
量の増大が求められている。また、従来のＩＳＯフォー
マット光磁気記録再生装置の分野においては、光源に波
長が６８０ｎｍの赤色レーザーダイオードが用いられ、
記録容量を従来の４倍とするシステムか発売されてお
り、さらに記憶容量を従来の８倍とするシステムの要望
も高まっている。
【０００３】ところで、このような記録再生装置に用い
られる光磁気ディスクは、図９に示すように、レーザ光
を透過し得るＰＣ（ポリカーボネート）やガラス等より
なる基板１００上に下部誘電体層１０１、記録膜１０
２、上部誘電体層１０３、反射膜１０４及び保護層１０
５が順次積層されて構成される。この下部誘電体層１０
１及び上部誘電体層１０３は、例えば、窒化シリコン
（ＳｉＮ）よりなり、記録膜１０２は、例えば、ＴｂＦ
ｅＣｏ系アモルファスよりなり、反射膜１０４は、例え
ば、Ａｌよりなり、保護層１０５は、例えば、紫外線硬
化樹脂よりなる。
られる光磁気ディスクは、図９に示すように、レーザ光
を透過し得るＰＣ（ポリカーボネート）やガラス等より
なる基板１００上に下部誘電体層１０１、記録膜１０
２、上部誘電体層１０３、反射膜１０４及び保護層１０
５が順次積層されて構成される。この下部誘電体層１０
１及び上部誘電体層１０３は、例えば、窒化シリコン
（ＳｉＮ）よりなり、記録膜１０２は、例えば、ＴｂＦ
ｅＣｏ系アモルファスよりなり、反射膜１０４は、例え
ば、Ａｌよりなり、保護層１０５は、例えば、紫外線硬
化樹脂よりなる。
【０００４】光磁気ディスクでは、記録膜１０２へ情報
信号を記録する際、記録膜１０２に対してレーザー光を
照射する。これにより、記録膜１０２の温度が上昇する
こととなり、記録膜１０２の温度がキュリー温度以上に
なったとき、記録膜１０２の磁気が消失する。その後、
記録膜１０２を冷却する過程で、記録膜１０２に対して
所定の外部磁場を印加する。これにより、記録膜１０２
の磁化が所望の方向に揃えられ、所定の磁化を有する記
録マークが形成される。
信号を記録する際、記録膜１０２に対してレーザー光を
照射する。これにより、記録膜１０２の温度が上昇する
こととなり、記録膜１０２の温度がキュリー温度以上に
なったとき、記録膜１０２の磁気が消失する。その後、
記録膜１０２を冷却する過程で、記録膜１０２に対して
所定の外部磁場を印加する。これにより、記録膜１０２
の磁化が所望の方向に揃えられ、所定の磁化を有する記
録マークが形成される。
【０００５】このような光磁気ディスクでは、記録され
る信号の大容量化のために、記録マークの微小化が要求
されることとなる。しかしながら、光磁気ディスクにお
いて、記録マークの微小化は、信号量を劣化させること
となる。一方、記録膜１０２に希土類・遷移金属を用い
た光磁気ディスクでは、記録膜１０２のキュリー温度を
上げることにより信号を増大させることができる。この
ため、光磁気ディスクでは、記録マークの微小化による
信号量の劣化を、キュリー温度を高く設定した記録膜１
０２を用いることにより回復することができる。この光
磁気ディスクでは、記録膜１０２を構成する元素の組成
を変化させることによって、記録膜１０２のキュリー温
度を所望の温度に設定することができる。
る信号の大容量化のために、記録マークの微小化が要求
されることとなる。しかしながら、光磁気ディスクにお
いて、記録マークの微小化は、信号量を劣化させること
となる。一方、記録膜１０２に希土類・遷移金属を用い
た光磁気ディスクでは、記録膜１０２のキュリー温度を
上げることにより信号を増大させることができる。この
ため、光磁気ディスクでは、記録マークの微小化による
信号量の劣化を、キュリー温度を高く設定した記録膜１
０２を用いることにより回復することができる。この光
磁気ディスクでは、記録膜１０２を構成する元素の組成
を変化させることによって、記録膜１０２のキュリー温
度を所望の温度に設定することができる。
【０００６】ここで、記録層１０２のキュリー温度と４
層構造でのカー回転角とを測定した特性図を図１０に示
す。このカー回転角とは、信号量に比例する値である。
図１０から明らかなように、記録膜１０２のキュリー温
度が高ければ高いほど、カー回転角は大きくなってい
る。すなわち、記録膜１０２のキュリー温度を高く設定
することによって、得られる信号量を増大させることが
できる。
層構造でのカー回転角とを測定した特性図を図１０に示
す。このカー回転角とは、信号量に比例する値である。
図１０から明らかなように、記録膜１０２のキュリー温
度が高ければ高いほど、カー回転角は大きくなってい
る。すなわち、記録膜１０２のキュリー温度を高く設定
することによって、得られる信号量を増大させることが
できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た光磁気ディスクにおいて、信号量を増大させるために
記録膜１０２のキュリー温度を高く設定した場合、記録
層１０２をその分高い温度に昇温しなくてはならない。
このとき、光磁気ディスクでは、情報信号を記録する際
に記録膜１０２をキュリー温度以上に昇温させるため、
基板１００に対して多くの熱量が伝導されることとな
る。この結果、この光磁気ディスクでは、熱による基板
劣化が発生してしまう。光磁気ディスクでは、基板劣化
が発生すると、いわゆる繰り返し記録再生特性が劣化し
てしまう。具体的には、現状の光磁気ディスクでは、記
録膜１０２として希土類・遷移金属を用いており、その
キュリー温度を高くとも１８０℃付近として使用してい
るのが一般的である。
た光磁気ディスクにおいて、信号量を増大させるために
記録膜１０２のキュリー温度を高く設定した場合、記録
層１０２をその分高い温度に昇温しなくてはならない。
このとき、光磁気ディスクでは、情報信号を記録する際
に記録膜１０２をキュリー温度以上に昇温させるため、
基板１００に対して多くの熱量が伝導されることとな
る。この結果、この光磁気ディスクでは、熱による基板
劣化が発生してしまう。光磁気ディスクでは、基板劣化
が発生すると、いわゆる繰り返し記録再生特性が劣化し
てしまう。具体的には、現状の光磁気ディスクでは、記
録膜１０２として希土類・遷移金属を用いており、その
キュリー温度を高くとも１８０℃付近として使用してい
るのが一般的である。
【０００８】したがって、上述したような従来の光磁気
ディスクでは、記録層１０２のキュリー温度を高く設定
して信号量の増大化を図り、高密度記録に対応させた微
小記録マークを用いて記録することが困難であった。
ディスクでは、記録層１０２のキュリー温度を高く設定
して信号量の増大化を図り、高密度記録に対応させた微
小記録マークを用いて記録することが困難であった。
【０００９】そこで、本発明は、かかる従来光磁気ディ
スクの実情に鑑みて提案されたものであって、記録層の
キュリー温度を高く設定することよって、繰り返し記録
再生特性が劣化することなく、信号量を増大させること
を可能とする光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
スクの実情に鑑みて提案されたものであって、記録層の
キュリー温度を高く設定することよって、繰り返し記録
再生特性が劣化することなく、信号量を増大させること
を可能とする光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に形成された第１の誘電体層と、この第１の誘電体層上
に形成され、少なくとも窒化シリコンを含有する第２の
誘電体層と、この第２の誘電体層上に形成され、キュリ
ー温度が２００℃以上の磁性膜を有する記録層とを備え
る。この光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の熱電導率
が第２の誘電体層の熱電導率と比較して小とされてな
る。
めに完成された本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に形成された第１の誘電体層と、この第１の誘電体層上
に形成され、少なくとも窒化シリコンを含有する第２の
誘電体層と、この第２の誘電体層上に形成され、キュリ
ー温度が２００℃以上の磁性膜を有する記録層とを備え
る。この光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の熱電導率
が第２の誘電体層の熱電導率と比較して小とされてな
る。
【００１１】以上のように構成された本発明に係る光磁
気記録媒体では、第ｌの誘電体層が第２の誘電体層より
も小さな熱伝導率を示すように構成されている。このた
め、光磁気ディスクでは、記録層からの熱が基板側へ伝
導しにくくなる。したがって、この光磁気ディスクは、
熱による基板劣化が発生することがないために、良好な
繰り返し記録再生特性を有するものとなる。
気記録媒体では、第ｌの誘電体層が第２の誘電体層より
も小さな熱伝導率を示すように構成されている。このた
め、光磁気ディスクでは、記録層からの熱が基板側へ伝
導しにくくなる。したがって、この光磁気ディスクは、
熱による基板劣化が発生することがないために、良好な
繰り返し記録再生特性を有するものとなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。本実施の形態としては、図１に示すように、円盤状
に形成される光磁気記録媒体として光磁気ディスク１を
例に挙げて説明する。
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。本実施の形態としては、図１に示すように、円盤状
に形成される光磁気記録媒体として光磁気ディスク１を
例に挙げて説明する。
【００１３】本実施の形態に示す光磁気ディスク１は、
レーザー光を透過し得るポリカーボネート（以下、ＰＣ
と略称する。）やガラス等よりなる基板２と、この基板
２上に形成される第１の誘電体層３と、この第１の誘電
体層３上に形成される第２の誘電体層４と、この第２の
誘電体層４上に形成される記録膜５と、この記録膜５上
に形成される上部誘電体層６と、この上部誘電体層６上
に形成される反射層７と、この反射層７上に形成される
保護層８とを備える。
レーザー光を透過し得るポリカーボネート（以下、ＰＣ
と略称する。）やガラス等よりなる基板２と、この基板
２上に形成される第１の誘電体層３と、この第１の誘電
体層３上に形成される第２の誘電体層４と、この第２の
誘電体層４上に形成される記録膜５と、この記録膜５上
に形成される上部誘電体層６と、この上部誘電体層６上
に形成される反射層７と、この反射層７上に形成される
保護層８とを備える。
【００１４】ここで、第１の誘電体層３は、少なくとも
ＺｎＳを含む材料から構成されることが好ましく、例え
ば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2から構成されている。また、第２
の誘電体層４は、少なくとも窒化シリコンを含有する材
料から構成されることが好ましく、例えば、Ｓｉ3Ｎ4か
ら構成されている。さらに、記録膜５は、例えば、Ｔｂ
ＦｅＣＯ系アモルファスから構成されている。さらにま
た、上部誘電体層６は、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ3
Ｎ4等）から構成されている。さらにまた、反射層７
は、例えば、Ａｌから構成されている。さらにまた、保
護層８は、例えば、紫外線硬化樹脂等から構成されてい
る。
ＺｎＳを含む材料から構成されることが好ましく、例え
ば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2から構成されている。また、第２
の誘電体層４は、少なくとも窒化シリコンを含有する材
料から構成されることが好ましく、例えば、Ｓｉ3Ｎ4か
ら構成されている。さらに、記録膜５は、例えば、Ｔｂ
ＦｅＣＯ系アモルファスから構成されている。さらにま
た、上部誘電体層６は、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ3
Ｎ4等）から構成されている。さらにまた、反射層７
は、例えば、Ａｌから構成されている。さらにまた、保
護層８は、例えば、紫外線硬化樹脂等から構成されてい
る。
【００１５】この光磁気ディスク１においては、第１の
誘電体層３の熱伝導率が第２の誘電体層４の熱伝導率よ
りも小とされている。具体的には、第１の誘電体層３の
熱伝導率が第２の誘電体層４の熱伝導率よりも１／５〜
１／３倍とされることが好ましく、より好ましくは、約
１／４倍とされる。第ｌの誘電体層３がＺｎＳを含む材
料から構成される場合の熱伝導率は、約０．００６６
［Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・℃）］であり、第２の誘電体層
４がＳｉＮから構成される場合の熱伝導率は、約０．０
３［Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・℃）］である。
誘電体層３の熱伝導率が第２の誘電体層４の熱伝導率よ
りも小とされている。具体的には、第１の誘電体層３の
熱伝導率が第２の誘電体層４の熱伝導率よりも１／５〜
１／３倍とされることが好ましく、より好ましくは、約
１／４倍とされる。第ｌの誘電体層３がＺｎＳを含む材
料から構成される場合の熱伝導率は、約０．００６６
［Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・℃）］であり、第２の誘電体層
４がＳｉＮから構成される場合の熱伝導率は、約０．０
３［Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・℃）］である。
【００１６】一方、この光磁気ディスク１において、第
１の誘電体層３及び第２の誘電体層４の各膜厚の最適値
を以下のように求めた。
１の誘電体層３及び第２の誘電体層４の各膜厚の最適値
を以下のように求めた。
【００１７】先ず、第１の誘電体層３及び第２の誘電体
層４の合計の膜厚の範囲を求めるために、図２に示すよ
うな４層光磁気ディスク１０を用いた。この４層光磁気
ディスク１０は、基板１１上に下部誘電体層１２が形成
され、この下部誘電体層１２上に記録層１３が形成さ
れ、この記録層１３上に上部誘電体層１４が形成され、
この上部誘電体層１４上に反射層１５が形成され、この
反射層１５上に保護層１６が形成されてなる。すなわ
ち、この４層光磁気ディスク１０では、下部誘電体層１
２の膜厚が光磁気ディスク１における第１の誘電体層３
と第２の誘電体層４との合計の膜厚を表すことになる。
このように構成された４層光磁気ディスク１０におい
て、下部誘電体層１２の膜厚を変化させて、全体として
の反射率を測定した。そのときの結果を図３に示す。
層４の合計の膜厚の範囲を求めるために、図２に示すよ
うな４層光磁気ディスク１０を用いた。この４層光磁気
ディスク１０は、基板１１上に下部誘電体層１２が形成
され、この下部誘電体層１２上に記録層１３が形成さ
れ、この記録層１３上に上部誘電体層１４が形成され、
この上部誘電体層１４上に反射層１５が形成され、この
反射層１５上に保護層１６が形成されてなる。すなわ
ち、この４層光磁気ディスク１０では、下部誘電体層１
２の膜厚が光磁気ディスク１における第１の誘電体層３
と第２の誘電体層４との合計の膜厚を表すことになる。
このように構成された４層光磁気ディスク１０におい
て、下部誘電体層１２の膜厚を変化させて、全体として
の反射率を測定した。そのときの結果を図３に示す。
【００１８】ところで、４×ＭＯ（４倍記録密度の光磁
気ディスク）に関するＩＳＯの規格では、光磁気ディス
クの反射率が１２〜２５％とされている。したがって、
図３から明らかなように、この４層光磁気ディスク１０
における下部誘電体層１２の膜厚の最適値は、３０〜１
１０ｎｍとなる。
気ディスク）に関するＩＳＯの規格では、光磁気ディス
クの反射率が１２〜２５％とされている。したがって、
図３から明らかなように、この４層光磁気ディスク１０
における下部誘電体層１２の膜厚の最適値は、３０〜１
１０ｎｍとなる。
【００１９】上述したように、４層光磁気ディスク１０
を用いた下部誘電体層１２の膜厚の最適値が３０〜１１
０ｎｍとされることから、本発明に係る光磁気ディスク
１において、第１の誘電体層３及び第２の誘電体層４の
合計の膜厚を３０〜１１０ｎｍとすることが好ましい。
を用いた下部誘電体層１２の膜厚の最適値が３０〜１１
０ｎｍとされることから、本発明に係る光磁気ディスク
１において、第１の誘電体層３及び第２の誘電体層４の
合計の膜厚を３０〜１１０ｎｍとすることが好ましい。
【００２０】さらに、この光磁気ディスク１では、窒化
シリコンからなる第２の誘電体層４の膜厚と記録ノイズ
とが、図４に示すような関係を有している。なお、この
図４において、第１の誘電体層３及び第２の誘電体層４
の合計の膜厚を７５ｎｍとして変化させずに測定した。
このときの測定条件は、線速度６．６ｍ／ｓｅｃ、線密
度０．４μｍ／ｂｉｔであり、（１．７）ＲＬＬ方式で
最短マークである２Ｔマークを記録した。このとき、
６．２５ＭＨｚ（２Ｔ帯域）と１．５６ＭＨｚ（８Ｔ帯
域）とでの消去レベルからのノイズの上昇分を記録ノイ
ズとして測定した。この図４から明らかなように、第２
の誘電体層４の膜厚が４０ｎｍ以上であると、記録ノイ
ズの低減を図ることができる。これは、第２の誘電体層
４の膜厚が４０ｎｍ以下であると、第１の誘電体層３の
表面形状が記録層５に影響を与えるためであると考えら
れる。
シリコンからなる第２の誘電体層４の膜厚と記録ノイズ
とが、図４に示すような関係を有している。なお、この
図４において、第１の誘電体層３及び第２の誘電体層４
の合計の膜厚を７５ｎｍとして変化させずに測定した。
このときの測定条件は、線速度６．６ｍ／ｓｅｃ、線密
度０．４μｍ／ｂｉｔであり、（１．７）ＲＬＬ方式で
最短マークである２Ｔマークを記録した。このとき、
６．２５ＭＨｚ（２Ｔ帯域）と１．５６ＭＨｚ（８Ｔ帯
域）とでの消去レベルからのノイズの上昇分を記録ノイ
ズとして測定した。この図４から明らかなように、第２
の誘電体層４の膜厚が４０ｎｍ以上であると、記録ノイ
ズの低減を図ることができる。これは、第２の誘電体層
４の膜厚が４０ｎｍ以下であると、第１の誘電体層３の
表面形状が記録層５に影響を与えるためであると考えら
れる。
【００２１】この光磁気ディスク１は、第１の誘電体層
３と第２の誘電体層４との合計の膜厚の上限（１１０ｎ
ｍ）と第２の誘電体層４の膜厚の下限（４０ｎｍ）との
差をとることによって、第１の誘電体層３の膜厚の上限
（１１０ｎｍ−４０ｎｍ＝７０ｎｍ）が求められる。ま
た、この光磁気ディスク１では、第１の誘電体層３の膜
厚が３５ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を
有する。すなわち、この光磁気ディスク１では、第１の
誘電体層３の膜厚の範囲を３５〜７０ｎｍとすることが
好ましい。
３と第２の誘電体層４との合計の膜厚の上限（１１０ｎ
ｍ）と第２の誘電体層４の膜厚の下限（４０ｎｍ）との
差をとることによって、第１の誘電体層３の膜厚の上限
（１１０ｎｍ−４０ｎｍ＝７０ｎｍ）が求められる。ま
た、この光磁気ディスク１では、第１の誘電体層３の膜
厚が３５ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を
有する。すなわち、この光磁気ディスク１では、第１の
誘電体層３の膜厚の範囲を３５〜７０ｎｍとすることが
好ましい。
【００２２】この光磁気ディスク１では、同様に、第１
の誘電体層３と第２の誘電体層４との合計の膜厚の上限
（１１０ｎｍ）と第１の誘電体層３の膜厚の下限（３５
ｎｍ）との差をとることによって、第２の誘電体層４の
膜厚の上限（１１０ｎｍ−３５ｎｍ＝７５ｎｍ）が求め
られる。すなわち、この光磁気ディスク１では、第２の
誘電体層４の膜厚の範囲を４０〜７５ｎｍとすることが
好ましい。
の誘電体層３と第２の誘電体層４との合計の膜厚の上限
（１１０ｎｍ）と第１の誘電体層３の膜厚の下限（３５
ｎｍ）との差をとることによって、第２の誘電体層４の
膜厚の上限（１１０ｎｍ−３５ｎｍ＝７５ｎｍ）が求め
られる。すなわち、この光磁気ディスク１では、第２の
誘電体層４の膜厚の範囲を４０〜７５ｎｍとすることが
好ましい。
【００２３】ところで、この光磁気ディスク１では、第
１の誘電体層３の屈折率を変化させたとき、光磁気ディ
スク１の性能指数は、図５に示すように、屈折率に対し
てほぼ比例して変化する。ここで、光磁気ディスク１の
性能指数とは、反射率とカー回転角との積で表され、光
磁気ディスク１の記録再生特性を評価する指標となる数
値である。この図５から明らかなように、第１の誘電体
層３の屈折率が大きくなると、光磁気ディスク１の性能
指数も大きくなる。
１の誘電体層３の屈折率を変化させたとき、光磁気ディ
スク１の性能指数は、図５に示すように、屈折率に対し
てほぼ比例して変化する。ここで、光磁気ディスク１の
性能指数とは、反射率とカー回転角との積で表され、光
磁気ディスク１の記録再生特性を評価する指標となる数
値である。この図５から明らかなように、第１の誘電体
層３の屈折率が大きくなると、光磁気ディスク１の性能
指数も大きくなる。
【００２４】この光磁気ディスク１において、第２の誘
電体層４がＳｉＮからなる場合、第２の誘電体層４の屈
折率は、約２．０となっている。したがって、この光磁
気ディスク１において、第１の誘電体層３及び第２の誘
電体層４全体の屈折率を２．０以上にすると、性能指数
を向上させることができる。ＳｉＮからなる第２の誘電
体層４の屈折率が約２．０であるために、第１の誘電体
層３の屈折率を２．０以上とすると、第１の誘電体層３
及び第２の誘電体層４全体の屈折率を大とすることがで
きる。このように、光磁気ディスク１では、第１の誘電
体層３の屈折率を第２の誘電体層の屈折率以上とするこ
とによって、その性能指数を向上させることができ、繰
り返し記録再生特性を向上させることができる。
電体層４がＳｉＮからなる場合、第２の誘電体層４の屈
折率は、約２．０となっている。したがって、この光磁
気ディスク１において、第１の誘電体層３及び第２の誘
電体層４全体の屈折率を２．０以上にすると、性能指数
を向上させることができる。ＳｉＮからなる第２の誘電
体層４の屈折率が約２．０であるために、第１の誘電体
層３の屈折率を２．０以上とすると、第１の誘電体層３
及び第２の誘電体層４全体の屈折率を大とすることがで
きる。このように、光磁気ディスク１では、第１の誘電
体層３の屈折率を第２の誘電体層の屈折率以上とするこ
とによって、その性能指数を向上させることができ、繰
り返し記録再生特性を向上させることができる。
【００２５】第１の誘電体層３がＺｎＳ−ＳｉＯ2から
なる場合には、第１の誘電体層３の屈折率を、ＺｎＳの
含有率を変化させることにより調節することができる。
すなわち、第１の誘電体層３の屈折率は、図６に示すよ
うに、ＳｉＯ2の含有率、すなわちＺｎＳの含有率に従
って変化する。この図６より、上述したように、第１の
誘電体層３の屈折率を２．０以上にするには、ＳｉＯ2
の含有率を３０％以下とすればよい。すなわち、この光
磁気ディスク１は、第１の誘電体層３が７０％以上の含
有率でＺｎＳを含有することによって、良好な記録再生
特性を有するものとなる。
なる場合には、第１の誘電体層３の屈折率を、ＺｎＳの
含有率を変化させることにより調節することができる。
すなわち、第１の誘電体層３の屈折率は、図６に示すよ
うに、ＳｉＯ2の含有率、すなわちＺｎＳの含有率に従
って変化する。この図６より、上述したように、第１の
誘電体層３の屈折率を２．０以上にするには、ＳｉＯ2
の含有率を３０％以下とすればよい。すなわち、この光
磁気ディスク１は、第１の誘電体層３が７０％以上の含
有率でＺｎＳを含有することによって、良好な記録再生
特性を有するものとなる。
【００２６】一方、この光磁気ディスク１において、記
録層５にはＴｅＦｅＣｏ系アモルファスが用いられ、そ
のキュリー温度が２００℃以上とされる。すなわち、こ
の光磁気ディスク１は、情報信号を記録する際、記録層
５を２００℃以上に昇温して磁化を消失させる。このよ
うに、この光磁気ディスク１では、情報信号を記録する
際、記録層５が２００℃以上の温度を有することとな
る。しかしながら、この光磁気ディスク１では、上述し
たように、第１の誘電体層３と第２の誘電体層４とを備
え、第１の誘電体層３の熱伝導率が第２の誘電体層４の
熱伝導率よりも小となっている。このため、この光磁気
ディスク１では、記録層５の熱が基板２側に伝導せずに
保護層８側から放出される。したがって、この光磁気デ
ィスク１は、熱による基板劣化を起こすことがなく、常
に、良好な記録再生特性を有する。
録層５にはＴｅＦｅＣｏ系アモルファスが用いられ、そ
のキュリー温度が２００℃以上とされる。すなわち、こ
の光磁気ディスク１は、情報信号を記録する際、記録層
５を２００℃以上に昇温して磁化を消失させる。このよ
うに、この光磁気ディスク１では、情報信号を記録する
際、記録層５が２００℃以上の温度を有することとな
る。しかしながら、この光磁気ディスク１では、上述し
たように、第１の誘電体層３と第２の誘電体層４とを備
え、第１の誘電体層３の熱伝導率が第２の誘電体層４の
熱伝導率よりも小となっている。このため、この光磁気
ディスク１では、記録層５の熱が基板２側に伝導せずに
保護層８側から放出される。したがって、この光磁気デ
ィスク１は、熱による基板劣化を起こすことがなく、常
に、良好な記録再生特性を有する。
【００２７】以上のように構成された光磁気ディスク１
は、情報信号を記録するときは、保護膜８の側から記録
層５に磁界を印加するとともに、基板２の側から記録層
５にレーザ光を照射する。この光磁気ディスク１では、
レーザ光が照射された部分の記録層５が昇温される。そ
して、記録層５の磁化は、レーザ光によりキュリー温度
を越える温度に加熱されると消失することになる。この
状態で、記録層５に対して磁界を印加しながら冷却する
と、記録層５は、その磁界にしたがって磁化される。こ
のように、この光磁気ディスク１には、情報信号が記録
層５の磁化方向として記録される。
は、情報信号を記録するときは、保護膜８の側から記録
層５に磁界を印加するとともに、基板２の側から記録層
５にレーザ光を照射する。この光磁気ディスク１では、
レーザ光が照射された部分の記録層５が昇温される。そ
して、記録層５の磁化は、レーザ光によりキュリー温度
を越える温度に加熱されると消失することになる。この
状態で、記録層５に対して磁界を印加しながら冷却する
と、記録層５は、その磁界にしたがって磁化される。こ
のように、この光磁気ディスク１には、情報信号が記録
層５の磁化方向として記録される。
【００２８】そして、光磁気ディスク１に記録された情
報信号を再生するときには、基板２側から記録層５に光
ビームを照射し、この光ビームの戻り光を検出する。こ
のとき、光ビームは、カー効果により記録層５の磁化方
向に依存して、その偏光面が回転して戻り光となる。そ
こで、この偏光面の回転を検出することにより、記録層
５の磁化方向が検出され、これにより、記録層５の磁化
状態として記録された情報信号が読み出されることとな
る。
報信号を再生するときには、基板２側から記録層５に光
ビームを照射し、この光ビームの戻り光を検出する。こ
のとき、光ビームは、カー効果により記録層５の磁化方
向に依存して、その偏光面が回転して戻り光となる。そ
こで、この偏光面の回転を検出することにより、記録層
５の磁化方向が検出され、これにより、記録層５の磁化
状態として記録された情報信号が読み出されることとな
る。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を適用した実施例１から実施例
４の光磁気ディスクを実際に作製した。また、これら実
施例と比較するために比較例１から比較例３の光磁気デ
ィスクも作製した。
４の光磁気ディスクを実際に作製した。また、これら実
施例と比較するために比較例１から比較例３の光磁気デ
ィスクも作製した。
【００３０】実施例１ 先ず、ポリカーボネート樹脂からなる透明な円盤状の基
板を用意する。そして、この基板上にＺｎＳ−２０ｍｏ
ｌ％ＳｉＯ2からなる第１の誘電体層をＲＦスパッ夕に
て１５ｎｍ形成した後、Ｓｉ3Ｎ4からなる第２の誘電体
層をＲＦスパッタにて６０ｎｍ形成した。次に、記録層
としてキュリー温度が２６０℃となる組成のＴｂＦｅＣ
ｏ系の希土類・遷移金属アモルファス層をＤＣマグネト
ロンスパッタにより厚さ２０ｎｍ形成した。そして、真
空中に保持したままＳｉ3Ｎ4からなる上部誘電体層を厚
さ２５ｎｍ形成し、この上部誘電体層上にＡｌＴｉから
なる反射層を厚さ４５ｎｍ積層形成し、実施例１の光磁
気ディスクを形成した。
板を用意する。そして、この基板上にＺｎＳ−２０ｍｏ
ｌ％ＳｉＯ2からなる第１の誘電体層をＲＦスパッ夕に
て１５ｎｍ形成した後、Ｓｉ3Ｎ4からなる第２の誘電体
層をＲＦスパッタにて６０ｎｍ形成した。次に、記録層
としてキュリー温度が２６０℃となる組成のＴｂＦｅＣ
ｏ系の希土類・遷移金属アモルファス層をＤＣマグネト
ロンスパッタにより厚さ２０ｎｍ形成した。そして、真
空中に保持したままＳｉ3Ｎ4からなる上部誘電体層を厚
さ２５ｎｍ形成し、この上部誘電体層上にＡｌＴｉから
なる反射層を厚さ４５ｎｍ積層形成し、実施例１の光磁
気ディスクを形成した。
【００３１】実施例２〜実施例４ これらの実施例では、実施例１と同様な構成によるもの
の、第１の誘電体層と第２の誘電体層の膜厚を変えて光
磁気ディスクを形成した。
の、第１の誘電体層と第２の誘電体層の膜厚を変えて光
磁気ディスクを形成した。
【００３２】実施例２においては、第１の誘電体層を３
５ｎｍ、第２の誘電体層を４０ｎｍとして、実施例１と
同様に光磁気ディスクを形成した。
５ｎｍ、第２の誘電体層を４０ｎｍとして、実施例１と
同様に光磁気ディスクを形成した。
【００３３】実施例３においては、第１の誘電体層を５
５ｎｍ、第２の誘電体層を２０ｎｍとして、実施例１と
同様に光磁気ディスクを形成した。
５ｎｍ、第２の誘電体層を２０ｎｍとして、実施例１と
同様に光磁気ディスクを形成した。
【００３４】実施例４においては、第１の誘電体層を６
０ｎｍ、第２の誘電体層を５０ｎｍとして、実施例１と
同様に光磁気ディスクを形成した。
０ｎｍ、第２の誘電体層を５０ｎｍとして、実施例１と
同様に光磁気ディスクを形成した。
【００３５】比較例１ 比較例１に示す光磁気ディスクは、基板上に形成された
下部誘電体層と、この下部誘電体層上に形成された記録
層と、この記録層上に形成された上部誘電体層と、この
上部誘電体層上に形成された反射層とを備える。
下部誘電体層と、この下部誘電体層上に形成された記録
層と、この記録層上に形成された上部誘電体層と、この
上部誘電体層上に形成された反射層とを備える。
【００３６】この比較例１では、基板としてポリカーボ
ネート樹脂を用いており、この基板上にＳｉ3Ｎ4からな
る下部誘電体層をＲＦスパッタにて７５ｎｍ形成した。
次に、記録層としてキュリー温度が２６０℃となる組成
のＴｂＦｅＣｏ系の希土類・遷移金属アモルファス層を
ＤＣマグネトロンスパッタにより厚さ２０ｎｍ形成し
た。そして、真空中に保持したままＳｉ3Ｎ4からなる上
部誘電体層を厚さ３５ｎｍ形成し、この上部誘電体層上
にＡｌＴｉからなる反射層を厚さ５０ｎｍ積層形成し、
光磁気ディスクを形成した。
ネート樹脂を用いており、この基板上にＳｉ3Ｎ4からな
る下部誘電体層をＲＦスパッタにて７５ｎｍ形成した。
次に、記録層としてキュリー温度が２６０℃となる組成
のＴｂＦｅＣｏ系の希土類・遷移金属アモルファス層を
ＤＣマグネトロンスパッタにより厚さ２０ｎｍ形成し
た。そして、真空中に保持したままＳｉ3Ｎ4からなる上
部誘電体層を厚さ３５ｎｍ形成し、この上部誘電体層上
にＡｌＴｉからなる反射層を厚さ５０ｎｍ積層形成し、
光磁気ディスクを形成した。
【００３７】比較例２及び比較例３ これら比較例２及び比較例３では、比較例１と同様な構
成によるものの、下部誘電体層の膜厚及び記録層のキュ
リー温度を変えて光磁気ディスクを構成した。比較例２
においては、下部誘電体層を１１０ｎｍとし、キュリー
温度が１８０℃となるような記録層の組成とし、比較例
１と同様にして光磁気ディスクを形成した。
成によるものの、下部誘電体層の膜厚及び記録層のキュ
リー温度を変えて光磁気ディスクを構成した。比較例２
においては、下部誘電体層を１１０ｎｍとし、キュリー
温度が１８０℃となるような記録層の組成とし、比較例
１と同様にして光磁気ディスクを形成した。
【００３８】比較例３においては、下部誘電体層を１１
０ｎｍとし、キュリー温度を２６０℃となるような記録
層の組成とし、比較例１と同様にして光磁気ディスクを
形成した。
０ｎｍとし、キュリー温度を２６０℃となるような記録
層の組成とし、比較例１と同様にして光磁気ディスクを
形成した。
【００３９】特性評価 上述したように形成された実施例１〜実施例４及び比較
例１〜比較例３に関して、以下のように、繰り返し記録
再生特性及び記録特性を評価した。
例１〜比較例３に関して、以下のように、繰り返し記録
再生特性及び記録特性を評価した。
【００４０】＜繰り返し記録再生特性＞繰り返し記録再
生特性を評価する際には、１０ｍＷのＤＣパワーで行っ
た。この結果を図７に示す。光磁気ディスクでは、エラ
ー訂正可能なエラーレートとしては、ＢＥＲ（ｂｙｔｅ
ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）を１０-3とすることができ、
要求される繰り返し記録回数としては１０6回とするこ
とができる。
生特性を評価する際には、１０ｍＷのＤＣパワーで行っ
た。この結果を図７に示す。光磁気ディスクでは、エラ
ー訂正可能なエラーレートとしては、ＢＥＲ（ｂｙｔｅ
ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）を１０-3とすることができ、
要求される繰り返し記録回数としては１０6回とするこ
とができる。
【００４１】この図７から明らかなように、実施例１
は、比較例１と比較すると、ＢＥＲが１０-3を越える時
の繰り返し記録回数が向上していることが分かる。実施
例１における第１の誘電体層及び第２の誘電体層の合計
の膜厚と、比較例１における下部誘電体層の膜厚とが同
寸法とされることから、実施例１の繰り返し記録再生特
性の向上は、第１の誘電体層とこの第１の誘電体層より
も熱伝導率の大きな第２の誘電体層とを備えたことに起
因すると考えられる。すなわち、実施例１の光磁気ディ
スクでは、繰り返し記録の際、基板劣化を発生させる程
に基板が昇温されず、繰り返し記録再生特性か向上して
いる。
は、比較例１と比較すると、ＢＥＲが１０-3を越える時
の繰り返し記録回数が向上していることが分かる。実施
例１における第１の誘電体層及び第２の誘電体層の合計
の膜厚と、比較例１における下部誘電体層の膜厚とが同
寸法とされることから、実施例１の繰り返し記録再生特
性の向上は、第１の誘電体層とこの第１の誘電体層より
も熱伝導率の大きな第２の誘電体層とを備えたことに起
因すると考えられる。すなわち、実施例１の光磁気ディ
スクでは、繰り返し記録の際、基板劣化を発生させる程
に基板が昇温されず、繰り返し記録再生特性か向上して
いる。
【００４２】また、図７から明らかなように、実施例
１、実施例２、実施例３、実施例４の順に繰り返し記録
再生特性が向上していくことが分かる。実施例２、実施
例３、実施例４においては、ＢＥＲが１０-3を越える時
の繰り返し記録回数１０6回をクリアーしている。この
ことから、第１の誘電体層が３５ｎｍ以上あれば充分な
繰り返し記録再生特性が得られることが示される。これ
は、第１の誘電体層の熱伝導率の低さと厚膜化により、
記録膜から基板への熱の移動が抑えられ基板温度の上昇
が抑制されたためと考えられる。
１、実施例２、実施例３、実施例４の順に繰り返し記録
再生特性が向上していくことが分かる。実施例２、実施
例３、実施例４においては、ＢＥＲが１０-3を越える時
の繰り返し記録回数１０6回をクリアーしている。この
ことから、第１の誘電体層が３５ｎｍ以上あれば充分な
繰り返し記録再生特性が得られることが示される。これ
は、第１の誘電体層の熱伝導率の低さと厚膜化により、
記録膜から基板への熱の移動が抑えられ基板温度の上昇
が抑制されたためと考えられる。
【００４３】＜記録特性＞記録特性を評価する際には、
測定条件として、線速６．６ｍ／ｓｅｃ、線密度０．４
μｍ／ｂｉｔとし、（１．７）ＲＬＬ方式で最短マーク
である２Ｔマークを記録したときのＣＮＲを測定した。
この結果を図８に示す。
測定条件として、線速６．６ｍ／ｓｅｃ、線密度０．４
μｍ／ｂｉｔとし、（１．７）ＲＬＬ方式で最短マーク
である２Ｔマークを記録したときのＣＮＲを測定した。
この結果を図８に示す。
【００４４】この図８から明らかなように、キユリー温
度が２６０℃である実施例４及び比較例３は、キュリー
温度が１８０℃である比較例２と比較してＣＮＲが向上
していることが分かる。すなわち、比較例２は、図７に
示した繰り返し記録再生特性においては良好であるが、
記録特性においては良好な結果を示さなかった。これに
対して、実施例４は、図７に示した繰り返し記録再生特
性が良好であり、且つ、記録特性が良好であった。この
ことから、光磁気ディスクは、熱伝導率が比較的小であ
る第１の誘電体層と熱伝導率が比較的大である第２の誘
電体層とを積層し、記録層のキュリー温度を２００℃以
上とすることによって、良好な繰り返し記録再生特性と
良好な記録特性とを有するものとなる。
度が２６０℃である実施例４及び比較例３は、キュリー
温度が１８０℃である比較例２と比較してＣＮＲが向上
していることが分かる。すなわち、比較例２は、図７に
示した繰り返し記録再生特性においては良好であるが、
記録特性においては良好な結果を示さなかった。これに
対して、実施例４は、図７に示した繰り返し記録再生特
性が良好であり、且つ、記録特性が良好であった。この
ことから、光磁気ディスクは、熱伝導率が比較的小であ
る第１の誘電体層と熱伝導率が比較的大である第２の誘
電体層とを積層し、記録層のキュリー温度を２００℃以
上とすることによって、良好な繰り返し記録再生特性と
良好な記録特性とを有するものとなる。
【００４５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る光磁気記録媒体は、基板と記録層との間に、第１の
誘電体層と第２の誘電体層とをこの順で備え、第１の誘
電体層の熱伝導率を第２の誘電体層の熱伝導率より小と
することによって、基板を高温度に昇温することなく、
基板を良好な状態に維持することができる。また、この
光磁気記録媒体は、記録層のキュリー温度を２００℃以
上とすることによって、情報信号の信号量を大きくする
ことができ、良好な記録特性を有することとなる。
係る光磁気記録媒体は、基板と記録層との間に、第１の
誘電体層と第２の誘電体層とをこの順で備え、第１の誘
電体層の熱伝導率を第２の誘電体層の熱伝導率より小と
することによって、基板を高温度に昇温することなく、
基板を良好な状態に維持することができる。また、この
光磁気記録媒体は、記録層のキュリー温度を２００℃以
上とすることによって、情報信号の信号量を大きくする
ことができ、良好な記録特性を有することとなる。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の要部断面図であ
る。
る。
【図２】４層光磁気ディスクの要部断面図である。
【図３】図２に示した４層光磁気ディスクの下部誘電体
層の膜厚と反射率との関係を示す特性図である。
層の膜厚と反射率との関係を示す特性図である。
【図４】本実施の形態に示す光磁気ディスクの第２の誘
電体層の膜厚と記録ノイズとの関係を示す特性図であ
る。
電体層の膜厚と記録ノイズとの関係を示す特性図であ
る。
【図５】本実施の形態に示す光磁気ディスクの第１の誘
電体層の屈折率と性能指数との関係を示す特性図であ
る。
電体層の屈折率と性能指数との関係を示す特性図であ
る。
【図６】第１の誘電体層中のＳｉＯ2添加量と第１の誘
電体層の屈折率との関係を示す特性図である。
電体層の屈折率との関係を示す特性図である。
【図７】繰り返し記録再生特性を示す特性図であり、横
軸は繰り返し記録回数を表し、縦軸はエラーレートを示
す。
軸は繰り返し記録回数を表し、縦軸はエラーレートを示
す。
【図８】実施例４、比較例２及び比較例３に関する記録
特性を示す特性図である。
特性を示す特性図である。
【図９】従来の光磁気ディスクの要部断面図である。
【図１０】記録層のキュリー温度と記録層のカー回転角
との関係を示す特性図である。
との関係を示す特性図である。
１ 光磁気ディスク、２ 基板、３ 第１の誘電体層、
４ 第２の誘電体層、５記録層、６ 上部誘電体層、７
反射層、８ 保護層
４ 第２の誘電体層、５記録層、６ 上部誘電体層、７
反射層、８ 保護層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された第１の誘電体層と、 この第１の誘電体層上に形成され、少なくとも窒化シリ
コンを含有する第２の誘電体層と、 この第２の誘電体層上に形成され、キュリー温度が２０
０℃以上の磁性膜を有する記録層と、 を備え、 上記第１の誘電体層の熱電導率は、上記第２の誘電体層
の熱電導率と比較して小であることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 上記第１の誘電体層は、少なくともＺｎ
Ｓを含有することを特徴とする請求項１記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 上記第１の誘電体層は、ＺｎＳが７０ｍ
ｏｌ％以上とされてなることを特徴とする請求項２記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記第１の誘電体層は、その膜厚が３５
〜７０ｎｍとされてなることを特徴とする請求項１記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記第２の誘電体層は、その膜厚が４０
〜７５ｎｍとされてなることを特徴とする請求項１記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記第１の誘電体層の熱電導率は、上記
第２の誘電体層の熱電導率に対して１／５〜１／３であ
ることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 上記第１の誘電体層の屈折率は、上記第
２の誘電体層の屈折率より大とされることを特徴とする
請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8324262A JPH10162442A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 光磁気記録媒体 |
| US08/984,044 US5930207A (en) | 1996-12-04 | 1997-12-03 | Magneto-optical recording medium having plural dielectric layers with different thermal conductivities |
| CN97125345A CN1184269A (zh) | 1996-12-04 | 1997-12-04 | 磁光记录介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8324262A JPH10162442A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162442A true JPH10162442A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18163850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8324262A Withdrawn JPH10162442A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5930207A (ja) |
| JP (1) | JPH10162442A (ja) |
| CN (1) | CN1184269A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000228040A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2001023244A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法と、光記録装置 |
| US20020192506A1 (en) | 2001-06-04 | 2002-12-19 | International Business Machines Corporation | `Thermal Spring' magnetic recording media for writing using magnetic and thermal gradients |
| US20040121146A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Xiao-Ming He | Composite barrier films and method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2960824B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1999-10-12 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| CA2127059A1 (en) * | 1993-07-02 | 1995-01-03 | Masahiko Sekiya | Magneto-optical recording medium |
| JP2624128B2 (ja) * | 1993-07-22 | 1997-06-25 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP8324262A patent/JPH10162442A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-12-03 US US08/984,044 patent/US5930207A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-04 CN CN97125345A patent/CN1184269A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1184269A (zh) | 1998-06-10 |
| US5930207A (en) | 1999-07-27 |
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