JP2000239827A - 積層構造体及びその製造方法 - Google Patents
積層構造体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000239827A JP2000239827A JP11337616A JP33761699A JP2000239827A JP 2000239827 A JP2000239827 A JP 2000239827A JP 11337616 A JP11337616 A JP 11337616A JP 33761699 A JP33761699 A JP 33761699A JP 2000239827 A JP2000239827 A JP 2000239827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide coating
- coating layer
- sputtering
- laminated structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3605—Coatings of the type glass/metal/inorganic compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3634—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing carbon, a carbide or oxycarbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0635—Carbides
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25711—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2537—Optical discs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2532—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising metals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12576—Boride, carbide or nitride component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐酸化性、耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高
光透過率等に優れた炭化ケイ素質被覆層を有することに
より、特にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスク
の記録媒体に好適な積層構造体を提供する。 【解決手段】 合金基材上に、スパッタリングにより形
成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被
覆層の光透過率が７０％以上であることを特徴とする積
層構造体である。合金基材が、磁性合金又は相変化合金
である態様、炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する不純
物の比率が１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下である
態様、炭化ケイ素質被覆層の厚みが１０〜１００ｎｍで
ある態様、などが好ましい。
光透過率等に優れた炭化ケイ素質被覆層を有することに
より、特にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスク
の記録媒体に好適な積層構造体を提供する。 【解決手段】 合金基材上に、スパッタリングにより形
成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被
覆層の光透過率が７０％以上であることを特徴とする積
層構造体である。合金基材が、磁性合金又は相変化合金
である態様、炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する不純
物の比率が１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下である
態様、炭化ケイ素質被覆層の厚みが１０〜１００ｎｍで
ある態様、などが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層構造体及びそ
の製造方法に関し、特に光ディスク記録媒体に好適な被
覆層を有する積層構造体及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に光ディスク記録媒体に好適な被
覆層を有する積層構造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＡＭに代表さ
れる書換型の光ディスクにおける記録原理は、２種類あ
り、１つは光磁気型の記録であり、もう１つは相変化型
の記録である。前記光磁気型の記録に用いられる前記光
ディスクにおける記録層には、ＴｅＦｅＣｏ系合金を代
表とする合金が用いられ、前記相変化型の記録に用いら
れる前記光ディスクにおける記録層には、ＧａＳｂＴｂ
系合金を代表とする合金が用いられている。これらの合
金は、酸化され易いため、通常、窒化シリコンに代表さ
れる誘電体層を合金上にスパッタリング法により被覆
し、その被覆層は保護層として機能し、合金の酸化を防
止する。また、その保護層には耐塩素性、耐湿性、高屈
折率、高光透過率等の特性が要求される。
れる書換型の光ディスクにおける記録原理は、２種類あ
り、１つは光磁気型の記録であり、もう１つは相変化型
の記録である。前記光磁気型の記録に用いられる前記光
ディスクにおける記録層には、ＴｅＦｅＣｏ系合金を代
表とする合金が用いられ、前記相変化型の記録に用いら
れる前記光ディスクにおける記録層には、ＧａＳｂＴｂ
系合金を代表とする合金が用いられている。これらの合
金は、酸化され易いため、通常、窒化シリコンに代表さ
れる誘電体層を合金上にスパッタリング法により被覆
し、その被覆層は保護層として機能し、合金の酸化を防
止する。また、その保護層には耐塩素性、耐湿性、高屈
折率、高光透過率等の特性が要求される。
【０００３】しかしながら、一般に窒化シリコン層は、
シリコンターゲット材を窒素導入下でスパッタリングす
ることにより形成されるが、アーク放電が起こり易く、
高電力をかけるのが困難であるため、製造が容易でな
い、また、光透過率、光屈折率、熱伝導率が低いという
問題がある。
シリコンターゲット材を窒素導入下でスパッタリングす
ることにより形成されるが、アーク放電が起こり易く、
高電力をかけるのが困難であるため、製造が容易でな
い、また、光透過率、光屈折率、熱伝導率が低いという
問題がある。
【０００４】前記書換型の光ディスクにおける保護層の
形成には、一般にスパッタリングが用いられている。ス
パッタリングが用いられている理由の１つに、形成コス
トを下げるには、ＣＶＤ法に代表される化学的方法では
なく、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸
着等の物理的方法が有利であり、この物理的方法の中で
も特にスパッタリングは、該保護層の形成速度が高く、
基材との密着性に優れていることが挙げられる。このス
パッタリングで使用されるターゲット材は、高速に該保
護層を形成できるＤＣ電源方式を用いる場合には、体積
抵抗率として１０0Ω・ｃｍ以下、好ましくは１０-2Ω
・ｃｍ以下程度の導電性を有していることが必要であ
る。
形成には、一般にスパッタリングが用いられている。ス
パッタリングが用いられている理由の１つに、形成コス
トを下げるには、ＣＶＤ法に代表される化学的方法では
なく、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸
着等の物理的方法が有利であり、この物理的方法の中で
も特にスパッタリングは、該保護層の形成速度が高く、
基材との密着性に優れていることが挙げられる。このス
パッタリングで使用されるターゲット材は、高速に該保
護層を形成できるＤＣ電源方式を用いる場合には、体積
抵抗率として１０0Ω・ｃｍ以下、好ましくは１０-2Ω
・ｃｍ以下程度の導電性を有していることが必要であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課
題とする。本発明は、耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高
光透過率等に優れた炭化ケイ素質被覆層を有することに
より、特にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスク
の記録媒体に好適な積層構造体、及び、該積層構造体を
簡便にかつ確実に製造することが可能な積層構造体の製
造方法を提供することを目的とする。
おける諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課
題とする。本発明は、耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高
光透過率等に優れた炭化ケイ素質被覆層を有することに
より、特にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスク
の記録媒体に好適な積層構造体、及び、該積層構造体を
簡便にかつ確実に製造することが可能な積層構造体の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意検討した結果、以下の知見を得
た。即ち、スパッタリング法で使用されるターゲット材
として、窒化シリコンに代表される誘導体を作製するの
に必要なターゲット材の代替材料を探究した結果、金属
は一般に比重が大きいものが多いために取扱いが難し
く、スパッタリング時においてターゲット材と同質の純
粋な金属薄層が形成されるために保護層に必要な光反射
率等を得るには該保護層の厚みを制御するしかなく、製
造が容易でない。また、セラミックス材料は、一般に絶
縁材料が多く、ターゲット材として使用し難い。ところ
が、炭化ケイ素焼結体は、スパッタリング条件によって
薄く形成される前記保護層の光特性を制御できるターゲ
ット材として有効であるという知見である。そして、ス
パッタリング条件によって前記保護層の光特性を制御で
きるターゲット材としては、本発明者らが先に提案した
特開平１０−６７５６５号公報に記載の炭化ケイ素焼結
体の製造工程において、炭化ケイ素粉末と非金属焼結助
材の混合物を調製する際に、窒素含有化合物を導入する
工程、又は、炭化ケイ素粉末の調製時にその原料である
炭素源とケイ素源とを混合する際に窒素含有化合物を導
入する工程、を行うことにより得られる、高密度・高純
度であり、体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である炭化
ケイ素焼結体が更に有効であり、また、本発明者らが先
に提案した特願平１０−３４８５６９号明細書、特願平
１０−３４８７０１号明細書に記載の洗浄方法により表
面及び表面近傍に存在する不純物が１.０×１０11ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2未満であり高密度、高純度、体積抵抗率
が１０0Ω・ｃｍ以下である炭化ケイ素焼結体が更に有
効であるという知見である。
を達成するために鋭意検討した結果、以下の知見を得
た。即ち、スパッタリング法で使用されるターゲット材
として、窒化シリコンに代表される誘導体を作製するの
に必要なターゲット材の代替材料を探究した結果、金属
は一般に比重が大きいものが多いために取扱いが難し
く、スパッタリング時においてターゲット材と同質の純
粋な金属薄層が形成されるために保護層に必要な光反射
率等を得るには該保護層の厚みを制御するしかなく、製
造が容易でない。また、セラミックス材料は、一般に絶
縁材料が多く、ターゲット材として使用し難い。ところ
が、炭化ケイ素焼結体は、スパッタリング条件によって
薄く形成される前記保護層の光特性を制御できるターゲ
ット材として有効であるという知見である。そして、ス
パッタリング条件によって前記保護層の光特性を制御で
きるターゲット材としては、本発明者らが先に提案した
特開平１０−６７５６５号公報に記載の炭化ケイ素焼結
体の製造工程において、炭化ケイ素粉末と非金属焼結助
材の混合物を調製する際に、窒素含有化合物を導入する
工程、又は、炭化ケイ素粉末の調製時にその原料である
炭素源とケイ素源とを混合する際に窒素含有化合物を導
入する工程、を行うことにより得られる、高密度・高純
度であり、体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である炭化
ケイ素焼結体が更に有効であり、また、本発明者らが先
に提案した特願平１０−３４８５６９号明細書、特願平
１０−３４８７０１号明細書に記載の洗浄方法により表
面及び表面近傍に存在する不純物が１.０×１０11ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2未満であり高密度、高純度、体積抵抗率
が１０0Ω・ｃｍ以下である炭化ケイ素焼結体が更に有
効であるという知見である。
【０００７】本発明は、本発明者らによる前記知見に基
くものであり、前記課題を解決するための手段は以下の
通りである。 ＜１＞ 合金基材上に、スパッタリングにより形成され
た炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被覆層の
光透過率が７０％以上であることを特徴とする積層構造
体である。 ＜２＞ 合金基材が、磁性合金又は相変化合金で形成さ
れる前記＜１＞に記載の積層構造体である。 ＜３＞ 炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する不純物の
比率が１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下である前記
＜１＞又は＜２＞に記載の積層構造体である。 ＜４＞ 炭化ケイ素質被覆層の厚みが１０〜１００ｎｍ
である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の積層構
造体である。 ＜５＞ 合金基材上に、タ−ゲット材を用いてスパッタ
リングにより形成される炭化ケイ素質被覆層を有する積
層構造体の製造方法であって、該炭化ケイ素質被覆層
を、スパッタリング装置への投入電力と、酸素ガス又は
窒素ガスの導入流量と、スパッタリング時間とを制御し
て形成することを特徴とする積層構造体の製造方法であ
る。 ＜６＞ ターゲット材が炭化ケイ素焼結体であり、該炭
化ケイ素焼結体が、その表面及び表面近傍に存在する不
純物の比率が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2未満であ
り、その密度が２.９ｇ／ｃｍ3以上であり、その体積抵
抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である前記＜５＞に記載の積
層構造体の製造方法である。
くものであり、前記課題を解決するための手段は以下の
通りである。 ＜１＞ 合金基材上に、スパッタリングにより形成され
た炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被覆層の
光透過率が７０％以上であることを特徴とする積層構造
体である。 ＜２＞ 合金基材が、磁性合金又は相変化合金で形成さ
れる前記＜１＞に記載の積層構造体である。 ＜３＞ 炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する不純物の
比率が１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下である前記
＜１＞又は＜２＞に記載の積層構造体である。 ＜４＞ 炭化ケイ素質被覆層の厚みが１０〜１００ｎｍ
である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の積層構
造体である。 ＜５＞ 合金基材上に、タ−ゲット材を用いてスパッタ
リングにより形成される炭化ケイ素質被覆層を有する積
層構造体の製造方法であって、該炭化ケイ素質被覆層
を、スパッタリング装置への投入電力と、酸素ガス又は
窒素ガスの導入流量と、スパッタリング時間とを制御し
て形成することを特徴とする積層構造体の製造方法であ
る。 ＜６＞ ターゲット材が炭化ケイ素焼結体であり、該炭
化ケイ素焼結体が、その表面及び表面近傍に存在する不
純物の比率が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2未満であ
り、その密度が２.９ｇ／ｃｍ3以上であり、その体積抵
抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である前記＜５＞に記載の積
層構造体の製造方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の積層構造体及びそ
の製造方法について詳細に説明する。本発明の積層構造
体は、合金基材上に炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化
ケイ素質被覆層の光透過率が７０％以上である。
の製造方法について詳細に説明する。本発明の積層構造
体は、合金基材上に炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化
ケイ素質被覆層の光透過率が７０％以上である。
【０００９】前記合金基材は、磁性合金又は相変化合金
で形成される。前記磁性合金としては、例えば、ＴｅＦ
ｅＣｏ系合金、ＧｄＴｂＦｅ系合金、ＧｄＤｙＦｅＣｏ
系合金、等が挙げられる。前記相変化合金としては、例
えば、ＧａＴｂＦｅＣｏ系合金、ＧａＳｂＴｂ系合金、
ＡｌＩｎＳｂＴｅ系合金、ＧｅＴｅＳｂ系合金、等が挙
げられる。
で形成される。前記磁性合金としては、例えば、ＴｅＦ
ｅＣｏ系合金、ＧｄＴｂＦｅ系合金、ＧｄＤｙＦｅＣｏ
系合金、等が挙げられる。前記相変化合金としては、例
えば、ＧａＴｂＦｅＣｏ系合金、ＧａＳｂＴｂ系合金、
ＡｌＩｎＳｂＴｅ系合金、ＧｅＴｅＳｂ系合金、等が挙
げられる。
【００１０】前記炭化ケイ素質被覆層は、炭化ケイ素焼
結体をターゲット材として用いてスパッタリングにより
好適に形成される。前記炭化ケイ素質被覆層の光透過率
としては、７０％以上であり、８０％以上であるのが好
ましく、９０％以上であるのがより好ましい。
結体をターゲット材として用いてスパッタリングにより
好適に形成される。前記炭化ケイ素質被覆層の光透過率
としては、７０％以上であり、８０％以上であるのが好
ましく、９０％以上であるのがより好ましい。
【００１１】前記光透過率は、以下のようにして算出さ
れる。即ち、厚み１ｍｍのガラス基材上に、厚み１００
ｎｍの炭化ケイ素質被覆層を形成した複合体に対し、入
射光波長２５０ｎｍ〜１０００ｎｍまで変化させながら
光透過率スペクトルをスペクトルフォトメーター（日立
製作所製、Ｕ−４０００）を用いて測定する。次に、光
が裏面で反射しないように処理した、厚み１ｍｍのガラ
ス基材上に、厚み１００ｎｍの炭化ケイ素質被覆層を形
成した複合体に対し、入射光波長２５０ｎｍ〜１０００
ｎｍまで変化させながら光反射率スペクトルをスペクト
ルフォトメーター（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用
いて測定する。この光透過率スペクトルと光反射率スペ
クトルとから、屈折率実数部スペクトルと屈折率虚数部
スペクトルとを、屈折率解析装置（ｎ＆ｋ テクノロジ
ー社製、Ｉｒｉｓ２００）にて算出した。そして、算出
した屈折率実数部スペクトル及び屈折率虚数部スペクト
ルの入射光波長６３３ｎｍでの屈折率実数部スペクトル
及び屈折率虚数部スペクトル部を下記式に代入すること
により、任意の厚みの炭化ケイ素質被覆層についての光
透過率（％）が得られる。前記光透過率は、この光透過
率（％）を意味する。なお、下記式は平行平面層内での
繰り返し反射干渉効果を考慮している。
れる。即ち、厚み１ｍｍのガラス基材上に、厚み１００
ｎｍの炭化ケイ素質被覆層を形成した複合体に対し、入
射光波長２５０ｎｍ〜１０００ｎｍまで変化させながら
光透過率スペクトルをスペクトルフォトメーター（日立
製作所製、Ｕ−４０００）を用いて測定する。次に、光
が裏面で反射しないように処理した、厚み１ｍｍのガラ
ス基材上に、厚み１００ｎｍの炭化ケイ素質被覆層を形
成した複合体に対し、入射光波長２５０ｎｍ〜１０００
ｎｍまで変化させながら光反射率スペクトルをスペクト
ルフォトメーター（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用
いて測定する。この光透過率スペクトルと光反射率スペ
クトルとから、屈折率実数部スペクトルと屈折率虚数部
スペクトルとを、屈折率解析装置（ｎ＆ｋ テクノロジ
ー社製、Ｉｒｉｓ２００）にて算出した。そして、算出
した屈折率実数部スペクトル及び屈折率虚数部スペクト
ルの入射光波長６３３ｎｍでの屈折率実数部スペクトル
及び屈折率虚数部スペクトル部を下記式に代入すること
により、任意の厚みの炭化ケイ素質被覆層についての光
透過率（％）が得られる。前記光透過率は、この光透過
率（％）を意味する。なお、下記式は平行平面層内での
繰り返し反射干渉効果を考慮している。
【００１２】
【数１】
【００１３】なお、前記式において、λは、入射光波長
（６３３ｎｍ）を表す。ｎは、屈折率実数部を表す。ｋ
は、屈折率虚数部を表す。ｄは、炭化ケイ素質被覆層の
厚みを表す。
（６３３ｎｍ）を表す。ｎは、屈折率実数部を表す。ｋ
は、屈折率虚数部を表す。ｄは、炭化ケイ素質被覆層の
厚みを表す。
【００１４】前記光透過率が７０％以上であると、例え
ばＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の書換型の光ディスク
における保護層として好ましく機能する。一方、前記光
透過率が７０％未満であると、記録層からの反射光が少
なくなり、記録層の情報が読み取りにくく、エラー発生
率が大きくなる点で好ましくない。
ばＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の書換型の光ディスク
における保護層として好ましく機能する。一方、前記光
透過率が７０％未満であると、記録層からの反射光が少
なくなり、記録層の情報が読み取りにくく、エラー発生
率が大きくなる点で好ましくない。
【００１５】前記炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する
不純物の比率としては、１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ2以下が好ましい。前記比率が、１.０×１０12ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2を超えると、ピット上でディスク成形時に
欠陥を発生し易くし、エラー発生率を増加させる要因と
なる。
不純物の比率としては、１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ2以下が好ましい。前記比率が、１.０×１０12ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2を超えると、ピット上でディスク成形時に
欠陥を発生し易くし、エラー発生率を増加させる要因と
なる。
【００１６】前記炭化ケイ素質被覆層の厚みとしては、
生産効率を考えると、１０〜１００ｎｍが好ましい。前
記炭化ケイ素質被覆層の厚みが、１０ｎｍ未満である
と、合金基材の酸化、塩化、湿化を防ぐ保護特性が劣化
することがあり、１００ｎｍを超えると、光透過率が小
さくなり、記録層の情報が読み取り難く、エラー発生率
が大きくなる要因となることがある。
生産効率を考えると、１０〜１００ｎｍが好ましい。前
記炭化ケイ素質被覆層の厚みが、１０ｎｍ未満である
と、合金基材の酸化、塩化、湿化を防ぐ保護特性が劣化
することがあり、１００ｎｍを超えると、光透過率が小
さくなり、記録層の情報が読み取り難く、エラー発生率
が大きくなる要因となることがある。
【００１７】本発明の積層構造体は、以下に説明する本
発明の積層構造体の製造方法により好適に製造すること
ができる。本発明の積層構造体の製造方法は、前記本発
明の積層構造体における前記炭化ケイ素質被覆層を、タ
−ゲット材を用いてスパッタリングにより前記合金基材
上に形成し、その際、スパッタリング装置への投入電力
と、酸素ガス又は窒素ガスの導入流量と、スパッタリン
グ時間とを制御する点に特徴がある。
発明の積層構造体の製造方法により好適に製造すること
ができる。本発明の積層構造体の製造方法は、前記本発
明の積層構造体における前記炭化ケイ素質被覆層を、タ
−ゲット材を用いてスパッタリングにより前記合金基材
上に形成し、その際、スパッタリング装置への投入電力
と、酸素ガス又は窒素ガスの導入流量と、スパッタリン
グ時間とを制御する点に特徴がある。
【００１８】前記スパッタリングの方法としては、使用
するターゲット材の導電性にもよるが、ターゲット材の
導電性が低い場合は高周波スパッタリング、高周波マグ
ネトロンスパッタリング等が使用され、ターゲット材の
導電性が高い場合、ＤＣスパッタリング、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング等が用いられる。これらの中でも、
前記ターゲット材として炭化ケイ素焼結体を用いる場合
には、該ターゲット材は導電性を有するため、ＤＣスパ
ッタリング、ＤＣマグネトロンスパッタリングが好まし
い。
するターゲット材の導電性にもよるが、ターゲット材の
導電性が低い場合は高周波スパッタリング、高周波マグ
ネトロンスパッタリング等が使用され、ターゲット材の
導電性が高い場合、ＤＣスパッタリング、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング等が用いられる。これらの中でも、
前記ターゲット材として炭化ケイ素焼結体を用いる場合
には、該ターゲット材は導電性を有するため、ＤＣスパ
ッタリング、ＤＣマグネトロンスパッタリングが好まし
い。
【００１９】前記ターゲット材の体積抵抗率としては、
高速で被覆層を形成できるＤＣスパッタリングの場合に
は、１０0Ω・ｃｍ以下が好ましく、１０-2Ω・ｃｍ以
下程度の導電性を有していることが必要である。
高速で被覆層を形成できるＤＣスパッタリングの場合に
は、１０0Ω・ｃｍ以下が好ましく、１０-2Ω・ｃｍ以
下程度の導電性を有していることが必要である。
【００２０】前記ターゲット材として用いる炭化ケイ素
焼結体としては、本発明者らが先に提案した特開平１０
−６７５６５号公報に記載の炭化ケイ素焼結体の製造工
程において、炭化ケイ素粉末と非金属焼結助剤との混合
物を調製する際に、窒素含有化合物を導入する工程を行
うことにより、又は、炭化ケイ素粉末の調製時にその原
料である炭素源とケイ素源とを混合する際に窒素含有化
合物を導入する工程を行うことにより得られる高密度・
高純度であり、体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である
炭化ケイ素焼結体が好ましく、本発明者らが先に提案し
た特願平１０−３４８５７０号明細書、特願平１０−３
４８７００号明細書に記載の洗浄方法により表面及び表
面近傍に存在する不純物が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／
ｃｍ2未満であり、高密度・高純度であり、体積抵抗率
が１０0Ω・ｃｍ以下である炭化ケイ素焼結体がより好
ましい。
焼結体としては、本発明者らが先に提案した特開平１０
−６７５６５号公報に記載の炭化ケイ素焼結体の製造工
程において、炭化ケイ素粉末と非金属焼結助剤との混合
物を調製する際に、窒素含有化合物を導入する工程を行
うことにより、又は、炭化ケイ素粉末の調製時にその原
料である炭素源とケイ素源とを混合する際に窒素含有化
合物を導入する工程を行うことにより得られる高密度・
高純度であり、体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である
炭化ケイ素焼結体が好ましく、本発明者らが先に提案し
た特願平１０−３４８５７０号明細書、特願平１０−３
４８７００号明細書に記載の洗浄方法により表面及び表
面近傍に存在する不純物が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／
ｃｍ2未満であり、高密度・高純度であり、体積抵抗率
が１０0Ω・ｃｍ以下である炭化ケイ素焼結体がより好
ましい。
【００２１】ここで、前記炭化ケイ素焼結体を前記ター
ゲット材として用いてスパッタリングを行う方法をつい
て説明する。前記スパッタリングは、アルゴン等の不活
性ガス雰囲気で行うことができ、不活性ガス導入後の雰
囲気圧を１.０×１０-1〜１.０×１０0Ｐａとして行わ
れる。
ゲット材として用いてスパッタリングを行う方法をつい
て説明する。前記スパッタリングは、アルゴン等の不活
性ガス雰囲気で行うことができ、不活性ガス導入後の雰
囲気圧を１.０×１０-1〜１.０×１０0Ｐａとして行わ
れる。
【００２２】本発明の積層構造体の製造方法により製造
される本発明の積層構造体おける炭化ケイ素質被覆層の
光透過率、光反射率等の光特性は、スパッタリング時の
投入電力と、酸素ガス又は窒素ガスの導入流量（該導入
流量はゼロ（導入なし）であってもよい）と、スパッタ
リング時間（つまり炭化ケイ素質被覆層の形成厚み）
と、によって制御することができる。
される本発明の積層構造体おける炭化ケイ素質被覆層の
光透過率、光反射率等の光特性は、スパッタリング時の
投入電力と、酸素ガス又は窒素ガスの導入流量（該導入
流量はゼロ（導入なし）であってもよい）と、スパッタ
リング時間（つまり炭化ケイ素質被覆層の形成厚み）
と、によって制御することができる。
【００２３】前記スパッタリング時の投入電力は、前記
ターゲット材の面積により異なってくる。前記ターゲッ
ト材への投入電力密度は、（投入電力／ターゲット材面
積）によって表されるが、あまり投入電力密度が大きす
ぎると、前記ターゲット材の破損を招く恐れがあること
から投入電力密度としては、１.２５〜１５.０Ｗ／ｃｍ
2が好ましい。
ターゲット材の面積により異なってくる。前記ターゲッ
ト材への投入電力密度は、（投入電力／ターゲット材面
積）によって表されるが、あまり投入電力密度が大きす
ぎると、前記ターゲット材の破損を招く恐れがあること
から投入電力密度としては、１.２５〜１５.０Ｗ／ｃｍ
2が好ましい。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこの実施例に限定されるものではない。 ＜ターゲット材の製造＞このターゲット材は、特願平１
０−３４８７００号の明細書の実施例１に記載された方
法で得られた炭化ケイ素焼結体であって、その密度が
３.１３ｇ／ｃｍ3、その表面及び表面近傍に存在する不
純物の比率が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2未満、そ
の体積抵抗率が３.２×１０-2Ω・ｃｍであった。
本発明はこの実施例に限定されるものではない。 ＜ターゲット材の製造＞このターゲット材は、特願平１
０−３４８７００号の明細書の実施例１に記載された方
法で得られた炭化ケイ素焼結体であって、その密度が
３.１３ｇ／ｃｍ3、その表面及び表面近傍に存在する不
純物の比率が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2未満、そ
の体積抵抗率が３.２×１０-2Ω・ｃｍであった。
【００２５】＜スパッタリング方法＞前記ターゲット材
をφ１００ｍｍ×５ｍｍ厚とし、スパッタリング装置：
（ＳH−２５０、日本真空技術（株）製）にセットし、
スパッタリング装置内の到達真空度を７×１０-5Ｐａに
調整した後、アルゴンガスを１０ｃｍ3／ｍｉｎの流量
でスパッタリング装置内に供給し、炭化ケイ素質被覆層
の厚みが表に示すようになるように形成時間を調整し、
洗浄液（多摩化学工業（株）製、ＴＭＳＣ）によって洗
浄した５ｃｍ×５ｃｍ×１ｃｍ厚の合金基材上に炭化ケ
イ素質被覆層を有する積層構造体を製造した。なお、形
成した炭化ケイ素質被覆層の厚みが目標の厚みになって
いることを触針式膜厚測定装置（Ｒａｎｋ Ｔａｙｌｏ
ｒ Ｈｏｂｓｏｎ社製、Ｔａｌｙｓｔｅｐ）を用いて測
定し、確認した。
をφ１００ｍｍ×５ｍｍ厚とし、スパッタリング装置：
（ＳH−２５０、日本真空技術（株）製）にセットし、
スパッタリング装置内の到達真空度を７×１０-5Ｐａに
調整した後、アルゴンガスを１０ｃｍ3／ｍｉｎの流量
でスパッタリング装置内に供給し、炭化ケイ素質被覆層
の厚みが表に示すようになるように形成時間を調整し、
洗浄液（多摩化学工業（株）製、ＴＭＳＣ）によって洗
浄した５ｃｍ×５ｃｍ×１ｃｍ厚の合金基材上に炭化ケ
イ素質被覆層を有する積層構造体を製造した。なお、形
成した炭化ケイ素質被覆層の厚みが目標の厚みになって
いることを触針式膜厚測定装置（Ｒａｎｋ Ｔａｙｌｏ
ｒ Ｈｏｂｓｏｎ社製、Ｔａｌｙｓｔｅｐ）を用いて測
定し、確認した。
【００２６】＜評価方法＞ 耐酸化性：５０℃酸素雰囲気中下で１０００時間保持
し、炭化ケイ素質被覆層の重量変化を測定。 耐塩素性：５０℃塩素雰囲気中下で１０００時間保持
し、炭化ケイ素質被覆層の重量変化を測定。 耐湿性 ：鉄製の基材上に炭化ケイ素質被覆層を形成
し、５０℃、湿度７０％雰囲気下で１０００時間保持
し、倍率１０００倍の光学顕微鏡により鉄製の基材の変
化を観察。
し、炭化ケイ素質被覆層の重量変化を測定。 耐塩素性：５０℃塩素雰囲気中下で１０００時間保持
し、炭化ケイ素質被覆層の重量変化を測定。 耐湿性 ：鉄製の基材上に炭化ケイ素質被覆層を形成
し、５０℃、湿度７０％雰囲気下で１０００時間保持
し、倍率１０００倍の光学顕微鏡により鉄製の基材の変
化を観察。
【００２７】スパッタリング装置への投入電力、酸素ガ
ス及び／又は窒素ガスの導入流量、及びスパッタリング
時間を、表１及び２に示すように変化させて、炭化ケイ
素質被覆層をスパッタリングによりガラス製の基材上に
形成した。スパッタリング装置の不活性ガス導入前の到
達雰囲気圧は７×１０-5Ｐａである。結果を表１及び２
に示した。
ス及び／又は窒素ガスの導入流量、及びスパッタリング
時間を、表１及び２に示すように変化させて、炭化ケイ
素質被覆層をスパッタリングによりガラス製の基材上に
形成した。スパッタリング装置の不活性ガス導入前の到
達雰囲気圧は７×１０-5Ｐａである。結果を表１及び２
に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】なお、表１には、製造した積層構造体にお
ける炭化ケイ素質被覆層の光透過率のデータが示されて
いる。表１において、被覆層の厚みの欄に記載した光透
過率の数値が７０％未満であるものは比較例に相当し、
７０％以上のものが実施例に相当する。
ける炭化ケイ素質被覆層の光透過率のデータが示されて
いる。表１において、被覆層の厚みの欄に記載した光透
過率の数値が７０％未満であるものは比較例に相当し、
７０％以上のものが実施例に相当する。
【００３０】
【発明の効果】本発明によると、前記従来における諸問
題を解決することができ、また、本発明は、耐酸化性、
耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高光透過率等に優れた炭
化ケイ素質被覆層を有することにより、特にＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスクの記録媒体に好適な
積層構造体、及び、該積層構造体を簡便にかつ確実に製
造することが可能な積層構造体の製造方法を提供するこ
とができる。
題を解決することができ、また、本発明は、耐酸化性、
耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高光透過率等に優れた炭
化ケイ素質被覆層を有することにより、特にＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスクの記録媒体に好適な
積層構造体、及び、該積層構造体を簡便にかつ確実に製
造することが可能な積層構造体の製造方法を提供するこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｃ ５３５Ｇ 7/26 ５３１ 7/26 ５３１
Claims (6)
- 【請求項１】 合金基材上に、スパッタリングにより形
成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被
覆層の光透過率が７０％以上であることを特徴とする積
層構造体。 - 【請求項２】 合金基材が、磁性合金又は相変化合金で
形成される請求項１に記載の積層構造体。 - 【請求項３】 炭化ケイ素質被覆層の表面に存在する不
純物の比率が１.０×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下であ
る請求項１又は２に記載の積層構造体。 - 【請求項４】 炭化ケイ素質被覆層の厚みが１０〜１０
０ｎｍである請求項１から３のいずれかに記載の積層構
造体。 - 【請求項５】 合金基材上に、タ−ゲット材を用いてス
パッタリングにより形成される炭化ケイ素質被覆層を有
する積層構造体の製造方法であって、該炭化ケイ素質被
覆層を、スパッタリング装置への投入電力と、酸素ガス
又は窒素ガスの導入流量と、スパッタリング時間とを制
御して形成することを特徴とする積層構造体の製造方
法。 - 【請求項６】 ターゲット材が炭化ケイ素焼結体であ
り、該炭化ケイ素焼結体が、その表面及び表面近傍に存
在する不純物の比率が１.０×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
未満であり、その密度が２.９ｇ／ｃｍ3以上であり、そ
の体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以下である請求項５に記
載の積層構造体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11337616A JP2000239827A (ja) | 1998-12-22 | 1999-11-29 | 積層構造体及びその製造方法 |
| CA002357933A CA2357933C (en) | 1998-12-22 | 1999-12-02 | Laminate structure and production method therefor |
| PCT/JP1999/006778 WO2000037708A1 (fr) | 1998-12-22 | 1999-12-02 | Structure de laminé et procédé de production à cet effet |
| US09/868,190 US6746776B1 (en) | 1998-12-22 | 1999-12-02 | Laminated structure, and manufacturing method thereof |
| EP99957409A EP1148148A4 (en) | 1998-12-22 | 1999-12-02 | LAMINATE STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| KR1020017007516A KR100711826B1 (ko) | 1998-12-22 | 1999-12-02 | 적층구조체 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36523598 | 1998-12-22 | ||
| JP10-365235 | 1998-12-22 | ||
| JP11337616A JP2000239827A (ja) | 1998-12-22 | 1999-11-29 | 積層構造体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000239827A true JP2000239827A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=26575860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11337616A Pending JP2000239827A (ja) | 1998-12-22 | 1999-11-29 | 積層構造体及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6746776B1 (ja) |
| EP (1) | EP1148148A4 (ja) |
| JP (1) | JP2000239827A (ja) |
| KR (1) | KR100711826B1 (ja) |
| CA (1) | CA2357933C (ja) |
| WO (1) | WO2000037708A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4919367B1 (ja) * | 2011-08-02 | 2012-04-18 | 株式会社シンクロン | 炭化珪素薄膜の成膜方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002047066A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-12 | Tokai Carbon Co Ltd | ＳｉＣ成形体およびその製造方法 |
| JP4249590B2 (ja) | 2002-11-18 | 2009-04-02 | 株式会社リコー | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
| DE602004023166D1 (de) * | 2003-10-16 | 2009-10-29 | Ricoh Kk | Medium zur optischen Datenspeicherung und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| JPS61260420A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Ltd | 磁気記録体 |
| US5098541A (en) * | 1988-02-01 | 1992-03-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric |
| US5047131A (en) | 1989-11-08 | 1991-09-10 | The Boc Group, Inc. | Method for coating substrates with silicon based compounds |
| IT1241922B (it) * | 1990-03-09 | 1994-02-01 | Eniricerche Spa | Procedimento per realizzare rivestimenti di carburo di silicio |
| JPH07103460B2 (ja) * | 1990-05-09 | 1995-11-08 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 |
| US5562965A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-08 | Seagate Technologies, Inc. | Vapor lubrication of fractionated lubricant on thin film discs |
| US5733370A (en) * | 1996-01-16 | 1998-03-31 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a bicrystal cluster magnetic recording medium |
| KR100487262B1 (ko) * | 1996-02-29 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 탄화규소 소결체 및 그의 제조방법 |
| JPH1067565A (ja) | 1996-02-29 | 1998-03-10 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
| JPH09310170A (ja) | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Hoya Corp | 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法 |
| JP3842342B2 (ja) * | 1996-07-29 | 2006-11-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 成形金型とその製造方法 |
| JPH10172884A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフィー用マスクメンブレン及びその製造方法 |
| JP4012287B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2007-11-21 | 株式会社ブリヂストン | スパッタリングターゲット盤 |
| JP4188473B2 (ja) | 1998-12-08 | 2008-11-26 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法 |
| JP4166883B2 (ja) | 1998-12-08 | 2008-10-15 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素焼結体の電解洗浄方法 |
| JP2000169232A (ja) | 1998-12-08 | 2000-06-20 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体 |
| JP4437847B2 (ja) | 1998-12-08 | 2010-03-24 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP11337616A patent/JP2000239827A/ja active Pending
- 1999-12-02 WO PCT/JP1999/006778 patent/WO2000037708A1/ja active IP Right Grant
- 1999-12-02 CA CA002357933A patent/CA2357933C/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 KR KR1020017007516A patent/KR100711826B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-02 US US09/868,190 patent/US6746776B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 EP EP99957409A patent/EP1148148A4/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4919367B1 (ja) * | 2011-08-02 | 2012-04-18 | 株式会社シンクロン | 炭化珪素薄膜の成膜方法 |
| WO2013018192A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-07 | 株式会社シンクロン | 炭化珪素薄膜の成膜方法 |
| US9157146B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-10-13 | Shincron Co., Ltd. | Method for depositing silicon carbide film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100711826B1 (ko) | 2007-05-02 |
| US6746776B1 (en) | 2004-06-08 |
| EP1148148A4 (en) | 2004-06-09 |
| CA2357933A1 (en) | 2000-06-29 |
| CA2357933C (en) | 2008-09-30 |
| EP1148148A1 (en) | 2001-10-24 |
| KR20010101247A (ko) | 2001-11-14 |
| WO2000037708A1 (fr) | 2000-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7563509B2 (en) | Article with protective film | |
| JP3027502B2 (ja) | 耐摩耗性非晶質硬質膜及びその製造方法 | |
| JPH07197250A (ja) | 耐久性のあるスパッターされた金属酸化物コーティング | |
| JPH0247253A (ja) | 黒色皮膜の形成方法及びその皮膜 | |
| US6365014B2 (en) | Cathode targets of silicon and transition metal | |
| JP3603112B2 (ja) | アルミナ結晶質薄膜の低温製法 | |
| JP2003321764A (ja) | 耐高温酸化に優れた高耐摩耗性・高硬度皮膜 | |
| JP2000239827A (ja) | 積層構造体及びその製造方法 | |
| US4873152A (en) | Heat treated chemically vapor deposited products | |
| JP2004269985A (ja) | 硬質皮膜 | |
| Schmidt et al. | Superconducting properties of getter‐sputtered V3Al thin films as a function of sputtering gas, pressure, and substrate temperature | |
| Nishimura et al. | Tantalum oxide film formation by excimer laser ablation | |
| JPS6211685A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| US6793781B2 (en) | Cathode targets of silicon and transition metal | |
| JPH0812373A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH03259419A (ja) | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JPH06306591A (ja) | 撥水性ハードコート皮膜の製造方法 | |
| JP2000238179A (ja) | 積層構造体及びその製造方法 | |
| JP3779856B2 (ja) | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2001335917A (ja) | アルミナ結晶質薄膜の低温製法 | |
| Radjabov et al. | The investigation of two-layer protective-decorative coatings on oxide substrates | |
| JP3121851B2 (ja) | 薄膜とその製造方法 | |
| JPH0444812B2 (ja) | ||
| Belkind et al. | Deposition of AlOxFy films using dc reactive sputtering | |
| JP4515389B2 (ja) | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091215 |