JPH0799595B2 - 光学情報記録再生デイスクの製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生デイスクの製造方法Info
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- JPH0799595B2 JPH0799595B2 JP27633185A JP27633185A JPH0799595B2 JP H0799595 B2 JPH0799595 B2 JP H0799595B2 JP 27633185 A JP27633185 A JP 27633185A JP 27633185 A JP27633185 A JP 27633185A JP H0799595 B2 JPH0799595 B2 JP H0799595B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大容量のデータの記録,ファイルに適用する光
学情報記録再生ディスクの製造方法に関するものであ
る。
学情報記録再生ディスクの製造方法に関するものであ
る。
従来の技術 光学的に情報を記録再生するディスクの薄膜材料として
は、特公昭54−7457号公報に示されるようにTeOx(0<
x<2.0)薄膜材料が知られている。
は、特公昭54−7457号公報に示されるようにTeOx(0<
x<2.0)薄膜材料が知られている。
この膜に、添加材料として、PbO,Se,V2O5等を含ませ
て、その記録再生あるいは、消去特性を向上する方法も
知られている。
て、その記録再生あるいは、消去特性を向上する方法も
知られている。
薄膜形成の方法としては、真空蒸着法、特にTeO2材料を
還元させながら薄膜を形成し、TeOx薄膜を得る方法があ
る。
還元させながら薄膜を形成し、TeOx薄膜を得る方法があ
る。
発明が解決しようとする問題点 光学情報記録薄膜であるTeOx(0<x2.0)材料におい
て、その記録速度の向上に際し、パラジウムPd添加材料
が有効であり、TeOxおよび、これにパラジウムを含ませ
る方法として、真空蒸着の方法がある。しかし、この方
法では蒸着時の突沸等の影響で、膜中にTe又はパラジウ
ムの欠陥が生じやすいという問題点があった。
て、その記録速度の向上に際し、パラジウムPd添加材料
が有効であり、TeOxおよび、これにパラジウムを含ませ
る方法として、真空蒸着の方法がある。しかし、この方
法では蒸着時の突沸等の影響で、膜中にTe又はパラジウ
ムの欠陥が生じやすいという問題点があった。
問題点を解決するための手段 TeOx(0<x<2.0)を主成分とする薄膜形成におい
て、蒸着法を、スパッタ法にし、スパッタターゲットと
して、TeとPdの合金および、これらの混合体を用い、O2
ガス雰囲気中で、反応性スパッタを行わせることであ
る。
て、蒸着法を、スパッタ法にし、スパッタターゲットと
して、TeとPdの合金および、これらの混合体を用い、O2
ガス雰囲気中で、反応性スパッタを行わせることであ
る。
作用 TeとPdの合金を含むターゲットを用いて、酸素を含む雰
囲気において、リアクティブスパッタにより、Pdを含む
TeOx(0<x<2.0)薄膜を形成することにより、ター
ゲットの溶融,異常放電の発生が押さえられ、突沸等に
伴う欠陥発生のないディスクを得ることができる。
囲気において、リアクティブスパッタにより、Pdを含む
TeOx(0<x<2.0)薄膜を形成することにより、ター
ゲットの溶融,異常放電の発生が押さえられ、突沸等に
伴う欠陥発生のないディスクを得ることができる。
実 施 例 ターゲットとして、TeとTe−Pd合金からなる材料を用い
る。第1図の1はTe粒子であり、2はTeとPdの合金粒子
である。合金としては、Te50Pd50を用いる。融点は720
℃であり、Teの融点449℃よりも高い。
る。第1図の1はTe粒子であり、2はTeとPdの合金粒子
である。合金としては、Te50Pd50を用いる。融点は720
℃であり、Teの融点449℃よりも高い。
TeとTe50Pd50材料を所望の比になるように混合すること
により、Te77Pd23のターゲット混合体を得る。上記混合
体をプレス成型し、熱処理を施すことにより、ターゲッ
トを得る。
により、Te77Pd23のターゲット混合体を得る。上記混合
体をプレス成型し、熱処理を施すことにより、ターゲッ
トを得る。
合金としては、Te67Pd33融点740℃を用いることもでき
る。これとTeを混合することにより、Te77Pd23ターゲッ
トを得ることができる。
る。これとTeを混合することにより、Te77Pd23ターゲッ
トを得ることができる。
この場合、Te粒子の混合比を少くすることが可能にな
り、スパッタリングの安定化により有効である。
り、スパッタリングの安定化により有効である。
本ターゲットを用い、Arガス,酸素ガスの混合ガス中
で、スパッタを行う。
で、スパッタを行う。
基板としては、第2図の4で示す、凹凸溝5を有するポ
リカーボネート板を用いる。
リカーボネート板を用いる。
5×10-3Torrの全圧中で、高周波パワー200Wで、Pdを含
むTeOx(0<x<2.0)薄膜6を形成する。この膜の上
に保護層7を密着し、ディスク8を得る。
むTeOx(0<x<2.0)薄膜6を形成する。この膜の上
に保護層7を密着し、ディスク8を得る。
ターゲットの混合組成Te100-xPbxにおいて、xが小なる
領域では、(x<10)薄膜の成分は感度が高いが、耐熱
性がやや低い。
領域では、(x<10)薄膜の成分は感度が高いが、耐熱
性がやや低い。
x20の領域では、耐熱性が高く、高速記録可能な薄膜
を得る。
を得る。
一方Te単体粒子からなるターゲットでは、150W以上のス
パッタパワー条件では、ターゲット上での異常放電が観
測される。
パッタパワー条件では、ターゲット上での異常放電が観
測される。
膜の欠陥数の比較を行うと、電子ビーム法で形成した膜
における単位面積当りの欠陥数を1として、上記スパッ
タ法で形成した膜の欠陥は、約1/10に低減できる。
における単位面積当りの欠陥数を1として、上記スパッ
タ法で形成した膜の欠陥は、約1/10に低減できる。
x>30のPdの多い領域では、レーザ光による記録感度が
低下する。
低下する。
発明の効果 本発明によれば、Teを含む融点の高いスパッタターゲッ
トを用いることにより、酸素ガス雰囲気中で、リアクテ
ィブスパッタ法を適用し、異常放電を伴わない、欠陥の
少い光ディスク膜を形成することが可能になる。
トを用いることにより、酸素ガス雰囲気中で、リアクテ
ィブスパッタ法を適用し、異常放電を伴わない、欠陥の
少い光ディスク膜を形成することが可能になる。
第1図は本発明の光学情報記録再生ディスクの製造に用
いるターゲット材料の断面図、第2図は同ディスク説明
のための記録媒体の断面図である。 1……Te粒子、2……Te−Pd合金粒子、3……ターゲッ
ト。
いるターゲット材料の断面図、第2図は同ディスク説明
のための記録媒体の断面図である。 1……Te粒子、2……Te−Pd合金粒子、3……ターゲッ
ト。
Claims (4)
- 【請求項1】TeとPbの合金またはそれらの混合体をター
ゲットに用い、酸素(O2)ガスを含む雰囲気において、
スパッタ形成して薄膜を得ることを特徴とする光学情報
記録再生ディスクの製造方法。 - 【請求項2】TeとPbの合金または、それらの混合体をタ
ーゲットとして、Te100-xPbxの組成を、10<x<30に選
ぶことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学情
報記録再生ディスクの製造方法。 - 【請求項3】酸素(O2)ガスを含む雰囲気において、反
応性スパッタにより、基板上に、TeとPbとOとを主成分
とする薄膜を形成し、OをTeOx(0<x<2.0),PbをTe
100-xPbx(10<x<30)の範囲の組成を得ることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光学情報記録再生デ
ィスクの製造方法。 - 【請求項4】スパッタの雰囲気がアルゴン(Ar)ガスま
たは酸素(O2)ガスの混合ガスを主成分とし、前記雰囲
気の全圧が概ね5×10-3Torrであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項または第2項何れかに記載の光学情
報記録再生ディスク製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27633185A JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27633185A JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62137748A JPS62137748A (ja) | 1987-06-20 |
JPH0799595B2 true JPH0799595B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17567955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27633185A Expired - Fee Related JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0799595B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2543056B2 (ja) * | 1986-12-02 | 1996-10-16 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録部材の製造方法 |
EP0592174B1 (en) * | 1992-10-05 | 2001-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27633185A patent/JPH0799595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62137748A (ja) | 1987-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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