JPS6211685A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
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- JPS6211685A JPS6211685A JP60151505A JP15150585A JPS6211685A JP S6211685 A JPS6211685 A JP S6211685A JP 60151505 A JP60151505 A JP 60151505A JP 15150585 A JP15150585 A JP 15150585A JP S6211685 A JPS6211685 A JP S6211685A
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G—PHYSICS
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
本発明はレーザービームを照射して局部的に加熱し、そ
の加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによ
って記録する光学的記録媒体に関するものである。
の加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによ
って記録する光学的記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照射して、
孔を形成するようにした光学的記録媒体として、従来よ
り’ｒｅｙ！−使用することが知られている。Ｔｅは低
融点、低熱伝導度を有するために上記方法による記録に
おいて高い感度を示す。しかしＴｏは酸化され易く酸化
されると透明になり記録できなくなるという問題がある
。
孔を形成するようにした光学的記録媒体として、従来よ
り’ｒｅｙ！−使用することが知られている。Ｔｅは低
融点、低熱伝導度を有するために上記方法による記録に
おいて高い感度を示す。しかしＴｏは酸化され易く酸化
されると透明になり記録できなくなるという問題がある
。
上記問題点を改良したものとして、Ｔｅを合金化したも
の、Ｔｏの低酸化物、Ｔｅを有機膜中に分散させたもの
等がある。〔例えば特開昭７３−３／１０ダ公報、特開
昭！ｔ−３ダｓｓｒ号公報、特開昭３ゲータ１３９４！
公報）。
の、Ｔｏの低酸化物、Ｔｅを有機膜中に分散させたもの
等がある。〔例えば特開昭７３−３／１０ダ公報、特開
昭！ｔ−３ダｓｓｒ号公報、特開昭３ゲータ１３９４！
公報）。
本発明者らは、Ａｒをスパッタリングガスとし、Ｔｏ−
Ｂｅ合金をターゲット材とした従来のＴｅ−Ｂｅ記録媒
体について検討した結果、これらガ媒体にアクリル樹脂
基板上ではビット形状が悪い事、ポリカーボネート樹脂
基板上では記録感度が悪い事、更に上記両基板において
膜全面にξクロン径のダレインがある事を発見し、これ
らが、信号再生時のノイズの一因になる事を見出した。
Ｂｅ合金をターゲット材とした従来のＴｅ−Ｂｅ記録媒
体について検討した結果、これらガ媒体にアクリル樹脂
基板上ではビット形状が悪い事、ポリカーボネート樹脂
基板上では記録感度が悪い事、更に上記両基板において
膜全面にξクロン径のダレインがある事を発見し、これ
らが、信号再生時のノイズの一因になる事を見出した。
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に種々検討し
た結果、スパッタリングガスに窒素（Ｎ２）ガスを混入
して合金ターゲットをスパッタする事によりアクリル、
ポリカーボネート基板上で感度、ビット形状共に良好で
ミクロン径のグレインがなく、しかも経時安定性の優れ
た光学的記録媒体が得られる事を見出し、本発明に到達
した。
た結果、スパッタリングガスに窒素（Ｎ２）ガスを混入
して合金ターゲットをスパッタする事によりアクリル、
ポリカーボネート基板上で感度、ビット形状共に良好で
ミクロン径のグレインがなく、しかも経時安定性の優れ
た光学的記録媒体が得られる事を見出し、本発明に到達
した。
すなわち、本発明の要旨は、Ｔｏ及び８ｅを含む合金を
ターゲット材としてアルゴン及び窒素の混合ガス中で反
応性スパッタリングを行ない、基板上にＴｅ−Ｅｌｅ−
Ｎ堆積膜を形成させてなる光学的記録媒体にある。
ターゲット材としてアルゴン及び窒素の混合ガス中で反
応性スパッタリングを行ない、基板上にＴｅ−Ｅｌｅ−
Ｎ堆積膜を形成させてなる光学的記録媒体にある。
（発明の構成）
以下、本発明の詳細な説明する。
まず本発明に係る記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、
又はアルミニウム等の金属が挙げられその厚みは一般に
／〜／、！ １１１１１程度から選ばれる。
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、
又はアルミニウム等の金属が挙げられその厚みは一般に
／〜／、！ １１１１１程度から選ばれる。
本発明においては、この基板上に、反応性スパッタリン
グ法により金属化合物堆積膜を形成させる。
グ法により金属化合物堆積膜を形成させる。
本発明においてはＴｅ及びＳｅを含む合金をターゲット
材としてアルゴン（Ａｒ）と窒素ＣＨｘ）の混合ガスを
導入した真空容器内でグロー放電を行なう事により、ム
ｒイオンが合金ターゲラトラスパッタして、更にスパッ
タされた合金粒子のあるものが窒化され、基板上にＴ
ｅ −Ｂ ｅ −Ｎ系金属化合物堆積膜を形成する。グ
ロー放電に際しては高周波法又は直流法の常法によるこ
とができ、ラジカル及びイオン種が生成される。
材としてアルゴン（Ａｒ）と窒素ＣＨｘ）の混合ガスを
導入した真空容器内でグロー放電を行なう事により、ム
ｒイオンが合金ターゲラトラスパッタして、更にスパッ
タされた合金粒子のあるものが窒化され、基板上にＴ
ｅ −Ｂ ｅ −Ｎ系金属化合物堆積膜を形成する。グ
ロー放電に際しては高周波法又は直流法の常法によるこ
とができ、ラジカル及びイオン種が生成される。
基板温度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持される
。Ｎｔ？含んだスパッタリング堆積膜の厚みは、通常、
１ｔＯ１〜／μｍ程度、好ましくはコｏｏ−ｉｏｏｏ又
程度である。
。Ｎｔ？含んだスパッタリング堆積膜の厚みは、通常、
１ｔＯ１〜／μｍ程度、好ましくはコｏｏ−ｉｏｏｏ又
程度である。
ターゲット材としてはＴｅ、及びＳｅよりなる一元素あ
るいはさらにＢ１、ｓｂ、８等を含む３元累以上の合金
が挙げられる。ＴｅとＳｅにおけるＳ・の含有率は原子
質量比で３〜２３％に選ばれる。これは膜中の８０含有
量が原子質量比で３％以下であると静時安定性が劣化し
コ！チ以上であると感度、コントラスト及びビット形状
が劣化するおそれがあるためである。
るいはさらにＢ１、ｓｂ、８等を含む３元累以上の合金
が挙げられる。ＴｅとＳｅにおけるＳ・の含有率は原子
質量比で３〜２３％に選ばれる。これは膜中の８０含有
量が原子質量比で３％以下であると静時安定性が劣化し
コ！チ以上であると感度、コントラスト及びビット形状
が劣化するおそれがあるためである。
形成される膜には使用した合金とほぼ同割合のＴｏ、Ｓ
ｓが含まれる。
ｓが含まれる。
他の第３成分等を用いる場合、その量は通常Ｔｅに対し
原子質量比で３〜３０％程度が好適に用いられる。
原子質量比で３〜３０％程度が好適に用いられる。
上記ＡｒとＮ２の混合ガスにおいて、ＡｒとＮ！におけ
るＮ！の比率は通常３〜ｇｏ％（体積比）程度、好適に
はｉｏ−一〇％が採用される。
るＮ！の比率は通常３〜ｇｏ％（体積比）程度、好適に
はｉｏ−一〇％が採用される。
第１図は本発明に係る光学的記録媒体の製造のための装
置の一例である。図中（１）は真空容器、（２）は電極
、（３）は合金ターゲット、（４）は基板、（５）はガ
ス導入口、（６）はシャッター、（７）は排気口である
。
置の一例である。図中（１）は真空容器、（２）は電極
、（３）は合金ターゲット、（４）は基板、（５）はガ
ス導入口、（６）はシャッター、（７）は排気口である
。
上記改良された光学的記録媒体の炸裂は、真空容器（１
）’ｈ： ｔ ｏ−６Ｔｏｒｒ台まで排気シタ後、Ａｒ
ガスＹ導入口（５）より導入し、真空容器（１）の内圧
な数ｍ’ｒｏｒｒ〜数／ ＯｍＴｏｒｒとなるようにす
る。
）’ｈ： ｔ ｏ−６Ｔｏｒｒ台まで排気シタ後、Ａｒ
ガスＹ導入口（５）より導入し、真空容器（１）の内圧
な数ｍ’ｒｏｒｒ〜数／ ＯｍＴｏｒｒとなるようにす
る。
ガス導入後電極（２）の間に高周波を印加し放電を起さ
せる。この状態を数分間保持して合金ターゲット（３）
表面を清浄にする。その後真空容器内を再び／ 、：’
−’ＴＯｒｒ台まで排気し、ＡｒガスとＮ！ガスをある
体積比で混入したガスを導入口（５）より導入し、真空
容器（１）の内圧を数ｍ’ｒｏｒｒ〜数／ Ｑ ｍ’ｒ
ｏｒｒとし、電極（２）の間に高周波を印加し放電を起
こさせる。その後、一定時間シャッター（６）を開き、
基板（４）上に金属化合物スパッタリング堆積膜を形成
する。膜の堆積速度は主に高周波電力、真空容器（１）
内の圧力を変える事により変化させ、Ｎの含有量は主に
ＡｒとＮ２との体積比を変える事により変化させる。
せる。この状態を数分間保持して合金ターゲット（３）
表面を清浄にする。その後真空容器内を再び／ 、：’
−’ＴＯｒｒ台まで排気し、ＡｒガスとＮ！ガスをある
体積比で混入したガスを導入口（５）より導入し、真空
容器（１）の内圧を数ｍ’ｒｏｒｒ〜数／ Ｑ ｍ’ｒ
ｏｒｒとし、電極（２）の間に高周波を印加し放電を起
こさせる。その後、一定時間シャッター（６）を開き、
基板（４）上に金属化合物スパッタリング堆積膜を形成
する。膜の堆積速度は主に高周波電力、真空容器（１）
内の圧力を変える事により変化させ、Ｎの含有量は主に
ＡｒとＮ２との体積比を変える事により変化させる。
スパッタリングされた合金粒子の窒化は主にターゲット
（２）表面と基板（４）表面上で行なわれる。
（２）表面と基板（４）表面上で行なわれる。
膜中ＯＮの含有率は０．７％〜１０％が好ましい。
このＮを含有することＫより、膜材料が平滑化され、い
わゆるミクロダレインの少ない薄膜を得ることができた
。又このＨの効果としては、他に経時安定性改良にも関
与しているものと考えられる。
わゆるミクロダレインの少ない薄膜を得ることができた
。又このＨの効果としては、他に経時安定性改良にも関
与しているものと考えられる。
本発明に係る記録用媒体は上記のように基板上に上記金
属化合物堆積膜を形成させているが、さらに基板と堆積
膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔形状の向
上等のために下引き層を設けることもでき、さらには記
録媒体の保護のために下引層を設けることもでき、さら
には記録媒体保護のために堆積膜上に保護膜な設げるこ
ともできる。
属化合物堆積膜を形成させているが、さらに基板と堆積
膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔形状の向
上等のために下引き層を設けることもでき、さらには記
録媒体の保護のために下引層を設けることもでき、さら
には記録媒体保護のために堆積膜上に保護膜な設げるこ
ともできる。
下引き層としては、特に限定されないが、有機化合物膜
等を用いれば良い。
等を用いれば良い。
又保護膜としては各種全域酸化物、金属弗化物等が挙げ
られ、例えばＳｉｎ、、 ＭｇＦｗ等が例示される。
られ、例えばＳｉｎ、、 ＭｇＦｗ等が例示される。
（実施例）
以下実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発
明が実施例のみに限定′されるものではないことは勿論
のことである。
明が実施例のみに限定′されるものではないことは勿論
のことである。
実施例／
真空容器をｊ Ｘ ／ ０−６ＴＯｒｒまで排気した後
Ａｒガスと、体積比で２０％のＮ、ガスを混合して導入
し、基板側電極とターゲット側電極間に７３、！ｒ Ａ
ＭＨｚの高周波電力を印刀口してグロー放電を行う。
Ａｒガスと、体積比で２０％のＮ、ガスを混合して導入
し、基板側電極とターゲット側電極間に７３、！ｒ Ａ
ＭＨｚの高周波電力を印刀口してグロー放電を行う。
ガス圧ｊ Ｘ ／ ０−” ＴＯｒｒ 、放電を力＆Ｏ
Ｗでグロー放電を起こす。
Ｗでグロー放電を起こす。
ターゲットに原子比Ｔθｇｏ％、Ｓｅ２０％の合金を用
い、堆積速度コ５０＾／ Ｉｎ ｉ ｎにて基板上にコ
ｓｏＸの窒化ＴｅＳｅ堆積膜を形成させたところ、（Ａ
’？イオンレーザ−による記録、Ｈｅ −Ｎ ｏレーザ
ーによる再生でＪＯ／ＮＩＩｆｆｄＢが得られた。
い、堆積速度コ５０＾／ Ｉｎ ｉ ｎにて基板上にコ
ｓｏＸの窒化ＴｅＳｅ堆積膜を形成させたところ、（Ａ
’？イオンレーザ−による記録、Ｈｅ −Ｎ ｏレーザ
ーによる再生でＪＯ／ＮＩＩｆｆｄＢが得られた。
実施例ａ
真空容器をｊ Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒまで排気した
後、Ａｒガスを／ Ｘ ／ ０−２ ＴＯｒｒまで導入
し、／３．ｋＡＭＨｚの高周波電力よθＷで基板とター
ゲット間にグロー放電ン起こす。ターゲットにポリテト
ラフルオロエチレン（１’ＴＩＦＢ ）を用い、堆積速
度ＳＯλ／ｍｉｎにて、基板上にコ００１のテフロン下
引き堆積膜を形成させた。
後、Ａｒガスを／ Ｘ ／ ０−２ ＴＯｒｒまで導入
し、／３．ｋＡＭＨｚの高周波電力よθＷで基板とター
ゲット間にグロー放電ン起こす。ターゲットにポリテト
ラフルオロエチレン（１’ＴＩＦＢ ）を用い、堆積速
度ＳＯλ／ｍｉｎにて、基板上にコ００１のテフロン下
引き堆積膜を形成させた。
しかる後に、〔実施例／）と同条件で窒化Ｔｅ日ｅ堆積
膜を上記テフロン下引き堆積膜上に堆積させたところ、
（Ａｒイオンレーザ−による記録、Ｈｅ −Ｎ ｅレー
ザーによる再生で） Ｏ／Ｎダデ（ＬＢが得られた〇 比較例 真空容器Ｙ ／ Ｘ ／ ０−５ Ｔｏｒｒまで排気し
た後、Ａｒガスｆｔ！ｒ Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒま
テ導入シ、／ 、７． ｊ ＡＭＨｓｓの高周波電力５
０Ｗで基板とターゲットの間にグロー放電を起こす。
膜を上記テフロン下引き堆積膜上に堆積させたところ、
（Ａｒイオンレーザ−による記録、Ｈｅ −Ｎ ｅレー
ザーによる再生で） Ｏ／Ｎダデ（ＬＢが得られた〇 比較例 真空容器Ｙ ／ Ｘ ／ ０−５ Ｔｏｒｒまで排気し
た後、Ａｒガスｆｔ！ｒ Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒま
テ導入シ、／ 、７． ｊ ＡＭＨｓｓの高周波電力５
０Ｗで基板とターゲットの間にグロー放電を起こす。
ターゲットに原子比Ｔｆ３１０％、Ｓｓコθ優の合金を
用い、堆積速度λｊｉ７Ｘ／ｍｉｎにて基板上にｔｉｏ
ｏＸのＴｅａｓ堆積膜を形成させたところ、（半導体レ
ーザーによる記録、読み出しで）０７Ｎ ダ、ｔａＢが
得られた。
用い、堆積速度λｊｉ７Ｘ／ｍｉｎにて基板上にｔｉｏ
ｏＸのＴｅａｓ堆積膜を形成させたところ、（半導体レ
ーザーによる記録、読み出しで）０７Ｎ ダ、ｔａＢが
得られた。
（発明の効果］
本発明によれば、経時安定性、Ｃ／Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅ
ｒ−ｔｏ−ＮｏｉＳｅ ｒａｔｉｏ）、ピット形状、コ
ントラストを更に向上しえた記録媒体を得ることができ
る。本発明の構成因子の中で特に日ｅが経時安定性に又
窒素成分がＣ／Ｎ比に関与していると考えられる。
ｒ−ｔｏ−ＮｏｉＳｅ ｒａｔｉｏ）、ピット形状、コ
ントラストを更に向上しえた記録媒体を得ることができ
る。本発明の構成因子の中で特に日ｅが経時安定性に又
窒素成分がＣ／Ｎ比に関与していると考えられる。
第１図は本発明に係る光学的記録媒体の製造のための装
置の一例を示す。
置の一例を示す。
Claims (1)
- （１）Ｔｅ及びＳｅを含む合金をターゲット材として、
アルゴン及び窒素の混合ガス中で反応性スパッタリング
を行ない、基板上にＴｅ−Ｓｅ−Ｎ堆積膜を形成させて
なる光学的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151505A JPS6211685A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151505A JPS6211685A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211685A true JPS6211685A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15519974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151505A Pending JPS6211685A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211685A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0243958A2 (en) * | 1986-04-30 | 1987-11-04 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
| JPS62256691A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Nec Corp | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
| JPS6363153A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-19 | Nec Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| WO2003101750A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5264905A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-28 | Hitachi Ltd | Part for recording information |
| JPS5758250A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPS5990246A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP60151505A patent/JPS6211685A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPH051746B2 (ja) * | 1986-04-30 | 1993-01-08 | Nippon Electric Co | |
| JPS6363153A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-19 | Nec Corp | 光記録媒体の製造方法 |
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| KR100709931B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2007-04-24 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 정보 기록 매체 및 그 제조 방법 |
| US7524612B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-04-28 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
| US7381458B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-06-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
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