JPS58144474A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS58144474A JPS58144474A JP2442582A JP2442582A JPS58144474A JP S58144474 A JPS58144474 A JP S58144474A JP 2442582 A JP2442582 A JP 2442582A JP 2442582 A JP2442582 A JP 2442582A JP S58144474 A JPS58144474 A JP S58144474A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target
- speed
- magnet
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリングによる基板等への薄膜形成に際
し、均一な膜厚を得るのに好適なスパッタリング装置に
関するものである。
し、均一な膜厚を得るのに好適なスパッタリング装置に
関するものである。
薄膜形成用スパッタリング装置として、数種類の方式が
知られているが、生産性の高いスパッタリング方式とし
てマグネトロン型スパッタ方式が多く利用されている。
知られているが、生産性の高いスパッタリング方式とし
てマグネトロン型スパッタ方式が多く利用されている。
マグネトロン型スパッタ方式も数種類の方式がある。
プレーナマグネトロン型スパッタ方式もその中の１つで
、同軸マグネトロン型スパッタ方式を平面化したもので
あシ、直交電磁界を利用しローレンツの式に従って運動
する電子によシプラズマをターゲット近傍の局所的空間
に閉じ込め、ターゲツト面を高い電流密度で衝撃するこ
とによシスバッタリングの高速化を図ったものである。
、同軸マグネトロン型スパッタ方式を平面化したもので
あシ、直交電磁界を利用しローレンツの式に従って運動
する電子によシプラズマをターゲット近傍の局所的空間
に閉じ込め、ターゲツト面を高い電流密度で衝撃するこ
とによシスバッタリングの高速化を図ったものである。
第１図に一般的に行なわれている本方式の構成例を示す
。
。
ターゲット６の裏面に配した磁石７によ電磁界５れによ
り飛び出したスパッタ原子４はターゲット６と対向して
配置した基板３へ付着する。なお、１は真空槽、２は公
転治具、４０はガス導入パルプ、４１はリークパルプ、
４２は排気パルプである。
り飛び出したスパッタ原子４はターゲット６と対向して
配置した基板３へ付着する。なお、１は真空槽、２は公
転治具、４０はガス導入パルプ、４１はリークパルプ、
４２は排気パルプである。
また上記方式において、さらに高速スパッタ化、ターゲ
ットの有効活用化を図ったものとして第２図に示す方式
がある。スパッタ電極において、磁界５を発生させる磁
石７が、それらを保持して回転する磁石ホルダー１１に
円環状に内周側がＳ極、外周側がＮ極となるように極性
を統一して配置されている。磁石ホルダー１１はターゲ
ット６の裏面に配置されターゲット６に対し平行平面上
で等速回転する。この時、ターゲット６の中心１２と磁
石の配列中心１３とが偏心して配置されているので、濃
密度プラズマ空間８によるターゲット６上のスパッタ領
域９−１は、磁石ホルダー１１の回転に清って領域９−
２へと回転移動を行ない、ターゲット６の不均一な侵食
を防止し、かつスパッタリングの高速化を図っている。
ットの有効活用化を図ったものとして第２図に示す方式
がある。スパッタ電極において、磁界５を発生させる磁
石７が、それらを保持して回転する磁石ホルダー１１に
円環状に内周側がＳ極、外周側がＮ極となるように極性
を統一して配置されている。磁石ホルダー１１はターゲ
ット６の裏面に配置されターゲット６に対し平行平面上
で等速回転する。この時、ターゲット６の中心１２と磁
石の配列中心１３とが偏心して配置されているので、濃
密度プラズマ空間８によるターゲット６上のスパッタ領
域９−１は、磁石ホルダー１１の回転に清って領域９−
２へと回転移動を行ない、ターゲット６の不均一な侵食
を防止し、かつスパッタリングの高速化を図っている。
なお、１０はターゲットホルダー、１４は冷却水である
。
。
従来、以上のよう々等速円運動を行なう磁石を配したス
パッタ電極と、基板上の膜厚分布を一定にするだめの基
板公転治具を使用してスパッタリングを行なっていたが
、基板上での膜厚分布が非常・に悪かった。本方式での
スパッタリングは、概して公転治具の大きさに比ペター
ゲットは非常に小さい場合が多く、それ故、基板公転治
具とスパッタ電極との位置関係が、基板上での膜厚分布
に大きな影響を与える。第３図は、第２図においてター
ゲット６の中心１２を、基板公転治具２の中心から半径
方向へ順次■から■へずらせて配置してスパッタした時
の基板公転治具２−トの膜厚分布を示したものである。
パッタ電極と、基板上の膜厚分布を一定にするだめの基
板公転治具を使用してスパッタリングを行なっていたが
、基板上での膜厚分布が非常・に悪かった。本方式での
スパッタリングは、概して公転治具の大きさに比ペター
ゲットは非常に小さい場合が多く、それ故、基板公転治
具とスパッタ電極との位置関係が、基板上での膜厚分布
に大きな影響を与える。第３図は、第２図においてター
ゲット６の中心１２を、基板公転治具２の中心から半径
方向へ順次■から■へずらせて配置してスパッタした時
の基板公転治具２−トの膜厚分布を示したものである。
スパッタ条件は次の通シ。
ターゲツト材・・・・５インチ径Ｓ１ターゲット、公転
治具有効径・・・・３００１７１１ 、電極間距離：１
００””、。
治具有効径・・・・３００１７１１ 、電極間距離：１
００””、。
スパッタ時間・・・・３０分、磁石回転数・・・・１５
ｒｐｍ、公転治具回転数・・・・１０ｒｐｒｎ、回転方
向・・・・磁石、公転治具共に反時計回り、公転治具中
心とターゲット中心の距離・・・弓：０、Ｉ〜ｒｒ ：
２５ｍ’ｎ、 １〜ｍ ： ５０闘、Ｉ〜■ニア５
開、Ｔ 〜Ｖ ： １００闘、Ｉ ＮＶｒ ： １２５
”ＸＩ 〜Ｖｌｌ： １５０”である。 ′パ・ ことにより行なったものである。第３図よシ従来方式で
は、公転治具２の中心とターゲット中心１２をどのよう
な位置関係にしても均一な膜厚分布が得られないことは
明白である。
ｒｐｍ、公転治具回転数・・・・１０ｒｐｒｎ、回転方
向・・・・磁石、公転治具共に反時計回り、公転治具中
心とターゲット中心の距離・・・弓：０、Ｉ〜ｒｒ ：
２５ｍ’ｎ、 １〜ｍ ： ５０闘、Ｉ〜■ニア５
開、Ｔ 〜Ｖ ： １００闘、Ｉ ＮＶｒ ： １２５
”ＸＩ 〜Ｖｌｌ： １５０”である。 ′パ・ ことにより行なったものである。第３図よシ従来方式で
は、公転治具２の中心とターゲット中心１２をどのよう
な位置関係にしても均一な膜厚分布が得られないことは
明白である。
したがって、本発明の目的は、マグネトロン型スパッタ
電極の一部を構成するプラズマ励起用磁石を移動する際
、移動の途中でその速度を変えることによシ、基板上に
形成されるスパッタ膜厚を均一にするスパッタ装置を提
供することにある。
電極の一部を構成するプラズマ励起用磁石を移動する際
、移動の途中でその速度を変えることによシ、基板上に
形成されるスパッタ膜厚を均一にするスパッタ装置を提
供することにある。
従来装置において膜厚が不均一であった原因は、ターゲ
ット上のスパッタ領域ですでに第４図に示すように膜厚
差を生じていることと、公転治具により基板を公転させ
た場合でも、基板の内周側と外周側とではスパッタ領域
上を通過する時間が異なる為である。
ット上のスパッタ領域ですでに第４図に示すように膜厚
差を生じていることと、公転治具により基板を公転させ
た場合でも、基板の内周側と外周側とではスパッタ領域
上を通過する時間が異なる為である。
第４図のスパッタ条件は次の通りである。
５インチのＳｔメタ−ット上１００朋の位置に基板を配
し、基板は固定で、磁石は回転させて３０分間スパッタ
リングを行なった後基板上の膜厚を、ターゲット中心に
対応する基板上の点を中心として外周へ向かって測定し
たものである。図中の６２５酩はターゲットの半径寸法
を示す。
し、基板は固定で、磁石は回転させて３０分間スパッタ
リングを行なった後基板上の膜厚を、ターゲット中心に
対応する基板上の点を中心として外周へ向かって測定し
たものである。図中の６２５酩はターゲットの半径寸法
を示す。
このようにターゲットの真上において、ターゲット範囲
内の領域においても大きな膜厚差のあることがわかる。
内の領域においても大きな膜厚差のあることがわかる。
今ここで、第５図に示すような関係のターゲットと、公
転治具のモデル例を考える。
転治具のモデル例を考える。
スパッタ領域９−１上において、各地点毎にスパッタ速
度の等しい点を結ぶと図示のような＃１は同心円を描く
ことができる。第５図においてスパッタ領域９−１の中
心領域Ａにおけるスパッタ速度をａ Ｘ ／ ｓｅｅ
％領域Ｂ 、Ｃ、Ｄにおけるスパッタ速度をそれぞれｂ
ｒ Ｃ，ｄ Ａ／’ ８ｅｅとし、公転治具２上に任意
の２点Ｘ、Ｙを選ぶ。公転治具２が回転すると、Ｘ、Ｙ
点はスパッタ領域９−１上を通過し、スパッタリングが
行なわれる。ここでＸ点のＤ領域通過時間をｔｌｓｅｃ
、Ｃ，Ｂ、Ａ領域通過時間をそれぞれｔ２ 、 ｔ３
、 ｔ４ ｓｅｃとし、Ｙ点についてもり、Ｃ領域通過
時間をそれぞれｔ５ｓｅｃ、ｔ６８１３ｅとする。各点
での膜厚は、領域通過時間とその領域におけるスパッタ
速度の積で表わせるから、Ｘ、Ｙ点の膜厚をそれぞれＴ
□＋Ｔ２とすれば、Ｔ１−ｄｔ１＋ｃｔ２＋ｂｔ３＋ａ
ｊ４１Ｔ２ ＝ｄｔｓ＋ｃｔｓとなる。
度の等しい点を結ぶと図示のような＃１は同心円を描く
ことができる。第５図においてスパッタ領域９−１の中
心領域Ａにおけるスパッタ速度をａ Ｘ ／ ｓｅｅ
％領域Ｂ 、Ｃ、Ｄにおけるスパッタ速度をそれぞれｂ
ｒ Ｃ，ｄ Ａ／’ ８ｅｅとし、公転治具２上に任意
の２点Ｘ、Ｙを選ぶ。公転治具２が回転すると、Ｘ、Ｙ
点はスパッタ領域９−１上を通過し、スパッタリングが
行なわれる。ここでＸ点のＤ領域通過時間をｔｌｓｅｃ
、Ｃ，Ｂ、Ａ領域通過時間をそれぞれｔ２ 、 ｔ３
、 ｔ４ ｓｅｃとし、Ｙ点についてもり、Ｃ領域通過
時間をそれぞれｔ５ｓｅｃ、ｔ６８１３ｅとする。各点
での膜厚は、領域通過時間とその領域におけるスパッタ
速度の積で表わせるから、Ｘ、Ｙ点の膜厚をそれぞれＴ
□＋Ｔ２とすれば、Ｔ１−ｄｔ１＋ｃｔ２＋ｂｔ３＋ａ
ｊ４１Ｔ２ ＝ｄｔｓ＋ｃｔｓとなる。
従来法では、前述した理由によりＴ１’ｓＴ２であった
。
。
そこで本発明では、公転治具の周辺部と中心部との間を
、Ｔ１＝Ｔ２となるように速度制御しつつスパッタ領域
を往後移動させることによシ、基板上に均一膜厚を得る
ようにしたものである。
、Ｔ１＝Ｔ２となるように速度制御しつつスパッタ領域
を往後移動させることによシ、基板上に均一膜厚を得る
ようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を第６図によシ説明する。本実
施例は光センサーの受光部品を製作するもので、ガラス
基板上へアモルファスシリコン膜を形成するものである
。
施例は光センサーの受光部品を製作するもので、ガラス
基板上へアモルファスシリコン膜を形成するものである
。
公転治具２はガラス基板２０を取付け、ガラス基板２０
の加熱ガス出しおよびスパッタリング中に均熱、および
均一膜厚を得る目的で公転させるもので、公転治具２を
固定した回転シャフト２−１は大気側とのシールを行な
うＣ） ＩＪソング４を介して真空槽１の内部から外部
へ連絡し、駆動モーター（図示せず）と連結している。
の加熱ガス出しおよびスパッタリング中に均熱、および
均一膜厚を得る目的で公転させるもので、公転治具２を
固定した回転シャフト２−１は大気側とのシールを行な
うＣ） ＩＪソング４を介して真空槽１の内部から外部
へ連絡し、駆動モーター（図示せず）と連結している。
なお、３５はＯリング、３３はＯリング押えである。
ターゲットホルダー１０はＳｉターゲット２１を固定し
、その内部はＳｉターゲット２１を冷却する為の冷却水
１４で満たされておυ、冷却水１４は水導入口２２から
供給し、排出口２３から排出される。また、ターゲット
ホルダー１０の内部にはＳｉターゲット２１上に磁界５
を発生させる為の磁石Ｔを配した磁石ホルダー１１を持
つ。磁石ホルダー１１は磁界５を移動させスパッタ領域
９−１を移動させるための回転動作を行なう。磁石ホル
ダー１１内の磁石７は円環状の濃密度プラズマ空間８を
形成すべく、Ｓ極が内側、Ｎ極が外側に来るように極性
を統一して円形状に配列されている。この円形状に配列
した磁石７の中心１３と、磁石ホルダー１１の回転中心
１２は偏心した位置関係にあシ、回転中のスパッタ領域
９−１の中心１３は、公転治具２の中心に対し接近ある
いは遠ざかるような運動を行なう。磁石ホルダー１１の
回転部はＯリング２４によシ大気側とシールされており
、その重量は玉軸受２５で支持され、同転駆動は回転伝
達歯車２７．２８を介してスピードコントロールモータ
ー２９によシ行なわれる。またスパッタ領域９−１の位
置を、位置検出センサー３０−１〜３０−８によシ検出
させる為の検出穴２６−１を設けた位置検出円板２６が
磁石ホルダー１１に取付けてあり、各位置毎に回転速度
をスピードコントロールユニット（図示せず）によシ変
化させることができるようになっている。本実施例では
、１回転を８分割してそれぞれの部分で速度制御を行な
っている。なお、３６．３７は０リング、３２は電極支
持板、３１は玉軸受押えである。
、その内部はＳｉターゲット２１を冷却する為の冷却水
１４で満たされておυ、冷却水１４は水導入口２２から
供給し、排出口２３から排出される。また、ターゲット
ホルダー１０の内部にはＳｉターゲット２１上に磁界５
を発生させる為の磁石Ｔを配した磁石ホルダー１１を持
つ。磁石ホルダー１１は磁界５を移動させスパッタ領域
９−１を移動させるための回転動作を行なう。磁石ホル
ダー１１内の磁石７は円環状の濃密度プラズマ空間８を
形成すべく、Ｓ極が内側、Ｎ極が外側に来るように極性
を統一して円形状に配列されている。この円形状に配列
した磁石７の中心１３と、磁石ホルダー１１の回転中心
１２は偏心した位置関係にあシ、回転中のスパッタ領域
９−１の中心１３は、公転治具２の中心に対し接近ある
いは遠ざかるような運動を行なう。磁石ホルダー１１の
回転部はＯリング２４によシ大気側とシールされており
、その重量は玉軸受２５で支持され、同転駆動は回転伝
達歯車２７．２８を介してスピードコントロールモータ
ー２９によシ行なわれる。またスパッタ領域９−１の位
置を、位置検出センサー３０−１〜３０−８によシ検出
させる為の検出穴２６−１を設けた位置検出円板２６が
磁石ホルダー１１に取付けてあり、各位置毎に回転速度
をスピードコントロールユニット（図示せず）によシ変
化させることができるようになっている。本実施例では
、１回転を８分割してそれぞれの部分で速度制御を行な
っている。なお、３６．３７は０リング、３２は電極支
持板、３１は玉軸受押えである。
その他図示していないが、真空槽内を排気する排気装置
、スパッタリングを行なう際にＡｒガスを導入するガス
導入機構、そしてスパッタ電源々どから構成される。
、スパッタリングを行なう際にＡｒガスを導入するガス
導入機構、そしてスパッタ電源々どから構成される。
次に本実施例における装置の動作について説明する。
真空槽１内の公転治具２にガラス基板２ｏを数句け、真
空槽１内を抽気装置で排気すると共に、公転治具２を反
時計方向へ回転させてガラス基板２０を真空槽１内に設
けた加熱器（図示せず）により２５０℃で３０分間の加
熱、脱ガス処理を施す。
空槽１内を抽気装置で排気すると共に、公転治具２を反
時計方向へ回転させてガラス基板２０を真空槽１内に設
けた加熱器（図示せず）により２５０℃で３０分間の加
熱、脱ガス処理を施す。
ガス出し後、Ａｒガスを導入しつつスパッタ電源を入れ
てスパッタリングを行なう。スパッタリングは、Ｓｌタ
ーゲット２１の裏面に設けた磁石ホルダー１１が、公転
治具２と同方向に回転することによシ、スパッタ領域９
−１を同方向に回転移動させつつ行なう。この時、磁石
ホルダー１１が回転して行く途中に位置検出センサー３
０−１．３０−２・・・・３０−８が適当々位置に配さ
れておシ、これらが磁石ホルダー１１と回転同軸上に取
付けた位置検出板２６にあけられている検出穴２６−１
を検出すると、あらかじめ設定しておいた、その回転位
置に最適な回転速度となるように、スピードコントロー
ルモーター２９の速度制御が行なわれる。
てスパッタリングを行なう。スパッタリングは、Ｓｌタ
ーゲット２１の裏面に設けた磁石ホルダー１１が、公転
治具２と同方向に回転することによシ、スパッタ領域９
−１を同方向に回転移動させつつ行なう。この時、磁石
ホルダー１１が回転して行く途中に位置検出センサー３
０−１．３０−２・・・・３０−８が適当々位置に配さ
れておシ、これらが磁石ホルダー１１と回転同軸上に取
付けた位置検出板２６にあけられている検出穴２６−１
を検出すると、あらかじめ設定しておいた、その回転位
置に最適な回転速度となるように、スピードコントロー
ルモーター２９の速度制御が行なわれる。
本実施例における使用ターゲットｕは５インチ径Ｓ１タ
ーゲット、公転治具有効径３００”、磁石の配列外径７
０朋、ターゲット中心と磁石配列径中心の偏心Ｍ： ２
７ ””、ガラス基板とターゲット間の距＠１２５”と
し、またスパッタ領域の移動速度を変速させる為のスパ
ッタ位置検出センサー取付位置は、第６図において公転
治具中心とターゲット中心を通る線を基準として、θ１
＝６４°゛、θ２＝２８°。
ーゲット、公転治具有効径３００”、磁石の配列外径７
０朋、ターゲット中心と磁石配列径中心の偏心Ｍ： ２
７ ””、ガラス基板とターゲット間の距＠１２５”と
し、またスパッタ領域の移動速度を変速させる為のスパ
ッタ位置検出センサー取付位置は、第６図において公転
治具中心とターゲット中心を通る線を基準として、θ１
＝６４°゛、θ２＝２８°。
θ３−２６°、θ４＝２９”、θ５＝６６°、θ６＝２
９°、θ７＝２６°、θ８−２８°、θ９＝６４°に配
し、磁石ホルダー回転速度はそれぞれθ１と０９を通過
する場合には１（）ｒｐｍ、θ２と０８では１４ｒｐｍ
、θ３とθ７では１７ｒｐｍ、θ４と０６では２０ｒｐ
ｍ、θ５では２５ｒｐｍで回転方向は反時言１回多とな
シ、公転治具も反時耐同りで速度は１０ｒｐｍである。
９°、θ７＝２６°、θ８−２８°、θ９＝６４°に配
し、磁石ホルダー回転速度はそれぞれθ１と０９を通過
する場合には１（）ｒｐｍ、θ２と０８では１４ｒｐｍ
、θ３とθ７では１７ｒｐｍ、θ４と０６では２０ｒｐ
ｍ、θ５では２５ｒｐｍで回転方向は反時言１回多とな
シ、公転治具も反時耐同りで速度は１０ｒｐｍである。
また、公転治具中とターゲット中心間の距離は１０４”
、スパッタ時間は２時間である。 − 以上の条件にてスパッタした時に、第７図に示す様な良
好な膜厚分布が得られた。なおこのグラフ中、実線５１
は本実施例によるもの、破１１ｇ１５２は従来法である
磁石ホルダーを等速回転させたもので、本実施例では膜
厚のばらつきが±４％であるのに対し、従来法では１３
０％と非常に太きい。
、スパッタ時間は２時間である。 − 以上の条件にてスパッタした時に、第７図に示す様な良
好な膜厚分布が得られた。なおこのグラフ中、実線５１
は本実施例によるもの、破１１ｇ１５２は従来法である
磁石ホルダーを等速回転させたもので、本実施例では膜
厚のばらつきが±４％であるのに対し、従来法では１３
０％と非常に太きい。
本発明によれば、スパッタ領域を移動させる際、１サイ
クル動作の途中において各位置ごとに移動速度を変える
ことによシ、公転している治具の内。
クル動作の途中において各位置ごとに移動速度を変える
ことによシ、公転している治具の内。
外周がスパッタ領域上を通過する時間を制御できるので
、公転治具上の内周側、外周側でスパッタされる量を一
定にすることができる。
、公転治具上の内周側、外周側でスパッタされる量を一
定にすることができる。
本発明の装置は、ターゲツト材が特殊であシ加工が困難
などの理由でターゲットを大きく作れない時、スパッタ
速度を稼ぐ意味でこれら小形のターゲットを複数個並べ
てスパッタを行なう場合、また異ガる材質から成るター
ゲットを複数個並べて、これらを同時スパッタする多元
スパッタを行なう場合に特に有効である。
などの理由でターゲットを大きく作れない時、スパッタ
速度を稼ぐ意味でこれら小形のターゲットを複数個並べ
てスパッタを行なう場合、また異ガる材質から成るター
ゲットを複数個並べて、これらを同時スパッタする多元
スパッタを行なう場合に特に有効である。
本発明の実施例では、プラズマを励起させるための磁石
を回転させたが、公転治具中心方向へ直線運動させても
同効果が得られ、また磁石は固定でスパッタ電極そのも
のを移動させても良い。
を回転させたが、公転治具中心方向へ直線運動させても
同効果が得られ、また磁石は固定でスパッタ電極そのも
のを移動させても良い。
速度制御の方式は、本実施例のように実験的に位置検出
センサーの配置および２回転速度に対する各部のスパッ
タ量を求め、各位置ごとにそれぞれ設定した回転速度を
切換器などで自動切換してもよいし、公転治具中心から
外胸方向へ等ピッチで取付けた膜厚検出センサーと電子
計算機とを組合せることによシ、各部にスパッタされる
量を計算しながら磁石ホルダーの回転速度を１＠次変化
させてもよい。
センサーの配置および２回転速度に対する各部のスパッ
タ量を求め、各位置ごとにそれぞれ設定した回転速度を
切換器などで自動切換してもよいし、公転治具中心から
外胸方向へ等ピッチで取付けた膜厚検出センサーと電子
計算機とを組合せることによシ、各部にスパッタされる
量を計算しながら磁石ホルダーの回転速度を１＠次変化
させてもよい。
第１図は一般的に行なわれているマグネトロン型スパッ
タ方式の装置構成の側面図、第２図（ａ）は高速スパッ
タ化を図ったマグネトロン型スパッタ装置の平面図Φ）
はその正面断面図、第３図は第２図においてターゲット
中心をＩから■へ配置した時の基板中心からの距離と膜
厚との関係を示すグラフ、第４図は従来のスパッタ電極
上に設けた基板上におけるターゲット中心からの距離と
膜厚との関係を示すグラフ、第５図は公転治具とスパッ
タ電極との関係を示す平面図、第６図（ａ）は本発明に
よる一実施例を示す平面図、（ｂ）はその正面断面図、
第７図は本発明と従来法によシスバッタリングを行なっ
た場合の公転治具中心からの距離と膜厚との関係を示す
グラフである。 １・・・・真空槽、２・・・・公転治具、４・・・・ス
パッタ原子、５・・・・磁界、６・・・・ターゲット
７・・・・磁石、８・・・・濃密度プラズマ空間、９−
１・・・・スパッタ領域、１０・・・・ターゲットホル
ダー、１１・働・・磁石ホルダー、２０・・・・ガラス
基板、２１１１・・・Ｓｉターゲット、２６・・・・位
置検出円板、２９・拳・・スヒートコントロールモータ
、３０−１〜３０−８・・・・位置検出センサー。 Ｗ４１区 （（１） （ｂ） ［３図 ｗ″−図 上 Ｅ 薯・坂ｋＫ？＋°グ易ターゲート牢心かうの真打鴨鉦〔
ｍｍ〕２＼／′：コニ二：ミミゝ＼ 鶴６図 （ｂ）
タ方式の装置構成の側面図、第２図（ａ）は高速スパッ
タ化を図ったマグネトロン型スパッタ装置の平面図Φ）
はその正面断面図、第３図は第２図においてターゲット
中心をＩから■へ配置した時の基板中心からの距離と膜
厚との関係を示すグラフ、第４図は従来のスパッタ電極
上に設けた基板上におけるターゲット中心からの距離と
膜厚との関係を示すグラフ、第５図は公転治具とスパッ
タ電極との関係を示す平面図、第６図（ａ）は本発明に
よる一実施例を示す平面図、（ｂ）はその正面断面図、
第７図は本発明と従来法によシスバッタリングを行なっ
た場合の公転治具中心からの距離と膜厚との関係を示す
グラフである。 １・・・・真空槽、２・・・・公転治具、４・・・・ス
パッタ原子、５・・・・磁界、６・・・・ターゲット
７・・・・磁石、８・・・・濃密度プラズマ空間、９−
１・・・・スパッタ領域、１０・・・・ターゲットホル
ダー、１１・働・・磁石ホルダー、２０・・・・ガラス
基板、２１１１・・・Ｓｉターゲット、２６・・・・位
置検出円板、２９・拳・・スヒートコントロールモータ
、３０−１〜３０−８・・・・位置検出センサー。 Ｗ４１区 （（１） （ｂ） ［３図 ｗ″−図 上 Ｅ 薯・坂ｋＫ？＋°グ易ターゲート牢心かうの真打鴨鉦〔
ｍｍ〕２＼／′：コニ二：ミミゝ＼ 鶴６図 （ｂ）
Claims (1)
- 真空槽内にてワーク公転機構とターゲットおよびその下
部に設けたプラズマ励起用の磁石を駆動させ、ターゲッ
ト上に発生させるプラズマ幽閉位置を移動させることに
よジターゲット上のスパッタ領域を変えつつスパッタリ
ングを行なうマグネトロン型スパッタ電極より成るスパ
ッタリング装置において、スパッタ電極下のプラズマ励
起用磁石を、公転しているワークの外周方向から内周方
向の間を往復移動させる際に、ワークの内、外周での付
着膜厚が一定になるように移動の途中で速度制御を行な
うようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2442582A JPS58144474A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2442582A JPS58144474A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144474A true JPS58144474A (ja) | 1983-08-27 |
| JPH0350832B2 JPH0350832B2 (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=12137792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2442582A Granted JPS58144474A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144474A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116774A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Nippon Texas Instr Kk | スパッタ装置 |
| JPS62142764A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-26 | Rohm Co Ltd | マグネトロンスパツタにおける膜厚調整方法 |
| JPS6348632A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
| JPH01123065A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH04308083A (ja) * | 1991-04-06 | 1992-10-30 | Japan Steel Works Ltd:The | 薄膜の作成方法 |
| JP2003073828A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Applied Materials Inc | スパッタリング装置のマグネトロンユニット及びスパッタリング装置 |
| WO2012067183A1 (ja) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8585873B2 (en) * | 2004-10-16 | 2013-11-19 | Aviza Technology Limited | Methods and apparatus for sputtering |
| JP2016011445A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP2442582A patent/JPS58144474A/ja active Granted
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| WO2012067183A1 (ja) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP5613243B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2014-10-22 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2016011445A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350832B2 (ja) | 1991-08-02 |
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