JPS61104438A - 情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体及びその製造方法Info
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- JPS61104438A JPS61104438A JP59222920A JP22292084A JPS61104438A JP S61104438 A JPS61104438 A JP S61104438A JP 59222920 A JP59222920 A JP 59222920A JP 22292084 A JP22292084 A JP 22292084A JP S61104438 A JPS61104438 A JP S61104438A
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- JP
- Japan
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- noble metal
- recording medium
- recording
- fine particles
- information recording
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、レーザビームなどのエネルギービームな用い
て情報の記録・再生を行なう情報記録媒体及びその製造
方法Ｃ関する。
て情報の記録・再生を行なう情報記録媒体及びその製造
方法Ｃ関する。
光学的に情報を記録・再生する情報記録媒体の記録膜と
して低融点金属を主成分とする薄膜が試みられている。
して低融点金属を主成分とする薄膜が試みられている。
低融点金属が用いられる理由は、以下のとおりである。
即ち、かかる記録媒体を用いる情報記録・再生システム
（：おいては、装置の小形化、軽量化を計るため、ガス
レーザの如く大形の外部変調器を必要とせずミ小形軽量
で直接変調の可能な半導体レーザの採用が不可欠となっ
ている。しかしながら半導体レーザの欠点は、利用しう
るパワーが小さいことである。そこで半導体レーザ（二
て供しうる程度のパワーによって記録可能とするために
低融点金属からなる記録膜が用いられるのである。低融
点金属薄膜の特徴は、前述の如く比較的高感度であるこ
とだが、同時に媒体としての寿命が著しく短いことであ
る。即ち、大気中Ｃ二保管された場合、比較的容易に空
気中の水分、酵素と反応し、媒体としての使用が不可能
になってしまうのである。一方、大気中（二おける安定
性の観点に立てば、貴金属薄膜はもつとも秀れたもので
ある。しかしながら、貴金属薄膜は、半導体レーザの波
長域における吸収率が著しく小さいこと、融点が著しく
高いことなどを理由として、半導体レーザな用いて記録
を行なうことが不可能である。そこで、従来の金属薄膜
を用いる記録媒体は、低融点金属を主成分として休々の
長寿命化対策を施したものが開示されている。
（：おいては、装置の小形化、軽量化を計るため、ガス
レーザの如く大形の外部変調器を必要とせずミ小形軽量
で直接変調の可能な半導体レーザの採用が不可欠となっ
ている。しかしながら半導体レーザの欠点は、利用しう
るパワーが小さいことである。そこで半導体レーザ（二
て供しうる程度のパワーによって記録可能とするために
低融点金属からなる記録膜が用いられるのである。低融
点金属薄膜の特徴は、前述の如く比較的高感度であるこ
とだが、同時に媒体としての寿命が著しく短いことであ
る。即ち、大気中Ｃ二保管された場合、比較的容易に空
気中の水分、酵素と反応し、媒体としての使用が不可能
になってしまうのである。一方、大気中（二おける安定
性の観点に立てば、貴金属薄膜はもつとも秀れたもので
ある。しかしながら、貴金属薄膜は、半導体レーザの波
長域における吸収率が著しく小さいこと、融点が著しく
高いことなどを理由として、半導体レーザな用いて記録
を行なうことが不可能である。そこで、従来の金属薄膜
を用いる記録媒体は、低融点金属を主成分として休々の
長寿命化対策を施したものが開示されている。
一方、貴金属微粒子を用いる記録媒体が、特開昭５７−
９４９４４号公報、特開昭５８＝５８０８６号公報とし
て開示されている。これらは、貴金属を微粒子の形態で
貴金属とは異なる母材中へ分散させるもので、半導体レ
ーザビームの波長域における吸収率が大きく、貴金属を
薄膜として用いた記録媒体シ二比べ記録感度の向上が計
られている。しかし、これらはいずれも貴金属微粒子を
製造する工程と母材への分散工程とが独立の工程である
ため、母材中へ貴金属微粒子を均一に分散させることが
困難であると云う欠点がある。貴金属微粒子が凝集を生
じ母材中に均−Ｃ二分散しない場合、分解能の低下する
ことは避けられず、従って、高密度の記録を行なうこと
はできない。また、均一な分散状態を実現するための工
程は多大のコストを必要とし、従って、安価な記録媒体
を提供することができない。
９４９４４号公報、特開昭５８＝５８０８６号公報とし
て開示されている。これらは、貴金属を微粒子の形態で
貴金属とは異なる母材中へ分散させるもので、半導体レ
ーザビームの波長域における吸収率が大きく、貴金属を
薄膜として用いた記録媒体シ二比べ記録感度の向上が計
られている。しかし、これらはいずれも貴金属微粒子を
製造する工程と母材への分散工程とが独立の工程である
ため、母材中へ貴金属微粒子を均一に分散させることが
困難であると云う欠点がある。貴金属微粒子が凝集を生
じ母材中に均−Ｃ二分散しない場合、分解能の低下する
ことは避けられず、従って、高密度の記録を行なうこと
はできない。また、均一な分散状態を実現するための工
程は多大のコストを必要とし、従って、安価な記録媒体
を提供することができない。
本発明は、かかる従来の記録媒体の欠点を除去し、記録
感度が高く、長期に亘る安定性に秀れ、かつ、製造工程
の単純で安価な記録媒体及びその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
感度が高く、長期に亘る安定性に秀れ、かつ、製造工程
の単純で安価な記録媒体及びその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
本発明の記録媒体は、基板上に形成された記録膜が、貴
金属微粒子の有機質母体中（−分散する構造であり、か
つ貴金属微粒子の粒径は、レーザビームのスポット径に
比べ著しく小さいこと、及び貴金属微粒子は凝集するこ
となく極めて均一（二肩機質母材中に分散していること
を特徴としている。
金属微粒子の有機質母体中（−分散する構造であり、か
つ貴金属微粒子の粒径は、レーザビームのスポット径に
比べ著しく小さいこと、及び貴金属微粒子は凝集するこ
となく極めて均一（二肩機質母材中に分散していること
を特徴としている。
本発明の記録媒体の製造方法は、上記本発明の記録媒体
の特徴を実現するため、有機ガスを含むプラズマで貴金
属からなるターゲットをスバタリングして、貴金属微粒
子を有機質母体中へ分散させ記録膜を形成することを特
徴としている。
の特徴を実現するため、有機ガスを含むプラズマで貴金
属からなるターゲットをスバタリングして、貴金属微粒
子を有機質母体中へ分散させ記録膜を形成することを特
徴としている。
本発明の効果として、以下が挙げられる。
■ 記録膜が、貴金属微粒子を含有するため光の吸収率
が大きく、従って高感度の記録媒体が得られる。
が大きく、従って高感度の記録媒体が得られる。
■ 貴金属微粒子は、貴金属の本来保有する化学的安定
性を失なわないため、著しく寿命の長い記録媒体が得ら
れる。
性を失なわないため、著しく寿命の長い記録媒体が得ら
れる。
■ 貴金属微粒子はその粒径が使用するレーザビームの
スポット径に比べ著しく小さいため、また、均一にＭ機
質母体中Ｃ二分散しているため分解能が高く、従って、
高密度記録のできる記録媒体が得られる。
スポット径に比べ著しく小さいため、また、均一にＭ機
質母体中Ｃ二分散しているため分解能が高く、従って、
高密度記録のできる記録媒体が得られる。
■ 貴金属微粒子の形成、有機質母体の形成及び貴金属
微粒子の有機質母体への分散の８者を同時に行ないなが
ら記録膜として基板上へ堆積させるため、製造方法が著
しく単純化されており、安価な記録媒体が得られる。
微粒子の有機質母体への分散の８者を同時に行ないなが
ら記録膜として基板上へ堆積させるため、製造方法が著
しく単純化されており、安価な記録媒体が得られる。
第１図は、本発明の情報記録媒体１０の断面を示す模式
図である。第１図中１は、貴金属微粒子２が有機質母体
８中Ｃ；分散した記録膜である。記録膜は、アクリルな
どプラスチックあるいはガラス基板４上に形成されてい
る。
図である。第１図中１は、貴金属微粒子２が有機質母体
８中Ｃ；分散した記録膜である。記録膜は、アクリルな
どプラスチックあるいはガラス基板４上に形成されてい
る。
かかる記録媒体を回転させながら１μｍ（二集束したＧ
ａＡ４Ａｓ半導体レーザビームを照射すると、金属微粒
子の吸収した熱量（二より有機質母体が溶融するために
照射スポットの光学濃度は、未照射スポットの光学濃度
（二対し大きく変化する。即ち、情報の記録が行なわれ
る。照射するレーザビームのエネルギーは（ＯｍＷＸ
１００ｎ ｓｅｃ根度である。次に、パワーを１／６〜
１／ｉｏ ＋：、減少させた。連続レーザビームを照射
してやれば、前記光学織度の違いに対応した反射光が得
られ、即ち、情報の再生が行なわれる。
ａＡ４Ａｓ半導体レーザビームを照射すると、金属微粒
子の吸収した熱量（二より有機質母体が溶融するために
照射スポットの光学濃度は、未照射スポットの光学濃度
（二対し大きく変化する。即ち、情報の記録が行なわれ
る。照射するレーザビームのエネルギーは（ＯｍＷＸ
１００ｎ ｓｅｃ根度である。次に、パワーを１／６〜
１／ｉｏ ＋：、減少させた。連続レーザビームを照射
してやれば、前記光学織度の違いに対応した反射光が得
られ、即ち、情報の再生が行なわれる。
本発明の情報記録媒体の製造方法の一実施例を＄２図を
用いて説明する。第１図中２１は真空容器、２２は有機
′ガスの導入口、詔は真空容器の排気口、２４は貴金属
ターゲットの装着された電極、２５は基板の設置された
対向′Ｒ，極、２６はターゲット（二高周波電力を印加
するための端子である。真空容器２１をＩＱ Ｔｏｒ
ｒ台Ｃ：排気後、ＣＨ，などの有機ガスをＡｒなどの希
ガスと所定の割合に混合し、圧力がｌＯ〜ｌＱ Ｔｏ
ｒｒ＠度の所定の値（二なるよう導入する。ついで、端
子６より高周波電力、例えば１３．５６ＭＨ，、４００
ＷをＡｇ、 Ａｕなどの貴金属ターゲット４に印加する
。電力印加に伴ない有機ガスを含むプラズマが発生し、
有機ガスの重合、及び貴金属ターゲットのスバタリング
が行なわれる。その結果、基板上には第１図（二示した
如き貴金属微粒子が有機質母体中１＝分散した記録膜が
堆積する。
用いて説明する。第１図中２１は真空容器、２２は有機
′ガスの導入口、詔は真空容器の排気口、２４は貴金属
ターゲットの装着された電極、２５は基板の設置された
対向′Ｒ，極、２６はターゲット（二高周波電力を印加
するための端子である。真空容器２１をＩＱ Ｔｏｒ
ｒ台Ｃ：排気後、ＣＨ，などの有機ガスをＡｒなどの希
ガスと所定の割合に混合し、圧力がｌＯ〜ｌＱ Ｔｏ
ｒｒ＠度の所定の値（二なるよう導入する。ついで、端
子６より高周波電力、例えば１３．５６ＭＨ，、４００
ＷをＡｇ、 Ａｕなどの貴金属ターゲット４に印加する
。電力印加に伴ない有機ガスを含むプラズマが発生し、
有機ガスの重合、及び貴金属ターゲットのスバタリング
が行なわれる。その結果、基板上には第１図（二示した
如き貴金属微粒子が有機質母体中１＝分散した記録膜が
堆積する。
本発明Ｃ二使用できる貴金属は、Ａｇ、 Ｐｄ、 Ｒｈ
、 Ａｕ。
、 Ａｕ。
Ｐｉ、Ｉｒである。この他、Ａｇ、。Ａｕ、。、人ｇａ
ｏ、 ｐｔ、。のような貴金属合金、及びｋｕＢ。Ｔｅ
２０＋人ｇ７゜Ｉｎ３゜のような貴金属を含む合金も使
用可能である。
ｏ、 ｐｔ、。のような貴金属合金、及びｋｕＢ。Ｔｅ
２０＋人ｇ７゜Ｉｎ３゜のような貴金属を含む合金も使
用可能である。
不発明に用いられる有機ガスとしては、プラズマ中で重
合可能なものであれば、いずれも使用可能である。例え
ば、ＣＨ４＊ ｃ２ｆ（、ｌ ｃ、Ｈ，７よどのパラフ
ィン化合物、Ｃ２Ｈ４などのオレフィン化合物、ベンゼ
ン類、（Ｓ ｉ （ＣＨｓ ）ｓ ）ｚ Ｏなどの含窒
素化合物、アミン、ニトリルなどの含窒素化合物、Ｃ，
Ｆ、などの含弗素化合物などである。これらの有機ガス
は、単独で用いる他、複数を混合して用いることも可能
であり、また、Ｎｅ９人ｒなどの希ガス、Ｈ７，０□な
どの無機ガスと混合して使用することも可能である。希
ガスを混入させることは、貴金属微粒子の含有量を制御
する上で有用である。
合可能なものであれば、いずれも使用可能である。例え
ば、ＣＨ４＊ ｃ２ｆ（、ｌ ｃ、Ｈ，７よどのパラフ
ィン化合物、Ｃ２Ｈ４などのオレフィン化合物、ベンゼ
ン類、（Ｓ ｉ （ＣＨｓ ）ｓ ）ｚ Ｏなどの含窒
素化合物、アミン、ニトリルなどの含窒素化合物、Ｃ，
Ｆ、などの含弗素化合物などである。これらの有機ガス
は、単独で用いる他、複数を混合して用いることも可能
であり、また、Ｎｅ９人ｒなどの希ガス、Ｈ７，０□な
どの無機ガスと混合して使用することも可能である。希
ガスを混入させることは、貴金属微粒子の含有量を制御
する上で有用である。
貴金属微粒子の含有量は、貴金属の種類、有機ガスの種
類により高い記録感度が達成出来るよう定めることがで
きる。含有量が少ない場合、吸収率が減少して記録感度
が低下する。一方、含有量が多い場合、貴金属粒子の凝
集する傾向が認められること、及び有機質母体量が減少
するためレーザ照射Ｉ：よる光学濃度変化が減少するこ
とを理由として良好な記録媒体は得られない。望ましい
範囲は、貴金属微粒子が体積で３０〜８０％の範囲であ
る。貴金属微粒子の占める体積は、透過量電子顕微鏡で
記録膜を観察することにより算出できる。
類により高い記録感度が達成出来るよう定めることがで
きる。含有量が少ない場合、吸収率が減少して記録感度
が低下する。一方、含有量が多い場合、貴金属粒子の凝
集する傾向が認められること、及び有機質母体量が減少
するためレーザ照射Ｉ：よる光学濃度変化が減少するこ
とを理由として良好な記録媒体は得られない。望ましい
範囲は、貴金属微粒子が体積で３０〜８０％の範囲であ
る。貴金属微粒子の占める体積は、透過量電子顕微鏡で
記録膜を観察することにより算出できる。
本発明に用いられる貴金属微粒子の粒径は、３０〜５０
０＾の範囲が望ましい。本発明の記録媒体の場合、半導
体レーザで記録可能とするため（二は、記録膜の膜厚な
２００〜２０００ Ａ ａ度にする必要がある。貴金属
微粒子の粒径が、５００ｉを越えると膜厚方向Ｃ二存在
しうる粒子数が減少し、分解能が低下する。従って、高
密度記録が困難となる。本発明の製造方法の場合、微粒
子の粒径は、プラズマ発生時の圧力が減少するのに伴な
い減少する。
０＾の範囲が望ましい。本発明の記録媒体の場合、半導
体レーザで記録可能とするため（二は、記録膜の膜厚な
２００〜２０００ Ａ ａ度にする必要がある。貴金属
微粒子の粒径が、５００ｉを越えると膜厚方向Ｃ二存在
しうる粒子数が減少し、分解能が低下する。従って、高
密度記録が困難となる。本発明の製造方法の場合、微粒
子の粒径は、プラズマ発生時の圧力が減少するのに伴な
い減少する。
一方、安定にプラズマを発生させるの（二必要な圧力の
下限はＩ Ｘ １０ Ｔａｘ＞程度であ・す、この圧力
条件で種々の記録媒体を製造したところ、貴金属の種類
を問わず、貴金属微粒子の粒径は、全て３０ｉ以上であ
った。
下限はＩ Ｘ １０ Ｔａｘ＞程度であ・す、この圧力
条件で種々の記録媒体を製造したところ、貴金属の種類
を問わず、貴金属微粒子の粒径は、全て３０ｉ以上であ
った。
〈実施例−１〉
直径０８″のＡｇターゲットを具備した高周波２極スバ
タリング装置を用い、真空容器をＩ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒｌ二排気後、ＣＨ，ガスを２Ｘ１０ Ｔｏｒｒに
なるよう導入し、４００ Ｗの高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させた。１０分後に厚さ７Ｑｎｒｒｌの記
録膜がＯＦｆアクリル基板上Ｃ；堆積した。
タリング装置を用い、真空容器をＩ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒｌ二排気後、ＣＨ，ガスを２Ｘ１０ Ｔｏｒｒに
なるよう導入し、４００ Ｗの高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させた。１０分後に厚さ７Ｑｎｒｒｌの記
録膜がＯＦｆアクリル基板上Ｃ；堆積した。
こうして製作した記録媒体の波長８８０ｎｍにおける反
射率、透過率は、夫々４４％、１２％であった。
射率、透過率は、夫々４４％、１２％であった。
従って、本実施例記録媒体の吸収率は４４チと算出され
た。比較のため、Ａｇターゲットを人ｒガスでスバタリ
ングしてＡｇ膜をアクリル基板上（二形成した。このＡ
ｇ膜の波長８８０ ｎｍにおける反射率は９６％、透過
率は１チ以下であった。従って、このＡｇ膜の吸収率は
高々４チ（二過ぎない。
た。比較のため、Ａｇターゲットを人ｒガスでスバタリ
ングしてＡｇ膜をアクリル基板上（二形成した。このＡ
ｇ膜の波長８８０ ｎｍにおける反射率は９６％、透過
率は１チ以下であった。従って、このＡｇ膜の吸収率は
高々４チ（二過ぎない。
次（二、本実施例の記録媒体を６０Ｏｒｐｍの速度で回
転させ、スポットサイズ１μｍ（：集束したＧａｌ’Ｊ
Ａａ半導体レーザビーム（波長８８０ｎｍ ）を照射し
て記球を行なった。レーザビームはパルス幅を１５０ｎ
ｓｅｃ一定とし、ノくワーを４ｍＷより０．５ｍＷづつ
段階的に増加させた。この記録法≦二より記録が可能に
なるパワー１区、即ち記録閾値が測定できる。
転させ、スポットサイズ１μｍ（：集束したＧａｌ’Ｊ
Ａａ半導体レーザビーム（波長８８０ｎｍ ）を照射し
て記球を行なった。レーザビームはパルス幅を１５０ｎ
ｓｅｃ一定とし、ノくワーを４ｍＷより０．５ｍＷづつ
段階的に増加させた。この記録法≦二より記録が可能に
なるパワー１区、即ち記録閾値が測定できる。
本実ｌｌ１ｉ例の記録媒体、のμｓ１１区は７．５ ｍ
Ｗと求められた。
Ｗと求められた。
一方比較例として製作した上ａＥ Ａｇ膜は１２ｍＷの
レーザビームを照射しても記録な行なうことは出来なか
った。
レーザビームを照射しても記録な行なうことは出来なか
った。
本実施例の記録媒体の安定性を測定するため、前記記録
済の媒体を温度７０Ｃ，相対湿度８５チの環境下で１０
０時間放置した。放置後の記録媒体の反射率、透過率を
測定したところ、放置前と変化しない同一の埴が夫々（
二ついて得られた。
済の媒体を温度７０Ｃ，相対湿度８５チの環境下で１０
０時間放置した。放置後の記録媒体の反射率、透過率を
測定したところ、放置前と変化しない同一の埴が夫々（
二ついて得られた。
本実施例と同一の条件で岩塩上≦二堆積させた薄膜を、
岩塩から剥離後透過盤゛４子顕微鏡を用いてＡｇ微粒子
の粒径及び含有量を測定したところ、夫々１００λ、６
０慢と求められた。また、Ａｇ微粒子は極めて一体（二
分散していた。
岩塩から剥離後透過盤゛４子顕微鏡を用いてＡｇ微粒子
の粒径及び含有量を測定したところ、夫々１００λ、６
０慢と求められた。また、Ａｇ微粒子は極めて一体（二
分散していた。
〈実施例″″２〉
０５′の人Ｕターゲットを具備した直流マグネトクンス
バタリング装置を用い、真空容器を２×１０ Ｔｏｒ
ｌｌ二排気後、ＣＨ，ガスとＡｒガスとの混合ガスを５
Ｘ ＩＱ Ｔｏｒｒ Ｃなるよう導入した。ＣＭ。
バタリング装置を用い、真空容器を２×１０ Ｔｏｒ
ｌｌ二排気後、ＣＨ，ガスとＡｒガスとの混合ガスを５
Ｘ ＩＱ Ｔｏｒｒ Ｃなるよう導入した。ＣＭ。
ガスとＡｒガスとは、流量比で９０対１０である。
ａｏｏ ｗの直流磁力でプラズマを発生させると、６分
後に厚さ３９ｎｍの記録膜が０８〃アクリル基板上Ｃ二
堆積した。波長８ｊｌｌＯｎｍｌ二おける反射率、透過
率は、夫々６０ｍ、ｌｉであった。従って、吸収率は３
０チと良好な１直が得られた。また、本実施例の記録媒
体について赤外吸収スペクトルを測定したところ、１４
００ ｃｒＲ４：、 ＣＨ，変角振動が観測された。
後に厚さ３９ｎｍの記録膜が０８〃アクリル基板上Ｃ二
堆積した。波長８ｊｌｌＯｎｍｌ二おける反射率、透過
率は、夫々６０ｍ、ｌｉであった。従って、吸収率は３
０チと良好な１直が得られた。また、本実施例の記録媒
体について赤外吸収スペクトルを測定したところ、１４
００ ｃｒＲ４：、 ＣＨ，変角振動が観測された。
実施例−１と同一の方法で人騒微粒子の粒径、含有量を
測定したところ、夫々２８０＾、７０饅と求められた。
測定したところ、夫々２８０＾、７０饅と求められた。
く実施例−８〉
実施例−２と同一のスバタリング装置を用いて、ｐｔタ
ーゲットとＣＨ，、人ｒ＋Ｏ！混合ガスとの組合せで記
録媒体を製作した。ガスの混合比は、流量比でＣＨ，／
人ｒ１０１ ＝ ４０／４０／２０とした。圧力は、５
×ＩＱ Ｔｏｒｒｚ印加砲力は４００Ｗ、印加時間は
１２分１−である。記録膜の膜厚は、６０ｎｍであった
。本実施例記録媒体の波長８８０ｎｍ Ｃおける反射率
、透過率から求めた吸収率は、３６チと云う良好、７２
：値であった。
ーゲットとＣＨ，、人ｒ＋Ｏ！混合ガスとの組合せで記
録媒体を製作した。ガスの混合比は、流量比でＣＨ，／
人ｒ１０１ ＝ ４０／４０／２０とした。圧力は、５
×ＩＱ Ｔｏｒｒｚ印加砲力は４００Ｗ、印加時間は
１２分１−である。記録膜の膜厚は、６０ｎｍであった
。本実施例記録媒体の波長８８０ｎｍ Ｃおける反射率
、透過率から求めた吸収率は、３６チと云う良好、７２
：値であった。
第１図は、本発明情報記録媒体の断面を示す模式図、第
２図は、本発明の情報記録媒体の製造方法を実施するた
めの装置の模式図である。 １ ・・・Ｃ己球膜 ２・・・金属微粒子 ３・・・有機質母体 ４・・・基板 １０・・・情報記録媒体 ２１・・・真空容器 ２２・・・Ｍ機ガスの等入口 お・・・排気口 ２４・・・電極 ２５・・・対向電極 ２６・・・端子 代理人 弁理士 則 近 点 佑 （ほか１名）第１図 第２図
２図は、本発明の情報記録媒体の製造方法を実施するた
めの装置の模式図である。 １ ・・・Ｃ己球膜 ２・・・金属微粒子 ３・・・有機質母体 ４・・・基板 １０・・・情報記録媒体 ２１・・・真空容器 ２２・・・Ｍ機ガスの等入口 お・・・排気口 ２４・・・電極 ２５・・・対向電極 ２６・・・端子 代理人 弁理士 則 近 点 佑 （ほか１名）第１図 第２図
Claims (6)
- （１）基板上に形成された記録膜が、貴金属微粒子の有
機質母体中に分散する構造であることを特徴とする情報
記録媒体。 - （２）貴金属微粒子が、Ａｇ、Ａｕのうち一種以上を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記
録媒体。 - （３）貴金属微粒子の粒径が、３０Åと５００Åとの範
囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
情報記録媒体。 - （４）有機質母体が、構成成分として少くとも炭素を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記
録媒体。 - （５）有機質母体が、構成成分として少くとも炭素、水
素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
情報記録媒体。 - （６）有機ガスを含むプラズマで貴金属ターゲットをス
パタリングして、貴金属微粒子と有機質母体とを同時に
基板上に形成し、かつ貴金属微粒子を有機質母体中に均
一に分散させることを特徴とする情報記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222920A JPS61104438A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222920A JPS61104438A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104438A true JPS61104438A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16789930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222920A Pending JPS61104438A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0819750A1 (en) * | 1996-02-01 | 1998-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat sensitive color developing material and heat sensitive element using the same |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP59222920A patent/JPS61104438A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0819750A1 (en) * | 1996-02-01 | 1998-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat sensitive color developing material and heat sensitive element using the same |
| EP0819750A4 (en) * | 1996-02-01 | 2000-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | THERMOSENSITIVE COLOR DEVELOPMENT MATERIAL AND THERMOSENSITIVE ELEMENT USING THE SAME |
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