JP2000173124A - 光磁気ディスク装置 - Google Patents

光磁気ディスク装置

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JP2000173124A
JP2000173124A JP10348481A JP34848198A JP2000173124A JP 2000173124 A JP2000173124 A JP 2000173124A JP 10348481 A JP10348481 A JP 10348481A JP 34848198 A JP34848198 A JP 34848198A JP 2000173124 A JP2000173124 A JP 2000173124A
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optical disk
magnetic field
bias magnetic
optical
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Kunio Yamamiya
国雄 山宮
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に光変調オーバライト用光磁気ディスクに
対してオーバライトを行なうことができると共に、磁気
超解像用光磁気ディスクに対して情報の再生を行なうこ
とができる互換性を有する光磁気ディスク装置を提供す
る。 【解決手段】 光変調オーバライト用光磁気ディスク
か、または磁気超解像用光磁気ディスクかを判別する判
別手段31と、光変調オーバライト用光磁気ディスクま
たは磁気超解像用光磁気ディスクの光ビーム照射位置に
バイアス磁界を選択的に印加するバイアス磁界印加手段
21と、判別手段31での判別結果に基づいて、バイア
ス磁界印加手段21による印加バイアス磁界を制御する
制御手段32,25,26,27,28とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光磁気ディスク
装置、特に光変調オーバライト用光磁気ディスクおよび
磁気超解像用光磁気ディスクを選択的に再生できるよう
にした互換性を有する光磁気ディスク装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来の光磁気ディスク装置として、例え
ば特開平6−267136号公報に開示されているもの
がある。この光磁気ディスク装置は、光変調オーバライ
トおよび再初期化を行なうようにしたもので、光磁気デ
ィスクに照射するレーザ光のパワーを、再生モードでは
1mW、消去モードでは4mW、光変調オーバライトモ
ードでは4mW〜15mWの間で変化させ、再初期化モ
ードではオーバライト時よりもさらに高い20mWに制
御すると共に、レーザ光の照射領域に、光変調オーバラ
イトモードではレーザ光の照射方向と反対方向に、また
再初期化モードではレーザ光の照射方向と同一方向に、
それぞれ平均でほぼ300Oeのバイアス磁界を印加す
るようにしている。
【0003】一方、近年では、光磁気ディスクの高密度
再生を可能にする技術として、磁気超解像用光磁気ディ
スクが種々提案されている。この磁気超解像用光磁気デ
ィスクを用いる光磁気ディスク装置には、光磁気ディス
クに照射されるレーザ光のスポットの低温領域で信号を
検出するFAD方式のものと、高温領域で信号を検出す
るRAD方式のものとがあるが、いずれの方式の場合で
も、再生時にはレーザ光の照射領域にレーザ光の照射方
向と反対方向にバイアス磁界を印加するようにしてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、光変
調オーバライト用光磁気ディスクの場合には、再生時に
バイアス磁界を印加しないのに対して、磁気超解像用光
磁気ディスクの場合には、再生時にバイアス磁界を印加
する必要がある。しかも、そのバイアス磁界強度は、平
均でほぼ400Oeとなっており、光変調オーバライト
用光磁気ディスクの場合よりも高くなっている。
【0005】このため、従来は、光変調オーバライト用
光磁気ディスクを用いる光磁気ディスク装置では、磁気
超解像用光磁気ディスクを再生することができず、また
逆に磁気超解像用光磁気ディスクを用いる光磁気ディス
ク装置では、光変調オーバライト用光磁気ディスクを再
生することができなかった。
【0006】この発明は、上述した点に鑑みてなされた
もので、特に光変調オーバライト用光磁気ディスクに対
してオーバライトを行なうことができると共に、磁気超
解像用光磁気ディスクに対して情報の再生を行なうこと
ができるよう適切に構成した互換性を有する光磁気ディ
スク装置を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に係る光磁気ディスク装置の発明は、光変
調オーバライト用光磁気ディスクか、または磁気超解像
用光磁気ディスクかを判別する判別手段と、前記光変調
オーバライト用光磁気ディスクまたは磁気超解像用光磁
気ディスクの光ビーム照射位置にバイアス磁界を選択的
に印加するバイアス磁界印加手段と、前記判別手段での
判別結果に基づいて、前記バイアス磁界印加手段による
印加バイアス磁界を制御する制御手段とを有することを
特徴とするものである。
【0008】請求項1に記載の発明によれば、光変調オ
ーバライト用光磁気ディスクまたは磁気超解像用光磁気
ディスクに応じて、光磁気ディスクに印加されるバイア
ス磁界が制御されるので、光変調オーバライト用光磁気
ディスクおよび磁気超解像用光磁気ディスクに対して所
要の処理を選択的に行なうことができ、互換性を有する
光磁気ディスク装置を得ることが可能となる。
【0009】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
光磁気ディスク装置において、前記制御手段は、前記光
変調オーバライト用光磁気ディスクまたは磁気超解像用
光磁気ディスクに対して、光ビーム照射方向と反対方向
にバイアス磁界を印加するように、前記バイアス磁界印
加手段を制御することを特徴とするものである。
【0010】請求項2に記載の発明によれば、バイアス
磁界が光ビーム照射方向と反対方向に印加されるので、
光変調オーバライト用光磁気ディスクに対するオーバラ
イト処理および磁気超解像用光磁気ディスクに対する再
生処理を選択的に行なうことが可能となる。
【0011】請求項3に係る発明は、請求項1または2
に記載の光磁気ディスク装置において、前記制御手段
は、前記光変調オーバライト用光磁気ディスクまたは磁
気超解像用光磁気ディスクに対して、そのプレピット領
域でもバイアス磁界を印加するように、前記バイアス磁
界印加手段を制御することを特徴とするものである。
【0012】請求項3に記載の発明によれば、光磁気デ
ィスクのプレピット領域でもバイアス磁界が印加される
ので、プレピット領域からユーザ領域に移行して、光変
調オーバライト用光磁気ディスクに対してオーバライト
処理を行なう際、あるいは磁気超解像用光磁気ディスク
に対して再生処理を行なう際の立ち上がりを向上でき、
高速アクセスが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。図1は、この発明に係
る光磁気ディスク装置の一実施形態を示すものである。
この実施形態は、光変調オーバライト用あるいは磁気超
解像用の光磁気ディスク1をスピンドルモータ2により
回転させて、情報の再生を行なうものである。図1にお
いて、半導体レーザ5からの発散光束は、コリメータレ
ンズ6で平行光束に変換してビーム整形プリズム7に入
射させ、該ビーム整形プリズム7を屈折透過して断面ほ
ぼ円形に整形されたレーザ光を、偏光ビームスプリッタ
8を透過させて対物レンズ9により光磁気ディスク1に
照射する。
【0014】対物レンズ9は、公知の図示しない支持手
段によりフォーカス方向およびトラッキング方向に変位
可能にピックアップに支持し、フォーカス/トラッキン
グコイル11を有する公知の駆動手段により駆動するよ
うにする。なお、ビーム整形プリズム7に入射したレー
ザ光のうち、該ビーム整形プリズム7を屈折透過するこ
となく反射されるレーザ光は、モニタ用光検出器12で
受光して、半導体レーザ5の出射パワーの制御に用いる
ようにする。
【0015】光磁気ディスク1で反射された戻り光は、
対物レンズ9を経て偏光ビームスプリッタ8に入射さ
せ、該偏光ビームスプリッタ8で反射される戻り光を結
像レンズ15を経て、ニオブ酸リチウム等の結晶の表面
に形成した偏光依存性を有するホログラム16に入射さ
せ、該ホログラム16で0次光のP偏光と、フォーカス
パワーの異なる±1次光のS偏光とに回折させて、0次
光を光検出器17で受光し、±1次光をそれらの焦点位
置の前後でそれぞれ光検出器18,19で受光するよう
にする。
【0016】この実施形態では、特開平7−14171
4号公報に開示されているのと同様に、磁気超解像用光
磁気ディスクを再生する際に、磁気超解像を誘導するマ
スク部分からの戻り光によって光検出器17,18,1
9の出力に生じるショットノイズを低減するために、図
2に平面図を示すように、ホログラム16には、光軸を
中心として光磁気ディスク1の情報トラック方向に一定
間隔離間して、情報トラックと直交する方向に延在する
光学的カットフィルタとしての二つの遮蔽帯20a,2
0bを形成する。
【0017】図3に示すように、光検出器17は、情報
トラックと平行な分割線で分割した二分割受光領域17
a,17bをもって構成し、光検出器18および19
は、それぞれ情報トラックと直交する二つの分割線で分
割した三分割受光領域18a,18b,18cおよび1
9a,19b,19cをもって構成する。なお、受光領
域18bおよび19bの情報トラック方向の幅a1は、
合焦状態において光検出器18,19にそれぞれ形成さ
れるホログラム16の二つの遮蔽帯20a,20bの像
の幅b1よりも小さくして、二つの遮蔽帯20a,20
bの像が、光検出器18の受光領域18a,18b、お
よび光検出器19の受光領域19a,19bにそれぞれ
形成されるようにする。
【0018】このようにして、受光領域17a,17b
の出力をS17a,S17b、受光領域18a,18
b,18cおよび19a,19b,19cの出力をそれ
ぞれS18a,S18b,S18cおよびS19a,S
19b,S19cとするとき、光磁気信号Moは、 Mo=(S18a+S18b+S18c+S19a+S
19b+S19c)−(S17a+S17b) により検出し、光磁気ディスク1の種類等が記録されて
いるプレピット領域での再生信号Preは、 Pre=(S18a+S18b+S18c+S19a+
S19b+S19c)+(S17a+S17b)により
検出する。
【0019】また、フォーカスエラー信号Feは、ビー
ムサイズ法を用いて、 Fe=(S18a+S19b+S18c)−(S19a
+S18b+S19c) により検出し、トラッキングエラー信号Teは、プッシ
ュプル法を用いて、 Te=S17a−S17b により検出する。
【0020】一方、光磁気ディスク1の対物レンズ9と
対向する反対側には、光磁気ディスク1に近接し、かつ
半径方向に延在してバイアス磁界印加手段を構成する電
磁石21を設ける。電磁石21は、図4に詳細に示すよ
うに、センターヨーク22と、センターヨーク22に結
合したサイドヨーク23と、センターヨーク22に巻装
したコイル24とを有する公知の構造のものを用いる。
【0021】この実施形態では、光変調オーバライト用
光磁気ディスクおよび磁気超解像用光磁気ディスクに対
して情報の再生を行なうようにするため、コイル24に
第1スイッチ25を介して第1直流電源26を接続する
と共に、第1スイッチ25と並列に第2スイッチ27を
介して第2直流電源28を接続する。なお、第2直流電
源28は、第1スイッチ25を開、第2スイッチ27を
閉としたときに、第1直流電源26と第2直流電源28
との和の電圧がコイル24に印加されるように接続す
る。
【0022】このようにして、図5に光磁気ディスク1
の半径方向におけるバイアス磁界強度の一例を示すよう
に、光変調オーバライト用光磁気ディスクに対してオー
バライトを行なう際には、第1スイッチ25を閉、第2
スイッチ27を開として、第1直流電源26の電圧をコ
イル24に印加し、これにより少なくともユーザ領域に
おいてレーザ光の照射方向と反対方向に、例えば300
Oeのバイアス磁界を印加するようにする。また、磁気
超解像用光磁気ディスクに対して再生を行なう際には、
第1スイッチ25を開、第2スイッチ27を閉として、
第1直流電源26および第2直流電源28の和電圧をコ
イル24に印加し、これにより少なくともユーザ領域に
おいてレーザ光の照射方向と反対方向に、例えば400
Oeのバイアス磁界を印加するようにする。
【0023】また、光磁気ディスク装置には、装着され
た、あるいは装着される光磁気ディスク1の種類、すな
わち光変調オーバライト用光磁気ディスクか、磁気超解
像用光磁気ディスクかを判別するための判別回路31を
設ける。この判別回路31は、例えば装着された光磁気
ディスク1のプレピット領域の再生信号に基づいて光磁
気ディスク1の種類を判別するよう構成するか、あるい
は光磁気ディスク1を収納するカートリッジに形成され
た識別孔等によって判別するよう構成する。
【0024】判別回路31での判別結果はコントローラ
32に供給し、その判別結果に基づいてコントローラ3
2により、上記の第1スイッチ25および第2スイッチ
27の開閉を制御すると共に、レーザ駆動回路33を介
して半導体レーザ5のパワー等を制御するようにする。
【0025】図6は、この実施形態に係る光磁気ディス
ク装置による再生動作の要部を説明するためのフローチ
ャートである。ここでは、光磁気ディスク1の種類を、
プレピット領域の再生信号から判別するものとする。ま
ず、ディスクが挿入されたか否かを検知し(ステップS
1)、ディスクが挿入されたことが検知されたら、ピッ
クアップをプレピット領域が存在する、例えばディスク
内周側に移動させて(ステップS2)、スピンドルモー
タ2を起動させる(ステップS3)。
【0026】その後、スピンドルモータ2の回転速度を
チェックし(ステップS4)、規定速度に対して誤差が
あれば回転速度を補正して(ステップS5)、半導体レ
ーザ5を再生パワーで発光させる(ステップS6)。
【0027】半導体レーザ5を発光させたら、フォーカ
スサーボをオンにする(ステップS7)と共に、トラッ
キングサーボをオンにして(ステップS8)、プレピッ
ト領域の再生処理を行ない(ステップS9)、その再生
信号に基づいて挿入されたディスクが、光変調オーバラ
イト用光磁気ディスクか、磁気超解像用光磁気ディスク
かを判別する(ステップS10)。
【0028】ここで、挿入されたディスクが光変調オー
バライト用光磁気ディスクと判別された場合には、第1
スイッチ25を閉、第2スイッチ27を開とし(ステッ
プS11)、これによりレーザ光の照射方向と反対方向
に、例えば300Oeのバイアス磁界を印加して、ユー
ザ領域の再生処理(ステップS12)に移行する。
【0029】これに対し、挿入されたディスクが磁気超
解像用光磁気ディスクと判別された場合には、第1スイ
ッチ25を開、第2スイッチ27を閉とし(ステップS
13)、これによりレーザ光の照射方向と反対方向に、
例えば400Oeのバイアス磁界を印加して、ユーザ領
域の再生処理(ステップS12)に移行する。
【0030】上述した実施形態によれば、光変調オーバ
ライト用光磁気ディスクか、磁気超解像用光磁気ディス
クかを判別し、その判別結果に基づいて光変調オーバラ
イト用光磁気ディスクの場合には、例えば300Oeの
バイアス磁界を印加してオーバライト処理を行なうよう
にし、磁気超解像用光磁気ディスクの場合には、例えば
400Oeのバイアス磁界を印加して再生処理を行なう
ようにしたので、光変調オーバライト用光磁気ディスク
および磁気超解像用光磁気ディスクに対して互換性を有
する光磁気ディスク装置を得ることができる。
【0031】また、ホログラム16に、光軸を中心とし
て光磁気ディスク1の情報トラック方向に一定間隔離間
して、二つの遮蔽帯20a,20bを情報トラックと直
交する方向に延在して形成したので、磁気超解像用光磁
気ディスクを再生する際に光検出器17,18,19の
出力に生じるショットノイズを有効に低減することがで
きると共に、遮蔽帯20a,20bの像と光検出器1
7,18,19の各分割線との位置合わせが容易になる
利点がある。
【0032】さらに、光変調オーバライト用光磁気ディ
スクか、磁気超解像用光磁気ディスクかを判別した時点
で、所要の磁界強度のバイアス磁界を光ビーム照射方向
と反対方向に印加するようにしたので、プレピット領域
からユーザ領域に移行して、光変調オーバライト用光磁
気ディスクに対してオーバライト処理を行なう際、ある
いは磁気超解像用光磁気ディスクに対して再生処理を行
なう際の立ち上がりを向上でき、アクセス速度を速める
ことができる。
【0033】なお、上述した実施形態では、光変調オー
バライト用光磁気ディスクに対するオーバライト処理、
および磁気超解像用光磁気ディスクに対する再生処理に
ついて説明したが、電磁石21のコイル24に印加する
直流電圧値や極性、および半導体レーザ5の出射パワー
等を光磁気ディスクの種類に応じて適宜制御して、光変
調オーバライト用光磁気ディスクおよび磁気超解像用光
磁気ディスクに対して再生、消去、オーバライトおよび
再初期化を行なうようにできることは言うまでもない。
【0034】また、上述した実施形態では、ホログラム
16での0次光からトラッキングエラー信号Teをプッ
シュプル法により検出するようにしたが、ホログラム1
6を形成した結晶の裏面側に、ホログラム16での0次
光(P偏光)をS偏光とは異なる方向に回折させる第2
のホログラムを形成し、この第2のホログラムでのP偏
光の±1次光をそれぞれ光検出器で独立して受光して、
これら光検出器の出力の差に基づいてトラッキングエラ
ー信号を検出するようにすることもできる。
【0035】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、光変
調オーバライト用光磁気ディスクか、または磁気超解像
用光磁気ディスクかを判別して、光ビーム照射位置に光
磁気ディスクの種類に応じた所要のバイアス磁界を選択
的に印加するようにしたので、光変調オーバライト用光
磁気ディスクおよび磁気超解像用光磁気ディスクに対し
て互換性を有する光磁気ディスク装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る光磁気ディスク装置の一実施形
態を示す図である。
【図2】図1に示すホログラムの平面図である。
【図3】同じく、ホログラムでの回折光を受光する各光
検出器の平面図である。
【図4】同じく、電磁石の構成を示す斜視図である。
【図5】同じく、電磁石による光磁気ディスクの半径方
向における磁界強度分布を示す図である。
【図6】図1に示す光磁気ディスク装置による再生動作
の要部を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
1 光磁気ディスク 2 スピンドルモータ 5 半導体レーザ 6 コリメータレンズ 7 ビーム整形プリズム 8 偏光ビームスプリッタ 9 対物レンズ 11 フォーカス/トラッキングコイル 12 モニタ用光検出器 15 結像レンズ 16 ホログラム 17,18,19 光検出器 20a,20b 遮蔽帯 21 電磁石 22 センターヨーク 23 サイドヨーク 24 コイル 25 第1スイッチ 26 第1直流電源 27 第2スイッチ 28 第2直流電源 31 判別回路 32 コントローラ 33 レーザ駆動回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光変調オーバライト用光磁気ディスク
    か、または磁気超解像用光磁気ディスクかを判別する判
    別手段と、 前記光変調オーバライト用光磁気ディスクまたは磁気超
    解像用光磁気ディスクの光ビーム照射位置にバイアス磁
    界を選択的に印加するバイアス磁界印加手段と、 前記判別手段での判別結果に基づいて、前記バイアス磁
    界印加手段による印加バイアス磁界を制御する制御手段
    とを有することを特徴とする光磁気ディスク装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の光磁気ディスク装置にお
    いて、 前記制御手段は、前記光変調オーバライト用光磁気ディ
    スクまたは磁気超解像用光磁気ディスクに対して、光ビ
    ーム照射方向と反対方向にバイアス磁界を印加するよう
    に、前記バイアス磁界印加手段を制御することを特徴と
    する光磁気ディスク装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の光磁気ディスク
    装置において、 前記制御手段は、前記光変調オーバライト用光磁気ディ
    スクまたは磁気超解像用光磁気ディスクに対して、その
    プレピット領域でもバイアス磁界を印加するように、前
    記バイアス磁界印加手段を制御することを特徴とする光
    磁気ディスク装置。
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