JPS6233349A - 光記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、レーザー光などの光（ここで言う光とは、上
記レーザー光を含む各種のエネルギー線のことである）
によって情報の記録、再生を行なう光記録媒体の製造法
に関するものである。

［従来の技術］ 基体上に形成された薄膜層にレーザー光を照射して、情
報の記録、再生を行なう光記録媒体が種々提案されてい
る。

例えば、ビスマス８１、テルルＴｅ等の低融点金属の薄
膜からなる光記録層を形成し、これにレーザー光を照射
してこれを溶融、蒸発させ、記録ビットを形成し、情報
の記録を行なうものがある。

しかし、このような記録形態で記録ビットを形成させる
ためには、パワーの大きいレーザー光が必要であり、ま
た形成された記録ビ・ントの形状が一様でないという欠
点がある。≠の結果、記録の再生を行なった際のノイズ
の原因となり易く、安定した再生信号が得られない、す
なわち高と度記録を達成しくこくいという欠点がある。

このような光記録層の形成には、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶＯ法
、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＯ法などの膜形成方法が試みられ
ており、一般にはスバ・ンタリング法が広く用いられ、
企業化もされている。

これらの膜形成方法によって得られる光記録層は、Ｓ／
Ｎ比、光学的特性、使用環境特性及び保存環境特性、更
には均一′ｉ、再現性等の光記録媒体としての緒特性を
含め、生産性あるいは量産性の点においても、更に総合
的な特性の向上が必要である。

しかしながら、従来から一般化されでいるスパッタリン
グによる光記録層の形成法においでは、以下のような問
題があった。

すなわち、スパッタリングによる方法においては、形成
パラメーターが多く（例えば、基体、スパッタ圧、高周
波電力、ターゲット−基体間距離、排気速度、基体回転
数など）これら多くのパラメーターによる組合せによる
ため、時にはプラズマか不安定な状態になり、形成され
た光記録層に著しい悪影響を与えることが少なくなかっ
た。

そのうえ、装置特有のパラメーターを装置ごとに選定し
なければならなかった。また、光記録層の表面が荒れた
り、また光記録層および基体界面の膜質が特に劣化しや
すいといった問題、更には成膜中に基体温度が上昇して
膜質の低下を招くといった問題もあった。

このように、従来法では、光記録層の品質の均一性や環
境特性を満足させつつ、再現性に優れた量産化を行なう
ことができなかった。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明の目的は、上述した従来の光記録媒体の製造法の
欠点、殊にスパッタリング法の欠点を除去すると同時に
、従来の光記録媒体の形成法によらない新規な光記録媒
体の製造法を提供することにある。

本発明の他の目的は、光記録媒体の緒特性を向上させる
ことができ、特に媒体雑音（ノイズ）が少なく、また保
存環境特性に優れた光記録媒体の量産化を容易に達成す
ることのできる光記録媒体の製造法を提供することにあ
る。

［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成する本発明は、基体上に光記録層を形成
する為の成膜空間に、光記録層形成用の原料となる下記
一般式°（Ａ）で表わされる少なくとも一種の化合物と
、該化合物と化学反応する活性種とを導入するとともに
、該光記録層形成用の更に別の原料である金属酸化物を
該成膜空間でほぼ同時に蒸発させることによって、前記
基体上に金属酸化物中に一般式（Ａ）の化合物に由来す
る金属Ｍが分散された光記録層を形成することを特徴と
する光記録媒体の製造法である。

ＲｎＭｍ　・・・（Ａ） （但し、ｍは日の価数に等しいか、または整数倍の正整
数、ｎはＭの価数に等しいか、または整数倍の正整数、
Ｍは金属元素、日は水素、ハロゲンまたは炭化水素基を
表わす、） ［発明の実施態様］ 本発明の方法によって形成される光記録媒体の典型的な
例を第２図に示す。

第２図の光記録媒体において、１はガラス、プラスチッ
ク等の各種材質からなる基体である。

４が本発明の方法によって形成された光記録層であり、
該光記録層４は金属酸化物２中に上記一般式（Ａ）の化
合物に由来する金属３（すなわち式（Ａ）の化合物の「
Ｍ」）が分散されたものとなっている。

金属３としては、具体的にはＴｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　
Ｉｎ、Ｐｂ、　Ｃｕ、Ｔｉ、　ｌｒ、Ｔａ、　Ａｕ、　
Ｐｔ、　Ｓｅ、　Ｚｎなどが挙げられ、これら金属の一
種以上が、Ｔａ、、Ｏ，、，５ｉＯ１ＳｆＯｚ、ｐｂｏ
、Ｔ１３０２、Ｔｉ０２９どの一種以上からなる金属酸
化物２に分散されて、光記録層４が形成されている。

このような光記録層４に、例えばＡｒ−Ｎｅレーザー、
半導体レーザーなどのレーザー光を含む各種波長の記録
光が照射されると、金属酸化物２および金属３からなる
光記録層４の光学的特性（例えば、反射率、透過率、屈
折率等）が変化し、記録光が照射された部分と照射され
なかった部分に光学的な差異が生じることによって、記
録が行なわれる。記録の再生は、上記レーザー光のよう
な再生用の光を記録部分に照射しで、光記録層における
光学的差異を検知することによって行なう。

このような光記録層を有する光記録媒体では、記録、再
生が記録ビットの形成によらないので、高と度記録が可
能である。しかも、光記録層を形成する金属酸化物は保
存安定性に優れているため、光記録層の経時変化が防止
され、耐久惟に優れた光記録媒体を得ることができる。

尚、第２図には示さなかったが、基体１には記録密度の
向上をはかる等の目的で、必要に応じていわゆる案内溝
を設（すでもよい。また、接着層、反射防止層あるいは
保護層など、この種の技術で広く知られている各種の機
能層を、基体と光記録層の間に、あるいは光記録層上に
設けてもよい。

次に、本発明の方法を詳細に説明する。

本発明で云う「活性種」とは、前記化合物（Ａ）と化学
的相互作用を起して例えば化合物（Ａ）にエネルギーを
与えたり、化合物（Ａ）と化学的に反応したｊつしで、
化合物（Ａ）に由来する金属ｒＭＪを、光記録層に分散
することが出来る状態にする役目を荷うものを云う。従
って、「活性種」としでは、形成される光記録層を構成
する成分を含んでいでも良く、或いはその様な成分を含
んでいなくとも良い。

本発明にあいで使用される一般式（Ａ）で示される化合
物（Ａ）は、その金属部分、すなわちｒＭＪが光記録層
の構成成分となり得る化合物である。

これら化合物としては、成膜される基体か存在する空間
において、前記の活性種と分子的衝突を起して化学反応
を起し、基体上に形成される元肥ｊ）層の成分である金
属「Ｍ」の形成に寄与する化学種を自発的に発生するも
のを選択するのかより望ましいものである。しかし、通
常の存在状態テは、前記の活性種とは不活性であったり
、或は、それ程の活性々がない場合には、化合物（Ａ）
に、その構成成分である金属ｒＭＪ＠完全解離しない程
度の強さの励起エネルギーを成膜前又は成膜時に与えで
、化合物（Ａ）＠活性種と化学反応し得る励起状態にす
ることが必要であり、又、その様な励起状態にし得る化
合物を、本発明の方法に使用される化合物（Ａ）として
採用するものである。

尚、本発明においては、化合物（Ａ）が上記の励起状態
になっているものを以復「励起種」と呼称することにす
る。

本発明において、一般式（Ａ）で示される化合物（Ａ）
　　ｒＲｎＭＪとして、有効に使用されるものとしては
以下の化合物を挙げることが出来る。

即ち「Ｍ」は、金属元素、具体的にはＴｅ、　Ｂｉ、Ｓ
ｎ、　Ｉｎ、　Ｐｂ、　Ｃｕ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａ
、　Ａｕ、　Ｐｔ、　Ｓｅ、　２ｎなどの一種以上が用
いられる。

「Ｒ」としては、直鎖状及び側鎖状の飽和炭化水素や不
飽和炭化水素から誘導される一価、二価及び三価の炭化
水素基、或いは、飽和又は不飽和の単環状の及び多環状
の炭化水素よつ誘導される一価、二価及び三価の炭化水
素基を挙げることが出来る。

不飽和の炭化水素基としては、炭素・炭素の結合は単一
種の結合だけでなく、−重結合、二重結合、及び三重結
合の中の少なくとも２ｆ！の結合を有しているものも本
発明の目的の達成に適うものであれば有効に採用され得
る。

又、二重結合を複数有する不飽和炭化水素基の場合、非
集積二重結合であっても集積二重結合であっても差支え
ない。

非環状炭化水素基としてはアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルキリデン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基、アルキリジン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基等を好ましいものとして挙げることが出来
、殊に、炭素数としでは、好ましくは１〜１０、より好
ましくは炭素数１〜７、最適には炭素数１〜５のものが
望ましい。

本発明においては、有効に使用される化合物（Ａ）とし
で、標準状態で気体状であるか或いは使用環境下におい
て容易に気化し得るものが選択される様に、上記に列挙
した「ｈ」とｒＭＪとの選択においで、適宜所望に従っ
て、ｒＲＪと「Ｍ」との組合せの選択がなされる。

本発明において、化合物（Ａ）として、有効に使用され
る具体的なものとしでは、ＺｎＭｅ３．７ｎＥｔ３、Ｍ
＋３２　Ｓｅ、　Ｍｅ２Ｔｅ、　Ｅｔ２Ｓｅ、　Ｅｔ２
Ｔｅ、５ｅｘ２．５ｅＸ４、ＳｅＸ＆、ＴｅＸｂ　、Ｈ
２Ｓｅ、８ｉＬ＋、ＳｎＸ＋　、ρｂＥｔ４、ＣｕＸ３
、ＴｉＸ４、ＺｒＬ、　ＴａＸ５　、（ＰｔＸ２）２（
ＣＯ）３、Ｈ２丁ｅ等を挙げることが出来る。上記にお
いて、Ｘはハ０ゲシ（Ｆ、Ｃｌ、８ｒ、Ｉ）、Ｍｅはメ
チル基、Ｅｔはエチル基を示す。

本発明において、光記録層の構成成分である金属酸化物
として、有効に使用されるものとしでは、Ｔａ２０５．
５ｉＯ１ＳｉＯｚ、ＰｂＯ１丁ｅＯ２、丁１０２などが
挙げられる。これら金属酸化物は、その一種以上が適宜
選択されて、成膜空間内で蒸発され、前述した金属ｒＭ
Ｊとともに光記録層を形成する。

本発明の光記録媒体の製造法は、光記録層が形成される
基体がセットされた成膜空間内に、上記した化合物（Ａ
）と活性種を導入するとともに、上記金属酸化物を該成
膜空間内でほぼ同時に蒸発させることにより達成される
。すなわち、成膜空間内で蒸発した金属酸化物が基体に
蒸着するとともに、該空間内に導入された化合物（Ａ）
と活性種との反応によってもたらされる金属「Ｍ」の基
体へのほぼ同時の堆積によって、金属酸化物中に化合物
（Ａ）に由来する金属「Ｍ」が分散された光記録層が形
成される。

この方法によって、成膜空間に導入される化合物（Ａ）
及び活性種として、そのままでも分子レベル的相互衝突
によって化学反応を生起し、光記録層中に化合物（Ａ）
に由来する金ａ　ｒＭＪ１８生成させることが出来るも
のを前記に列挙したものの中より夫々選択した場合は、
金属ｒＭＪが光記録層中ｌこ分散された光記録媒体を得
ることが由来る。しかし、化合物（Ａ）及び活性種の夫
々の選択の仕方によって、上記の化学反応性に乏しい場
合、或いは一層効果的に化学反応を行わせて、効率良く
金ａ　ｒＭＪを光記録層中に生成させる場合には、成膜
空間において、化合物（Ａ）及び／又は活性種に作用す
る反応促進エネルギー、例えば俊述の活性化空間におい
て使用されると同様な活性化エネルギーを使用しても差
支えないのである。

更には、成膜空間に導入する前に化合物（＾）を他の活
性化空間において、化合物（Ａ）を前述した励起状態に
する為に励起エネルギーを作用させても良い。

化合物（Ａ）の成膜空間への導入は、上述のようにこれ
を励起状態にして導入してもよいし、何ら励起状態にせ
ずに導入してもよい。

一方、活性種は成膜空間に導入された時には既に活性を
有している必要があるので、次のようｆこしてその導入
を行なう、すなわち、活性種を生成させる原料に、成膜
空間とは異なる活性化空間で熱、光、放電などの活性化
エネルギーを加えることにより、活性種を生成し、この
活性種を成膜空間へ導入することにより行なう。

活性化空間に導入され、活性種を生成させる原料として
は、好ましくは気体状の又は容易に気化し得る物質で、
水素ラジカルを生成する物質を挙げることが出来、具体
的にはＨ２、Ｄ２、ＨＤ等が挙げられ、その他、Ｈｅ、
　Ａｒ等の稀ガスも挙げることが出来る。

活性化空間において活１種生成物質に活性化作用を起す
活性化エネルギーとしては、具体的には抵抗加熱、赤外
線加熱等による熱エネルギー、レーザー光、水銀ランプ
光、ハロゲンランプ光等の光エネルギー、マイクロ波、
ＲＦ、低周波、ＯＣ等の放電を利用する電気エネルギー
等々を挙げることが出来、これ等の活性化エネルギーは
活性化空間において単独で活性種生成物質に作用させで
も良く、又、２ｆ！以上を併用して作用させても良い。

尚、本発明において活性化空間で生成される活性種は上
述のように放電、光、熱等のエネルギーで或いはそれ等
の併用によって励起されて活性化されるばかりではなく
、触媒などとの接触、あるいは添加により生成されても
よい。

本発明において成膜空間に導入される化合物（Ａ）の総
量と活性化空間から導入される活性種の量の割合は、成
膜条件、化合物（Ａ）及び活性種の種類、所望される光
記録層の特性などで適宜所望に従って決められるか好ま
しくは１０００：１〜］　１（導入流量比）が適当であ
り、より好ましくは５００：１〜１・５とされるのか望
ましい。

活性種が化合物（Ａ）との連鎖的化学反応を起さない場
合には、上記の導入量の割合は、好ましくは１０：１〜
１：１０、より好ましくは４：１〜２：３とされるの望
ましい、成膜時における成膜空間の内圧としては、化合
物（Ａ）及び活性種の選択される種類及び成膜条件等に
従って適宜決定されるが、好ましくは１　ｘｌｏ’　〜
５ｘ１０３Ｐａ、より好ましくは５ＸＩＯ’　〜１　ｘ
１０３Ｐａ、最適には１　ｘｌＯ’　〜５ｘ１０２Ｐａ
とされるのが望ましい。

又、本発明においては、膜質の均質化を高める等の種々
の目的で、必要に応して成膜時に基体を加熱することが
可能であるが、成膜時に基体を加熱する必要がある場合
には基体温度としては好ましくは、５０〜１０００℃、
より好ましくは１００〜９００℃、最適には１００〜７
５０℃とされるのが望ましい。

本発明において使用される活性種が、化合物（Ａ）との
化学反応か連鎖的に起こる場合には所謂開始剤（ｉｎｉ
ｔｉａｔｅｒ）としての働きを最小限にすれば良いこと
から、成膜空間に導入されるその導入量としでは、化学
反応か連鎖的に効率良く起こる程度の量が確保されれば
良い。

本発明で使用される活性種の寿命は、化合物（Ａ）との
反応性を考慮すれば短い方が良く、成膜時の取扱い易さ
及び成膜空間への輸送等を考慮すれば長い方が良い。又
、活性種の寿命は、成膜空間の内圧にも依存する。

従って使用される活性種は、所望する特゛江を有する光
記録層が生産効率も加味して効果的に得られる様に選択
されて決定される他の成膜条件との関連′注において、
適当な寿命を有する活性種が適宜選択されて使用される
。

本発明において使用される活性種は、その寿命として、
上記の点を鑑みて適宜選択された寿命を有する活性種が
具体的に使用される化合物（Ａ）との化学的親和性の適
合範囲内の中より所望に従って適宜選択されるが、好ま
しくは、その寿命としでは、本発明の適合範囲の環境下
において１×１０−４秒以上、より好ましくは１×１０
°３秒以上、最適にはｌＸｌ０−２秒以上であるのが望
ましい。

その様な寿命を有することで、成膜空間に導入される化
合物（Ａ）との化学反応の効率を増す。

成膜空間に化合物（Ａ）、及び活性種を導入する際の導
入の仕方は、例えば成膜空間に連結した輸送管を設け、
該輸送管を通して導入しでも良いし、或いは成膜空間に
設置した基体の成膜表面近くまで前記の輸送管を延在さ
せて、先端をノズル状となして導入しても良いし、輸送
管を二重にして内側の管で一方を、外側の管で他方を、
すなわち例えば内側の管で活’ｉｌ　！！　＠、外側の
管で少なくとも一種以上の化合物（Ａ）を夫々輸送して
成膜空間中に導入しても良い。

本発明の方法においで、前述した金属「Ｍ」とともに光
記録層を形成する金属酸化物は、化合物（Ａ）および活
性種が成膜空間内に導入されるとは（よ同時に該空間内
で蒸発される。

金属酸化物の蒸発は、成膜空間内に例えばクヌードセン
・セル等の蒸発源を設置し、金ａ酸化物の蒸着が金属ｒ
ＭＪと金属酸化物とで構成される光記録層の生成速度で
０．０１〜１μ■／分となるように行なうとよい。

本発明の方法を実施するための装置の一例の模式図を第
１図に示す。

この装置は、成膜室９（成膜空間に相当する）と、該室
９内に設Ｎされた蒸発源８と、活゛１化室１０（活性化
空間に相当する）とを主要部としで構成されている。５
および６はガス導入管であって、化合物（＾）はガス導
入管５によって成膜室９に導入される。また、活性種原
料がガス導入管６によって活性化呈１０へ導入され、該
室１０内で活性化されたのち活性種が成膜室９に入る。

尚、７は成膜室９内に設置した基体であつ、１１は成膜
室９内を所望の圧力に保持するための真空ポンプ等から
なるガス排気系である。

［作用コ 本発明において使用される活性種は成膜空間で光記録層
を形成する際に、は（よ同時に成膜空間に導入され、且
つ形成される光記録層の成分となる金属ｒＭ」％含む前
記化合物（Ａ）及び該化合物（Ａ）の励起種（Ａ）と化
学的に相互作用する。こうしでできた所望の金属「Ｍ」
が蒸発源８で使られた金属酸化物の蒸気とともに基体７
上に堆積する。その結果所望の基体上に金属酸化物中に
金属「Ｍ」が分散された所望の光記録層４が容易（こ形
成される。

本発明の方法では、光記録層を、該光記録層の１つの成
分である金属酸化物を成膜空間内で蒸発することによっ
て、また、もう１つの成分である金属「ＭＪを上記金属
酸化物の蒸発とほぼ同時に成膜空間内に導入されるｒＭ
Ｊｉ含む化合物（Ａ）とこれと反応する活性種とを反応
させるという別個の方法をほぼ同時に作用させて形成す
るため、金属「Ｍ」が金属酸化物中に均一に分散された
光記録層を再現性よく作成することができる。これに加
えて、膜品質の安定した、膜特性の管理された光記録層
を有する光記録媒体を、量産性よく製造することができ
る。

［寅施例コ 以下に本発明の実施例を示す。

〔実施例） 第１図に示した装置を使用し、以下の如き操作により、
第２図に示した光記録媒体を作成した。

基体１としては、予めインジェクション法によって案内
溝を設けた厚さ１．２ｍｍ、直径２００ｍｍのポリカー
ボネイト基板を用いた。案内溝はピッチ１．６μｍ、深
さ７００人てラセン状に形成した。

この基板１を成膜室９内にセットした後、蒸発源８（本
例では、クヌードセン・セルとした）を１４００℃に加
熱しで、該蒸発源８（こ予め入れておいた金属酸化物で
あるＰｂＯを蒸発させた。これとほぼ同時に、化合物（
＾）である（ＣＨ３）２Ｔｅ！石英ガラス製のガス導入
管５から流入速度６０３ＣＣＭで活性化室１０に導入す
るとともに、Ｈ２ガスを石英ガラス製のガス導入管６か
ら活性化室１０に導入することによって発生させた活″
ｉｆ！であるところのＨラジカル’ｉ！２００　ＳＣＣ
Ｍの流入速度で反応室９に導入した。尚、活性化室１０
では、３００Ｗのマイクロ波を作用させてＨラジカルを
発生させた。また、成膜中の成膜室９内の圧力は、ガス
排気系１１によって２５Ｐａとなるように調整した。

上記操作を２分間継続したところ、基板１上に金属酸化
物であるＰｂＯ中に、化合物（Ａ）に由来する金属であ
るところのＴｅが、Ｔｅ：　　Ｐｂ０＝０．６　：　０
．４の割合で分散した膜厚１０００人の光記録層を有す
る光記録媒体が得られた。

以上のようにして作成した光記録媒体の特性を、Ｓ／Ｎ
比、媒体ノイズおよび保存環境特性によって以下のよう
にして評価した。

得られた光記録媒体を、回転数１８００　ｒｐｍで回転
させながら、記録レーザーパワー１０ｍＷ、記録周波数
４ＭＨｚで記録を行ない、再生レーザーパワー２ｍＷで
再生したところ、３２ｄＢのＳ／Ｎ比が得られた。また
、この光記録媒体を温度６０℃、湿度８０％の環境に１
０００時間放置した後のノイズの増加は、３ｄＢの極め
て低いレベルにあり、保存環境特性に優れたものである
ことが分った。

これとは別に上記同様の方法に従って、同構成の光記録
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体について、上
記同様の評価を行なったところ、すべての光記録媒体で
上記と同じ３２ｄＢのＳ／Ｎ比が得られ、また１０００
時間放置した後のノイズの増加は２〜４ｄＢの極めて低
いレベルにあり、ノイズの少ない保存環境特性に優れた
光記録媒体゛が、再現性よく量産されていた。

（比較例） 実施例と同様の構成の光記録媒体を、真空度５×１０′
４Ｐａで、電子銃を用いたスパッタリング法にて作成し
、実施例と同様の評価を行なった。

その結果、Ｓ／Ｎ比は３０ｄＢであり、このときのノイ
ズは実施例のものより２ｄＢ多かった。また、温度６０
℃、湿度８０％の環境に１０００時間放置俊のノイズの
増加は１２ｄＢと、実施例のものよりも著しく増加した
。

これとは別に上記同様の方法に従って、同構成の光記録
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体について、上
記同様の評価を行なったところ、Ｓ／Ｎ比が、２５〜３
０ｄＢの範囲でバラつく再現性にとぼしい光記録媒体で
あった。また、１０００時間放置した後のノイズの増加
も５〜２０ｄＢと実施例のものよりもかなり高いレベル
にあった。

［発明の効果］ 以上に説明した如く本発明の光記録媒体の製造法により
、形成される光記録層の光記録特性を向上させることが
可能となり、媒体ノイズの低減した、保存環境特性に優
れた光記録媒体を再現性よく量産化することができるよ
うになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を具現化するための製造装置の
模式図の一例であり、第２図は本発明の方法によって作
成した光記録媒体の一例の模式的断面図である。 １．７一−−基体　　　２−ｍ−金属酸化物３・・・金
属　　　　４−ｍ−光記録層５．６・・・ガス導入管 ８−−一蒸看源　　　９−−一成膜空間１０・・・活性
化空間１１−一一ガス排気系第ｔ　ロ ア２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に光記録層を形成する為の成膜空間に、光
   記録層形成用の原料となる下記一般式（Ａ）で表わされ
   る少なくとも一種の化合物と、該化合物と化学反応する
   活性種とを導入するとともに、該光記録層形成用の更に
   別の原料である金属酸化物を該成膜空間でほぼ同時に蒸
   発させることによって、前記基体上に金属酸化物中に一
   般式（Ａ）の化合物に由来する金属Ｍが分散された光記
   録層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造法。 Ｒ＿ｎＭ＿ｍ・・・（Ａ） （但し、ｍはＲの価数に等しいか、または整数倍の正整
   数、ｎはＭの価数に等しいか、または整数倍の正整数、
   Ｍは金属元素、Ｒは水素、ハロゲンまたは炭化水素基を
   表わす。）