JPS6348632A - 光学情報記録再生デイスクの製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生デイスクの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光学的に情報を記録再生する情報記録薄膜の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術
光学情報記録再生薄膜の形成方法としては、電子ビーム
蒸着、および、多元蒸発源を用いた電子ビームあるいは
抵抗加熱法による蒸着等が一般的に知られている。又、
スパッタ法を用いるものでは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｄ等から
な６光Ｓ気薄膜等がある。
蒸着、および、多元蒸発源を用いた電子ビームあるいは
抵抗加熱法による蒸着等が一般的に知られている。又、
スパッタ法を用いるものでは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｄ等から
な６光Ｓ気薄膜等がある。
電子ビーム蒸着法に対し、スパッタ法で薄膜を形成する
方法は、２次電子による基板の帯電の影響が少なく、欠
陥の少ない膜を得ることができ、有効である。
方法は、２次電子による基板の帯電の影響が少なく、欠
陥の少ない膜を得ることができ、有効である。
発明が解決しようとする問題点
スパッタ法で基板に薄膜を形成する場合、基板内の、膜
厚の均一性を高めるために、基板と、スパッタターゲソ
トエロージヲン領域の相対的な位置関係が重要であり、
これは、エロージョンからの高さ、および、エロージョ
ン中心と基板中心の距離等をパラメータとして、配置を
決定し、均一膜形成の条件を得ることができる。
厚の均一性を高めるために、基板と、スパッタターゲソ
トエロージヲン領域の相対的な位置関係が重要であり、
これは、エロージョンからの高さ、および、エロージョ
ン中心と基板中心の距離等をパラメータとして、配置を
決定し、均一膜形成の条件を得ることができる。
ただし、一般的に、均一膜を形成する配置条件は、必ず
しも、スパッタで飛び出す材料を、有効に利用できる配
置とは一致せず、ターゲットの利用効率が低くなるとい
う問題点がある。
しも、スパッタで飛び出す材料を、有効に利用できる配
置とは一致せず、ターゲットの利用効率が低くなるとい
う問題点がある。
さらに、リアクティブスパッタを行つ場合、反応ガス成
分と、スパッタで飛び出し、基板に形成される材料成分
との比が重要なパラメータになる。
分と、スパッタで飛び出し、基板に形成される材料成分
との比が重要なパラメータになる。
スパッタで飛び出す成分のスパッタ速度が太きい場合は
、反応ガス成分が不足した膜になり、逆に、スパッタ速
度が小さい場合は、反応ガス成分過剰な膜となる。
、反応ガス成分が不足した膜になり、逆に、スパッタ速
度が小さい場合は、反応ガス成分過剰な膜となる。
したがって１枚の基板の中においても、基板面の位置に
より、成分比の差が生ずる場合がある。さらに、複数の
基板に、同時に膜形成する場合、基板間で、成分比に差
を生ずる場合もあシ、成分比の均一性に問題が生じやす
い。
より、成分比の差が生ずる場合がある。さらに、複数の
基板に、同時に膜形成する場合、基板間で、成分比に差
を生ずる場合もあシ、成分比の均一性に問題が生じやす
い。
問題点を解決するだめの手段
本発明は１つのターゲットに対し、対称的に複数の基板
を設け、これらの基板を自転させ、次に、ターゲットを
均一にスパッタする手段として、磁界発生用の磁極を設
け、これを、ターゲット中心に対して、磁極中心を公転
させることである。これら磁極を中心磁極に対し円形に
配置することにより、ターゲット上に円形の二ローショ
ン領域を形成することができ、次に、ターゲットからの
スパッタ速度を、複数基板に対して、同一にする目的で
、前記、円形磁極の公転速度を場所によ）変化させるよ
うにしたものである。
を設け、これらの基板を自転させ、次に、ターゲットを
均一にスパッタする手段として、磁界発生用の磁極を設
け、これを、ターゲット中心に対して、磁極中心を公転
させることである。これら磁極を中心磁極に対し円形に
配置することにより、ターゲット上に円形の二ローショ
ン領域を形成することができ、次に、ターゲットからの
スパッタ速度を、複数基板に対して、同一にする目的で
、前記、円形磁極の公転速度を場所によ）変化させるよ
うにしたものである。
作 用
以上の方法を用いることにより、ターゲットからのスパ
ッタ材料の利用効率が３０係に増大し、基板間の膜厚を
±５多以内に均一にできる。また、リアクティブスパッ
タにおいて、リアクティブガスを含む膜組成比を基板間
で±５桑以内に均一にできる。
ッタ材料の利用効率が３０係に増大し、基板間の膜厚を
±５多以内に均一にできる。また、リアクティブスパッ
タにおいて、リアクティブガスを含む膜組成比を基板間
で±５桑以内に均一にできる。
実施例
以下発明の実施例について図面を参照して説明する。
ターゲットの利用効率を上げる方法とし、では、基板に
対して、相対的に、スパッタターゲットの寸法を小さく
シ、かつ、基板とターゲットの距離を小さくする方法が
あるが、この場合は、基板内の膜厚の均一性に問題が生
じやすい。ディスク状の基板に対し、自転させることに
よシ、周方向の膜厚の均一化ははかれるが、径方向に、
膜厚差が生じやすい。
対して、相対的に、スパッタターゲットの寸法を小さく
シ、かつ、基板とターゲットの距離を小さくする方法が
あるが、この場合は、基板内の膜厚の均一性に問題が生
じやすい。ディスク状の基板に対し、自転させることに
よシ、周方向の膜厚の均一化ははかれるが、径方向に、
膜厚差が生じやすい。
したがって、基板寸法に対して、ターゲット寸法を相対
的に小さくし、膜厚の均一化をはか６方法とし１、ター
ゲット上に、第１図に示すように、ターゲット１に対し
て、例えば、基板２を複数枚配置する。その結果、ター
ゲット１からスパッタされた材料が、有効に、複数枚か
らなる大きい面積の基板面に薄膜として形成できる。こ
れに各基板２の自転を加えることにより、周方向の膜厚
均一性を、それぞれの基板２において実現、できる。
的に小さくし、膜厚の均一化をはか６方法とし１、ター
ゲット上に、第１図に示すように、ターゲット１に対し
て、例えば、基板２を複数枚配置する。その結果、ター
ゲット１からスパッタされた材料が、有効に、複数枚か
らなる大きい面積の基板面に薄膜として形成できる。こ
れに各基板２の自転を加えることにより、周方向の膜厚
均一性を、それぞれの基板２において実現、できる。
特に、ターゲットに対し、本発明においては、回転磁極
によυ、第２図で示すように、ターゲット１の上に、ス
パッタエロージョン領域３を形成し、かつこの公転磁極
から形成される、スパッタエロージョン領域のターゲッ
ト上の公転により、各口数基板のそれぞれの膜厚均一性
を実現できる。
によυ、第２図で示すように、ターゲット１の上に、ス
パッタエロージョン領域３を形成し、かつこの公転磁極
から形成される、スパッタエロージョン領域のターゲッ
ト上の公転により、各口数基板のそれぞれの膜厚均一性
を実現できる。
次に重要な点は、リアクティブスパッタ法における組成
の均一性である。
の均一性である。
ターゲット１上の公転スパッタエロージョンによりスパ
ッタされる速度は、理想的には、二ローションの公転周
上一定であるが、現実に：は、パワーの安定性、ターゲ
ット表面の均−注、および、磁場の場所的な変動等によ
り、ターゲット１上の場所により、一般には差が生ずる
。
ッタされる速度は、理想的には、二ローションの公転周
上一定であるが、現実に：は、パワーの安定性、ターゲ
ット表面の均−注、および、磁場の場所的な変動等によ
り、ターゲット１上の場所により、一般には差が生ずる
。
リアクティブスパッタにおいては、スパッタ速度の差が
、すなわち、形成、膜の組成の差になる。
、すなわち、形成、膜の組成の差になる。
そこで、本発明においては、磁場の二転速度を場所的に
変化させることにより、ターゲット各場所におけるスパ
ッタ速度を補正し、一定にする。
変化させることにより、ターゲット各場所におけるスパ
ッタ速度を補正し、一定にする。
リアクティブスパッタでない場合は、複数基板のそれぞ
れの膜厚の均一化をこの方法で実現できる。
れの膜厚の均一化をこの方法で実現できる。
ターゲット１として、テルルＴｅを主成分とし、Ｐｄ
、あるいはＣｕ、Ａｕ等を含むものを用いる。
、あるいはＣｕ、Ａｕ等を含むものを用いる。
リアクティブガスとして、酸素ガスを導入する。
基板としては、ポリカーボネートφ１３０を用いる。
ターゲットの寸法は、φ１５０である。この上に、基板
とターゲット中心を、９０ｍｍ偏芯させて購成し、ター
ゲットに対して、対称的に４枚設定することが、可能で
ある。
とターゲット中心を、９０ｍｍ偏芯させて購成し、ター
ゲットに対して、対称的に４枚設定することが、可能で
ある。
各基板は、１１００ｒｐで自転させる。基板とターゲッ
トの距離は、９０画である。
トの距離は、９０画である。
この配置で、基板内の膜写均−性を±６係以内にできる
。スパッタガスとしてＡｒを導入する。
。スパッタガスとしてＡｒを導入する。
Ａｒ ４ＳＣＣ！イに対し、０２２．７ＳＣＣ！ｖｉ
のｍ件で、スパッタＲＦパワー ４菫羅で、Ｔｅ０１．
。膜を得る。
のｍ件で、スパッタＲＦパワー ４菫羅で、Ｔｅ０１．
。膜を得る。
ただし、４枚の基板の間の組成：す、設定位置により、
２０％程度、基板の位置によって、固有の差が生じる。
２０％程度、基板の位置によって、固有の差が生じる。
このデータに基づいて、酸素（リアクティブガス）成分
が多い位置に対応するターゲット上の位置において、ス
パッタエロージョンの線速度を、ｚ２０・斧低減させる
。その結果、その部分では、スパッタＴｅ＠が増加し、
Ｏ／Ｔｅ比の補正ができ、４枚の基板間の組成比変力を
、＝５係以下に減少できる。
が多い位置に対応するターゲット上の位置において、ス
パッタエロージョンの線速度を、ｚ２０・斧低減させる
。その結果、その部分では、スパッタＴｅ＠が増加し、
Ｏ／Ｔｅ比の補正ができ、４枚の基板間の組成比変力を
、＝５係以下に減少できる。
発明の効果
以上のように本発明によ、九ばターゲットからＯスパッ
タ材料つ利用効享が、３０％に増大する。
タ材料つ利用効享が、３０％に増大する。
また、基板間の膜厚を±５条以内に均一にできる。
さらに、リアクティブスパッタにおいて、リアクティブ
ガスを含む、膜組成比を、基板間で、±５％以内に均一
にできる。
ガスを含む、膜組成比を、基板間で、±５％以内に均一
にできる。
第１図は本発明の光学情報記録再生ディスク製造方法に
おける１つのターゲットに対して、複数の基板を配置し
ンそ構成を示す図、第２図は同公転磁罹による公転エロ
ージョ／を有するスパッタターゲットを示す図でちる。 １・・・・・・ターゲット、２・旧・・、！、３・・・
・・・エロージョンＩン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
おける１つのターゲットに対して、複数の基板を配置し
ンそ構成を示す図、第２図は同公転磁罹による公転エロ
ージョ／を有するスパッタターゲットを示す図でちる。 １・・・・・・ターゲット、２・旧・・、！、３・・・
・・・エロージョンＩン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
Claims (5)
- （１）レーザ光の照射により、加熱昇温せしめ、状態を
変化させて情報を記録する光学情報記録再生ディスクの
製造方法において、複数の基板を、それぞれ真空槽内で
自転させ、１つのターゲットを用い、回転する磁極を設
け、この磁極を公転させて、スパッタエロージョンをタ
ーゲット上で公転させ、複数の基板上に情報記録薄膜を
均一に形成することを特徴とする光学情報記録再生ディ
スクの製造方法。 - （２）磁極の公転線速度を、場所に対応させて、変化さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
情報記録再生ディスクの製造方法。 - （３）Ｔｅを主成分として、添加材料として、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ａｕの少なくとも１つを含ませたターゲットを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情
報記録再生ディスクの製造方法。 - （４）酸素ガス分圧が、０．５・１０＾−＾３Ｔｏｒｒ
から、１．５・１０＾−＾３Ｔｏｒｒの範囲において、
ターゲットより、リアクティブスパッタにより、Ｔｅと
ＴｅＯ＿２と添加材料を含む薄膜を複数の基板に形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情
報記録再生ディスクの製造方法。 - （５）スパッタのパワー密度を１Ｗ／ｃｍ＾２以上とし
、ＲＦスパッタを用いて、リアクティブスパッタをおこ
なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
情報記録再生ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192312A JPH0752527B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192312A JPH0752527B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348632A true JPS6348632A (ja) | 1988-03-01 |
| JPH0752527B2 JPH0752527B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=16289181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61192312A Expired - Lifetime JPH0752527B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752527B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889969A (en) * | 1987-04-28 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reduced-spatter pulse arc welding machine for use with a consumable electrode |
| US5374343A (en) * | 1992-05-15 | 1994-12-20 | Anelva Corporation | Magnetron cathode assembly |
| JP2001323371A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-11-22 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527627A (en) * | 1978-08-18 | 1980-02-27 | Tdk Corp | Electronic device having protective layer |
| JPS5649992A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Nuclear reactor remote stop control device |
| JPS58144474A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-27 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
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| JPS61137239A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-06-24 | アルカテル・トムソン・ジガデイスク | 熱−光手段により書き込み可能な情報媒体の製造した法及び該方法によって製造される情報媒体の金属層 |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP61192312A patent/JPH0752527B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4656744B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2011-03-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752527B2 (ja) | 1995-06-05 |
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