JPH11185308A - 光ディスク並びにその製造装置および製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溝の深さを深くした場合でも、ランド部およ
びグルーブ部に対し略同じレーザパワーの光を用いて情
報の記録・消去が行えるランド・グルーブ記録方式の光
ディスク、並びに、そのような光ディスクの製造装置お
よび製造方法を提供すること。 【解決手段】 スパッタリング法を用い、光ディスクの
基板２２上に薄膜を形成する光ディスクの製造装置１０
であって、ターゲット２４を保持するターゲットホルダ
１４と、基板２２を保持する基板ホルダ１２と、ターゲ
ットホルダ１４に保持されたターゲット２４の周囲を覆
い基板ホルダ１２側に開口部１５ａを有する筒状のフー
ド１５とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク並びに
その製造装置および製造方法に関し、特に、ランド・グ
ルーブ記録方式の光ディスク並びにその製造装置および
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、情報を高密度に記録でき
かつ高速に再生できることから、主としてオーディオ用
やコンピュータ用の記録媒体として注目されている。そ
して、このような光ディスクの製造に当たっては、従来
より周知のスパッタリング装置が用いられ、光ディスク
の基板上に記録膜や保護膜などが順次形成される。

【０００３】ここで、光ディスクの基板上に記録膜など
を形成するスパッタリング装置には、大別すると、基板
をターゲットに対して静止させてスパッタリングを行う
方式と、基板をターゲットに対して移動させながらスパ
ッタリングを行う方式とがある。このうち、基板を移動
させる方式の移動スパッタリング装置によれば、一度に
多数の光ディスクを製造することができるので、生産上
有利である。

【０００４】なお、この移動スパッタリング装置におけ
る基板の移動方式には、ターゲットの中心軸から偏心し
た軸を中心にして基板を公転させる方式や、基板を同様
にして公転させつつ自転もさせる自公転方式が知られて
いる。このうちの自公転方式を採用した移動スパッタリ
ング装置（以下「自公転スパッタリング装置」という）
９０では、図１６に示されるように、スパッタリング室
９１内に、複数の基板９６，９６，…を保持するための
複数の基板ホルダ９２，９２，…（図１６では８個）
と、ターゲット９５（例えば、記録膜用のターゲット）
を保持するためのターゲットホルダ９４とが配置されて
いる。

【０００５】なお、複数の基板ホルダ９２，９２，…は
各々パレット９３に取り付けられ、図示されない回転軸
を中心に自転できるようになっている。さらに、パレッ
ト９３自身も、回転軸Ｌ９３を中心に自転できるように
なっている。したがって、この自公転スパッタリング装
置９０を用いた光ディスクの製造時に、基板ホルダ９
２，９２，…に保持された複数の基板９６，９６，…
は、自転しつつ、ターゲット９５の中心軸Ｌ９５から偏
心した回転軸Ｌ９３を中心にして公転することができ
る。

【０００６】このように、複数の基板９６，９６，…を
自公転させながら、ターゲット９５をスパッタリングす
ることで、複数の基板９６，９６，…の全てに、内周か
ら外周にわたって非常に均一性の高い薄膜（例えば、記
録膜）を形成できる。また、この自公転スパッタリング
装置９０によれば、スパッタリング室９１内に複数のタ
ーゲットを配置することで、多元同時スパッタリングを
行うこともできる。

【０００７】このため、記録膜のようにこれを構成する
元素の種類が多い場合でも、ターゲットの組み合わせを
適宜選択することで、その組成比を容易に制御すること
ができる。ところで、近年、光ディスクのさらなる大容
量化が求められている。このような要求に応えるために
は、情報をさらに高密度に記録することが必要とされ、
ランド・グルーブ記録方式が提案されている。

【０００８】このランド・グルーブ記録方式は、光ディ
スクに形成された溝の底部（グルーブ部）と、隣り合う
溝の間部（ランド部）との双方に情報を記録する方式で
ある。つまり、このランド・グルーブ記録方式では、ト
ラックピッチ（隣接するランド部とグルーブ部との間の
ピッチに相当する）が、ランド部のみに記録する方式や
グルーブ部のみに記録する方式のトラックピッチの半分
程度となり、トラック幅方向の記録密度（トラック密
度）を高めることができる。

【０００９】しかし、このランド・グルーブ記録方式の
光ディスクでは、あるトラック（例えば、ランド部）の
情報の記録・消去時に、照射された光により生じる熱が
隣接するトラック（例えば、グルーブ部）にも伝わって
しまい、このときの温度上昇によって、隣接するトラッ
クの情報が部分的に消去されてしまうことがある（クロ
スイレーズ）。

【００１０】このため、ランド・グルーブ記録方式の光
ディスクでは、隣接するランド部とグルーブ部との段差
を大きくする（溝の深さを深くする）ことによって、ラ
ンド部とグルーブ部との間の距離を大きくし、それによ
りランド部とグルーブ部との間で熱を伝わりにくくし
て、クロスイレーズを回避するようにしている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
溝の深さを深くしたランド・グルーブ記録方式の光ディ
スクを製造するに当たり、深い溝が形成された基板９６
上に、上記した従来の自公転スパッタリング装置９０を
用いて記録膜を成膜すると、以下のような問題が生じて
しまう。

【００１２】一般に、ターゲットから飛び出すスパッタ
リング粒子の方向性は余弦則にしたがうため、ターゲッ
ト９５から飛び出すスパッタリング粒子には、垂直方向
に飛び出すものだけでなく、斜め方向に飛び出すものも
ある。ここで、ターゲット９５から垂直方向に飛び出し
たスパッタリング粒子は、基板９６に垂直に入射するた
め、図１７に示されるように、基板９６に形成された溝
９７の深さＤが深い場合（例えば、１８０ｎｍ）でも、
そのランド部９７Ｌとグルーブ部９７Ｇとの双方に等し
い割合で到達できる（図中のスパッタリング粒子９８
ａ，９８ｂ参照）。

【００１３】これに対し、ターゲット９５から斜め方向
に飛び出したスパッタリング粒子は、基板９６に斜めに
入射するため、図１８に示されるように、基板９６に形
成された溝９７の深さＤが深い場合（例えば、１８０ｎ
ｍ）には、深い溝９７の側壁９７Ｓに付着したり（図中
のスパッタリング粒子９９ａ，９９ｂ参照）、ランド部
９７Ｌに遮られてこのランド部９７Ｌに付着したりして
（図中のスパッタリング粒子９９ｃ参照）、グルーブ部
９７Ｇに到達できない。

【００１４】このため、深い溝９７が形成された基板９
６上への記録膜の形成時、この基板９６に斜め方向から
スパッタリング粒子が多く入射すると、その分だけラン
ド部９７Ｌに多くのスパッタリング粒子が付着し、形成
される記録膜の膜厚がランド部９７Ｌで厚くグルーブ部
９７Ｇで薄くなってしまう。

【００１５】したがって、深い溝９７が形成された基板
９６のランド部９７Ｌとグルーブ部９７Ｇとで記録膜の
膜厚を一定にしたいのであれば、スパッタリング粒子を
基板９６に斜め方向から入射させないようにし、垂直方
向から来るスパッタリング粒子のみを基板９６に入射さ
せるようにすればよい。しかしながら、上記した従来の
自公転スパッタリング装置９０を用いて深い溝９７が形
成された基板９６上に記録膜を形成する場合、この基板
９６は、図１９に示されるように、回転軸Ｌ９３まわり
に公転する。

【００１６】すなわち、基板９６は、この公転によっ
て、ターゲット９５から垂直方向に飛び出したスパッタ
リング粒子９５ａ，９５ｂが飛んでくる領域（ターゲッ
ト９５の直上の領域）９５Ａだけでなく、斜め方向のス
パッタリング粒子９５ｃ，９５ｄしか飛んで来ない領域
（直上の領域９５Ａの周辺領域）９５Ｂをも必ず通過し
なければならない。

【００１７】図１９には、基板９６が直上の領域９５Ａ
内に位置している状態が実線で、直上の領域９５Ａから
出て周辺領域９５Ｂ内に至った状態、および直上の領域
９５Ａに至る手前で周辺領域９５Ｂ内に位置している状
態が破線で示されている。ここで、基板９６が直上の領
域９５Ａ内に位置するときには、垂直方向のスパッタリ
ング粒子９５ａ，９５ｂの入射によって、この基板９６
に形成された深い溝９７のランド部９７Ｌとグルーブ部
９７Ｇとに等しい割合でスパッタリング粒子が到達す
る。

【００１８】これに対し、基板９６が周辺領域９５Ｂ内
に位置するときには、斜め方向のスパッタリング粒子９
５ｃ，９５ｄだけがこの基板９６に入射するので、この
基板９６に形成された深い溝９７のグルーブ部９７Ｇに
はスパッタリング粒子が到達せず、ランド部９７Ｌにス
パッタリング粒子が多く到達することになる。このよう
に、従来の自公転スパッタリング装置９０を用いて、深
い溝９７が形成された基板９６上に記録膜を形成する
と、基板９６が周辺領域９５Ｂを通過するたびに斜め方
向のスパッタリング粒子９５ｃ，９５ｄがランド部９７
Ｌに付着するため、形成される記録膜の膜厚がランド部
９７Ｌで厚くグルーブ部９７Ｇで薄くなることを避ける
ことはできなかった。

【００１９】実際に、溝９７を深くした（例えば、１８
０ｎｍ）基板９６に、従来の自公転スパッタリング装置
９０を用いて記録膜を成膜し、ランド・グルーブ記録方
式の光ディスクを製造したところ、グルーブ部９７Ｇの
膜厚は、ランド部９７Ｌの膜厚の６割程度であった。さ
らに、上記のように記録膜がランド部９７Ｌで厚くグル
ーブ部９７Ｇで薄く形成されたランド・グルーブ記録方
式のディスクでは、実際にランド・グルーブ記録を行う
際のレーザパワーを、ランド部９７Ｌへの情報の記録・
消去時は高パワーに、グルーブ部９７Ｇへの情報の記録
・消去時には低パワーに、各々設定しなければならない
と云う問題も生じる。一般に、情報の記録・消去に最適
なレーザパワーの値は、記録膜の膜厚によって異なるか
らである。その結果、ランド・グルーブ記録を行う際の
動作や、記録再生装置の構成が複雑になる。

【００２０】本発明の目的は、溝の深さを深くした場合
でも、ランド部およびグルーブ部に対し略同じレーザパ
ワーの光を用いて情報の記録・消去が行えるランド・グ
ルーブ記録方式の光ディスク、並びに、そのような光デ
ィスクの製造装置および製造方法を提供することにあ
る。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、スパッタリング法を用い、光ディスクの基板上に薄
膜を形成する光ディスクの製造装置であって、ターゲッ
トを保持するターゲットホルダと、基板を保持する基板
ホルダと、ターゲットホルダに保持されたターゲットの
周囲を覆い基板ホルダ側に開口部を有する筒状のフード
とを備えたものである。

【００２２】したがって、請求項１に記載の発明によれ
ば、スパッタリング時、ターゲットから斜め方向に飛び
出したスパッタリング粒子をフードの内側筒面に付着さ
せて、フードの開口部から外に飛散させないようにし、
ターゲットから垂直方向に飛び出したスパッタリング粒
子のみを、ターゲットの直上の領域に位置する基板に入
射させることができる。その結果、基板に形成された溝
が深い場合でも、そのランド部とグルーブ部とに膜厚が
略一定の薄膜が形成され、ランド部およびグルーブ部に
対し略同じレーザパワーの光を用いて情報の記録・消去
が行えるランド・グルーブ記録方式の光ディスクが得ら
れる。

【００２３】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の光ディスクの製造装置において、フードの開口
部の大きさを、ターゲットホルダに保持されるターゲッ
トの大きさよりも小さく、基板ホルダに保持される基板
の大きさよりも大きくしたものである。したがって、請
求項２に記載の発明によれば、スパッタリング時、ター
ゲットから斜め方向に飛び出したスパッタリング粒子だ
けでなく、ターゲットから垂直方向に飛び出したものの
途中で他のスパッタリング粒子やスパッタリングガスに
よって散乱されて斜め方向となったものも、フードの内
側筒面に付着させて、その開口部から外に飛散させない
ようにすることができる。その結果、基板のランド部と
グルーブ部とに形成される薄膜がより均一化され、ラン
ド部およびグルーブ部に対する情報の記録・消去時に用
いられる光のレーザパワーがより等しくされたランド・
グルーブ記録方式の光ディスクが得られる。

【００２４】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または請求項２に記載の光ディスクの製造装置におい
て、フードのターゲットホルダとの接触部から開口部ま
での長さを、該フードの開口部とターゲットホルダに保
持されたターゲットとの間の距離が、基板ホルダに保持
された基板とターゲットホルダに保持されたターゲット
との間の距離の１／３以上となる値に定めたものであ
る。

【００２５】したがって、請求項３に記載の発明によれ
ば、スパッタリング時、斜め方向のスパッタリング粒子
を確実にフードの内側筒面に付着させて開口部から外に
飛散させないようにすることができる。その結果、ラン
ド部およびグルーブ部に対する情報の記録・消去時に用
いられる光のレーザパワーが確実に等しくされたランド
・グルーブ記録方式の光ディスクが得られる。

【００２６】また、請求項４に記載の発明は、スパッタ
リング法を用い、光ディスクの基板上に薄膜を形成する
光ディスクの製造装置であって、ターゲットを保持する
ターゲットホルダと、基板を保持する基板ホルダと、基
板ホルダに保持された基板の周囲を覆いターゲットホル
ダ側に開口部を有する筒状のフードとを備えたものであ
る。

【００２７】したがって、請求項４に記載の発明によれ
ば、スパッタリング時、ターゲットから斜め方向に飛び
出したスパッタリング粒子を、基板の周囲を覆うフード
の外側筒面に付着させて、フードの開口部から内部に進
入させないようにし、ターゲットから垂直方向に飛び出
したスパッタリング粒子のみを、ターゲットの直上の領
域に位置する基板に入射させることができる。その結
果、基板に形成された溝が深い場合でも、そのランド部
とグルーブ部とに膜厚が略一定の薄膜が形成され、ラン
ド部およびグルーブ部に対し略同じレーザパワーの光を
用いて情報の記録・消去が行えるランド・グルーブ記録
方式の光ディスクが得られる。

【００２８】また、請求項５に記載の発明は、スパッタ
リング法を用い、光ディスクの基板上に薄膜を形成する
光ディスクの製造装置であって、ターゲットを保持する
ターゲットホルダと、ターゲットホルダ側に開口部を有
する筒状の凹部が形成されたパレットと、パレットの凹
部の底部に設置されて基板を保持する基板ホルダとを備
えたものである。

【００２９】したがって、請求項５に記載の発明によれ
ば、スパッタリング時、ターゲットから斜め方向に飛び
出したスパッタリング粒子を、基板の周囲を覆う筒状凹
部の開口部から内部に進入させないようにし、ターゲッ
トから垂直方向に飛び出したスパッタリング粒子のみ
を、ターゲットの直上の領域に位置する基板に入射させ
ることができる。その結果、基板に形成された溝が深い
場合でも、そのランド部とグルーブ部とに膜厚が略一定
の薄膜が形成され、ランド部およびグルーブ部に対し略
同じレーザパワーの光を用いて情報の記録・消去が行え
るランド・グルーブ記録方式の光ディスクが得られる。

【００３０】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
から請求項５の何れか１項に記載の光ディスクの製造装
置において、基板ホルダに保持された基板を、ターゲッ
トホルダに保持されたターゲットの中心軸から偏心した
軸を中心にして公転させる回転手段を備えたものであ
る。したがって、請求項６に記載の発明によれば、公転
する基板がターゲットの直上の領域に位置するときにの
み、ターゲットから垂直方向に飛び出したスパッタリン
グ粒子をその基板に入射させることができる。その結
果、公転する基板に形成された溝が深い場合でも、その
ランド部とグルーブ部とに膜厚が略一定の薄膜が形成さ
れ、ランド部およびグルーブ部に対し略同じレーザパワ
ーの光を用いて情報の記録・消去が行えるランド・グル
ーブ記録方式の光ディスクが得られる。

【００３１】また、請求項７に記載の発明は、スパッタ
リング法を用い、光ディスクの基板上に薄膜を形成する
光ディスクの製造方法であって、ターゲットの周囲を基
板側に開口部を有する筒状のフードにて覆うものであ
る。したがって、請求項７に記載の発明によれば、スパ
ッタリング時、ターゲットから斜め方向に飛び出したス
パッタリング粒子をフードの内側筒面に付着させて、フ
ードの開口部から外に飛散させないようにし、ターゲッ
トから垂直方向に飛び出したスパッタリング粒子のみ
を、ターゲットの直上の領域に位置する基板に入射させ
ることができる。その結果、基板に形成された溝が深い
場合でも、そのランド部とグルーブ部とに膜厚が略一定
の薄膜が形成され、ランド部およびグルーブ部に対し略
同じレーザパワーの光を用いて情報の記録・消去が行え
るランド・グルーブ記録方式の光ディスクが得られる。

【００３２】また、請求項８に記載の発明は、請求項７
に記載の光ディスクの製造方法において、基板を、ター
ゲットの中心軸から偏心した軸を中心にして公転させな
がらスパッタリングを行うものである。したがって、請
求項８に記載の発明によれば、公転する基板がターゲッ
トの直上の領域に位置するときにのみ、ターゲットから
垂直方向に飛び出したスパッタリング粒子をその基板に
入射させることができる。その結果、公転する基板に形
成された溝が深い場合でも、そのランド部とグルーブ部
とに膜厚が略一定の薄膜が形成され、ランド部およびグ
ルーブ部に対し略同じレーザパワーの光を用いて情報の
記録・消去が行えるランド・グルーブ記録方式の光ディ
スクが得られる。

【００３３】また、請求項９に記載の発明は、円盤状の
光ディスク基板に、同心円状または螺旋状に溝を形成
し、この溝の深さを８０ｎｍ〜６００ｎｍとし、溝の底
部のグルーブ部と該溝に隣接し溝と溝との間部に位置す
るランド部とに膜厚が略一定の薄膜を形成したものであ
る。したがって、請求項９に記載の発明によれば、ラン
ド・グルーブ記録時に、ランド部およびグルーブ部に対
し略同じレーザパワーの光を用いて情報の記録・消去を
行うことができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。 （第１実施形態）まず、第１実施形態について、図１〜
図７を用いて説明する。第１実施形態は、請求項１，請
求項３，請求項６〜請求項９に対応する。

【００３５】この第１実施形態の自公転スパッタリング
装置１０は、ランド・グルーブ記録方式の光ディスクを
製造するに当たって、深い溝が形成された光ディスクの
基板上に記録膜を形成するためのものである。この自公
転スパッタリング装置１０は、図１に示されるように、
スパッタリング室１１と、複数の基板２２，２２，…を
個々に保持するための複数（図１では８個）の基板ホル
ダ１２，１２，…と、パレット１３と、ターゲット２４
を保持するためのターゲットホルダ１４と、フード１５
とで構成されている。

【００３６】このうちパレット１３には、回転モータ１
３ａが接続され、スパッタリング時に回転軸Ｌ１３を中
心にして自転できるようになっている（例えば、４５ｒ
ｐｍ）。なお、このパレット１３の回転軸Ｌ１３には、
パレット１３と共に回転する図示されない主ギアが固定
されている。また、複数の基板ホルダ１２，１２，…は
各々、上記したパレット１３のターゲットホルダ１４側
の面に、自転可能に取り付けられている。なお、個々の
基板ホルダ１２の回転軸（図示省略）には、その基板ホ
ルダ１２と共に回転する副ギア（図示省略）が固定され
ている。

【００３７】そして、これら基板ホルダ１２の副ギア
は、上記したパレット１３の主ギアに噛合されている。
したがって、スパッタリング時に、回転モータ１３ａの
回転によってパレット１３が自転するときには、個々の
基板ホルダ１２もギア比に応じた回転数で自転すること
になる。

【００３８】すなわち、複数の基板ホルダ１２，１２，
…は、スパッタリング時に、自転しつつ、回転軸Ｌ１３
を中心にして公転することができる。なお、上記したパ
レット１３および回転モータ１３ａが、請求項６の回転
手段に対応している。また、ターゲットホルダ１４に
は、図示されないスパッタリング電源が接続され、スパ
ッタリング時に、ターゲットホルダ１４に保持されたタ
ーゲット２４に対して、所定の高周波電圧を印加できる
ようになっている。

【００３９】さらに、ターゲットホルダ１４内には、ス
パッタリング時に、このターゲットホルダ１４に保持さ
れたターゲット２４の中心軸Ｌ２４から偏心して回転す
るロータリーマグネット（図示されない）が配置されて
いる。

【００４０】このロータリーマグネットによって、スパ
ッタリング時にはターゲット２４から満遍なくスパッタ
リング粒子が飛び出し、ターゲット２４を効率よく使用
することができる。さらに、成膜速度も高められる。な
お、このターゲットホルダ１４は、スパッタリング時に
保持するターゲット２４の中心軸Ｌ２４と上記した回転
軸Ｌ１３との偏心量Ｒが、基板ホルダ１２に保持される
基板２２の公転半径にほぼ一致するように配置されてい
る。

【００４１】また、フード１５は、ターゲットホルダ１
４に保持されるターゲット２４の外形（円形）に合わせ
て円筒状に成型されたステンレス材で構成されている。
この円筒状のフード１５は、その円筒軸が上記した回転
軸Ｌ１３に平行となると共に、一方の開口部１５ａが基
板ホルダ１２，１２，…側に位置するようにして、ター
ゲットホルダ１４に取り付けられる。

【００４２】ここで、このフード１５のターゲットホル
ダ１４との接触部から開口部１５ａまでの長さＨ１（以
下「フード１５の長さ」という）は、１５ｃｍである。
これによって、フード１５の基板ホルダ１２側の開口部
１５ａとターゲット２４との距離Ｈ２は、基板ホルダ１
２に保持された基板２２とターゲット２４との距離Ｈ３
（およそ２０ｃｍ）の３／４程度に保たれる。

【００４３】また、スパッタリング室１１内は、図示さ
れないガス供給系からスパッタリングガスが供給される
と共に、図示されないガス排気系によって排気されてい
る。これによって、スパッタリング室１１内のガス圧力
は、スパッタリング時に、所望の値（例えば、５×１０
^-3Ｔｏｒｒ）に保たれる。ここで、上記のように構成さ
れた自公転スパッタリング装置１０によって記録膜が形
成される基板２２は、図２に示されるように、直径(２
ｒ)が８６ｍｍ，板厚ｈが１．２ｍｍのポリカーボネイ
ト基板であり、その片面には、螺旋状に溝２３が形成さ
れている。

【００４４】また、この基板２２は、ランド・グルーブ
記録方式用の基板であり、図３に示されるように、トラ
ックピッチＬが０．８μｍ，溝２３の深さＤ（ランド部
２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとの段差）が１８０ｎｍとな
っている。因みに、この基板２２の溝２３の深さＤ（１
８０ｎｍ）は、ランド・グルーブ記録におけるクロスイ
レーズを回避するために深くされている。

【００４５】このように深い溝２３が形成された基板２
２は、記録膜の形成に当たって、図１に示されるよう
に、スパッタリング室１１内の基板ホルダ１２に保持さ
れる。このとき、自公転スパッタリング装置１０では、
最大８個の基板２２，２２，…を基板ホルダ１２，１
２，…に各々保持させて、一度に記録膜を形成させるこ
とができる。

【００４６】また、上記した自公転スパッタリング装置
１０を用いて基板２２上に記録膜を形成するに当たっ
て、スパッタリング室１１内のターゲットホルダ１４に
は、記録膜用のＴｂＦｅＣｏ合金で構成された６インチ
のターゲット２４が保持される。このとき、ターゲット
２４は、図１に示されるように、その周囲がフード１５
の円筒面によって覆われた状態となる。ただし、フード
１５の基板ホルダ１２側には開口部１５ａがあるため、
ターゲット２４の表面（基板２２，２２，…側の面）は
フード１５によって覆われてない。

【００４７】なお、ターゲット２４を構成するＴｂＦｅ
Ｃｏ合金の組成は、基板２２に形成される記録膜の組成
が、Ｔｂ：２０原子％，Ｆｅ：７２原子％，Ｃｏ：８原
子％（原子百分率）となるように定められている。因み
に、スパッタリングによる上記組成の記録膜は、垂直磁
化膜である。次に、図１に示される自公転スパッタリン
グ装置１０を用いて、深い溝２３が形成された基板２２
（図２，図３）上に記録膜を形成する動作について、図
４，図５を用いて説明する。

【００４８】記録膜の形成時、図１に示されるスパッタ
リング室１１内において、ターゲットホルダ１４に保持
されたターゲット２４には、所定の高周波電圧が印加さ
れる。その結果、このターゲット２４は、スパッタリン
グ室１１内のスパッタリングガスによってスパッタリン
グされる。一般に、ターゲットから飛び出すスパッタリ
ング粒子の方向性は余弦則にしたがう。このため、ター
ゲット２４から飛び出すスパッタリング粒子には、図４
に示されるように、垂直方向（図中、矢印２７で示され
る方向）に飛び出すものだけでなく、斜め方向（図中、
矢印２８,２９で示される方向）に飛び出すものも存在
する。

【００４９】ここで、このターゲット２４の周囲は円筒
状のフード１５によって覆われているので、ターゲット
２４から斜め方向（矢印２８,２９の方向）に飛び出し
たスパッタリング粒子は、フード１５の内側円筒面１５
ｂに付着し（図４中のスパッタリング粒子２５ｄ，２５
ｅ，２５ｆ，２５ｇ参照）、フード１５の開口部１５ａ
に到達することができない。

【００５０】第１実施形態の自公転スパッタリング装置
１０では、上記のように、フード１５の開口部１５ａと
ターゲット２４との距離Ｈ２が、ターゲット２４と基板
２２との距離Ｈ３の３／４程度に保たれているので、斜
め方向（矢印２８,２９の方向）のスパッタリング粒子
を、確実にフード１５の内側円筒面１５ｂに付着させる
ことができる。

【００５１】したがって、斜め方向（矢印２８,２９の
方向）のスパッタリング粒子は、フード１５の開口部１
５ａから外に向かって飛び出すことができない。これに
対し、ターゲット２４から垂直方向（矢印２７の方向）
に飛び出したスパッタリング粒子は、ターゲット２４の
周囲を覆うフード１５の内側円筒面１５ｂに付着するこ
となく、フード１５の開口部１５ａから外に向かって飛
び出していく（図４中のスパッタリング粒子２５ａ，２
５ｂ，２５ｃ参照）。

【００５２】このように、第１実施形態の自公転スパッ
タリング装置１０では、ターゲット２４の周囲を覆う円
筒状のフード１５を設けたので、ターゲット２４から飛
び出すスパッタリング粒子のうち、フード１５の内側円
筒面１５ｂに付着しなかった垂直方向のスパッタリング
粒子２５ａ〜２５ｃのみを、フード１５の開口部１５ａ
から外に向かって飛び出させることができる。

【００５３】そして、これらフード１５の開口部１５ａ
から垂直方向に飛び出したスパッタリング粒子２５ａ〜
２５ｃは、図５に示されるように、ターゲット２４の直
上の領域２４Ａに向かって飛んでいく。一方、基板ホル
ダ１２，１２，…に保持された複数の基板２２，２２，
…は、スパッタリング時、パレット１３の自転によっ
て、ターゲット２４の中心軸Ｌ２４から偏心した回転軸
Ｌ１３を中心にして公転している。

【００５４】この回転軸Ｌ１３まわりの公転によって、
個々の基板２２は、図５に示されるように、ターゲット
２４の直上の領域２４Ａに至っては通過していく。図５
には、１つの基板２２が直上の領域２４Ａ内に位置して
いる状態が実線で、直上の領域２４Ａから出て周辺領域
２４Ｂ内に至った状態，直上の領域２４Ａに至る手前で
周辺領域２４Ｂ内に位置している状態が破線で示されて
いる。

【００５５】このように、回転軸Ｌ１３まわりの公転に
よって、基板２２が直上の領域２４Ａ内に位置したとき
（図５の実線の状態）には、この直上の領域２４Ａに向
かって飛んできた上記の垂直方向のスパッタリング粒子
２５ａ〜２５ｃが、その基板２２に垂直に入射する。そ
して、これら垂直方向のスパッタリング粒子２５ａ〜２
５ｃは、その基板２２に形成された深い溝２３のランド
部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとの双方に等しい割合で到
達することができる。

【００５６】ところで、基板２２は上記の公転によっ
て、直上の領域２４Ａ内だけでなく、上記した周辺領域
２４Ｂ内にも必ず位置することになる（図５の破線の状
態）。このように、基板２２が周辺領域２４Ｂ内に位置
するとき、この基板２２に向かって、垂直方向のスパッ
タリング粒子２５ａ〜２５ｃが飛んでくることはない。

【００５７】さらに、この第１実施形態の自公転スパッ
タリング装置１０では、ターゲット２４の周囲を円筒状
のフード１５で覆い、ターゲット２４から斜め方向（矢
印２８,２９の方向）に飛び出すスパッタリング粒子
を、フード１５の内側円筒面１５ｂに付着させて（図
４）、外に飛散しないようにしている。したがって、基
板２２が周辺領域２４Ｂ内に位置するときには、この基
板２２に向かって、斜め方向のスパッタリング粒子が飛
んでくることもない。

【００５８】すなわち、基板２２が回転軸Ｌ１３まわり
に公転する過程のうちで、基板２２にスパッタリング粒
子が入射するのは、ターゲット２４の直上の領域２４Ａ
内に基板２２が位置するときのみとなる。しかも、この
直上の領域２４Ａ内に位置する基板２２に入射するスパ
ッタリング粒子は、上記したように、垂直方向のスパッ
タリング粒子２５ａ〜２５ｃのみである。

【００５９】このため、基板２２が回転軸Ｌ１３まわり
に公転する間、基板２２の深い溝２３のランド部２３Ｌ
とグルーブ部２３Ｇとの双方に、常に等しい割合でスパ
ッタリング粒子が到達することになる。その結果、図６
に示されるように、深い溝２３が形成された基板２２上
には、ランド部２３Ｌの膜厚ｄ１とグルーブ部２３Ｇの
膜厚ｄ２とが等しい記録膜２２２が形成される。

【００６０】なお、この自公転スパッタリング装置１０
でのスパッタリングは、記録膜２２２の膜厚が、深い溝
２３のランド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとで共に１０
０ｎｍになるまで行われる。このようなランド部２３Ｌ
とグルーブ部２３Ｇとで膜厚が一定（１００ｎｍ）の記
録膜２２２は、基板ホルダ１２，１２，…に保持された
全ての基板２２上に、等しく形成される。

【００６１】さらに、上記の記録膜２２２は、個々の基
板２２上に、内周から外周にわたって非常に均一に形成
される。なお、以上の説明は、説明を簡単にするため、
記録膜２２２を直接基板２２上に形成するものとして行
ったが、実際の光ディスク２０では、図７に示されるよ
うに、基板２２上にまず下部保護膜２２１を形成し、そ
の上面に記録膜２２２が形成される。

【００６２】しかし、基板２２上に形成された下部保護
膜２２１の上面の形状は、基板２２自体の形状とほぼ同
一であるため、基板２２上に記録膜２２２を形成すると
した以上の説明は、記録膜２２２を下部保護膜２２１上
に形成する実際の場合に、そのまま当てはめることがで
きる。また、実際の光ディスク２０では、図７に示され
るように、記録膜２２２の形成後、その上面に、上部保
護膜２２３が形成される。

【００６３】これら下部保護膜２２１，上部保護膜２２
３は共に、窒化シリコン（膜厚７０ｎｍ）からなり、上
記した自公転スパッタリング装置１０を用いた反応性ス
パッタリング法によって形成される。このうち下部保護
膜２２１の形成は、上記した記録膜２２２の形成と同
様、シリコンターゲットをターゲットホルダ１４に保持
させた状態でその周囲をフード１５で覆い、基板２２を
自公転させながらシリコンターゲットをスパッタリング
することで行われる。したがって、深い溝２３が形成さ
れた基板２２上に、グルーブ部２３Ｇとランド部２３Ｌ
とで膜厚が一定の下部保護膜２２１が形成される。

【００６４】また、上部保護膜２２３は記録膜２２２上
に形成されるが、この記録膜２２２の上面の形状も基板
２２自体の形状とほぼ同一であるため、上部保護膜２２
３の形成は、上記の下部保護膜２２１と同一の方法によ
って行われる。したがって、深い溝２３のグルーブ部２
３Ｌとランド部２３Ｇとに、膜厚が一定の上部保護膜２
２３が形成される。

【００６５】ここで、上記のように自公転スパッタリン
グ装置１０を用いて基板２２上に下部保護膜２２１，記
録膜２２２，上部保護膜２２３が順次形成された光ディ
スク２０（図７）に対し、実際にランド・グルーブ記録
を行う際のレーザパワーを測定した。このレーザパワー
の測定に用いる記録再生装置には、半導体レーザ（波長
が６８０ｎｍ）と、対物レンズ（開口数が０．５５）
と、測定される光ディスク２０を回転させる回転モータ
（例えば、線速度３６００ｒｐｍ）と、記録磁界（例え
ば、大きさが３００(Ｏｅ)）を発生する磁石とが設けら
れている。

【００６６】このような記録再生装置を用い、レーザ光
のデューティー比を３０％に変調させながら、マーク長
が０．３μｍとなるように記録したところ、ランド部２
３Ｌへの情報の記録時のレーザパワーと、グルーブ部２
３Ｇへの情報の記録時のレーザパワーとは、等しく４．
８ｍＷであった。以上説明したように、第１実施形態に
よれば、円筒状のフード１５によってターゲット２４の
周囲を覆い、ターゲット２４から斜め方向に飛び出すス
パッタリング粒子がフード１５の外に飛散しないように
したので、自公転スパッタリング装置１０を用いた場合
でも、ターゲット２４から垂直方向に飛び出すスパッタ
リング粒子のみを基板２２に到達させることができる。

【００６７】したがって、光ディスク２０の基板２２上
に形成された溝２３の深さＤを、ランド・グルーブ記録
におけるクロスイレーズを回避するために深くした場合
でも、自公転スパッタリング装置１０を用い、ランド部
２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとで膜厚が一定になるよう
に、記録膜２２２，下部保護膜２２３，上部保護膜２２
１を形成することができる。

【００６８】このように、第１実施形態によれば、光デ
ィスク２０の記録膜２２２，下部保護膜２２３，上部保
護膜２２１の膜厚をランド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇ
とで一定にできるので、同じレーザパワーの光を用いて
ランド部２３Ｌにもグルーブ部２３Ｇにも情報の記録・
消去を行うことができる（ランド・グルーブ記録）。

【００６９】この結果、ランド・グルーブ記録を行う際
の動作や、記録再生装置の構成が簡略化される。 （第１実施形態の変形例）次に、上述した第１実施形態
の変形例について、図８を用いて説明する。この変形例
は、請求項１〜請求項３，請求項６〜請求項９に対応す
る。

【００７０】図８に示される変形例の自公転スパッタリ
ング装置３０は、上述した第１実施形態の自公転スパッ
タリング装置１０のフード１５に代えて、フード３５を
用いたものである。なお、この自公転スパッタリング装
置３０のフード３５以外の構成については、図１に示さ
れる第１実施形態の自公転スパッタリング装置１０と同
じであるため、図８では図１と同じ符号を付すことにす
る。

【００７１】この変形例のフード３５は、第１実施形態
のフード１５と同様、ターゲットホルダ１４に保持され
たターゲット２４の周囲を覆うものであり、筒状に成型
されたステンレス材からなる。しかし、このフード３５
は、図８に示されるように、側面がテーパ状に成型され
されている。すなわち、フード３５の基板ホルダ１２側
の開口部３５ａの大きさφは、ターゲットホルダ１４に
保持されるターゲット２４の大きさ（６インチ）よりも
小さく、基板ホルダ１２に保持される基板２２の大きさ
（３．５インチ）よりも大きくなっている。

【００７２】また、このフード３５の長さＨ１は、第１
実施形態のフード１５と同様、１５ｃｍであり、開口部
３５ａとターゲット２４との距離Ｈ２が、基板２２とタ
ーゲット２４との距離Ｈ３（およそ２０ｃｍ）の３／４
程度に保たれている。なお、このフード３５は、自公転
スパッタリング装置３０を用いて基板２２上に記録膜を
形成するに当たって、ターゲットホルダ１４にターゲッ
ト２４を保持させたのち、ターゲットホルダ１４に取り
付けられる。

【００７３】上記のように構成されたテーパ状の筒型フ
ード３５によってターゲット２４の周囲を覆うことで、
スパッタリング時、ターゲット２４から斜め方向に飛び
出したスパッタリング粒子だけでなく、ターゲット２４
から垂直方向に飛び出したものの途中で他のスパッタリ
ング粒子やスパッタリングガスによって散乱されて斜め
方向となったものも、フード３５の内側筒面に付着させ
て、その開口部３５ａから外に飛散させないようにする
ことができる。

【００７４】すなわち、フード３５の小さな開口部３５
ａから外に向かって飛び出していくスパッタリング粒子
は、垂直方向のスパッタリング粒子のみとなる。したが
って、スパッタリング時、回転軸Ｌ１３まわりに公転す
る基板２２が、フード３５の小さな開口部３５ａに対応
する小さな領域に至ったときに、この小さな領域に向か
って飛んできた垂直方向のスパッタリング粒子のみが、
その基板２２に垂直に入射する。

【００７５】この基板２２に垂直に入射したスパッタリ
ング粒子は、基板２２に形成された深い溝２３のランド
部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとの双方に、等しい割合で
到達することができる。また、回転軸Ｌ１３まわりに公
転する基板２２が、上記小さな領域の周辺部に位置する
ときには、この基板２２に向かって、垂直方向のスパッ
タリング粒子も斜め方向のスパッタリング粒子も飛んで
こない。

【００７６】このため、基板２２が回転軸Ｌ１３まわり
に公転する間、基板２２の深い溝２３のランド部２３Ｌ
とグルーブ部２３Ｇとの双方に、常に等しい割合でスパ
ッタリング粒子が到達することになる。その結果、変形
例の自公転スパッタリング装置３０によれば、深い溝２
３が形成された基板２２のランド部２３Ｌとグルーブ部
２３Ｇとに、膜厚がより一定の記録膜（または保護膜）
を形成することができる。

【００７７】したがって、同じレーザパワーの光を用い
てランド部２３Ｌにもグルーブ部２３Ｇにも情報の記録
・消去を行うことができ（ランド・グルーブ記録）、ラ
ンド・グルーブ記録を行う際の動作や、記録再生装置の
構成が簡略化される。なお、上述した第１実施形態およ
びその変形例では、ターゲット２４の周囲を覆うために
フード１５（図１）やフード３５（図８）を取り付けた
例を説明したが、図９，図１０に示されるフード４５や
フード５５ように、その側面に複数の孔４５ｃ，孔５５
ｃが形成されたものを取り付けることもできる。

【００７８】これらフード４５（図９）またはフード５
５（図１０）の側面に形成された複数の孔４５ｃ，孔５
５ｃは、フード４５，フード５５内部に、定常的にスパ
ッタリングガスを取り込むための孔である。なお、複数
の孔４５ｃ，孔５５ｃの形状は、円形に限らず如何なる
形状でも良い。このように、側面に複数の孔４５ｃまた
は孔５５ｃを形成したフード４５（図９），フード５５
（図１０）によってターゲット２４の周囲を覆う場合に
は、スパッタリング時、常に安定したプラズマ状態を維
持しつつ、基板２２のランド部２３Ｌとグルーブ部２３
Ｇとに、膜厚が一定の記録膜（または保護膜）を形成で
きる。したがって、ランド部２３Ｌおよびグルーブ部２
３Ｇに対して略同じレーザパワーの光を用いて情報の記
録・消去を行うことができ（ランド・グルーブ記録）、
ランド・グルーブ記録を行う際の動作や、記録再生装置
の構成が簡略化される。

【００７９】また、上述した第１実施形態およびその変
形例では、フード１５（またはフード３５）の長さＨ１
を１５ｃｍとし、フード１５の開口部１５ａ（またはフ
ード３５の開口部３５ａ）とターゲット２４との距離Ｈ
２を、ターゲット２４と基板２２との距離Ｈ３（２０ｃ
ｍ）の３／４程度に保つ例を説明したが、距離Ｈ２が距
離Ｈ３の１／３以上に保たれるのであれば、フードの長
さＨ１を他の値に設定することもできる。

【００８０】このように、距離Ｈ２が距離Ｈ３の１／３
以上に保たれる場合には、斜め方向（図４中、矢印２
８,２９の方向）のスパッタリング粒子を、確実にフー
ド１５の内側円筒面１５ｂ（またはフード３５の内側円
筒面）に付着させ、開口部１５ａ（または開口部３５
ａ）から外に飛散させないようにできることが実験的に
求められている。

【００８１】さらに、上述した第１実施形態およびその
変形例では、フード１５（またはフード３５）をステン
レス材で構成する例を説明したが、ステンレス材以外の
非磁性体で構成することもできる。このように、フード
を非磁性体で構成する場合には、スパッタリング時、斜
め方向のスパッタリング粒子を確実にフードの筒面に付
着させることができる。

【００８２】また、上述した第１実施形態およびその変
形例では、円形のターゲット２４を用いる例を説明した
が、本発明は、円形以外の形状（例えば、多角形）のタ
ーゲットを用いる場合に適用することもできる。さら
に、上述した第１実施形態およびその変形例では、円形
のターゲット２４を用いたため、断面が円形に成型され
た筒状のフード１５（またはフード３５）を設けたが、
円形以外の形状（例えば、多角形）のターゲットを用い
る場合には、そのターゲットの外形に合った断面形状
（例えば、多角形）のフードを設けることもできる。

【００８３】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態について、図１１〜図１３を用いて説明する。第２
実施形態は、請求項４〜請求項６，請求項９に対応す
る。第２実施形態の自公転スパッタリング装置６０は、
上述した第１実施形態の自公転スパッタリング装置１０
と同様、ランド・グルーブ記録方式の光ディスクを製造
するに当たって、深い溝が形成された光ディスクの基板
上に記録膜を形成するためのものである。

【００８４】この第２実施形態の自公転スパッタリング
装置６０では、上述した第１実施形態の自公転スパッタ
リング装置１０のフード１５に代えて、図１１に示され
るフード６５，６５，…が用いられる。なお、第２実施
形態の自公転スパッタリング装置６０は、フード６５，
６５，…以外の構成が、図１に示される第１実施形態の
自公転スパッタリング装置１０と同じである。

【００８５】このため、第２実施形態の自公転スパッタ
リング装置６０のフード６５，６５，…以外の構成につ
いては、図１に示される第１実施形態の自公転スパッタ
リング装置１０と同じ符号を付して、その個別説明は省
略する。また、第２実施形態の自公転スパッタリング装
置６０によって記録膜が形成される基板２２の構成、お
よびターゲットホルダ１４に保持されるターゲット２４
の構成も、第１実施形態と同じであるため、その説明を
省略する。

【００８６】したがって、ここでは、第２実施形態のフ
ード６５，６５，…の構成、および第２実施形態の自公
転スパッタリング装置６０を用いて深い溝２３が形成さ
れた基板２２に記録膜を形成する動作について順に説明
する。まず、第２実施形態のフード６５，６５，…につ
いて説明する。この第２実施形態において、フード６
５，６５，…は、図１１に示されるように、複数の基板
ホルダ１２，１２，…ごとに設けられている。

【００８７】また、これらのフード６５，６５，…は、
基板ホルダ１２，１２，…に保持される基板２２，２
２，…の外形（円形）に合わせて円筒状に成型されたス
テンレス材で構成されている。これら円筒状のフード６
５，６５，…は、その円筒軸が上記した回転軸Ｌ１３に
平行となると共に、一方の開口部６５ａ，６５ａ，…が
ターゲットホルダ１４側に位置するようにして、パレッ
ト１３に取り付けられている。

【００８８】ここで、各フード６５のパレット１３との
接触部から開口部６５ａまでの長さ（フード６５の長
さ）Ｈ１は、１５ｃｍである。これによって、フード６
５のターゲットホルダ１４側の開口部６５ａと基板ホル
ダ１２に保持された基板２２との距離Ｈ２は、基板ホル
ダ１２に保持された基板２２とターゲット２４との距離
Ｈ３（およそ２０ｃｍ）の３／４程度に保たれる。

【００８９】次に、自公転スパッタリング装置６０（図
１１）を用い、深い溝２３が形成された基板２２上に記
録膜を形成する動作について、説明する。ここで、記録
膜を形成するに当たって基板ホルダ１２，１２，…に保
持された基板２２，２２，…は、図１１に示されるよう
に、その周囲がフード６５，６５，…の円筒面によって
覆われた状態となる。ただし、フード６５，６５，…の
ターゲットホルダ１４側には開口部６５ａ，６５ａ，…
があるため、基板２２，２２，…の表面（深い溝２３が
形成された面）はフード６５，６５，…によって覆われ
てない。

【００９０】記録膜の形成時、ターゲット２４から飛び
出すスパッタリング粒子には、図１２，図１３に示され
るように、垂直方向（図中、矢印２７で示される方向）
に飛び出すものだけでなく、斜め方向（図中、矢印２
８,２９で示される方向）に飛び出すものも存在する。
このうち、ターゲット２４から垂直方向（矢印２７の方
向）に飛び出したスパッタリング粒子は、ターゲット２
４の直上の領域に向かって飛んでいき、ターゲット２４
から斜め方向（矢印２８,２９の方向）に飛び出したス
パッタリング粒子は、上記したターゲット２４の直上の
領域の周辺部に向かって飛んでいくことになる。

【００９１】したがって、回転軸Ｌ１３まわりに公転す
る基板２２がターゲット２４の直上の領域に至ったとき
（図１２の状態）には、垂直方向（矢印２７の方向）の
スパッタリング粒子が、その基板２２の周囲を覆うフー
ド６５の開口部６５ａから内部に進入し、基板２２に垂
直に入射する（図中のスパッタリング粒子２５ａ，２５
ｂ参照）。

【００９２】このようにして基板２２に垂直に入射した
スパッタリング粒子２５ａ，２５ｂは、基板２２に形成
された深い溝２３のランド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇ
との双方に、等しい割合で到達することができる。一
方、回転軸Ｌ１３まわりに公転する基板２２が、上記し
た直上の領域の周辺部に至ったとき（図１３の状態）に
は、斜め方向（矢印２８の方向）のスパッタリング粒子
のみが飛んでくる。

【００９３】しかし、基板２２の周囲はフード６５で覆
われているため、飛んできた斜め方向（矢印２８の方
向）のスパッタリング粒子は、フード６５の外側円筒面
６５ｃに付着し（図中のスパッタリング粒子２５ｄ，２
５ｅ参照）、フード６５の開口部６５ａから内部に進入
することができない。第２実施形態の自公転スパッタリ
ング装置６０では、上記のように、フード６５の開口部
６５ａと基板２２との距離Ｈ２が、ターゲット２４と基
板２２との距離Ｈ３の３／４程度に保たれているので、
斜め方向（矢印２８の方向）のスパッタリング粒子を、
確実にフード６５の外側円筒面６５ｃに付着させること
ができる。

【００９４】したがって、基板２２が回転軸Ｌ１３まわ
りに公転する過程のうちで、基板２２にスパッタリング
粒子が入射するのは、ターゲット２４の直上の領域内に
基板２２が位置するときのみとなる。しかも、この直上
の領域内に位置する基板２２に入射するスパッタリング
粒子は、上記したように、垂直方向のスパッタリング粒
子２５ａ，２５ｂのみである。

【００９５】このため、基板２２が回転軸Ｌ１３まわり
に公転する間、基板２２の深い溝２３のランド部２３Ｌ
とグルーブ部２３Ｇとの双方に、常に等しい割合でスパ
ッタリング粒子が到達することになる。その結果、深い
溝２３が形成された基板２２上には、ランド部２３Ｌと
グルーブ部２３Ｇとで膜厚が一定の記録膜が形成され
る。

【００９６】なお、この自公転スパッタリング装置６０
でのスパッタリングは、第１実施形態と同様、記録膜の
膜厚が、深い溝２３のランド部２３Ｌとグルーブ部２３
Ｇとで共に１００ｎｍになるまで行われる。このような
ランド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとで膜厚が一定（１
００ｎｍ）の記録膜は、基板ホルダ１２，１２，…に保
持され、かつ各々フード６５で周囲が覆われた全ての基
板２２，２２，…上に、等しく形成される。

【００９７】さらに、このような記録膜は、個々の基板
２２上に、内周から外周にわたって非常に均一に形成さ
れる。なお、以上の説明は、説明を簡単にするため、記
録膜を直接基板２２上に形成するものとして行ったが、
第１実施形態と同様、実際の光ディスクの場合（記録膜
を下部保護膜上に形成する場合）に、そのまま当てはめ
ることができる。また、実際の光ディスクでは、記録膜
上に上部保護膜がさらに形成される。

【００９８】上記した下部保護膜の形成、および記録膜
上への上部保護膜の形成は、第１実施形態と同様、上記
した自公転スパッタリング装置６０を用いた反応性スパ
ッタリング法によって行われる。この場合、各基板２２
の周囲を各々フード６５で覆い、これらの基板２２を自
公転させながらシリコンターゲットがスパッタリングさ
れる。その結果、深い溝２３が形成された基板２２上
に、グルーブ部２３Ｇとランド部２３Ｌとで膜厚が一定
の下部保護膜または上部保護膜（共に、膜厚が７０ｎｍ
の窒化シリコン膜）が形成される。

【００９９】また、上記のように自公転スパッタリング
装置６０を用いて基板２２上に下部保護膜，記録膜，上
部保護膜が順次形成された光ディスクに対し、実際にラ
ンド・グルーブ記録を行う際のレーザパワーを測定し
た。第１実施形態におけるレーザパワーの測定に用いた
記録再生装置により、第１実施形態と同様に、レーザ光
のデューティー比を３０％に変調させながら、マーク長
が０．３μｍとなるように記録したところ、ランド部２
３Ｌへの情報の記録時のレーザパワーと、グルーブ部２
３Ｇへの情報の記録時のレーザパワーとは、等しく４．
８ｍＷであった。

【０１００】以上説明したように、第２実施形態によれ
ば、円筒状のフード６５によって基板２２の周囲を覆
い、ターゲット２４から斜め方向に飛び出すスパッタリ
ング粒子が、フード６５の開口部６５ａから内部に進入
しないようにしたので、自公転スパッタリング装置６０
を用いた場合でも、ターゲット２４から垂直方向に飛び
出すスパッタリング粒子のみを基板２２に到達させるこ
とができる。

【０１０１】したがって、光ディスクの基板２２上に形
成された溝２３の深さＤを、ランド・グルーブ記録にお
けるクロスイレーズを回避するために深くした場合で
も、自公転スパッタリング装置６０を用い、ランド部２
３Ｌとグルーブ部２３Ｇとで膜厚が一定になるように、
記録膜，下部保護膜，上部保護膜を形成することができ
る。

【０１０２】このように、第２実施形態によれば、光デ
ィスクの記録膜，下部保護膜，上部保護膜の膜厚をラン
ド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとで一定にできるので、
同じレーザパワーの光を用いてランド部２３Ｌにもグル
ーブ部２３Ｇにも情報の記録・消去を行うことができる
（ランド・グルーブ記録）。この結果、ランド・グルー
ブ記録を行う際の動作や、記録再生装置の構成が簡略化
される。

【０１０３】なお、上述した第２実施形態では、基板２
２の周囲を覆うために、パレット１３にフード６５（図
１１）を取り付けた例を説明したが、図１４に示される
ように、パレット７３自体に、ターゲットホルダ１４側
に開口部７５ａを有する円筒状の凹部７５を形成し、こ
の円筒状の凹部７５の底部に設置された基板ホルダ１２
に基板２２を保持させることで、その周囲を覆うことも
できる。パレット７３は、ステンレス材で構成される。

【０１０４】この場合にも、回転軸Ｌ７３まわりに公転
する基板２２がターゲット２４の直上の領域に至ったと
きにのみ、垂直方向のスパッタリング粒子が、基板２２
の周囲を覆う円筒状の凹部７５の開口部７５ａから進入
し、基板２２に垂直に入射するため、深い溝２３が形成
された基板２２のランド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇと
に、膜厚が一定の記録膜（または保護膜）を形成するこ
とができる。

【０１０５】したがって、同じレーザパワーの光を用い
てランド部２３Ｌにもグルーブ部２３Ｇにも情報の記録
・消去を行うことができ（ランド・グルーブ記録）、ラ
ンド・グルーブ記録を行う際の動作や、記録再生装置の
構成が簡略化される。また、上述した第２実施形態で
は、各フード６５の長さＨ１を１５ｃｍとし、フード６
５の開口部６５ａと基板２２との距離Ｈ２を、基板２２
とターゲット２４との距離Ｈ３（２０ｃｍ）の３／４程
度に保つ例を説明したが、距離Ｈ２が距離Ｈ３の１／３
以上に保たれるのであれば、各フードの長さＨ１を他の
値に設定することもできる。

【０１０６】このように、距離Ｈ２が距離Ｈ３の１／３
以上に保たれる場合には、斜め方向（図１２中、矢印２
８,２９の方向）のスパッタリング粒子を、確実にフー
ド６５の外側円筒面６５ｃに付着させ、開口部６５ａか
ら内部に進入させないようにできることが実験的に求め
られている。さらに、上述した第２実施形態では、フー
ド６５をステンレス材で構成する例を説明したが、ステ
ンレス材以外の非磁性体で構成することもできる。この
ように、フードを非磁性体で構成する場合には、スパッ
タリング時、斜め方向のスパッタリング粒子を確実にフ
ードの筒面に付着させることができる。

【０１０７】また、上述した第２実施形態では、円形の
ターゲット２４を用いる例を説明したが、本発明は、円
形以外の形状（例えば、多角形）のターゲットを用いる
場合に適用することもできる。なお、上述した実施形態
および変形例では、ターゲット２４または基板２２の何
れか一方の周囲を覆う例を説明したが、図１５に示され
るように、ターゲット２４と基板２２の双方の周囲を覆
うこともできる。

【０１０８】このように、ターゲット２４と基板２２の
双方の周囲を覆う場合には、ターゲット２４から斜め
方向に飛び出すスパッタリング粒子をフード５５の外に
飛散しないようにすることができると共に、フード５
５の開口部５５ａから垂直方向に飛び出したものの途中
で他のスパッタリング粒子によって散乱されて斜め方向
となってしまっても、これをフード６５の開口部６５ａ
から内部に進入しないようにすることができる。

【０１０９】したがって、ターゲット２４と基板２２の
双方の周囲を覆った自公転スパッタリング装置８０によ
れば、垂直方向のスパッタリング粒子のみが基板２２に
入射され、基板２２上に形成される薄膜（記録膜，保護
膜）の膜厚を、ランド部２３Ｌとグルーブ部２３Ｇとで
より均一化させことができる。その結果、同じレーザパ
ワーの光を用いてランド部２３Ｌにもグルーブ部２３Ｇ
にも情報の記録・消去を行うことができ（ランド・グル
ーブ記録）、記録動作や記録再生装置の構成が確実に簡
略化される。

【０１１０】さらに、上述した実施形態および変形例で
は、基板２２を公転させつつ自転させる自公転スパッタ
リング装置を例に説明したが、本発明は、基板２２を公
転させるが自転はさせないスパッタリング装置にも同様
に適用することができる。また、上述した実施形態およ
び変形例では、基板２２を公転させつつ自転させる自公
転スパッタリング装置を例に説明したが、本発明は、複
数の基板２２をパレットに設置させるだけで、公転も自
転もさせることなく成膜するスパッタリング装置に適用
することもできる。

【０１１１】この場合には、パレットに設置された複数
の基板のうち、ターゲットの直上の領域に位置する基板
のみに、ターゲットから垂直方向に飛び出したスパッタ
リング粒子を入射させることができる。その結果、深い
溝が形成された基板２２のランド部２３Ｌとグルーブ部
２３Ｇとに膜厚が一定の記録膜（または保護膜）が形成
され、同じレーザパワーの光を用いてランド部２３Ｌに
もグルーブ部２３Ｇにも情報の記録・消去を行うことが
できる光ディスクが得られる。

【０１１２】また、上述した実施形態および変形例で
は、ターゲット２４に所定の高周波電圧を印加してスパ
ッタリングを行う例を説明したが、本発明は、ターゲッ
ト２４に所定の直流電圧を印加してスパッタリングを行
う場合にも適用することができる。なお、上記のような
場合であって、特に基板２２の周囲をフード６５で覆う
場合（図１１、図１５）には、フード６５とパレット１
３との間に絶縁体のスペーサを挿入するか、またはフー
ド６５の径を大きくすることにより、基板２２の外周部
分に、確実にランド部とグルーブ部とで膜厚が一定の薄
膜を形成できるので、好ましい。

【０１１３】さらに、上述した実施形態および変形例で
は、ＴｂＦｅＣｏ合金（磁性体）にて構成されたターゲ
ット２４を用いて記録膜２２２（磁性薄膜）を形成する
例、およびシリコンターゲットを用いて下部保護膜２２
１，上部保護膜２２３を形成する例を説明したが、光デ
ィスクにアルミニウムなどで構成された反射膜が形成さ
れる場合には、その反射膜の形成に本発明を適用するこ
ともできる。また、本発明は、相変化媒体（例えば、Ｇ
ｅＴｅＳｂ合金）にて構成されたターゲットを用いて相
変化薄膜を形成する場合にも適用することができる。

【０１１４】また、上述した実施形態および変形例で
は、１つのターゲットホルダ１４が配置されたスパッタ
リング装置を例に説明したが、本発明は、複数のターゲ
ットホルダが配置されたスパッタリング装置に適用する
こともできる。この場合には、複数のターゲットの周
囲を各々筒状のフードで覆うか、複数の基板の周囲を
各々筒状のフード（または筒状の凹部）で覆うか、と
とを組み合わせるかの何れかの構成とすることで、複
数のターゲットを同時放電させながらスパッタリングを
行う場合でも、基板２２のランド部とグルーブ部とに膜
厚が一定の薄膜を形成することができる。その結果、同
じレーザパワーの光を用いてランド部２３Ｌにもグルー
ブ部２３Ｇにも情報の記録・消去を行うことができる光
ディスクが得られる。

【０１１５】さらに、上述した実施形態および変形例で
は、溝２３の深さＤが１８０ｎｍの基板２２に薄膜を形
成する場合を例に説明したが、溝２３の深さＤが８０ｎ
ｍ〜６００ｎｍの範囲内の基板であれば、同様にランド
部とグルーブ部とで一定の膜厚の薄膜を形成することが
でき、同じレーザパワーの光を用いてランド部２３Ｌに
もグルーブ部２３Ｇにも情報の記録・消去を行うことが
できる光ディスクが得られる。

【０１１６】また、上述した実施形態および変形例で
は、トラックピッチＬが０．８μｍの基板２２に薄膜を
形成する場合を例に説明したが、トラックピッチＬが
０．５μｍ〜１．０μｍの範囲内の基板であれば、同様
に、ランド部とグルーブ部とで一定の膜厚の薄膜を形成
することができ、同じレーザパワーの光を用いてランド
部２３Ｌにもグルーブ部２３Ｇにも情報の記録・消去を
行うことができる光ディスクが得られる。

【０１１７】

【発明の効果】上記したように、請求項１から請求項８
に記載した発明によれば、光ディスク基板またはターゲ
ットの少なくとも一方の周囲を筒状のフード（または筒
状の凹部）で覆ってスパッタリングを行うので、ランド
・グルーブ記録方式の採用によって情報の高密度化が図
られ、溝の深さを深くすることによってクロスイレーズ
が回避され、溝のランド部およびグルーブ部に対して略
同一のレーザパワーで情報の記録・消去を行える高品質
の光ディスクを製造することができる。

【０１１８】また、光ディスク基板をターゲットに対し
て公転させながらスパッタリングを行う場合には、上記
した高品質の光ディスクを一度に多数製造することがで
きる。さらに、請求項９に記載した発明によれば、ラン
ド・グルーブ記録方式の採用によって情報の高密度化が
図られ、溝の深さを深くすることによってクロスイレー
ズが回避され、溝のランド部およびグルーブ部に対して
略同一のレーザパワーで情報の記録・消去を行える高品
質の光ディスクが得られる。

【０１１９】したがって、上記した高品質の光ディスク
に対し、実際にランド・グルーブ記録を行うに当たって
は、情報の記録・消去を行う光ディスク上の箇所がラン
ド部であるかグルーブ部であるかに応じてレーザパワー
を切り換える動作が不要となり、簡易な構成の記録再生
装置を用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の自公転スパッタリング装置１０
の構成を示す図である。

【図２】基板２２の形状を示す外観図である。

【図３】基板２２の断面形状を示す図である。

【図４】フード１５の機能を説明する図である。

【図５】自公転スパッタリング装置１０による基板２２
上への薄膜形成動作を説明する図である。

【図６】基板２２上に形成された記録膜２２２を示す図
である。

【図７】光ディスク２０の断面構成を示す図である。

【図８】第１実施形態の変形例の自公転スパッタリング
装置３０の構成を示す図である。

【図９】フード４５の構成を示す図である。

【図１０】フード５５の構成を示す図である。

【図１１】第２実施形態の自公転スパッタリング装置６
０の構成を示す図である。

【図１２】フード６５の機能、および自公転スパッタリ
ング装置６０による基板２２上への薄膜形成動作を説明
する図である。

【図１３】フード６５の機能、および自公転スパッタリ
ング装置６０による基板２２上への薄膜形成動作を説明
する図である。

【図１４】自公転スパッタリング装置７０の構成を示す
図である。

【図１５】自公転スパッタリング装置８０の構成を示す
図である。

【図１６】従来の自公転スパッタリング装置９０の構成
を示す図である。

【図１７】基板９６に垂直に入射するスパッタリング粒
子を説明する図である。

【図１８】基板９６に斜めに入射するスパッタリング粒
子を説明する図である。

【図１９】自公転スパッタリング装置９０による基板９
６上への薄膜形成動作を説明する図である。

【符号の説明】

１０，３０，６０，７０，８０ 自公転スパッタリング
装置 １１ スパッタリング室 １２ 基板ホルダ １３，７３ パレット １３ａ 回転モータ １４ ターゲットホルダ １５，３５，４５，５５，６５ フード １５ａ，３５ａ，４５ａ，５５ａ，６５ａ，７５ａ 開
口部 ４５ｃ，５５ｃ 孔 ２２ 基板 ２３ 溝 ２４ ターゲット ７５ 凹部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５４１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５４１Ａ ５４１Ｈ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパッタリング法を用い、光ディスクの
   基板上に薄膜を形成する光ディスクの製造装置であっ
   て、 ターゲットを保持するターゲットホルダと、 前記基板を保持する基板ホルダと、 前記ターゲットホルダに保持されたターゲットの周囲を
   覆い前記基板ホルダ側に開口部を有する筒状のフードと
   を備えたことを特徴とする光ディスクの製造装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光ディスクの製造装置
   において、 前記開口部の大きさは、 前記ターゲットホルダに保持されるターゲットの大きさ
   よりも小さく、前記基板ホルダに保持される基板の大き
   さよりも大きいことを特徴とする光ディスクの製造装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光ディ
   スクの製造装置において、 前記フードの前記ターゲットホルダとの接触部から前記
   開口部までの長さは、 前記開口部と前記ターゲットホルダに保持されたターゲ
   ットとの間の距離が、前記基板ホルダに保持された基板
   と前記ターゲットホルダに保持されたターゲットとの間
   の距離の１／３以上となる値に定められていることを特
   徴とする光ディスクの製造装置。
4. 【請求項４】 スパッタリング法を用い、光ディスクの
   基板上に薄膜を形成する光ディスクの製造装置であっ
   て、 ターゲットを保持するターゲットホルダと、 前記基板を保持する基板ホルダと、 前記基板ホルダに保持された基板の周囲を覆い前記ター
   ゲットホルダ側に開口部を有する筒状のフードとを備え
   たことを特徴とする光ディスクの製造装置。
5. 【請求項５】 スパッタリング法を用い、光ディスクの
   基板上に薄膜を形成する光ディスクの製造装置であっ
   て、 ターゲットを保持するターゲットホルダと、 前記ターゲットホルダ側に開口部を有する筒状の凹部が
   形成されたパレットと、 前記凹部の底部に設置され、前記基板を保持する基板ホ
   ルダとを備えたことを特徴とする光ディスクの製造装
   置。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５の何れか１項に記
   載の光ディスクの製造装置において、 前記基板ホルダに保持された基板を、前記ターゲットホ
   ルダに保持されたターゲットの中心軸から偏心した軸を
   中心にして公転させる回転手段を備えたことを特徴とす
   る光ディスクの製造装置。
7. 【請求項７】 スパッタリング法を用い、光ディスクの
   基板上に薄膜を形成するに当たり、 ターゲットの周囲を、前記基板側に開口部を有する筒状
   のフードにて覆うことを特徴とする光ディスクの製造方
   法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の光ディスクの製造方法
   において、 前記基板を、前記ターゲットの中心軸から偏心した軸を
   中心にして公転させながらスパッタリングを行うことを
   特徴とする光ディスクの製造方法。
9. 【請求項９】 円盤状の基板に、同心円状または螺旋状
   に溝が形成され、 前記溝の深さは、８０ｎｍ〜６００ｎｍであり、 前記溝の底部のグルーブ部と、該溝に隣接し前記溝と溝
   との間部に位置するランド部とに、膜厚が略一定の薄膜
   が形成されていることを特徴とするランド・グルーブ記
   録方式の光ディスク。