JPH07311971A - 高密度光情報再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 短波長光源からの光ビームにより、短波長デ
ィスクと長波長ディスクとの互換性を保つとともに、少
なくとも長波長ディスクに記録された異なる記録密度の
情報を再生する。 【構成】 短波長用光ディスクと長波長用ディスクを信
号処理回路５で識別し、光学デバイス４の光路上にＣＬ
１２を挿脱することで、短波長用光ディスクの場合は、
短波長光ビームによる円形状の光スポットを照射して記
録再生を行い、長波長用光ディスクの場合は、ラジアル
方向に長軸を有し、タンジェンシャル方向となる短軸と
なる楕円形状の光スポットを照射し、各ディスクに記録
再生を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、短波長光ビームを光記
録媒体に照射し光スポットを形成して、短波長光ビーム
の戻り光を抽出する高密度光情報再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、近赤外光（例えば波長８３０
nm付近）レーザのような長波長のレーザを照射する半導
体レーザにより情報を記録・再生する光ディスクが広く
普及しているが、このような従来の光ディスクに対する
記録の高密度化が様々検討されており、例えば、従来よ
りある角速度一定（ＣＡＶ）方式の光ディスクに対し
て、例えばスパイラル状のトラックを複数のゾーンに分
割し内周側ゾーンの記録と外周側ゾーンの記録とで角速
度を変化させて（内周側ゾーンの角速度に比べ外周側ゾ
ーンの角速度の方が遅い、外周側の線速度を内周側の線
速度に近づけて）記録・再生するＭＣＡＶ方式の光ディ
スク記録再生装置が開発されている。

【０００３】このＭＣＡＶ方式の光ディスクは、ＣＡＶ
方式の光ディスクに比べて、スパイラル状の各トラック
における最内周ゾーンでの１セクタ当たりの角度θに対
して、例えば最外周ゾーンの１セクタ当たりの角度はθ
／２となり、外周側ゾーンほどセクタ数が増加しＣＡＶ
方式の光ディスクに比べ、記録密度を増大させた光ディ
スクである。

【０００４】また、光ディスク上に絞り込まれる光スポ
ットの径Ｄは、光源からの光ビームの波長をλ、対物レ
ンズに関する開口数をＮＡとすると Ｄ＝λ／ＮＡ …（１） なる関係があることが知られている。

【０００５】さらに、このＭＣＡＶ方式の光ディスクの
記録をさらに高密度化させるために、短波長レーザを使
用することでスポット径を小さくするものが提案されて
おり、例えば波長８３０nmよりも短い波長７８０nmの光
ビームを照射することで、光スポット径を小さくするこ
とで記録密度を約２倍に高めた２倍密ＭＣＡＶ方式の光
ディスク記録再生装置も開発されている。

【０００６】つまり、従来の長波長光源に対して、光源
の波長が短いほど光ディスクの記録密度は高くなるの
で、最近では、半導体レーザや固体レーザの第２高調波
や、バンド幅の広いＩＩ−ＩＶ族の半導体結晶を用いた
７００nm以下の赤、黄、緑、青、紫、紫外、等の短波長
レーザを光源に適用して、光ディスクの記録密度を数倍
以上にまで向上させようとする試みがなされている。

【０００７】例えば、光源の波長が半分になると絞り込
まれた光スポットのサイズは半分となり、その面積は１
／４となるので、光ディスクの記録密度が４倍になる。
この短波長の光源を用いることで、従来のトラックピッ
チよりの短いピッチで形成されたトラックを有する高密
度光ディスクに情報を記録することで高密度記録の実現
が検討されている。

【０００８】その一方で、この短波長光ビームにより従
来の長波長光ビーム用の光ディスクに記録された情報の
再生に互換性を持たせる技術が、例えば特開平５−２４
２５２０号公報に提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣＡ
ＶまたはＭＣＡＶ方式の光ディスクをさらに高密度化す
る要望があり、このため例えば従来のＭＣＡＶ方式の光
ディスクに対して短波長の光ビームを照射することが考
えられるが、光ディスク記録再生装置ではトラックガイ
ドと呼ばれるガイド溝を検出しトラッキング制御を行い
ながら記録・再生を行っているので、光スポットの径Ｄ
は少なくとも、図９に示すように、ラジアル方向でトラ
ックガイドに照射されていなければならないので、光ス
ポットを小さくしようとしても、おのずと光スポット径
Ｄは決まってきて、トラックガイドのピッチＰ以下にす
ることができず、従ってトラック方向、即ちタンジェン
シャル方向の線密度は、ピッチＰ以下にすることができ
ない。つまり、上記特開平５−２４２５２０号公報に示
されるように、従来方式の光ディスクとの互換性をはか
ることは可能であるが、例えば１９９３年１２月に規格
化されたＥＣＭＡ−２０１規格（波長８３０ｎｍ、開口
数０．５３の光学系の最短ピット間隔１．０４０μｍ：
波長７８０ｎｍ、開口数０．５５の光学系の最短ピット
間隔０．８６７μｍ）では、最短マーク長ピットが光ス
ポットより小さく、短波長の光ビームによる従来方式の
光ディスクの高密度化ができないといった問題がある。

【００１０】また、光ディスク再生装置においては、特
に情報の記録方式がピットのエッジが重要となる長穴記
録方式の場合、長穴記録での高密度化を狙って最短マー
ク長を短くしてゆくと最短マーク長ピットが光スポット
より小さくなり、最短マーク長に対応した再生信号を得
ることができないといった問題もある。

【００１１】このように、従来方式の光ディスク再生装
置において、短波長、長波長光ビームによる情報の高密
度化には限界がある。

【００１２】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、短波長光源からの光ビームにより、短波長ディ
スクと長波長ディスクとの互換性を保つとともに、少な
くとも記録密度やトラックピッチの異なる光ディスクに
記録された情報が再生できる高密度光情報再生装置を提
供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の高密度
光情報再生装置は、短波長光ビームを供給する光源手段
と、前記短波長光ビームを光記録媒体に照射し前記光記
録媒体上に光スポットを形成する光スポット形成手段
と、前記光記録媒体に照射された前記短波長光ビームの
戻り光を抽出する光再生手段とを備え、光スポット形成
手段は、前記光記録媒体のトラックピッチに応じて前記
光記録媒体のラジアル方向に長軸を有する略楕円形状の
光スポットを形成するように、前記短波長光ビームを整
形する光ビーム整形手段を備え、前記光ビーム整形手段
により前記短波長光ビームを整形し、前記光記録媒体の
トラックピッチに応じて、前記光スポット形成手段が前
記光記録媒体のラジアル方向に長軸を有する略楕円形状
の光スポットを形成することで、短波長光源からの光ビ
ームにより、短波長ディスクと長波長ディスクとの互換
性を保つとともに、少なくとも記録密度やトラックピッ
チの異なる光ディスクに記録された情報の再生を可能と
する。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて述べる。

【００１５】図１ないし図４は本発明の第１実施例に係
わり、図１は光ディスク装置の要部の構成を示す構成
図、図２は図１のシリンドリカルレンズの構成を示す構
成図、図３は図１の光学デバイスによる光ディスク上の
光スポットを説明する説明図、図４は図１の光強度検出
器の構成を示す構成図である。

【００１６】図１に示すように、本実施例の光情報再生
装置としての光ディスク装置１は、短波長（例えば波長
６８０nm）レーザを供給する半導体レーザ２（光源手
段）と、半導体レーザ２から供給された短波長レーザ
（以下、レーザという）をカートリッジ３ａ内に配設さ
れ図示しないスピンドルモータのターンテーブル上に載
置された相変化型の光ディスク３上に記録された情報ピ
ットに照射する光学デバイス４（光スポット形成手段）
と、情報ピットから戻り光を受光し再生信号を得る光検
出器７（光再生手段）と、光学デバイス４から再生信号
に基づき光ディスク３に記録された情報を再生する信号
処理回路５と、光学デバイス４により検出された半導体
レーザ２が供給したレーザの強度に基づき半導体レーザ
２を制御し一定の光量とするＡＰＣ（オートパワーコン
トローラ）回路６とを備えて構成される。

【００１７】尚、レーザは、Ｎｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＶ
Ｏ4の第２高調波による波長５３０nmの短波長レーザで
も良い。

【００１８】まず、挿入された光ディスク３が長波長用
光ディスクであった場合、カートリッジ３ａの識別子に
より判断され、その後、１対のシリンドリカルレンズ
（以下、ＣＬと記す）１２が位置決めされ、前記光学デ
バイス４では、コリメータレンズ１１により半導体レー
ザ２から直線偏光の光ビームを平行にする。コリメータ
レンズ１１により平行となった光ビームは、ＣＬ１２を
透過することで、紙面垂直方向を短軸とした楕円形状に
光ビームをビーム整形される。そして、ＣＬ１２により
楕円形状となった光ビームは、誘電体多層膜よりなるＰ
偏光７０％透過３０％反射、Ｓ偏光１００％反射のビー
ムスプリッタ（以下、ＢＳと記す）１３により偏光分離
される。

【００１９】このＢＳ１３で一部が反射された反射光
は、３分割された受光領域よりなる光強度検出器１４に
導かれる。この光強度検出器１４で得られる出力は、Ａ
ＰＣ回路６に供給されると共に、ＣＬ１２の挿入状態を
識別する制御信号として信号処理回路５に送出される。

【００２０】一方、ＢＳ１３を透過したＰ偏光成分の楕
円形状の光ビームは、１／４波長板１５を透過し対物レ
ンズ１６に入射され、光ディスク３上に光スポットとし
て集光される。集光された光スポットは、光ディスク３
で反射され、再び対物レンズ１６に入射して平行な光ビ
ームとなり、この光ビームは再び１／４波長板１５を透
過しＢＳ１３で反射され、単レンズ１７によって収束さ
れ、台形状したハーフプリズム（以下、ＨＰと記す）１
９で２分割され、受光領域が２分割された光検出器７で
受光され、再生信号として信号処理回路５に出力され
る。

【００２１】このＨＰ１９で２分割に分離することで、
公知技術であるフォーカスサーボをビームサイズ法で、
トラッキングサーボをプッシュプル法により行うように
なっている。

【００２２】前記ＣＬ１２は、駆動回路１８により光学
デバイス４の光路上に挿脱自在に配置されるようになっ
ている。そして、信号処理回路５は、光ディスク３が挿
入された初期動作時に、コントロールトラックのトラッ
クピッチ１．６μｍに対して光スポットが小さくトラッ
キングがかからないため、ＭＣＡＶディスクかＣＡＶデ
ィスクかを識別するときは光ディスク３の最内周のコン
トロールトラックの情報を再生し、また短波長ディスク
か長波長ディスクかを識別するときはカートリッジ３ａ
に設けられた識別子を検出する識別回路１０からの出力
によって、光ディスク３の種類を識別することで、駆動
回路１８を制御するようになっている。

【００２３】光ディスク上に絞り込まれる光スポットの
径Ｄは、光源からの光ビームの波長をλ、対物レンズ１
６に関する開口数をＮＡとすると、Ｄ＝λ／ＮＡである
ので、光スポットの径Ｄは、対物レンズ１６に関する開
口数のＮＡ及び光ビームの波長λの設定される。本光情
報再生装置１においては光ビームの波長が一定であるの
で、長波長用の光ディスクのトラックガイドを検出する
ためには光スポットのラジアル方向の径Ｄを拡大する必
要があり、そのためには対物レンズ１６に入射する光ビ
ームの上記ラジアル方向に対応する径を小さくする必要
がある。

【００２４】ＣＬ１２は、図２に示すように、凸形状レ
ンズ２１と、凹形状レンズ２２とからなり、円形状のビ
ームの１方向（トラック上でみたラジアル方向）を縮小
するようになっており、凸形状レンズ２１の焦点距離を
ｆ1、凹形状レンズ２２の焦点距離をｆ2とし、凸形状レ
ンズ２１の入射光ビーム径をφ1、凹形状レンズ２２の
出射光ビーム径をφ2、レンズ間距離をＬとすると、 φ1／φ2＝ｆ1／ｆ2 かつ Ｌ＝ｆ1−ｆ2 …（２） であるので、ここで、例えばｆ1＝４０mm、ｆ2＝２８mm
とすると、 φ2＝０．７×φ1、Ｌ＝１２mm …（３） となり、円形状のビームの１方向が７０％に縮小され楕
円形状のビームとして出射される。このときレンズ間距
離Ｌは、整形手段のひとつとしてビームエキスパンダが
あるが、これと比較して１２mmと短くでき、ＣＬ１２が
小型に構成できる。つまり、短波長の円形状のビームを
１方向（トラック上でみたラジアル方向）に縮小させる
ことで、図３（ａ）に示すように短波長用光ディスクの
トラックピッチＰ1に対して最適な光スポット径Ｄ1が、
図３（ｂ）に示すように例えば長波長用光ディスクのト
ラックピッチＰ2に対して最適なラジアル方向に長軸Ｄ2
を有する楕円形状の光ビームにビーム整形する。

【００２５】上述したように、このＣＬ１２は駆動回路
１８により光学デバイス４の光路上に挿脱自在に配置さ
れるようになっているが、半導体レーザ２の制御と共に
その挿脱状態を検出するために前記光強度検出器１４が
設けられている。この光強度検出器１４で得られる出力
は、ＡＰＣ回路６に供給されると共に、制御信号として
信号処理回路５に送出される。

【００２６】光強度検出器１４は、図４に示すように、
３分割された受光領域２５ａ，２５ｂ，２５ｃからなる
受光素子２５と、受光領域２５ａ，２５ｂ，２５ｃから
の光電変換出力を加算する加算器２６と、受光領域２５
ａ、２５ｃの合成出力から受光領域２５ｃの出力を減算
する第１減算器２７と、第１減算器２７の出力を所定値
と比較する第２減算器２８とを備えて構成され、加算器
２６及び第２減算器２８の出力がＡＰＣ回路６に出力さ
れることで、ＡＰＣ回路６が半導体レーザ２を制御する
ことで光ビームの光量を一定に制御する。

【００２７】つまり、短波長用光ディスクの場合はＣＬ
１２は駆動回路１８により光路上より除去されるので、
短波長の光ビームは円形状のビームとなってＢＳ１３に
入射し、Ｐ偏光成分３０％が反射され、光強度検出器１
４上で円形状の光ビームが照射され、受光素子２５で受
光される。また、長波長用光ディスクの場合はＣＬ１２
は駆動回路１８により光路上に挿入されるので、短波長
の光ビームは楕円形状の光ビームとなってＢＳ１３に入
射し、Ｐ偏光成分３０％が反射され、光強度検出器１４
上で楕円形状の光ビームが照射され、受光素子２５で受
光される。その結果、加算器２６の出力は変化しない
が、受光領域２５ｂでの受光量が楕円形状の光ビームの
方が増加するため、第２減算器２８の出力が変化する。
これにより信号処理回路５はＣＬ１２の挿脱状態を認識
すると共に、ＡＰＣ回路６が加算器２６の出力により一
定光量となるように半導体レーザ２を制御する。

【００２８】このように本実施例の光ディスク装置１で
は、信号処理回路５でＭＣＡＶディスクかＣＡＶディス
クかを識別するときは光ディスク３の最内周のコントロ
ールトラックの情報を再生し、また短波長ディスクか長
波長ディスクかを識別するときは識別回路１０によって
カートリッジ３ａに設けられた識別子を検出して識別
し、短波長用の光ディスクの場合は駆動回路１８により
ＣＬ１２を除去し、その除去状態を識別する制御信号を
光強度検出器１４より入力する。また、長波長光ディス
クの場合には、駆動回路１８によりＣＬ１２を光路上に
挿入し、その挿入状態を識別する制御信号を光強度検出
器１４より入力する。

【００２９】従って、本実施例の光ディスク装置１によ
れば、短波長用光ディスクと長波長用ディスクを識別
し、光路上にＣＬ１２を挿脱することで、短波長用光デ
ィスクの場合は、図３（ａ）に示したように短波長光ビ
ームによる径Ｄ1の円形状のスポットを用いて記録再生
を行い、長波長用光ディスクの場合は、図３（ｂ）に示
したようにラジアル方向に長軸Ｄ2を有し、タンジェン
シャル方向となる短軸が短波長光ビームの光スポット径
Ｄ1である楕円形状光スポットにより記録再生を行うこ
とができるので、短波長用光ディスクの場合は短波長光
ビームにより高密度化が実現でき、長波長用光ディスク
の場合もタンジェンシャル方向となる短軸が短波長光ビ
ームの光スポット径Ｄ1である楕円形状光スポットを用
いることで、トラックガイドを検出すると共に、タンジ
ェンシャル方向、即ち線密度を高密度化することがで
き、記録密度を向上させることができる。

【００３０】また、この楕円形状の光ビームでは、近赤
外の半導体レーザで記録された情報を何等支障なく再生
でき、広い互換性を有している。

【００３１】次に第２実施例について説明する。図５は
第２実施例に係る光ディスク装置の構成を示す構成図で
ある。第２実施例は第１実施例とほとんど同じであるの
で、異なる構成のみ説明し同一構成には同じ符号をつけ
説明は省略する。

【００３２】第２実施例の光ディスク装置は、光磁気デ
ィスクに情報を記録再生する光磁気ディスク装置であっ
て、図５に示すように、光磁気ディスク３０に記録用光
ビームを照射すると共に光磁気ディスク３０に電磁石３
１により磁界を印加することで、情報を熱磁気的に記録
すると共に、光ビームを光磁気ディスク３０に照射しカ
ー効果による戻り光を検出することで情報の記録再生を
行うものである。

【００３３】そして第２実施例の光ディスク装置では、
固定光学系３２と移動光学系３３とからなる分離光学系
を構成しており、固定光学系３２は、半導体レーザ２か
らの光ビームをコリメータレンズ１１により平行光にし
て、斜めより整形プリズム３４に平行光ビームを入射さ
せる。整形プリズム３４により半導体レーザ２からの楕
円形状の光ビームを円形な光ビームに整形する。そし
て、整形プリズム３４により整形された円形な光ビーム
を挿脱可能なＣＬ１２及びＢＳ１３を介して移動光学系
３３に出射する。移動光学系３３では、固定光学系３２
からの光ビームをミラー３５により光磁気ディスク３０
の記録面方向に反射し、対物レンズ１６により光磁気デ
ィスク３０に照射する。

【００３４】ＣＬ１２は、モータ３６の軸に固定された
アーム３７の取付部３７ａにＣＬホルダ３７ｂを介して
接着して取り付けられており、駆動回路１８によりモー
タ３６の回転軸を回転させることで挿脱自在に光路上に
設置されるようになっている。

【００３５】その他の構成、作用は第１実施例と同じで
ある。

【００３６】このように構成された第２実施例では、第
１実施例の効果に加え、移動部が移動光学系だけである
ので、装置規模が縮小できる。尚、光磁気ディスクに限
らず、第１実施例と同様に相変化型ディスク等にも適用
できることはいうまでもない。

【００３７】次に、第３実施例についてついて説明す
る。図６及び図７は第３実施例に係わり、図６は光ディ
スク装置の構成を示す構成図、図７は図６の液晶絞りの
構成を示す構成図である。第３実施例は第２実施例とほ
とんど同じであるので、異なる構成のみ説明し同一構成
には同じ符号をつけ説明は省略する。

【００３８】第３実施例は、図６に示すように、第２実
施例のＣＬ１２の代わりに液晶絞り４１を用いて、液晶
駆動回路４２により駆動されるように構成した光ディス
ク装置である。

【００３９】液晶絞り４１は、図７に示すように、３分
割され上下部に液晶部４１ａ，４１ｂを形成し、基板は
ガラス板または半導体レーザ２の偏光方向だけを対物レ
ンズ１６の光軸回りに回転させる１／２波長板にカナダ
バルサムで接合し、中央部は透明に構成されている。液
晶部４１ａ，４１ｂは液晶駆動回路４２によって、紙面
内偏光を反射したりあるいは透過したりするようになっ
ている。そして液晶部４１ａ，４１ｂを駆動させて入射
光ビームを反射させると、図３（ｂ）に示したように光
磁気ディスク上に略楕円形の光スポットが形成され、液
晶部４１ａ，４１ｂを休止させ入射光ビームを透過させ
ると、図３（ａ）に示したように光磁気ディスク上に円
形の光スポットが形成される。形成される光スポットに
ついては、図３で説明したものと同じであるので、説明
は省略する。

【００４０】液晶部４１ａ，４１ｂの駆動による光磁気
ディスクへ照射する光ビームの光量の低下を防止するた
めに、図４で説明した光強度検出器１４により、３分割
された受光領域２５ａ，２５ｂ，２５ｃでＢＳ１３に入
射した光ビームのうち反射によりＰ偏光３０％、Ｓ偏光
１００％の光量を検出する。つまり、液晶部４１ａ，４
１ｂを休止させ入射光ビームを透過させると、受光領域
２５ａ，２５ｂ，２５ｃで受光することになり、加算器
２６の出力は受光領域２５ａ，２５ｂ，２５ｃでの光電
変換出力の和となるが、液晶部４１ａ，４１ｂを駆動さ
せ入射光ビームを一部反射させると、受光領域２５ｂの
みで受光することになり、加算器２６の出力は受光領域
２５ｂでの光電変換出力となる。そこで、ＡＰＣ回路６
により半導体レーザからの光ビームの光量を増大させ、
液晶部４１ａ，４１ｂの駆動時の加算器２６の出力が液
晶部４１ａ，４１ｂの休止時の加算器２６の出力と同じ
になるように制御する。これにより光磁気ディスクへ照
射する光ビームの光量を一定にすることができる。

【００４１】その他の構成、作用は第２実施例と同じで
ある。

【００４２】光磁気ディスク上に円形状のビームから略
楕円形状の光ビームへの整形を液晶絞り４１により行っ
ているので、第２実施例の効果に加え、モータ等の機構
を必要としないので、簡単かつ小型に固定光学系を構成
することができる。

【００４３】次に、第４実施例についてついて説明す
る。図８は第３実施例に係る光ディスク装置の構成を示
す構成図である。第４実施例は第２実施例とほとんど同
じであるので、異なる構成のみ説明し同一構成には同じ
符号をつけ説明は省略する。

【００４４】第４実施例は、図８（ａ）に示すように、
第２実施例のＣＬ１２の代わりに１／２波長板絞り５１
を用いて、駆動回路５２により回転駆動されるように構
成した光ディスク装置である。

【００４５】図８（ｂ）に示すように、１／２波長板絞
り５１は、透明板を３分割し両端の分割域に１／２波長
板５１ａ，５１ｂを接着したものであって、この１／２
波長板絞り５１は、図示しない回転機構及び駆動回路１
８により光軸中心に回転するようになっている。

【００４６】整形プリズム３４を出射する直線偏光（Ｐ
偏光）の円形状のビームは、１／２波長板絞り５１が作
用しない位置にあるときはそのまま透過し、Ｐ偏光の円
形状のビームをＢＳ１３に入射する。

【００４７】一方、１／２波長板絞り５１を作用しない
位置から所定の角度回転させると、１／２波長板絞り５
１の１／２波長板５１ａ，５１ｂを透過した光ビームは
Ｓ偏光となり、Ｐ偏光の光とＳ偏光の光がＢＳ１３に入
射される。

【００４８】ＢＳ１３は、Ｐ偏光７０％透過３０％反
射、Ｓ偏光１００％反射という特性を有しているので、
１／２波長板絞り５１が作用しない場合は、光強度検出
器５４ではその３０％が受光され、７０％のＰ偏光成分
の光ビームにより光磁気ディスク上に円形スポットを形
成し、１／２波長板絞り５１が作用しＰ偏光の光とＳ偏
光の光が入力される場合は、Ｐ偏光３０％、Ｓ偏光１０
０％が光強度検出器５４で受光され、光磁気ディスク上
には略楕円形状の光スポットを形成される。

【００４９】光強度検出器５４は、１／２波長板絞り５
１が作用するときの分割線に対して、平行に配置された
３分割に受光領域が分割されており、１／２波長板絞り
５１が作用される位置にある場合、の１／２波長板５１
ａ，５１ｂを透過したＳ偏光成分の光ビームはＢＳ１３
で反射し、受光領域５４ａ，５４ｃで受光される。ま
た、１／２波長板絞り５１の透明部を透過した光ビーム
はＢＳ１３で３０％反射し、受光領域５４ｂで受光され
る。この１／２波長板絞り５１が作用される場合におい
ては、作用されない場合に比べ、光電変換出力が増大す
る。これは１／２波長板絞り５１が作用される場合の方
がＳ偏光が発生し、そのＳ偏光がＢＳ１３で反射される
からである。

【００５０】ＡＰＣ回路６は、加算器５５により受光領
域５４ａ，５４ｂ，５４ｃからの光電変換出力を加算す
ることで、半導体レーザ２の光量を制御するようになっ
ているので、受光量が増大すると半導体レーザからの光
ビームの光量を減少させるように作用するので、信号処
理回路５で光磁気ディスクの種類を識別し長波長用光磁
気ディスクの場合は、切り換えスイッチ５６により受光
領域５４ｂの光電変換出力のみをＡＰＣ回路６に出力す
ることで、半導体レーザからの光ビームの光量を増加さ
せるようになっている。照射する光スポットの偏光方向
をトラックガイドに対して４５゜にすることに場合は、
半導体レーザ２を４５゜回転させるか、半導体レーザ２
とＢＳ１３間に１／２波長板を配置、固定させるように
する。

【００５１】その他の構成、作用及び効果は第２実施例
と同じである。

【００５２】尚、上記各実施例においては、一般にトラ
ックピッチの異なる複数の光ディスクに対して、トラッ
クピッチの狭い光ディスクに基づいて半導体レーザの波
長と対物レンズの開口数を最適化する（０．５３〜０．
５５）ことで、光スポットを必ずしも略楕円整形するこ
となく、トラックピッチの異なる光ディスクが再生可能
となり広い互換性と高密度化が実現できる。

【００５３】つまり、例えば、異なるトラックピッチ
（以下、Ｔ．Ｐと記す）を有する光ディスクとして、
Ｔ．Ｐ＝１．６μｍのＣＡＶディスク（ａ）、Ｔ．Ｐ＝
１．３４μｍのＭＣＡＶディスク（ｂ）があり、通常、
ＣＡＶディスク（ａ）では波長は８３０ｎｍの光ビーム
により、ＭＣＡＶディスク（ｂ）では波長は７８０ｎｍ
の光ビームによりそれぞれ記録再生を行っているが、Ｍ
ＣＡＶディスク（ｂ）に対する波長７８０ｎｍと対物レ
ンズの開口数（０．５３〜０．５５）によって、略楕円
整形することなくＣＡＶディスク（ａ）の記録再生は可
能であり、互換性を持たせることができる。

【００５４】また、例えば、Ｔ．Ｐ＝１．１５μｍのＭ
ＣＡＶディスク（ｃ）（通常光ビーム波長：６８０ｎ
ｍ）、Ｔ．Ｐ＝０．９μｍのＣＡＶディスク（ｄ）（通
常光ビーム波長：５３０ｎｍ）においては、ＭＣＡＶデ
ィスク（ｃ）に基づく波長６８０ｎｍと対物レンズの開
口数を設定することで、ＭＣＡＶディスク（ｃ）だけで
なく、ＭＣＡＶディスク（ｂ）は略楕円整形することな
く、ＣＡＶディスク（ａ）は略楕円整形することでそれ
ぞれ記録再生が可能であり、広い互換性を持たせること
ができる。

【００５５】同様に、ＣＡＶディスク（ｄ）に基づく波
長５３０ｎｍと対物レンズの開口数（０．５３〜０．５
５）を設定することで、ＣＡＶディスク（ｄ）だけでな
くＭＣＡＶディスク（ｃ）は略楕円整形することなく、
ＭＣＡＶディスク（ｂ）及びＣＡＶディスク（ａ）は略
楕円整形することでそれぞれ記録再生が可能であり、広
い互換性を持たせることができる。

【００５６】上記各実施例においては、光ディスク上に
実際に記録された単穴、長穴記録に対して、リードデー
タが長くなることはなく、２値化の際のスライスレベル
を変化させる複雑な回路も必要なく、単純に構成でき
る。

【００５７】また、複数の光検出器により複数トラック
に記録されたピット列を同時に読み取る従来の方式に対
しては従来の光情報再生装置は、高帯域の信号を再生す
ることはできず、即ちランド記録とグループ記録を併用
したり、グループ間に複数の情報ピットを記録する記録
媒体に対しては適用できないが、上記各実施例は、上述
したように、略楕円ビームの光スポットを記録媒体上に
照射し、複数の情報ピットを読み取ることが可能である
ので、転送速度が向上させることができる。さらに、各
情報を再生するために公知のＰＲＭＬ信号処理と組み合
わせることで、符号間干渉が制御され、高密度記録が可
能となる。

【００５８】［付記］ １）前記短波長光ビームは、円形状のビームであって、
光ビーム整形手段は、前記短波長光ビームの一部を遮断
する遮断手段（図６の液晶絞り４１または図８の１／２
波長板絞り５１）である請求項１に記載に高密度光情報
再生装置。

【００５９】２）前記光スポット形成手段が光記録媒体
に照射する前記短波長光ビームの光量を検出し、前記遮
断手段による遮断状態を判断する光量検出手段（図１の
光強度検出器１４）と、前記光量検出手段により前記短
波長光ビームの光量検出結果に基づき、前記光源手段を
制御する光源制御手段（図１のＡＰＣ回路６）と、を備
えた付記１に記載の高密度光情報再生装置。

【００６０】３）前記光量検出手段は、複数に分割しさ
れた受光領域よりなる受光素子（図４の受光素子２５）
を備え、複数の前記受光領域からの出力を演算すること
で、前記遮断手段による遮断状態を判断する付記２に記
載の高密度光情報再生装置。

【００６１】４）トラックピッチの異なる複数の光記録
媒体を識別する識別手段（図１の信号処理回路５）と、
光ビームを供給する光源手段（図１の半導体レーザ２）
と、前記短波長光ビームを光記録媒体に照射し前記光記
録媒体上に光スポットを形成する光スポット形成手段
（図１の光学デバイス４）と、前記光記録媒体に照射さ
れた前記短波長光ビームの戻り光を抽出する光再生手段
（図１の光検出器７）とを備え、前記光源手段が供給す
る前記光ビームの波長及び前記光スポット形成手段の開
口数は、前記複数の光記録媒体のうち最もトラックピッ
チの狭い光記録媒体に基づいて設定される高密度光情報
再生装置。

【００６２】５）前記光記録媒体は、ＣＡＶ方式の光デ
ィスクあるいはＭＣＡＶ方式の光ディスクのいずれか一
方であって、前記光スポット形成手段は、前記光記録媒
体のトラックピッチを検出はするが、ＣＡＶ方式の光デ
ィスクあるいはＭＣＡＶ方式の光ディスクかの識別は行
わない請求項１に記載の高密度光情報再生装置。

【００６３】このように前記光スポット形成手段を構成
することで、ＣＡＶ方式の光ディスク及びＭＣＡＶ方式
の光ディスクに対して記録再生が行え、広い互換性を持
たせることが可能となる。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の高密度光情
報再生装置によれば、光ビーム整形手段により短波長の
半導体レーザから照射された光ビームを整形し、光記録
媒体のトラックピッチに応じて、光スポット形成手段が
光記録媒体のラジアル方向に長軸を有する略楕円形状の
光スポットを形成することで、短波長光源からの光ビー
ムにより、短波長ディスクと長波長ディスクとの互換性
を保つとともに、少なくとも近赤外の半導体レーザによ
って記録された異なる記録密度の情報が再生できるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る光ディスク装置の要
部の構成を示す構成図

【図２】図１のシリンドリカルレンズの構成を示す構成
図

【図３】図１の光学デバイスによる光ディスク上の光ス
ポットを説明する説明図

【図４】図１の光強度検出器の構成を示す構成図

【図５】本発明の第２実施例に係る光ディスク装置の要
部の構成を示す構成図

【図６】本発明の第３実施例に係る光ディスク装置の要
部の構成を示す構成図

【図７】図６の液晶絞りの構成を示す構成図

【図８】本発明の第４実施例に係る光ディスク装置の要
部の構成を示す構成図

【図９】トラックピッチと光スポット径の関係を説明す
る説明図

【符号の説明】

１…光ディスク装置 ２…半導体レーザ ３…光ディスク ４…光学デバイス ５…信号処理回路 ６…ＡＰＣ回路 ７…光検出器 １１…コリメータレンズ １２…シリンドリカルレンズ １３…偏光ビームスプリッタ １４…光強度検出器 １５…１／４波長板 １６…対物レンズ １７…単レンズ １８…駆動回路 １９…ハーフプリズム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 短波長光ビームを供給する光源手段と、 前記短波長光ビームを光記録媒体に照射し前記光記録媒
   体上に光スポットを形成する光スポット形成手段と、 前記光記録媒体に照射された前記短波長光ビームの戻り
   光を抽出する光再生手段とを備え、 前記光スポット形成手段は、 前記光記録媒体のトラックピッチに応じて、前記光記録
   媒体のラジアル方向に長軸を有する略楕円形状の光スポ
   ットを形成するように、前記短波長光ビームを整形する
   光ビーム整形手段を備えたことを特徴とする高密度光情
   報再生装置。