JPH0341644A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光等の光を用いて情報の記録再生を行
なう光磁気記録媒体に関するものである。

従来の技術 近年、情報処理システムにおける処理情報量の急速な増
加に伴い、特にデータ処理システムやオフィスオートメ
ーション等の分野において記憶容量が大きく書換え可能
な記録媒体、とりわけ光磁気記録媒体が注目されている
。光磁気記録媒体では、媒体上に光ビームを照射し、光
吸収による局部的な温度上昇を誘起し記録を行う。

再生は、記録によって誘起された媒体の局部的変化を記
録時と強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し、そ
の反射光あるいは透過光の磁気カー効果またはファラデ
ー効果を検出して行う。

光磁気記録媒体の記録媒体層としては、ＴｂＦｅ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属合金
薄膜がある。これら希土類−遷移金属合金ｇＪ膜は、 （１）　　非晶質であるため任意の基板上に作製可能で
ある。

（２）膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、室温にお
いて数ＫＯｅ以上の大きな保磁力を有するため、高密度
の情報記録が可能で、記録された情報がきわめて安定で
ある。

（３）キュリー温度が低いため（Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅでは１
２０℃）キュリー点を利用して熱磁気記録を行う場合に
は非常に小さなエネルギーにより書き込みを行うことが
できる。

というように、記録媒体としての多くの要件を満たして
いる。

しかし、これら希土類−遷移金属合金薄膜の短所はカー
回転角などの磁気光学効果が小さいことである。このた
め、光再生時の光再生出力が小さくなり、信号対雑音比
（Ｓ／Ｎ）が悪くなることである。

本来、磁性体の極磁気力−回転角（θｋ）はその物質の
電子構造に由来するもので固有の物理量であるθｋを増
大させるには、物質の電子構造を変えるか、または光の
干渉などを利用して増大させる等の方法が考えられる。

特に後者の方法によってθｋを増大させることは、屈折
率と膜厚に対する干渉効果の関係を利用して既にいくつ
かの提案がなされている。

この従来例を第２図に示す。図において、ガラスあるい
はプラスチックなどの基板１１上にＳｉＯ，ＺｕＳ等の
誘電体層１２、ＴｂＦｅ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等の記録媒体［１３フオル
ステライト等の保護層１４がｌ噴火積層されている。基
板１１側からの入射光１５は、図に示すように誘電体１
１２内で干渉を起こさせ、特に誘電体層の屈折率を１１
とした時膜厚ｄ′は、入射光源の波長をλとしたとき、 ｄ″； ｎ の近傍の膜厚に設定されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、第２図に示す従来の構成で膜厚をλ／４
ｎ程度に設定しただけではシグナルレベルの増加が小さ
く十分なＳ／Ｎが得られていないというａＳＳを有して
いた。

本発明は上記従来のｆｌ１点を解決するもので、基板上
に誘電体層と記録媒体層と保護層とを順次積層した垂直
磁化容易軸を有する光磁気記録媒体において、各層の好
適条件を有する光磁気記録媒体を提供するものである。

ｉ＊ｕを解決するための手段 この目的を遠戚するために本発明の光磁気記録媒体は、
記録媒体層が１００〜Ｉ　５００Åの範囲内の膜厚を有
し、かつ誘電体層の屈折率ｎ、消衰係数ｋが ｎ≧２．０ ０．１　＞　ｋ≧０．０２ であり、［ｄが使用する光源の波長をλとしたとき λ ｄ＝　　　　　　　Ｘ＋７１±５％　　　（ｍ＝３．５
）Ｘｎ の範囲である構成を有している。

作用 この構成によって、誘電体層内部での多重干渉の効果に
より、カー回転角が増大し、光再生時の光再生出力が大
きくなり、Ｓ／Ｎを改善させることができる。

実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の光磁気記録媒体の構造図であ
り、基板１としては、ポリカーボネート基板、誘電体層
２としては、Ｚｎ５ｅＳｉ０２記録媒体層３としてばＴ
ｂＦｅＣｏ、保護層４としては、Ｚｎ５ｅＳｉＯ２を用
い、入射光５の光源には波長（λ）が８３０ｎｍの半導
体レーザを用いることとする。

ここで、誘電体層２の屈折率ｎが２，４消衰係数ｋがＯ
と０，０４の場合の膜厚に対する反射率Ｒとカー回転角
θにの積Ｒθにの依存性を第３図に反射率Ｒの依存性を
第４図に示す。

第３図に示すように、消衰係１に＝ｏの場合には膜厚に
対して周期的にほぼ同し値の極大値をとる。それに対し
て、本実施例の消衰係数ｋ　＝０．０４の場合には、膜
厚が薄い場合の極大値よりも膜厚が厚い場合の極大値の
方が大きな値を示す、この結果第１の極大値に対して第
２の極大値は２０％。

第３の極大値は６０％Ｒｏｋの値は増大する。

光再生出力信号は、このＲθｋに比例するので、十分な
Ｓ／Ｎを得るためにはＲθにのほぼ最大となる膜厚の方
が適している。

また記録感度は、第４図に示す反射率Ｒに依存して変化
するが、本実施例の消衰係数に＝０．０４の場合には、
膜厚が厚くなると周期的にＲは増加していく。

しかし、本実施例の場合には、Ｒθにの極大値の膜厚が
、Ｒの極小値の膜厚の方向にずれるため、十分に記録感
度を向上させることができる。

以上の結果をもとに、ディスク基板上に作製する場合の
膜厚ｄ、屈折率ｎ等の分布から実用的には±１０％のバ
ラツキを考慮に入れると、誘電体層は、 ｎ≧２．０ ０．１＞ｋ≧０．０２ λ が好適条件といえる。

ここで、十分な記録感度を得るためには反射率を３０％
以下とすることが必要であり、そのために屈折率ｎ〜≧
２．０とした。また、ｋ　＜０．０２では、ｍ＝３．５
の場合のＲθにの増加が、ｍ＝１の場合に比べて１５％
以下である。

さらに、ｋ≧０．１．ｍ≧７ではＲθにの極大値は大き
く増大するが、反射率Ｒも急激に増大するため、０．０
２≦ｋ＜０．１．ｍ＝３．５であることが望ましい。

記録媒体の膜厚は、１００Å以下では十分な磁気特性が
得られず、また、１５００Å以上では磁気特性はほとん
ど変化しないが記録感度が低下する。そこで、カー効果
、ファラデー効果のどちらの場合にも利用できる記録媒
体の膜厚として１００−１５００Åの範囲に設定した。

この条件により第１図に示す本実施例では、ポリカーボ
ネート基板ｌ上に、誘電体層２のＺｎ５ｅＳｉＯ，を４
２００Å、記録媒体層３のＴｂＦｅＣｏを１０００人、
保護Ｎ４のＺｎ５ｅＳｉ０２を８００人の３Ｎをｊ順次
積層された構成であり、この時の記録再生特性は記録パ
ワー４．５ｍＷ　（６ｍ／Ｓ）という小さいレーザパワ
ーでＳ／Ｎ　２５　ｄ　Ｂ以上の高い信号対雑音比が得
られた。

以上説明したように、本実施例によれば、誘電体Ｎ２の
膜厚、屈折率、消衰係数を好適条件に選択し、記録媒体
層３の膜厚を１００〜１５００人とすれば、記録感度が
優れているため記録パワーが小さくてよく、さらに再生
出力信号を増大させることにより、Ｓ／Ｎが大きい光磁
気記録媒体を得ることができるものである。

なお、本発明では誘電体層として Ｚｎ５ｅＳｉ０２を用いたが、他にＳｉＮｘ。

ＡｌＮｘ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳｅ、Ａｓ５ｅＡＩＯｘ　　
ＳｉＯｘ等の誘電体材料、あるいはこれらを２種類以上
混合したものを用いても、本発明の好適条件を選択した
誘電体層により同様の効果を得ることができる。

発明の効果 本発明は、基板上に誘電体層と記録媒体層と保護層とが
順次積層された光磁気記録媒体において、誘電体層の屈
折率ｎ、消衰係数ｋが ｎ≧２．０ ０．１＞ｋ≧０．０２ であり、膜厚ｄが使用する光源の波長をλとしたとき λ の範囲である構成を有することにより、記録感度が優れ
ており、かつ光再生時の光再生出力信号を増大させるこ
とができ、Ｓ／Ｎが大きく記録再生特性に優れた光磁気
記録媒体を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の構
造図、第２図は従来の光ｆｉ生気記録媒体の構造図、第
３図は誘電体層の膜厚に対する反ｌｌ率Ｒとカー回転角
θにの積Ｒθ１（を示した特性図、第４図は誘電体層の
膜厚に対する反射率Ｒを示した特性図である。 ｌ・・・・・・基板、２・・・・・・誘電体層、３・・
・・・・記録媒体層、４・・・・・・保護層、５・・・
・・・入射光。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に誘電体層と記録媒体層と保護層とを順次
   積層した垂直磁化容易軸を有する光磁気記録媒体であっ
   て、前記記録媒体層が、１００〜１５００Åの範囲内の
   膜厚を有し、かつ、前記誘電体層の屈折率ｎ、消衰係数
   ｋが ｎ≧２．０ ０．１＞ｋ≧０．０２ であることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）誘電体膜の膜厚ｄが、使用する光源の波長をλと
   したとき、 ｄ＝｛λ／（４×ｎ）｝×ｍ±１０％（ｍ＝３，５）の
   範囲にあることを特徴とする請求項（１）記載の光磁気
   記録媒体。