JP2003233937A - 光学記録再生方法及び光記録媒体 - Google Patents
光学記録再生方法及び光記録媒体Info
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＤ等現状で広く用いられている光ディスク
との互換性をとり、高密度記録が可能で即ち大容量化に
よって動画の記録再生をも可能とし、更にクロスライト
の発生が回避され記録再生特性に優れた光学記録再生方
法及びこれに用いる光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録再生用の光の波長が７８０ｎｍ±１
０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５±０．０１
とされる光学系を用いて記録再生が行われる光学記録再
生方法であって、異なる記録容量を有する第１及び第２
の光記録媒体に対する記録再生を行い、第１の光記録媒
体は、トラックピッチが１．５μｍ以上１．７μｍ以
下、グルーブの深さが７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下とされ
た基板を用いて構成し、第２の光記録媒体２０は、トラ
ックピッチＴｐ2 が１．２μｍ以上１．３μｍ以下とさ
れ、グルーブ１２の深さｄ2 が１５０ｎｍ以上１８０ｎ
ｍ以下とされた基板１１を用いて構成する。
との互換性をとり、高密度記録が可能で即ち大容量化に
よって動画の記録再生をも可能とし、更にクロスライト
の発生が回避され記録再生特性に優れた光学記録再生方
法及びこれに用いる光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録再生用の光の波長が７８０ｎｍ±１
０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５±０．０１
とされる光学系を用いて記録再生が行われる光学記録再
生方法であって、異なる記録容量を有する第１及び第２
の光記録媒体に対する記録再生を行い、第１の光記録媒
体は、トラックピッチが１．５μｍ以上１．７μｍ以
下、グルーブの深さが７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下とされ
た基板を用いて構成し、第２の光記録媒体２０は、トラ
ックピッチＴｐ2 が１．２μｍ以上１．３μｍ以下とさ
れ、グルーブ１２の深さｄ2 が１５０ｎｍ以上１８０ｎ
ｍ以下とされた基板１１を用いて構成する。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＤ(Mini Disc)
など、現状で広く使用されている光磁気ディスクに対応
可能な光学記録再生方法に関わり、記録再生に用いるた
めの光学系の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズ
の開口数ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学記録再
生方法及び光記録媒体に関する。
など、現状で広く使用されている光磁気ディスクに対応
可能な光学記録再生方法に関わり、記録再生に用いるた
めの光学系の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズ
の開口数ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学記録再
生方法及び光記録媒体に関する。
【０００１】
【従来の技術】音楽情報などの情報を記録するための媒
体として、光磁気ディスクは例えばＭＤとして広く用い
られており、国内のみならず海外においても普及が進ん
でいることから、これら光磁気ディスクに記録された情
報量は非常に大きいものになっている。技術的には、上
述のＭＤ等の発売当初の時代背景から、光磁気ディスク
に記録再生する装置の光学系では、波長７８０ｎｍのＬ
Ｄ(Laser Diode) が光源として用いられ、対物レンズの
開口数ＮＡは０．４５のものが採用されている。
体として、光磁気ディスクは例えばＭＤとして広く用い
られており、国内のみならず海外においても普及が進ん
でいることから、これら光磁気ディスクに記録された情
報量は非常に大きいものになっている。技術的には、上
述のＭＤ等の発売当初の時代背景から、光磁気ディスク
に記録再生する装置の光学系では、波長７８０ｎｍのＬ
Ｄ(Laser Diode) が光源として用いられ、対物レンズの
開口数ＮＡは０．４５のものが採用されている。
【０００２】また、ＩＳＯなどの光磁気記録のフォーマ
ットでは、情報の記録マークを、光磁気記録媒体の基板
に設けられる案内溝いわゆるグルーブに記録される方法
と、このグルーブ間のランドに記録される方法とが提案
されている。その他、特開平10-320780 号公報などに
は、ランドならびにグルーブの両方に記録が行われる方
法も提案されている。ＭＤにおいてはグルーブに記録が
行われており、そのグルーブとグルーブとの距離、即ち
トラックピッチＴｐは１．６μｍ程度とされている。
ットでは、情報の記録マークを、光磁気記録媒体の基板
に設けられる案内溝いわゆるグルーブに記録される方法
と、このグルーブ間のランドに記録される方法とが提案
されている。その他、特開平10-320780 号公報などに
は、ランドならびにグルーブの両方に記録が行われる方
法も提案されている。ＭＤにおいてはグルーブに記録が
行われており、そのグルーブとグルーブとの距離、即ち
トラックピッチＴｐは１．６μｍ程度とされている。
【０００３】このようなＭＤシステムであるが、そのア
クセス性などの点から、動画なども記録できるようなシ
ステムへの変更が求められている。システムの変更点の
最大のポイントは高密度化である。音楽情報では１００
ＭＢあまりで足りているが、動画では、その画質にもよ
るが、少なくとも１０倍程度の記録容量が必要となる。
この要求を達成するためには、様々な方法が提案されて
いるが、その一つが例えば特許第2805746 号において提
案されている磁気的な超解像再生方式、いわゆるＭＳＲ
(Magnetically induced Super Resolution) 方式であ
る。
クセス性などの点から、動画なども記録できるようなシ
ステムへの変更が求められている。システムの変更点の
最大のポイントは高密度化である。音楽情報では１００
ＭＢあまりで足りているが、動画では、その画質にもよ
るが、少なくとも１０倍程度の記録容量が必要となる。
この要求を達成するためには、様々な方法が提案されて
いるが、その一つが例えば特許第2805746 号において提
案されている磁気的な超解像再生方式、いわゆるＭＳＲ
(Magnetically induced Super Resolution) 方式であ
る。
【０００４】以下ＭＳＲ方式について簡単に説明する。
この技術は、光磁気ディスクの記録再生膜を、適切な保
磁力、交換結合力、キュリー温度等を有する複数の磁性
層、例えば記録層及び再生層、またはこの間に中間層を
介在させるなどの構成とし、再生用レーザ光の照射によ
る光磁気ディスク上の記録再生膜の温度が照射スポット
内の位置により異なることを利用するもので、ある限定
された温度領域でのみ記録層の磁化が再生層に転写さ
れ、この温度領域から外れた温度領域では記録層の磁化
によらず、再生層の磁化が例えば一方向に揃えられて、
いわば照射スポット内の一部に磁気的なマスクを生じさ
せることによって、スポット内に複数の記録マークが形
成されている場合でも一部の記録マークを再生すること
を可能にし、解像度を向上させるものである。
この技術は、光磁気ディスクの記録再生膜を、適切な保
磁力、交換結合力、キュリー温度等を有する複数の磁性
層、例えば記録層及び再生層、またはこの間に中間層を
介在させるなどの構成とし、再生用レーザ光の照射によ
る光磁気ディスク上の記録再生膜の温度が照射スポット
内の位置により異なることを利用するもので、ある限定
された温度領域でのみ記録層の磁化が再生層に転写さ
れ、この温度領域から外れた温度領域では記録層の磁化
によらず、再生層の磁化が例えば一方向に揃えられて、
いわば照射スポット内の一部に磁気的なマスクを生じさ
せることによって、スポット内に複数の記録マークが形
成されている場合でも一部の記録マークを再生すること
を可能にし、解像度を向上させるものである。
【０００５】このようなＭＳＲ方式には、次に示す各種
の方式が提案されている。先ず、照射スポットの移動方
向の前方の記録マークを検出するいわゆるＦＡＤ(Front
Aperture Detection)方式は、例えば特開平1-143042号
公開公報に提案されている。ＦＡＤ方式では、例えば、
磁性層を３層構造として、ＧｄＦｅＣｏ等より成る再生
層、ＴｅＦｅＣｏＡｌ等より成る切断層、ＴｅＦｅＣｏ
等よりなる記録層より光磁気記録層を構成する。回転し
ているディスク状の媒体に照射スポットを当てると、熱
伝導の関係で高温になる領域は、スポットの中央よりや
や後方にずれる。このスポット内の高温領域では、切断
層がキュリー温度以上になるので、再生層と記録層との
交換結合力が弱くなり、保持力の小さい材料に選定され
る再生層は再生磁界により揃えられて情報が消去されて
いわばマスクされ、低温領域である前方部分の記録マー
クの磁化のみが再生層に転写された状態で検出できるこ
ととなり、超解像が可能となる。
の方式が提案されている。先ず、照射スポットの移動方
向の前方の記録マークを検出するいわゆるＦＡＤ(Front
Aperture Detection)方式は、例えば特開平1-143042号
公開公報に提案されている。ＦＡＤ方式では、例えば、
磁性層を３層構造として、ＧｄＦｅＣｏ等より成る再生
層、ＴｅＦｅＣｏＡｌ等より成る切断層、ＴｅＦｅＣｏ
等よりなる記録層より光磁気記録層を構成する。回転し
ているディスク状の媒体に照射スポットを当てると、熱
伝導の関係で高温になる領域は、スポットの中央よりや
や後方にずれる。このスポット内の高温領域では、切断
層がキュリー温度以上になるので、再生層と記録層との
交換結合力が弱くなり、保持力の小さい材料に選定され
る再生層は再生磁界により揃えられて情報が消去されて
いわばマスクされ、低温領域である前方部分の記録マー
クの磁化のみが再生層に転写された状態で検出できるこ
ととなり、超解像が可能となる。
【０００６】また、照射スポットの中央部の高温領域の
み再生層の磁化が面内磁化から垂直磁化に変化するよう
にして、この部分の記録マークのみを読み出すようにし
たいわゆるＣＡＤ(Center Apertture Detection)方式も
例えば特開平5-81717 号公開公報、特開平５−１２７３
１号公開公報等において提案されている。更に、スポッ
トの後方の記録マークを検出するいわゆるＲＡＤ(Rear
ApertureDetection) 方式が例えば特開平3-90358 号公
開公報、特開平4-271039号公開公報等に提案されてい
る。
み再生層の磁化が面内磁化から垂直磁化に変化するよう
にして、この部分の記録マークのみを読み出すようにし
たいわゆるＣＡＤ(Center Apertture Detection)方式も
例えば特開平5-81717 号公開公報、特開平５−１２７３
１号公開公報等において提案されている。更に、スポッ
トの後方の記録マークを検出するいわゆるＲＡＤ(Rear
ApertureDetection) 方式が例えば特開平3-90358 号公
開公報、特開平4-271039号公開公報等に提案されてい
る。
【０００７】一方、光磁気記録層を、記録層と中間層及
び再生層より構成し、再生時には、再生層を一方向に磁
化させた状態で、その磁化方向に再生磁界を与え、且つ
照射スポットを照射した領域で、低温領域、再生可能領
域及び高温領域を生じさせ、再生可能領域においてのみ
再生磁界と再生層の保磁力との和が、再生層とこの直下
の中間層との間の磁壁による磁界に比し小さくなるよう
にして、この再生可能領域でのみ記録層の磁化が再生層
に転写されて検出され、超解像を行うようにしたいわゆ
るＤ−ＲＡＤ(Double mask Rear Aperture Detection）
方式も、例えば特開平4-255946号公開公報、特開平4-27
1039号公開公報等に提案されている。
び再生層より構成し、再生時には、再生層を一方向に磁
化させた状態で、その磁化方向に再生磁界を与え、且つ
照射スポットを照射した領域で、低温領域、再生可能領
域及び高温領域を生じさせ、再生可能領域においてのみ
再生磁界と再生層の保磁力との和が、再生層とこの直下
の中間層との間の磁壁による磁界に比し小さくなるよう
にして、この再生可能領域でのみ記録層の磁化が再生層
に転写されて検出され、超解像を行うようにしたいわゆ
るＤ−ＲＡＤ(Double mask Rear Aperture Detection）
方式も、例えば特開平4-255946号公開公報、特開平4-27
1039号公開公報等に提案されている。
【０００８】このＤ−ＲＡＤ方式を採用した光記録媒体
は、例えばＧＩＧＡＭＯ（ソニー（株）、商品名）とし
て現在実用化されている。
は、例えばＧＩＧＡＭＯ（ソニー（株）、商品名）とし
て現在実用化されている。
【０００９】更に、例えば特開平6-290469号公開公報等
においては、再生層を記録層に比し磁壁抗磁力が小さく
磁壁移動度が大きい材料より構成し、この間の中間層の
キュリー温度を再生層及び記録層のキュリー温度に比し
低く選定して、照射スポット内で中間層のキュリー温度
以上となった高温領域において再生層の磁区を拡大して
記録層の磁化を読みだすいわゆるＤＷＤＤ(Domain Wall
Displacement Detection)方式が提案されている。
においては、再生層を記録層に比し磁壁抗磁力が小さく
磁壁移動度が大きい材料より構成し、この間の中間層の
キュリー温度を再生層及び記録層のキュリー温度に比し
低く選定して、照射スポット内で中間層のキュリー温度
以上となった高温領域において再生層の磁区を拡大して
記録層の磁化を読みだすいわゆるＤＷＤＤ(Domain Wall
Displacement Detection)方式が提案されている。
【００１０】更に例えば特開平8-7350号公開公報などに
おいて、外部磁界を利用して記録層の磁区を再生層に転
写すると共に、この再生層に転写された磁区を拡大して
読み出しを行ういわゆるＭＡＭＭＯＳ(Magnetic AMplif
ying MO System) 方式が提案されている。
おいて、外部磁界を利用して記録層の磁区を再生層に転
写すると共に、この再生層に転写された磁区を拡大して
読み出しを行ういわゆるＭＡＭＭＯＳ(Magnetic AMplif
ying MO System) 方式が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】一方、従来のＭＤ等の
光磁気ディスクによって全世界的に拡散した情報という
財産を有効に利用、保存するべきであるという要求があ
り、これらを利用可能としたまま、且つ上述したように
動画を扱うことの可能な装置又は方法及びこれに用いる
媒体の出現が望まれている。すなわち、現状のＭＤと互
換を保持しつつ、媒体としては記録密度だけを１０倍程
度に向上させることが必要となる。
光磁気ディスクによって全世界的に拡散した情報という
財産を有効に利用、保存するべきであるという要求があ
り、これらを利用可能としたまま、且つ上述したように
動画を扱うことの可能な装置又は方法及びこれに用いる
媒体の出現が望まれている。すなわち、現状のＭＤと互
換を保持しつつ、媒体としては記録密度だけを１０倍程
度に向上させることが必要となる。
【００１２】ＭＤの記録再生装置の場合、上述したよう
に光源の波長が７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが
０．４５の光学系を用いている。その他の光ディスクと
同様に、光源の波長ならびに対物レンズの開口数によっ
て、集光されるスポットの形状はほぼ決定される。
に光源の波長が７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが
０．４５の光学系を用いている。その他の光ディスクと
同様に、光源の波長ならびに対物レンズの開口数によっ
て、集光されるスポットの形状はほぼ決定される。
【００１３】スポットの形状が決定されると、そのスポ
ットで採用できるトラックピッチならびに線密度に相当
する最短ビット長が決定される。ＭＤの場合、トラック
ピッチはほぼ１．６μｍ、最短ビット長は０．５９μｍ
である。最短ビット長は、決定されたスポットでのＭＴ
Ｆ(Moduration Transfer Function:変調伝達関数) なら
びに変復調によって決定されており、このビット長であ
れば、この光学系を用いたときに十分な再生信号が得ら
れるということである。
ットで採用できるトラックピッチならびに線密度に相当
する最短ビット長が決定される。ＭＤの場合、トラック
ピッチはほぼ１．６μｍ、最短ビット長は０．５９μｍ
である。最短ビット長は、決定されたスポットでのＭＴ
Ｆ(Moduration Transfer Function:変調伝達関数) なら
びに変復調によって決定されており、このビット長であ
れば、この光学系を用いたときに十分な再生信号が得ら
れるということである。
【００１４】また、トラックピッチは決定された再生ス
ポットによりトラッキングできる範囲に選定される。ト
ラッキングはランドならびにグルーブの反射率の違いを
利用しており、トラックピッチだけでなく、グルーブ深
さの条件も加わる。光の波長がλ、基板の屈折率がｎの
とき、グルーブ深さがλ／４ｎで信号がなくなること
が、例えば「光ピックアップシステムの設定の要点」
（野田監修：エレクトロニクスエッセンシャルシリーズ
No.6, 日本工業技術センター、昭和５９年）に記載され
ている。
ポットによりトラッキングできる範囲に選定される。ト
ラッキングはランドならびにグルーブの反射率の違いを
利用しており、トラックピッチだけでなく、グルーブ深
さの条件も加わる。光の波長がλ、基板の屈折率がｎの
とき、グルーブ深さがλ／４ｎで信号がなくなること
が、例えば「光ピックアップシステムの設定の要点」
（野田監修：エレクトロニクスエッセンシャルシリーズ
No.6, 日本工業技術センター、昭和５９年）に記載され
ている。
【００１５】このように決定されるトラックピッチＴｐ
ならびに最短ビット長であるが、高記録密度化の要請に
よりどちらも小さくする必要がある。トラックピッチに
関しては、トラッキングをかけるための再生信号を安定
に保持する範囲で、１．２μｍ程度まで小さくすること
が可能である。
ならびに最短ビット長であるが、高記録密度化の要請に
よりどちらも小さくする必要がある。トラックピッチに
関しては、トラッキングをかけるための再生信号を安定
に保持する範囲で、１．２μｍ程度まで小さくすること
が可能である。
【００１６】しかしながら、１．２μｍのトラックピッ
チにしてしまうと、記録の際に隣接トラックに熱の影響
を与えてしまい、隣接トラックに記録が行われてしまう
現象、いわゆるクロスライトが引き起こされる。クロス
ライトは、隣接トラックにマークが形成されていない場
合は問題にならないが、情報が記録されている場合はそ
の情報を破壊することになり、信頼性の点からも防ぐ必
要がある問題点である。
チにしてしまうと、記録の際に隣接トラックに熱の影響
を与えてしまい、隣接トラックに記録が行われてしまう
現象、いわゆるクロスライトが引き起こされる。クロス
ライトは、隣接トラックにマークが形成されていない場
合は問題にならないが、情報が記録されている場合はそ
の情報を破壊することになり、信頼性の点からも防ぐ必
要がある問題点である。
【００１７】本発明は、以上述べた各問題点を解決し
て、現状で最も広く用いられているＭＤ等の光磁気ディ
スクとの互換性をとり、高密度記録が可能で即ち大容量
化によって動画の記録再生をも可能とし、また更にクロ
スライトの発生が回避され記録再生特性に優れた光学記
録再生方法及びこれに用いる光記録媒体を提供すること
を目的とする。
て、現状で最も広く用いられているＭＤ等の光磁気ディ
スクとの互換性をとり、高密度記録が可能で即ち大容量
化によって動画の記録再生をも可能とし、また更にクロ
スライトの発生が回避され記録再生特性に優れた光学記
録再生方法及びこれに用いる光記録媒体を提供すること
を目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録再生用の
光の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開口数
ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学系を用いて記録
再生が行われる光学記録再生方法であって、異なる記録
容量を有する第１及び第２の光記録媒体に対する記録再
生を行い、第１の光記録媒体は、トラックピッチが１．
５μｍ以上１．７μｍ以下、グルーブの深さが７０ｎｍ
以上９０ｎｍ以下とされた基板を用いて構成し、第２の
光記録媒体は、トラックピッチが１．２μｍ以上１．３
μｍ以下とされ、グルーブの深さが１５０ｎｍ以上１８
０ｎｍ以下とされた基板を用いて構成する。
光の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開口数
ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学系を用いて記録
再生が行われる光学記録再生方法であって、異なる記録
容量を有する第１及び第２の光記録媒体に対する記録再
生を行い、第１の光記録媒体は、トラックピッチが１．
５μｍ以上１．７μｍ以下、グルーブの深さが７０ｎｍ
以上９０ｎｍ以下とされた基板を用いて構成し、第２の
光記録媒体は、トラックピッチが１．２μｍ以上１．３
μｍ以下とされ、グルーブの深さが１５０ｎｍ以上１８
０ｎｍ以下とされた基板を用いて構成する。
【００１９】また本発明は、上述の光学記録再生方法に
おいて、第２の光記録媒体の最短記録ビット長を、光学
系の変調伝達関数のカットオフ周波数に対応するビット
長未満として構成する。更に本発明は、上述の各光学記
録再生方法において、第１及び第２の光記録媒体を、光
磁気記録媒体として構成する。
おいて、第２の光記録媒体の最短記録ビット長を、光学
系の変調伝達関数のカットオフ周波数に対応するビット
長未満として構成する。更に本発明は、上述の各光学記
録再生方法において、第１及び第２の光記録媒体を、光
磁気記録媒体として構成する。
【００２０】また本発明は、上述の各光学記録再生方法
において、第１の光記録媒体を、基板上に、少なくとも
第１の誘電体層、光磁気記録層、第２の誘電体層及び熱
拡散層がこの順に成膜して構成し、第２の光記録媒体
を、基板上に、少なくとも第１の誘電体層、第１の光磁
気記録層、第２の光磁気記録層、第３の光磁気記録層及
び第２の誘電体層をこの順に成膜して構成し、第２の光
磁気記録層のキュリー温度を、第１及び第３の光磁気記
録層のキュリー温度に比し小さく選定して構成する。
において、第１の光記録媒体を、基板上に、少なくとも
第１の誘電体層、光磁気記録層、第２の誘電体層及び熱
拡散層がこの順に成膜して構成し、第２の光記録媒体
を、基板上に、少なくとも第１の誘電体層、第１の光磁
気記録層、第２の光磁気記録層、第３の光磁気記録層及
び第２の誘電体層をこの順に成膜して構成し、第２の光
磁気記録層のキュリー温度を、第１及び第３の光磁気記
録層のキュリー温度に比し小さく選定して構成する。
【００２１】更に本発明は、上述の各光学記録再生方法
において、第１の光記録媒体の光磁気記録層を、ＴｂＦ
ｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒより構成し、第２の光記録
媒体の第１の光磁気記録層を、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ又はＧｄＦｅ
ＣｏＳｉのうちの何れか一つより構成し、第２の光記録
媒体の第２の光磁気記録層を、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＳｉ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ又はＴｂＦｅＣｏＳｉ
のうちの何れか一つより構成し、第２の光記録媒体の第
３の光磁気記録層を、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣ
ｒのうちの何れか一つより構成する。
において、第１の光記録媒体の光磁気記録層を、ＴｂＦ
ｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒより構成し、第２の光記録
媒体の第１の光磁気記録層を、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ又はＧｄＦｅ
ＣｏＳｉのうちの何れか一つより構成し、第２の光記録
媒体の第２の光磁気記録層を、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＳｉ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ又はＴｂＦｅＣｏＳｉ
のうちの何れか一つより構成し、第２の光記録媒体の第
３の光磁気記録層を、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣ
ｒのうちの何れか一つより構成する。
【００２２】また本発明は、上述の各光学記録再生方法
において、第２の光記録媒体を、超解像再生方式により
再生が行われる光磁気記録媒体とし、１ＧＢ以上の容量
を有する構成とする。更に本発明は、上述の各光学記録
再生方法において、第２の光記録媒体を、グルーブ記録
がなされる光磁気記録媒体とする。また更に本発明は、
上述の各光学記録再生方法において、第２の光記録媒体
を、ランド・グルーブ記録がなされる光磁気記録媒体と
する。
において、第２の光記録媒体を、超解像再生方式により
再生が行われる光磁気記録媒体とし、１ＧＢ以上の容量
を有する構成とする。更に本発明は、上述の各光学記録
再生方法において、第２の光記録媒体を、グルーブ記録
がなされる光磁気記録媒体とする。また更に本発明は、
上述の各光学記録再生方法において、第２の光記録媒体
を、ランド・グルーブ記録がなされる光磁気記録媒体と
する。
【００２３】また本発明による光記録媒体は、記録再生
用の光の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開
口数ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学系によって
記録再生が行われる光記録媒体であって、トラックピッ
チを１．２μｍ以上１．３μｍ以下として、グルーブの
深さを１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とした基板を用い
て構成する。
用の光の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開
口数ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学系によって
記録再生が行われる光記録媒体であって、トラックピッ
チを１．２μｍ以上１．３μｍ以下として、グルーブの
深さを１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とした基板を用い
て構成する。
【００２４】更に本発明は、上述の光記録媒体におい
て、記録情報の最短記録ビット長を、上記光学系の変調
伝達関数のカットオフ周波数に対応するビット長未満と
して構成する。また本発明は、上述の光記録媒体を、光
磁気記録媒体として構成する。更にまた本発明は、上述
の光記録媒体を、基板上に、少なくとも第１の誘電体
層、第１の光磁気記録層、第２の光磁気記録層、第３の
光磁気記録層及び第２の誘電体層がこの順に成膜されて
成り、第２の光磁気記録層のキュリー温度を、第１及び
第３の光磁気記録層のキュリー温度に比し小さく選定し
て構成する。
て、記録情報の最短記録ビット長を、上記光学系の変調
伝達関数のカットオフ周波数に対応するビット長未満と
して構成する。また本発明は、上述の光記録媒体を、光
磁気記録媒体として構成する。更にまた本発明は、上述
の光記録媒体を、基板上に、少なくとも第１の誘電体
層、第１の光磁気記録層、第２の光磁気記録層、第３の
光磁気記録層及び第２の誘電体層がこの順に成膜されて
成り、第２の光磁気記録層のキュリー温度を、第１及び
第３の光磁気記録層のキュリー温度に比し小さく選定し
て構成する。
【００２５】また本発明は、上述の光記録媒体の第１の
光磁気記録層を、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣ
ｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ又はＧｄＦｅＣｏＳｉのうち
の何れか一つより構成し、第２の光磁気記録層を、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＳｉ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ又は
ＴｂＦｅＣｏＳｉのうちの何れか一つより構成し、第３
の光磁気記録層を、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒ
のうちの何れか一つより構成する。
光磁気記録層を、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣ
ｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ又はＧｄＦｅＣｏＳｉのうち
の何れか一つより構成し、第２の光磁気記録層を、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＳｉ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ又は
ＴｂＦｅＣｏＳｉのうちの何れか一つより構成し、第３
の光磁気記録層を、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒ
のうちの何れか一つより構成する。
【００２６】更に本発明は、上述の光記録媒体を超解像
再生方式により再生が行われる光磁気記録媒体とし、１
ＧＢ以上の容量を有する構成とする。また本発明は、上
述の光記録媒体は、グルーブ記録がなされる光磁気記録
媒体として構成する。更にまた本発明は、上述の光記録
媒体を、ランド・グルーブ記録がなされる光磁気記録媒
体として構成する。
再生方式により再生が行われる光磁気記録媒体とし、１
ＧＢ以上の容量を有する構成とする。また本発明は、上
述の光記録媒体は、グルーブ記録がなされる光磁気記録
媒体として構成する。更にまた本発明は、上述の光記録
媒体を、ランド・グルーブ記録がなされる光磁気記録媒
体として構成する。
【００２７】上述したように本発明によれば、従来のＭ
Ｄの記録再生方式における光学系と同様に、記録再生用
の光の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開口
数ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学系を用いて記
録再生を行うものであって、第１の光記録媒体として、
トラックピッチが１．５μｍ以上１．７μｍ以下、グル
ーブの深さが７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下とされた基板を
用いて構成されるいわゆるＭＤ等の、現状で広く使用さ
れている光記録媒体の記録再生を可能とし、即ち互換性
を有すると共に、この第１の光記録媒体とは異なる記録
容量を有する第２の光記録媒体、即ち、トラックピッチ
が１．２μｍ以上１．３μｍ以下とされ、グルーブの深
さが１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とされた基板を用い
て構成される光記録媒体の記録再生をも行うことによっ
て、高記録密度化の可能な次世代の光記録媒体の記録再
生をも同一の光学系を有する記録再生装置において記録
再生を可能とするものである。
Ｄの記録再生方式における光学系と同様に、記録再生用
の光の波長が７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開口
数ＮＡが０．４５±０．０１とされる光学系を用いて記
録再生を行うものであって、第１の光記録媒体として、
トラックピッチが１．５μｍ以上１．７μｍ以下、グル
ーブの深さが７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下とされた基板を
用いて構成されるいわゆるＭＤ等の、現状で広く使用さ
れている光記録媒体の記録再生を可能とし、即ち互換性
を有すると共に、この第１の光記録媒体とは異なる記録
容量を有する第２の光記録媒体、即ち、トラックピッチ
が１．２μｍ以上１．３μｍ以下とされ、グルーブの深
さが１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下とされた基板を用い
て構成される光記録媒体の記録再生をも行うことによっ
て、高記録密度化の可能な次世代の光記録媒体の記録再
生をも同一の光学系を有する記録再生装置において記録
再生を可能とするものである。
【００２８】更に、高記録密度化をはかるためにトラッ
クピッチを１．２μｍ〜１．３μｍ程度と小さくした光
記録媒体に対しても、そのグルーブの深さを上述したよ
うに１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下と選定することによ
って、上述の光学系による記録再生時にトラッキングを
かけるための再生信号を安定に保持しつつ、クロスライ
トの発生を抑えることができ、記録再生特性を良好に保
持することができた。
クピッチを１．２μｍ〜１．３μｍ程度と小さくした光
記録媒体に対しても、そのグルーブの深さを上述したよ
うに１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下と選定することによ
って、上述の光学系による記録再生時にトラッキングを
かけるための再生信号を安定に保持しつつ、クロスライ
トの発生を抑えることができ、記録再生特性を良好に保
持することができた。
【００２９】従ってこのように、互換性を有する記録再
生装置での安定した記録再生が可能な光記録媒体を用い
ることによって、従来の情報を広く利用することを可能
とするとともに、同時に、大容量が必要とされる動画情
報等の記録再生をも行うことができ、実用上極めて有用
な光学記録再生方法及び光記録媒体を提供することがで
きる。
生装置での安定した記録再生が可能な光記録媒体を用い
ることによって、従来の情報を広く利用することを可能
とするとともに、同時に、大容量が必要とされる動画情
報等の記録再生をも行うことができ、実用上極めて有用
な光学記録再生方法及び光記録媒体を提供することがで
きる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光学記録再生
方法及びこれに用いる光記録媒体の実施の形態を図面を
参照して説明する。以下の例においては、第１の光記録
媒体としてＭＤを、第２の光記録媒体としてＭＳＲ方式
のＦＡＤ及びＤ−ＲＡＤ方式を採用した即ち光磁気記録
媒体に適用した例を示すが、本発明はこれらの各例に限
定されるものではない。第１の光記録媒体として、例え
ば色素材料層を記録層に用いた光記録媒体を用いると
か、或いは第２の光記録媒体として、その他のＣＡＤ方
式、ＲＡＤ方式等のＭＳＲ方式等による光記録媒体を用
いることもできる。
方法及びこれに用いる光記録媒体の実施の形態を図面を
参照して説明する。以下の例においては、第１の光記録
媒体としてＭＤを、第２の光記録媒体としてＭＳＲ方式
のＦＡＤ及びＤ−ＲＡＤ方式を採用した即ち光磁気記録
媒体に適用した例を示すが、本発明はこれらの各例に限
定されるものではない。第１の光記録媒体として、例え
ば色素材料層を記録層に用いた光記録媒体を用いると
か、或いは第２の光記録媒体として、その他のＣＡＤ方
式、ＲＡＤ方式等のＭＳＲ方式等による光記録媒体を用
いることもできる。
【００３１】図１及び図２に、本発明の光学記録再生方
法に用いる第１の光記録媒体の一例の模式的な構成図を
示す。図１において、１は基板で、この上に第１の誘電
体層３、光磁気記録層４、第２の誘電体層５、熱拡散層
６が順次スパッタ等の物理的成膜方法によって被着さ
れ、この上に保護層７が例えばスピンコート等により成
膜されて、第１の光記録媒体１０が構成される。
法に用いる第１の光記録媒体の一例の模式的な構成図を
示す。図１において、１は基板で、この上に第１の誘電
体層３、光磁気記録層４、第２の誘電体層５、熱拡散層
６が順次スパッタ等の物理的成膜方法によって被着さ
れ、この上に保護層７が例えばスピンコート等により成
膜されて、第１の光記録媒体１０が構成される。
【００３２】また、図２に示すように、基板１１の上
に、第１の誘電体層１３、再生層１４即ち第１の光磁気
記録層、切断層１５即ち第２の光磁気記録層、記録層１
６即ち第３の光磁気記録層、第２の誘電体層１７、熱拡
散層１８が順次スパッタ等の物理的成膜方法によって被
着され、この上に保護層１９がスピンコートなどにより
成膜され、第２の光記録媒体２０が構成される。
に、第１の誘電体層１３、再生層１４即ち第１の光磁気
記録層、切断層１５即ち第２の光磁気記録層、記録層１
６即ち第３の光磁気記録層、第２の誘電体層１７、熱拡
散層１８が順次スパッタ等の物理的成膜方法によって被
着され、この上に保護層１９がスピンコートなどにより
成膜され、第２の光記録媒体２０が構成される。
【００３３】ここで基板１及び２は、例えばゼオネク
ス、ポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形法等によ
ってディスク状に成形されて成り、その屈折率は１．４
５〜１．６５、厚さは１．１〜１．３ｍｍ、複屈折は１
００ｎｍ程度とすることができる。
ス、ポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形法等によ
ってディスク状に成形されて成り、その屈折率は１．４
５〜１．６５、厚さは１．１〜１．３ｍｍ、複屈折は１
００ｎｍ程度とすることができる。
【００３４】また、各媒体１０及び２０の第１の誘電体
層３及び１３はＳｉＮ、ＳｉＯ2 などが用いられること
が多く、屈折率は２．０程度である。
層３及び１３はＳｉＮ、ＳｉＯ2 などが用いられること
が多く、屈折率は２．０程度である。
【００３５】第１の光記録媒体の光磁気記録層４は、例
えばＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＣｒなどが用いられ、
膜厚は例えば２０ｎｍ程度とされる。第２の光記録媒体
２０の再生層１４は、再生信号を大とするために、カー
回転角の大きな材料の、例えば遷移金属優勢のＧｄ
22（ＦｅＣｏ20）が用いられ、キュリー温度Ｔｃは３０
０℃を越える例えば３２０℃に設定され、膜厚は例えば
３０ｎｍ程度とされる。ＧｄＦｅＣｏにＣｒ、Ａｌ、Ｓ
ｉなどの添加物が含まれていても構わない。ＧｄＦｅを
用いることもできる。
えばＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＣｒなどが用いられ、
膜厚は例えば２０ｎｍ程度とされる。第２の光記録媒体
２０の再生層１４は、再生信号を大とするために、カー
回転角の大きな材料の、例えば遷移金属優勢のＧｄ
22（ＦｅＣｏ20）が用いられ、キュリー温度Ｔｃは３０
０℃を越える例えば３２０℃に設定され、膜厚は例えば
３０ｎｍ程度とされる。ＧｄＦｅＣｏにＣｒ、Ａｌ、Ｓ
ｉなどの添加物が含まれていても構わない。ＧｄＦｅを
用いることもできる。
【００３６】第２の光記録媒体２０の切断層１５は、例
えばＴｂ20（ＦｅＣｏ2)77Ａｌ3 が用いられ、そのキュ
リー温度Ｔｃは、再生層１４ならびに記録層１６のどち
らのキュリー温度よりも低く選定され、例えば１４０℃
とされる。添加物として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ等が添加さ
れる場合や、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、
ＴｂＦｅＳｉが用いられる場合もある。膜厚は例えば１
０ｎｍとされる。
えばＴｂ20（ＦｅＣｏ2)77Ａｌ3 が用いられ、そのキュ
リー温度Ｔｃは、再生層１４ならびに記録層１６のどち
らのキュリー温度よりも低く選定され、例えば１４０℃
とされる。添加物として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ等が添加さ
れる場合や、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、
ＴｂＦｅＳｉが用いられる場合もある。膜厚は例えば１
０ｎｍとされる。
【００３７】第２の光記録媒体２０の記録層１６は、例
えばＴｂ20（ＦｅＣｏ25）、Ｔｂ20（ＦｅＣｏ25）78.5
Ｃｒ1.5 等の例えばＴｂ20（ＦｅＣｏ25）が用いられ、
膜厚は例えば２０ｎｍとされる。キュリー温度は２７０
℃、室温での保磁力は１．６ＭＡ／ｍである。第１及び
第２の光記録媒体１０及び２０の第２の誘電体層５及び
１７は、第１の誘電体層と同様に、ＳｉＮ又はＳｉＯ2
等が用いられる。この層は、光学的に再生信号をエンハ
ンスする目的に加えて、水分が記録層等に到達するのを
防ぐ目的がある。
えばＴｂ20（ＦｅＣｏ25）、Ｔｂ20（ＦｅＣｏ25）78.5
Ｃｒ1.5 等の例えばＴｂ20（ＦｅＣｏ25）が用いられ、
膜厚は例えば２０ｎｍとされる。キュリー温度は２７０
℃、室温での保磁力は１．６ＭＡ／ｍである。第１及び
第２の光記録媒体１０及び２０の第２の誘電体層５及び
１７は、第１の誘電体層と同様に、ＳｉＮ又はＳｉＯ2
等が用いられる。この層は、光学的に再生信号をエンハ
ンスする目的に加えて、水分が記録層等に到達するのを
防ぐ目的がある。
【００３８】更に、各媒体の熱拡散層６及び１８は、例
えばＡｌやＡｌＴｉなどの金属が成膜されて成る。これ
らの層は、光学的に多重反射を行うための目的に加え
て、所望の大きさの記録マークが安定して形成されるた
めの熱的な調整も行っている。
えばＡｌやＡｌＴｉなどの金属が成膜されて成る。これ
らの層は、光学的に多重反射を行うための目的に加え
て、所望の大きさの記録マークが安定して形成されるた
めの熱的な調整も行っている。
【００３９】保護層７及び１９は、例えば紫外線硬化樹
脂が用いられ、１０〜２０μｍ程度の膜厚に形成されて
成る。保護層７及び１９は、水分などが媒体に侵入する
のを防ぐ目的の他に、磁気ヘッドが摺動し易く、また磁
気ヘッドの摺動による機械的な傷を記録層に到達させな
い目的がある。薄すぎると機械的に脆くなってしまい、
厚すぎると重くなるため、適切な膜厚にコントロールさ
れる。
脂が用いられ、１０〜２０μｍ程度の膜厚に形成されて
成る。保護層７及び１９は、水分などが媒体に侵入する
のを防ぐ目的の他に、磁気ヘッドが摺動し易く、また磁
気ヘッドの摺動による機械的な傷を記録層に到達させな
い目的がある。薄すぎると機械的に脆くなってしまい、
厚すぎると重くなるため、適切な膜厚にコントロールさ
れる。
【００４０】そして第１の光記録媒体１０の基板１に
は、トラックピッチＴｐ1 が１．５μｍ〜１．７μｍの
例えば１．６μｍ程度、深さｄ1 が７０〜９０ｎｍの例
えば７０ｎｍ程度のグルーブ２が同心円状、またはスパ
イラル状に形成されて成る。情報の格納のために用いら
れるアドレス信号は、グルーブを蛇行させるいわゆるウ
ォブリングにより記録される。
は、トラックピッチＴｐ1 が１．５μｍ〜１．７μｍの
例えば１．６μｍ程度、深さｄ1 が７０〜９０ｎｍの例
えば７０ｎｍ程度のグルーブ２が同心円状、またはスパ
イラル状に形成されて成る。情報の格納のために用いら
れるアドレス信号は、グルーブを蛇行させるいわゆるウ
ォブリングにより記録される。
【００４１】また第２の光記録媒体２０の基板１１に
は、トラックピッチＴｐ2 が１．２〜１．３μｍの例え
ば１．３μｍ程度、深さｄ2 が１５０〜１８０ｎｍの例
えば１７０ｎｍとされたグルーブ１２が形成される。
は、トラックピッチＴｐ2 が１．２〜１．３μｍの例え
ば１．３μｍ程度、深さｄ2 が１５０〜１８０ｎｍの例
えば１７０ｎｍとされたグルーブ１２が形成される。
【００４２】ここで、第２の光記録媒体２０のトラック
ピッチＴｐ2 を１．２〜１．３μｍとするのは、高記録
密度化のためと、１．２μｍ未満では、波長λが７８０
ｎｍ、開口数ＮＡが０．４５の光学系ではトラッキング
がかからないこと、また、１．３μｍを越える場合は、
記録密度を上げることが困難になることによる。
ピッチＴｐ2 を１．２〜１．３μｍとするのは、高記録
密度化のためと、１．２μｍ未満では、波長λが７８０
ｎｍ、開口数ＮＡが０．４５の光学系ではトラッキング
がかからないこと、また、１．３μｍを越える場合は、
記録密度を上げることが困難になることによる。
【００４３】第２の光記録媒体２０に対し、波長７８０
ｎｍの光源及び対物レンズの開口数ＮＡが０．４５の光
学系を用いてＦＡＤ方式の記録再生を行い、グルーブ深
さに対する再生特性の変化を測定した。
ｎｍの光源及び対物レンズの開口数ＮＡが０．４５の光
学系を用いてＦＡＤ方式の記録再生を行い、グルーブ深
さに対する再生特性の変化を測定した。
【００４４】即ち、上述の構成において、第２の光記録
媒体２０の第１の光磁気記録層即ち再生層１４におい
て、光源からの記録再生光を照射したスポット内の高温
領域では、切断層１５がキュリー温度以上になるので、
再生層１４と記録層１６との交換結合力がゼロに近くな
り、保持力の小さい材料に選定される再生層１４は再生
磁界により揃えられて情報が消去されていわばマスクさ
れ、低温領域である前方部分の記録マークの磁化のみが
再生層に転写された状態で検出できる。
媒体２０の第１の光磁気記録層即ち再生層１４におい
て、光源からの記録再生光を照射したスポット内の高温
領域では、切断層１５がキュリー温度以上になるので、
再生層１４と記録層１６との交換結合力がゼロに近くな
り、保持力の小さい材料に選定される再生層１４は再生
磁界により揃えられて情報が消去されていわばマスクさ
れ、低温領域である前方部分の記録マークの磁化のみが
再生層に転写された状態で検出できる。
【００４５】この例においては、第２の光記録媒体２０
の再生層１４は遷移金属優勢膜でその保磁力は室温で８
ｋＡ／ｍ、キュリー温度は上述したように３２０℃に設
定され、切断層１５は遷移金属優勢膜でそのキュリー温
度は上述したように１４０℃である。
の再生層１４は遷移金属優勢膜でその保磁力は室温で８
ｋＡ／ｍ、キュリー温度は上述したように３２０℃に設
定され、切断層１５は遷移金属優勢膜でそのキュリー温
度は上述したように１４０℃である。
【００４６】尚、この例においては、第２の光記録媒体
２０は記録情報の最短記録ビット長を、光学系の変調伝
達関数のカットオフ周波数に対応するビット長未満の
０．２４μｍとして構成し、記録容量は６７０ＭＢとし
て構成した。
２０は記録情報の最短記録ビット長を、光学系の変調伝
達関数のカットオフ周波数に対応するビット長未満の
０．２４μｍとして構成し、記録容量は６７０ＭＢとし
て構成した。
【００４７】図３に、第２の光記録媒体２０の基板１１
上に設けるグルーブの深さに対する、記録再生をしてい
るグルーブ（メイントラック）のキャリアならびにその
隣接トラック（ランド）からの漏れ込み信号即ちクロス
トークの相対出力の変化を示す。図３において、実線ａ
はキャリア、実線ｂはクロストークを示す。
上に設けるグルーブの深さに対する、記録再生をしてい
るグルーブ（メイントラック）のキャリアならびにその
隣接トラック（ランド）からの漏れ込み信号即ちクロス
トークの相対出力の変化を示す。図３において、実線ａ
はキャリア、実線ｂはクロストークを示す。
【００４８】クロストークは、記録時ではなく再生時に
のみ現れるもので、前述のクロスライトとは異なり、グ
ルーブの深さの程度によらず、完全に消し去ることはで
きない。しかしながら、図３の結果からクロストークの
信号にグルーブ深さに対する傾向があることがわかる。
すなわち、ある特定のグルーブ深さ、即ち１００ｎｍ程
度と１４０ｎｍ程度の場合にクロストークの極小値が現
れることがわかる。クロストークが小さい領域であれば
再生しやすくなり、再生特性が向上する。
のみ現れるもので、前述のクロスライトとは異なり、グ
ルーブの深さの程度によらず、完全に消し去ることはで
きない。しかしながら、図３の結果からクロストークの
信号にグルーブ深さに対する傾向があることがわかる。
すなわち、ある特定のグルーブ深さ、即ち１００ｎｍ程
度と１４０ｎｍ程度の場合にクロストークの極小値が現
れることがわかる。クロストークが小さい領域であれば
再生しやすくなり、再生特性が向上する。
【００４９】一方、メイントラックの信号はある範囲の
グルーブ深さで小さくなる。図３の結果から、グルーブ
深さが１２０〜１３０ｎｍ程度で出力が最小値となって
いることがわかる。
グルーブ深さで小さくなる。図３の結果から、グルーブ
深さが１２０〜１３０ｎｍ程度で出力が最小値となって
いることがわかる。
【００５０】これらの特性を合わせた領域において、再
生信号が得られることが予想されるが、メイントラック
のキャリアが大きければ多少クロストークが大きくても
使用できるため、その評価指数は単純な相対出力の比較
からは得られず、本発明者等の実験の結果によれば、グ
ルーブ深さが浅い方では７０〜９０ｎｍの領域、より好
ましくは７０ｎｍ程度、次の深さでは１５０〜１８０ｎ
ｍの領域、より好ましくは１６０〜１７５ｎｍであれ
ば、十分使用できることがわかった。
生信号が得られることが予想されるが、メイントラック
のキャリアが大きければ多少クロストークが大きくても
使用できるため、その評価指数は単純な相対出力の比較
からは得られず、本発明者等の実験の結果によれば、グ
ルーブ深さが浅い方では７０〜９０ｎｍの領域、より好
ましくは７０ｎｍ程度、次の深さでは１５０〜１８０ｎ
ｍの領域、より好ましくは１６０〜１７５ｎｍであれ
ば、十分使用できることがわかった。
【００５１】このように、キャリア及びクロストークの
特性を考慮して且つ実用可能なグルーブ深さの領域は、
更に深い方に断続的に存在するものと思われるが、これ
以上深いグルーブは、現状では射出成形などの技術によ
る作成が困難なため、１８０ｎｍ以下の深さとするとと
が望ましい。
特性を考慮して且つ実用可能なグルーブ深さの領域は、
更に深い方に断続的に存在するものと思われるが、これ
以上深いグルーブは、現状では射出成形などの技術によ
る作成が困難なため、１８０ｎｍ以下の深さとするとと
が望ましい。
【００５２】また、記録される領域は基板のランドでも
グルーブでも構わないが、グルーブに記録する方が、現
状のＭＤの記録再生方式と共通点が多く、互換性を実現
する上で有利である。
グルーブでも構わないが、グルーブに記録する方が、現
状のＭＤの記録再生方式と共通点が多く、互換性を実現
する上で有利である。
【００５３】更に、上述の第２の光記録媒体に対する光
学系の光源としては、波長７８０ｎｍのレーザダイオー
ドの代わりに、６８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４１０ｎｍな
ど異なる波長のレーザを用いることもできるが、７８０
ｎｍの波長のレーザの方が、元のレーザの出力が大き
い、消費電力が小さい、安価であるなどの利点を有して
おり、消費者にとっては７８０ｎｍの光源を用いる方
が、媒体の高記録密度化を達成するメリットが大きいこ
ととなる。
学系の光源としては、波長７８０ｎｍのレーザダイオー
ドの代わりに、６８０ｎｍ、６６０ｎｍ、４１０ｎｍな
ど異なる波長のレーザを用いることもできるが、７８０
ｎｍの波長のレーザの方が、元のレーザの出力が大き
い、消費電力が小さい、安価であるなどの利点を有して
おり、消費者にとっては７８０ｎｍの光源を用いる方
が、媒体の高記録密度化を達成するメリットが大きいこ
ととなる。
【００５４】また、これら大容量の情報記録媒体は動画
を録画するのに用いられることが多くなることが容易に
予想される。その録画の際の振動によるデトラック、ス
キューなどに対するマージンは光源の波長を７８０ｎｍ
とする方が大きい。塵埃の付着などに対しても、同様に
波長７８０ｎｍとする方が有利となる。
を録画するのに用いられることが多くなることが容易に
予想される。その録画の際の振動によるデトラック、ス
キューなどに対するマージンは光源の波長を７８０ｎｍ
とする方が大きい。塵埃の付着などに対しても、同様に
波長７８０ｎｍとする方が有利となる。
【００５５】尚、実用上は波長７８０ｎｍの光源は、通
常の精度での製造によるばらつきのため、±１０ｎｍの
波長のばらつきがある。同様に、対物レンズの開口数も
±０．０１程度のばらつきがある。このため、本発明に
おいては、波長７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開
口数ＮＡが０．４５±０．０１の光学系を用いるものと
する。
常の精度での製造によるばらつきのため、±１０ｎｍの
波長のばらつきがある。同様に、対物レンズの開口数も
±０．０１程度のばらつきがある。このため、本発明に
おいては、波長７８０ｎｍ±１０ｎｍ、対物レンズの開
口数ＮＡが０．４５±０．０１の光学系を用いるものと
する。
【００５６】次に、上述の第２の光記録媒体２０に対し
て上述のＦＡＤ方式による記録再生を行い、その記録再
生特性を調べた。
て上述のＦＡＤ方式による記録再生を行い、その記録再
生特性を調べた。
【００５７】図４及び図５においては、グルーブ１２の
トラックピッチＴｐ2 を１．３μｍ、深さｄ2 を１７０
ｎｍとして、それぞれグルーブ上、ランド上に記録した
場合の記録再生特性を示す。図４及び図５において、実
線ｃ及び実線ｅはオーバーライト特性、即ちメイントラ
ックにパワーを上げながら記録を行い、そのジッタ特性
を測定したものである。また破線ｄ及び破線ｆはクロス
ライト特性で、これは隣接トラックにそのパワーで記録
した後、メイントラックのジッタを測定したものであ
る。すなわち、隣接トラックからメイントラックへのク
ロスライト特性をあらわすグラフである。測定条件は、
線速２．０ｍ／ｓ、最短ビット長は上述したように０．
１６μｍである。
トラックピッチＴｐ2 を１．３μｍ、深さｄ2 を１７０
ｎｍとして、それぞれグルーブ上、ランド上に記録した
場合の記録再生特性を示す。図４及び図５において、実
線ｃ及び実線ｅはオーバーライト特性、即ちメイントラ
ックにパワーを上げながら記録を行い、そのジッタ特性
を測定したものである。また破線ｄ及び破線ｆはクロス
ライト特性で、これは隣接トラックにそのパワーで記録
した後、メイントラックのジッタを測定したものであ
る。すなわち、隣接トラックからメイントラックへのク
ロスライト特性をあらわすグラフである。測定条件は、
線速２．０ｍ／ｓ、最短ビット長は上述したように０．
１６μｍである。
【００５８】図４及び図５の結果から、ランド、グルー
ブ共に十分な記録パワーマージンを有することがわか
る。
ブ共に十分な記録パワーマージンを有することがわか
る。
【００５９】一方、トラックピッチＴｐ2 を１．３μｍ
と小さくしたまま、グルーブ深さを７０ｎｍと、第１の
光記録媒体１０と同様の深さにした場合の記録再生特性
を調べた。図６及び図７においては、それぞれグルーブ
上とランド上の記録で、実線ｇ及び実線ｉはオーバーラ
イト特性、破線ｈ及び破線ｊはクロスライト特性をそれ
ぞれ示す。測定条件は上述の図４及び図５の例と同様に
選定した。
と小さくしたまま、グルーブ深さを７０ｎｍと、第１の
光記録媒体１０と同様の深さにした場合の記録再生特性
を調べた。図６及び図７においては、それぞれグルーブ
上とランド上の記録で、実線ｇ及び実線ｉはオーバーラ
イト特性、破線ｈ及び破線ｊはクロスライト特性をそれ
ぞれ示す。測定条件は上述の図４及び図５の例と同様に
選定した。
【００６０】図６及び図７の結果から、第２の光記録媒
体２０のグルーブ深さｄ2 を第１の光記録媒体１０のグ
ルーブ深さｄ1 と同様に選定した場合、メイントラック
への記録パワーと、隣接トラックからのクロスライトパ
ワーが非常に接近しており、記録パワーマージンが少な
く、何らかの外乱によりシステムが機能しなくなる可能
性が高いことがわかる。或いは、情報が消去される可能
性があり、記録再生特性を安定に保持できなくなる恐れ
がある。
体２０のグルーブ深さｄ2 を第１の光記録媒体１０のグ
ルーブ深さｄ1 と同様に選定した場合、メイントラック
への記録パワーと、隣接トラックからのクロスライトパ
ワーが非常に接近しており、記録パワーマージンが少な
く、何らかの外乱によりシステムが機能しなくなる可能
性が高いことがわかる。或いは、情報が消去される可能
性があり、記録再生特性を安定に保持できなくなる恐れ
がある。
【００６１】従って、本発明においては、記録容量を比
較的大とする第２の光記録媒体２０のグルーブ深さｄ2
を、１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下に選定するものであ
る。より好ましくは、１６０ｎｍ以上１７５ｎｍ以下に
選定することによって、より記録再生特性が安定とな
る。
較的大とする第２の光記録媒体２０のグルーブ深さｄ2
を、１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下に選定するものであ
る。より好ましくは、１６０ｎｍ以上１７５ｎｍ以下に
選定することによって、より記録再生特性が安定とな
る。
【００６２】次に、上述の図１及び図２において説明し
た構成を採り、第１の光記録媒体１０として上述の例と
同様の材料構成とするも、第２の光記録媒体２０とし
て、Ｄ−ＲＡＤ方式の記録再生方式による超解像を可能
とする材料構成とする場合について説明する。
た構成を採り、第１の光記録媒体１０として上述の例と
同様の材料構成とするも、第２の光記録媒体２０とし
て、Ｄ−ＲＡＤ方式の記録再生方式による超解像を可能
とする材料構成とする場合について説明する。
【００６３】この例では、上述の例と同様に、第２の基
板として、例えばゼオネクス、ポリカーボネート等の樹
脂材料を射出成形法等によってディスク状に成形する。
屈折率は１．４５〜１．６５、厚さは１．１〜１．３ｍ
ｍ、複屈折は３０ｎｍ以下とする。
板として、例えばゼオネクス、ポリカーボネート等の樹
脂材料を射出成形法等によってディスク状に成形する。
屈折率は１．４５〜１．６５、厚さは１．１〜１．３ｍ
ｍ、複屈折は３０ｎｍ以下とする。
【００６４】この例においては、基板１１に、トラック
ピッチＴｐ2 が１．２μｍ、グルーブ深さｄ2 が１７５
ｎｍのグルーブ１２を設けて構成した。
ピッチＴｐ2 が１．２μｍ、グルーブ深さｄ2 が１７５
ｎｍのグルーブ１２を設けて構成した。
【００６５】この基板を、１×１０-4Ｐａ程度以上の高
真空条件下で搬送が可能なスパッタ装置に設置し、成膜
を行う。先ず、第１の誘電体層１３として、例えばＳｉ
Ｎを成膜する。成膜はＳｉターゲットよりＡｒとＮ2 の
混合ガスとの反応性スパッタで行う。ＡｒとＮ2 のガス
流量比は例えば４０対２０とする。膜厚は、超解像の光
磁気記録特性を損なうことのない範囲としては、例えば
７６ｎｍ〜８８ｎｍ程度の例えば８０ｎｍとする。この
層は、上述の例と同様に、光磁気記録層の信号を光学的
にエンハンスし、且つ基板からの水分を記録層に到達さ
せない役割をもっている。
真空条件下で搬送が可能なスパッタ装置に設置し、成膜
を行う。先ず、第１の誘電体層１３として、例えばＳｉ
Ｎを成膜する。成膜はＳｉターゲットよりＡｒとＮ2 の
混合ガスとの反応性スパッタで行う。ＡｒとＮ2 のガス
流量比は例えば４０対２０とする。膜厚は、超解像の光
磁気記録特性を損なうことのない範囲としては、例えば
７６ｎｍ〜８８ｎｍ程度の例えば８０ｎｍとする。この
層は、上述の例と同様に、光磁気記録層の信号を光学的
にエンハンスし、且つ基板からの水分を記録層に到達さ
せない役割をもっている。
【００６６】次に第１の光磁気記録層として再生層１４
を成膜する。組成は例えばＧｄ24Ｆｅ63Ｃｏ13であり、
膜厚は例えば４０ｎｍとする。スパッタ時に用いるガス
はＡｒである。膜厚は、３５ｎｍ以上４８ｎｍ以下であ
れば、光磁気記録特性を損なうことはない。この再生層
１４は、カー回転角の大きい膜を用いる。
を成膜する。組成は例えばＧｄ24Ｆｅ63Ｃｏ13であり、
膜厚は例えば４０ｎｍとする。スパッタ時に用いるガス
はＡｒである。膜厚は、３５ｎｍ以上４８ｎｍ以下であ
れば、光磁気記録特性を損なうことはない。この再生層
１４は、カー回転角の大きい膜を用いる。
【００６７】第２の光磁気記録層を成膜する。図２の例
においては、切断層１５として示すが、この場合いわゆ
る中間層を称される材料を用い、例えばＧｄ29Ｆｅ60Ｃ
ｏ2Ｓｉ9 が用いられ、膜厚は３０ｎｍ程度とする。ス
パッタ時に用いるガスはＡｒである。膜厚は２９ｎｍ以
上３６ｎｍ以下程度であれば、光磁気記録特性を損なう
ことはない。
においては、切断層１５として示すが、この場合いわゆ
る中間層を称される材料を用い、例えばＧｄ29Ｆｅ60Ｃ
ｏ2Ｓｉ9 が用いられ、膜厚は３０ｎｍ程度とする。ス
パッタ時に用いるガスはＡｒである。膜厚は２９ｎｍ以
上３６ｎｍ以下程度であれば、光磁気記録特性を損なう
ことはない。
【００６８】次に第３の光磁気記録層として記録層１６
を成膜する。組成は例えばＴｂ22Ｆｅ63Ｃｏ15とし、膜
厚は例えば４６ｎｍとする。膜厚は４２ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下程度であれば、光磁気記録特性を損なうことはな
い。
を成膜する。組成は例えばＴｂ22Ｆｅ63Ｃｏ15とし、膜
厚は例えば４６ｎｍとする。膜厚は４２ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下程度であれば、光磁気記録特性を損なうことはな
い。
【００６９】この後、第２の誘電体層１７を成膜する。
成膜材料及び成膜条件は第１の誘電体１３と同様とする
ことができる。膜厚は例えば２５ｎｍとする。次に、熱
拡散層１８として例えばＡｌＴｉを例えば膜厚９ｎｍと
して成膜する。最後に、例えば紫外線硬化樹脂より成る
保護層１９を、１０〜２０μｍ程度の膜厚にスピンコー
ト等により成膜した後硬化して形成し、第２の光記録媒
体２０を構成する。
成膜材料及び成膜条件は第１の誘電体１３と同様とする
ことができる。膜厚は例えば２５ｎｍとする。次に、熱
拡散層１８として例えばＡｌＴｉを例えば膜厚９ｎｍと
して成膜する。最後に、例えば紫外線硬化樹脂より成る
保護層１９を、１０〜２０μｍ程度の膜厚にスピンコー
ト等により成膜した後硬化して形成し、第２の光記録媒
体２０を構成する。
【００７０】このようにして作成した第２の光記録媒体
２０に対し、上述のＤ−ＲＡＤ方式による超解像再生を
利用した記録再生を行い、その特性を調べた。
２０に対し、上述のＤ−ＲＡＤ方式による超解像再生を
利用した記録再生を行い、その特性を調べた。
【００７１】即ち記録情報の再生時には、再生層１４を
一方向に磁化させた状態で、その磁化方向に再生磁界Ｈ
ｒを与え、且つ照射スポットを照射した領域で、低温領
域、再生可能領域及び高温領域を生じさせ、再生可能領
域においてのみ再生磁界Ｈｒと再生層１４の保磁力ＨCA
との和が、再生層１と隣接する中間層即ち第２の光磁気
記録層１５との間の磁壁による磁界ＨW1に比し小さくな
るようにして、再生可能領域内の再生可能領域でのみ記
録層１６の磁化が再生層１４に転写されて検出されるよ
うにして、超解像再生を行った。
一方向に磁化させた状態で、その磁化方向に再生磁界Ｈ
ｒを与え、且つ照射スポットを照射した領域で、低温領
域、再生可能領域及び高温領域を生じさせ、再生可能領
域においてのみ再生磁界Ｈｒと再生層１４の保磁力ＨCA
との和が、再生層１と隣接する中間層即ち第２の光磁気
記録層１５との間の磁壁による磁界ＨW1に比し小さくな
るようにして、再生可能領域内の再生可能領域でのみ記
録層１６の磁化が再生層１４に転写されて検出されるよ
うにして、超解像再生を行った。
【００７２】この例においては、再生磁界Ｈｒは室温で
３２ｋＡ／ｍ、再生層１４の保磁力ＨCAは室温で１６ｋ
Ａ／ｍ、再生層１４と第２の光磁気記録層１５との間の
磁壁による磁界ＨW1は室温で２４ｋＡ／ｍである。
３２ｋＡ／ｍ、再生層１４の保磁力ＨCAは室温で１６ｋ
Ａ／ｍ、再生層１４と第２の光磁気記録層１５との間の
磁壁による磁界ＨW1は室温で２４ｋＡ／ｍである。
【００７３】更にこの例では、記録情報の最短記録ビッ
ト長を、光学系の変調伝達関数のカットオフ周波数に対
応するビット長未満の０．１６μｍとして構成し、記録
容量は１．０ＧＢとして構成した。
ト長を、光学系の変調伝達関数のカットオフ周波数に対
応するビット長未満の０．１６μｍとして構成し、記録
容量は１．０ＧＢとして構成した。
【００７４】図８においては、記録パワーを変化させた
ときの、グルーブ１２上とランド上の記録情報に対する
バイトエラーレートを示す。実線ｋはグルーブ１２上の
記録、破線ｌはランド上の記録をそれぞれ示す。一点鎖
線Ｍはマージンレベルを示す。図８から、十分な記録パ
ワーマージンが得られることがわかる。
ときの、グルーブ１２上とランド上の記録情報に対する
バイトエラーレートを示す。実線ｋはグルーブ１２上の
記録、破線ｌはランド上の記録をそれぞれ示す。一点鎖
線Ｍはマージンレベルを示す。図８から、十分な記録パ
ワーマージンが得られることがわかる。
【００７５】次に、同じく再生パワーマージンを調べた
結果を図９及び図１０に示す。図９においては、グルー
ブ上の記録を再生した結果で、実線ｍはクロストークが
ある場合、破線ｎはクロストークがない場合を示す。ま
た、図１０においては、ランド上の記録を再生した結果
で、実線ｏはクロストークがある場合、破線ｐはクロス
トークがない場合を示す。図９及び図１０において一点
鎖線Ｍは再生パワーマージンレベルを示す。これらの結
果から、クロストークがある場合もない場合も、バイト
エラーレートの大きさはあまり変わらず、広い再生パワ
ーマージンが得られることがわかる。
結果を図９及び図１０に示す。図９においては、グルー
ブ上の記録を再生した結果で、実線ｍはクロストークが
ある場合、破線ｎはクロストークがない場合を示す。ま
た、図１０においては、ランド上の記録を再生した結果
で、実線ｏはクロストークがある場合、破線ｐはクロス
トークがない場合を示す。図９及び図１０において一点
鎖線Ｍは再生パワーマージンレベルを示す。これらの結
果から、クロストークがある場合もない場合も、バイト
エラーレートの大きさはあまり変わらず、広い再生パワ
ーマージンが得られることがわかる。
【００７６】次に、図１１及び図１２に、デトラックマ
ージンを調べた結果を示す。図１１においては、再生時
に行ったもので、実線ｑはグルーブ上の記録、破線ｒは
ランド上の記録を示す。図１２は記録時に行ったもの
で、実線ｓはグルーブ上の記録、破線ｔはランド上の記
録をそれぞれ示す。一点鎖線Ｍはデトラックマージンレ
ベルを示す。この結果から、いずれの場合も十分なデト
ラックマージンが得られたことがわかる。
ージンを調べた結果を示す。図１１においては、再生時
に行ったもので、実線ｑはグルーブ上の記録、破線ｒは
ランド上の記録を示す。図１２は記録時に行ったもの
で、実線ｓはグルーブ上の記録、破線ｔはランド上の記
録をそれぞれ示す。一点鎖線Ｍはデトラックマージンレ
ベルを示す。この結果から、いずれの場合も十分なデト
ラックマージンが得られたことがわかる。
【００７７】以上の各例においては、ＭＳＲのＦＡＤ方
式及びＤ−ＲＡＤ方式による記録再生を行う第２の光記
録媒体２０を用いた場合を示すが、本発明は、これらの
例に限定されることなく、その他磁区を転写して拡大す
る方式や、磁壁を移動させる方式のものに本発明を適用
した場合においても、安定な記録再生特性を得ることが
できた。特に、磁壁移動型及び磁区拡大型のＭＳＲ方式
を採る場合は、機能させる際の再生磁界が不要であると
いう記録再生上の特徴を有することから、本発明に適用
する場合には、ＭＤとの互換性を得るにあたって、装置
構成のより簡略化、従って小型軽量化、更にコストの低
減化をはかることができる。
式及びＤ−ＲＡＤ方式による記録再生を行う第２の光記
録媒体２０を用いた場合を示すが、本発明は、これらの
例に限定されることなく、その他磁区を転写して拡大す
る方式や、磁壁を移動させる方式のものに本発明を適用
した場合においても、安定な記録再生特性を得ることが
できた。特に、磁壁移動型及び磁区拡大型のＭＳＲ方式
を採る場合は、機能させる際の再生磁界が不要であると
いう記録再生上の特徴を有することから、本発明に適用
する場合には、ＭＤとの互換性を得るにあたって、装置
構成のより簡略化、従って小型軽量化、更にコストの低
減化をはかることができる。
【００７８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、現在
広く使用されているＭＤを用いることを可能とすること
から、その記録情報を有意義に利用できると共に、今後
益々需要の高まる動画情報の記録再生に必要な大容量の
記録密度の光記録媒体を同一の光学系を有する装置での
使用が可能となり、且つその記録再生特性を安定に保持
することができることから、実用上極めて有利な光学記
録再生方法及び光記録媒体を提供することができる。
広く使用されているＭＤを用いることを可能とすること
から、その記録情報を有意義に利用できると共に、今後
益々需要の高まる動画情報の記録再生に必要な大容量の
記録密度の光記録媒体を同一の光学系を有する装置での
使用が可能となり、且つその記録再生特性を安定に保持
することができることから、実用上極めて有利な光学記
録再生方法及び光記録媒体を提供することができる。
【図１】光記録媒体の一例の模式的な構成図である。
【図２】光記録媒体の一例の模式的な構成図である。
【図３】光記録媒体の一例のグルーブ深さに対するキャ
リア及びクロストーク特性を示す図である。
リア及びクロストーク特性を示す図である。
【図４】光記録媒体の一例の記録特性を示す図である。
【図５】光記録媒体の一例の記録特性を示す図である。
【図６】光記録媒体の一例の記録特性を示す図である。
【図７】光記録媒体の一例の記録特性を示す図である。
【図８】光記録媒体の一例の記録特性を示す図である。
【図９】光記録媒体の一例の再生特性を示す図である。
【図１０】光記録媒体の一例の再生特性を示す図であ
る。
る。
【図１１】光記録媒体の一例の再生特性を示す図であ
る。
る。
【図１２】光記録媒体の一例の再生特性を示す図であ
る。
る。
１ 基板、２ グルーブ、３ 第１の誘電体層、４ 光
磁気記録層、５ 第２の誘電体層、６ 熱拡散層、７
保護層、１０ 第１の光記録媒体、１１ 基板、１２
グルーブ、１３ 第１の誘電体層、１４ 再生層（第１
の光磁気記録層）、１５ 切断層（第２の光磁気記録
層）、１６ 記録層（第３の光磁気記録層）、１７ 第
２の誘電体層、１８ 熱拡散層、１９ 保護層、２０
第２の光記録媒体
磁気記録層、５ 第２の誘電体層、６ 熱拡散層、７
保護層、１０ 第１の光記録媒体、１１ 基板、１２
グルーブ、１３ 第１の誘電体層、１４ 再生層（第１
の光磁気記録層）、１５ 切断層（第２の光磁気記録
層）、１６ 記録層（第３の光磁気記録層）、１７ 第
２の誘電体層、１８ 熱拡散層、１９ 保護層、２０
第２の光記録媒体
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１Ｌ
５８６ ５８６Ｄ
５８６Ｌ
(72)発明者 渡辺 誠
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 福島 義仁
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 5D075 CC01 EE03 FF04 FF12 FF13
FG18
Claims (16)
- 【請求項１】 記録再生用の光の波長が７８０ｎｍ±１
０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５±０．０１
とされる光学系を用いて記録再生が行われる光学記録再
生方法であって、 異なる記録容量を有する第１及び第２の光記録媒体に対
する記録再生を行い、 上記第１の光記録媒体は、トラックピッチが１．５μｍ
以上１．７μｍ以下、グルーブの深さが７０ｎｍ以上９
０ｎｍ以下とされた基板を用いて構成され、 上記第２の光記録媒体は、トラックピッチが１．２μｍ
以上１．３μｍ以下とされ、グルーブの深さが１５０ｎ
ｍ以上１８０ｎｍ以下とされた基板を用いて構成されて
成ることを特徴とする光学記録再生方法。 - 【請求項２】 上記第２の光記録媒体の記録情報の最短
記録ビット長が、上記光学系の変調伝達関数のカットオ
フ周波数に対応するビット長未満とされて成ることを特
徴とする上記請求項１に記載の光学記録再生方法。 - 【請求項３】 上記第１及び第２の光記録媒体が、光磁
気記録媒体とされることを特徴とする上記請求項１又は
２に記載の光学記録再生方法。 - 【請求項４】 上記第１の光記録媒体は、上記基板上
に、少なくとも第１の誘電体層、光磁気記録層、第２の
誘電体層及び熱拡散層がこの順に成膜されて成り、 上記第２の光記録媒体は、上記基板上に、少なくとも第
１の誘電体層、第１の光磁気記録層、第２の光磁気記録
層、第３の光磁気記録層及び第２の誘電体層がこの順に
成膜されて成り、上記第２の光磁気記録層のキュリー温
度が、上記第１及び第３の光磁気記録層のキュリー温度
に比し小さく選定されて成ることを特徴とする上記請求
項３に記載の光学記録再生方法。 - 【請求項５】 上記第１の光記録媒体の光磁気記録層
は、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒより成り、 上記第２の光記録媒体の第１の光磁気記録層は、ＧｄＦ
ｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＡ
ｌ又はＧｄＦｅＣｏＳｉのうちの何れか一つより成り、 上記第２の光記録媒体の第２の光磁気記録層は、ＴｂＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、Ｔｂ
ＦｅＳｉ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ又はＴ
ｂＦｅＣｏＳｉのうちの何れか一つより成り、 上記第２の光記録媒体の第３の光磁気記録層は、ＴｂＦ
ｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒのうちの何れか一つより成
ることを特徴とする上記請求項４に記載の光学記録再生
方法。 - 【請求項６】 上記第２の光記録媒体は超解像再生方式
により再生が行われる光磁気記録媒体であって、１ＧＢ
以上の容量を有することを特徴とする上記請求項１、
２、３、４又は５に記載の光学記録再生方法。 - 【請求項７】 上記第２の光記録媒体は、グルーブ記録
がなされる光磁気記録媒体であることを特徴とする上記
請求項６に記載の光学記録再生方法。 - 【請求項８】 上記第２の光記録媒体は、ランド・グル
ーブ記録がなされる光磁気記録媒体であることを特徴と
する上記請求項６に記載の光学記録再生方法。 - 【請求項９】 記録再生用の光の波長が７８０ｎｍ±１
０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５±０．０１
とされる光学系によって記録再生が行われる光記録媒体
であって、 トラックピッチが１．２μｍ以上１．３μｍ以下とさ
れ、グルーブの深さが１５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下と
された基板を用いて構成されて成ることを特徴とする光
記録媒体。 - 【請求項１０】 上記光記録媒体の記録情報の最短記録
ビット長が、上記光学系の変調伝達関数のカットオフ周
波数に対応するビット長未満とされて成ることを特徴と
する上記請求項９に記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 上記光記録媒体が、光磁気記録媒体と
されることを特徴とする上記請求項９又は１０に記載の
光記録媒体。 - 【請求項１２】 上記光記録媒体は、上記基板上に、少
なくとも第１の誘電体層、第１の光磁気記録層、第２の
光磁気記録層、第３の光磁気記録層及び第２の誘電体層
がこの順に成膜されて成り、上記第２の光磁気記録層の
キュリー温度が、上記第１及び第３の光磁気記録層のキ
ュリー温度に比し小さく選定されて成ることを特徴とす
る上記請求項１１に記載の光記録媒体。 - 【請求項１３】 上記光記録媒体の第１の光磁気記録層
は、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇｄ
ＦｅＣｏＡｌ又はＧｄＦｅＣｏＳｉのうちの何れか一つ
より成り、 上記光記録媒体の第２の光磁気記録層は、ＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＳ
ｉ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ又はＴｂＦｅ
ＣｏＳｉのうちの何れか一つより成り、 上記光記録媒体の第３の光磁気記録層は、ＴｂＦｅＣｏ
又はＴｂＦｅＣｏＣｒのうちの何れか一つより成ること
を特徴とする上記請求項１２に記載の光記録媒体。 - 【請求項１４】 上記光記録媒体は超解像再生方式によ
り再生が行われる光磁気記録媒体であって、１ＧＢ以上
の容量を有することを特徴とする上記請求項９、１０、
１１、１２又は１３に記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】 上記光記録媒体は、グルーブ記録がな
される光磁気記録媒体であることを特徴とする上記請求
項１４に記載の光記録媒体。 - 【請求項１６】 上記光記録媒体は、ランド・グルーブ
記録がなされる光磁気記録媒体であることを特徴とする
上記請求項１４に記載の光記録媒体。
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|---|---|---|---|
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| KR10-2004-7011965A KR20040075973A (ko) | 2002-02-06 | 2003-02-06 | 광학 기록 재생 방법 및 광기록 매체 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030032A JP2003233937A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 光学記録再生方法及び光記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=27677899
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| Country | Link |
|---|---|
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| US7420910B2 (en) | 2008-09-02 |
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