JPS6232086A - 光記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザー光などの光（ここで言う光とは、上
記レーザー光を含む各種のエネルギー線のことである）
によって情報の記録、再生を行なう光記録媒体の製造法
に関するものである。

［従来の技術］ 基体上に形成された薄膜層にレーザー光を照射しで、情
報の記録、再生を行なう光記録媒体が種々提案されてい
る。

例えば、ヒスマス８１、テルルＴｅ等の低融点金属の薄
膜からなる光記録層を形成し、これにレーザー光を照射
してこれを溶融、蒸発させ、記録ビットを形成し、情報
の記録を行なうものがある。

しかし、このような記録形態で記録ビットを形成させる
ためには、パワーの大きいレーザー光が必要であり、ま
た形成された記録ビットの形状が一様でないという欠点
がある。その結果、記録の再生を行なった際のノイズの
原因となり易く、安定した再生信号が得られない、すな
わち高田度記録を達成しにくいという欠点がある。

このような光記録層の形成には、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、プラズマＣｖＤ法
、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などの膜形成方法が試みられ
ており、一般にはスパックリング法が広く用いられ、企
業化もされている。

これらの膜形成方法によって得られる光記録層は、Ｓ／
Ｎ比、光学的特性、使用環境特性及び保存環境特性、更
には均一性、再現性等の光記録媒体としての緒特性を含
め、生産性あるいは量産性の点においても、更に総合的
な特性の向上が必要である。

しかしながら、従来から一般化されているスパッタリン
グによる光記録層の形成法においては、以下のような問
題があった。

すなわち、スパッタリングによる方法においては、形成
パラメーターが多く（例えば、基体、スパッタ圧、高周
波電力、ターゲット−基体間距離、排気速度、基体回転
数など）これら多くのパラメーターによる組合せによる
ため、時にはプラズマが不安定な状態になり、形成され
た光記録層に著しい悪影響を与えることが少なくなかっ
た。

そのうえ、製雪特有のパラメーターを装置ごとに選定し
なければならなかった。−また、光記録層の表面が荒れ
たつ、また光記録層および基体界面の膜質が特に劣化し
やすいといった問題、更には成膜中に基体温度が上昇し
て膜質の低下を招くといった問題もあった。

このように、従来法では、光記録層の品質の均−牲や環
境時′ｌ！を満足させつつ、再現性に優れた量産化を行
なうことができなかった。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明の目的は、上述した従来の光記録媒体の製造法の
欠点、殊にスパッタリング法の欠点を除去すると同時に
、従来の光記録媒体の形成法によらない新規な光記録媒
体の製造法を提供することにある。　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　。

本発明の他の目的は、光記録媒体の緒特性を向上させる
ことができ、特に媒体雑音（ノイズ）が少なく、また保
存環境特性に優れた光記録媒体の量産化を容易に達成す
ることのできる光記録媒体の製造法を提供することにあ
る。

［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成する本発明は、基体上に光記録層を形成
する為の成膜空間に、光記録層形成用の原料となる下記
一般式（Ａ）で表わされる少なくとも一種の化合物と、
該化合物と化学反応する活性種とを導入するとともに、
該光記録層形成用の更に別の原料である金属ヨウ化物を
該成膜空間でほぼ同時に蒸発させることによって、前記
基体上に金属ヨウ化物中に一般式（Ａ）の化合物に由来
する金属Ｍが分散された光記録層を形成することを特徴
とする光記録媒体の製造法である。

ＲｎＭｍ　・・・（Ａ） （但し、ｍは日の価数に等しいか、または整数倍の正整
数、ｎはＭの価数に等しいか、または整数倍の正整数、
Ｍは金属元素、Ｒは水素、ハロゲンまたは炭化水素基を
表わす、） ［発明の実施態様］ 本発明の方法によって形成される光記録媒体の典型的な
例を菓２図に示す。

第２図の光記録媒体において、１はガラス、プラスチッ
ク等の各種材質からなる基体である。

４が本発明の方法によって形成された光記録層であり、
該光記録層４は金属ヨウ化物２中に上記一般式（Ａ）の
化合物に由来する金属３（すなわち式（Ａ）の化合物の
「Ｍ」）が分散されたものとなっている。

金属３としては、具体的にはＴｅ、８ｉ、　Ｓｎ、　Ｉ
ｎ、Ｐｂ％Ｃｕ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａ、　Ａｕ、　
Ｐｔ、　Ｓｅ％Ｚｎなどが挙げられ、これら金属の一種
以上が、Ｃｕｌ、ＣｓＩ。

５ｎＩ７．５ｂＩｓ、ＺｒＩ４、＾９Ｉ、　　ρｂＩ２
、ＴＩ＋３などの一種以上からなる金属ヨウ化物２に分
散されて、光記録層４が形成されている。

このような光記録層４に、例えばＡｒ−Ｎｅレーザー、
半導体レーザーなどのレーザー光を含む各種波長の記録
光が照射されると、金属ヨウ化物２および金属３かうな
る光記録層４の光学的特性（例えば、反射率、透過率、
屈折率等）が変化し、記録光が照射された部分と照射さ
れなかった部分に光学的な差異が生じることによって、
記録が行なわれる。記録の再生は、上記レーザー光のよ
うな再生用の光を記録部分に照射して、光記録層におけ
る光学的差異を検知することによって行なう。

このような光記録層を有する光記録媒体では、記録、再
生が記録ビットの形成によらないので、高密度記録が可
能である。しかも、光記録層を形成する金属ヨウ化物は
保存安定性に優れているため、光記録層の経時変化が防
止され、耐久性に優れた光記録媒体を得ることができる
。

尚、第２図には示さなかったが、基体１には記録茫度の
向上をはかる等の目的で、必要に応じていわゆる案内溝
を設けてもよい、また、接着層、反射防止層あるいは保
護層など、この種の技術で広く知られている各種の機能
層を、基体と光記録層の間に、あるいは光記録層上に設
けてもよい。

次に、本発明の方法を詳細に説明する。

本発明で云う「活性種」とは、前記化合物（Ａ）と化学
的相互作用を起して例えば化合物（Ａ）にエネルギーを
与えたつ、化合物（Ａ）と化学的に反応したつして、化
合物（Ａ）に由来する金属ｒＭ」を、光記録層に分散す
ることが出来る状態にする役目を荷うものを云う、従っ
て−１「活性種」としでは、形成される光記録層を構成
する成分を含んでいても良く、或いはその様な成分を含
んでいなくとも良い。

本発明において使用される一般式（Ａ）で示される化合
物（Ａ）は、その金属部分、すなわちｒ　Ｍ　Ｊが光記
録層の構成成分となり得る化合物である。

これら化合物としては、成ＩＩ！される基体が存在する
空間において、前記の活性種と分子的衝突を起して化学
反応を起し、基体上に形成される光記録層の成分である
金、ＩＩ　ｒＭ」の形成に寄与する化学種を自発的に発
生するものを選択するのがより望ましいものである。し
かし、通常の存在状態では、前記の活性種とは不活性で
あったり、或は、　　　　ｌそれ程の活性々がない場合
には、化合物（Ａ）に、その構成成分である金属ｒＭＪ
ｔ完全解離しない程度の強さの励起エネルギーを成膜前
又は成膜時に与えで、化合物（＾）を活性種と化学反応
し得る励起状態にすることが必要であり、又、その様な
励起状態にし得る化合物を、本発明の方法に使用される
化合物（＾）として採用するものである。

尚、本発明においてＩよ、化合物（Ａ）が上記の励起状
態になっているものを以後「励起種」と呼称することに
する。

本発明において、一般式（Ａ）で示される化合物（Ａ）
　　ｒ　ＲｎＭｍＪとして、有効に使用されるものとし
ては以下の化合物を挙げることが出来る。

即ち「Ｍ」は、金属元素、具体的にはＴｅ、８１、Ｓｎ
％Ｉｎ、　Ｐｂ、　Ｃｕ、　Ｔｉ、　２ｒ、Ｔａ、　Ａ
ｕ、　Ｐｔ、　Ｓｅ、　Ｚｎなとの一種以上が用いられ
る。

ｒＲ」としでは、直鎖状及び側鎖状の飽和炭化水素や不
飽和炭化水素から誘導される一価、二価及び三価の炭化
水素基、或いは、飽和又は不飽和の単環状の及び多環状
の炭化水素より誘導される一価、二価及び三価の炭化水
素基を挙げることが出来る。

不飽和の炭化水素基としては、炭素・炭素の結合は単一
種の結合だけでなく、−重結合、二重結合、及び三重結
合の中の少なくとも２種の結合を有しているものも本発
明の目的の達成に適うものであれば有効に採用され得る
。

又、二重結合を複数有する不飽和炭化水素基の場合、非
集積二重結合であっても集積二重結合であっても差支え
ない。

非環状炭化水素基としてはアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アルキリデン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基、アルキリジン基、アルキリジン基、アル
キニル基ン基等を好ましいものとして挙げることが出来
、殊に、炭素数としては、好ましくは１〜１０、より好
ましくは炭素数１〜７、最適には炭素数１〜５のものが
望ましい。

本発明においては、有効に使用される化合物（Ａ）とし
て、標準状態で気体状であるか或いは使用環境下におい
て容易に気化し得るものが選択される様に、上記に列挙
した「日」と「Ｍ」との選択において、適宜所望に従っ
て、ｒＲ」と「Ｍ」との組合せの選択がなされる。

本発明において、化合物（Ａ）としで、有効に使用され
る具体的なものとしでは、ＺｎＭｅ３．２ｎＥｔ３、Ｍ
１３２　Ｓｅ、　Ｍｅ２Ｔｅ、　Ｅｔ２Ｓｅ、　Ｅｔ２
Ｔｅ。

５ｅｘ２．５ｅＸｎ、５ｅＸｂ、ＴｅＸ６、ＨｚＳｅ、
Ｂ　ｉＸ３、ＳｎＬ　、ＰｂＥｔ４、ＣＬＩＸ３、Ｔｉ
Ｘ４．２ｒＬ、ＴａＸ５　、（ＰｔＸ２）２（Ｃｏ）３
、Ｈ２Ｔｅ等を挙げることが出来る。上記においで、Ｘ
はハロゲン（Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ、Ｉ）、Ｍｅはメチル基、
Ｅｔはエチル基を示す。

本発明において、光記録層の構成成分である金属ヨウ化
物としで、有効に使用されるものとしては、Ｃｕ１．　
　Ｃｓｌ、　　ＳｎＩ２．５ｂ１３、ＺｒＬ、Ａ９Ｉ、
　　Ｐｂ１２　、Ｔｉ１３９とが挙げられる。これら金
属ヨウ化物は、その一種以上が適宜選択されて、成膜空
間内で蒸発され、前述した金属「Ｍ」とともに光記録層
を形成する。

本発明の光記録媒体の製造法は、光記録層が形成される
基体がセットされた成膜空間内に、上記した化合物（Ａ
）と活性種を導入するとともに、上記金属ヨウ化物を該
成膜空間内でほぼ同時に蒸発させることにより達成され
る。すなわち、成膜空間内で蒸発した金属ヨウ化物が基
体に蒸着するとともに、該空間内に導入された化合物（
Ａ）と活性種との反応によってもたらされる金属ｒＭＪ
の基体へのほぼ同時の堆積によって、金属ヨウ化物中に
化合物（Ａ）に由来する金属ｒＭ」が分散された光記録
層が形成される。

この方法によって、成膜空間に導入される化合物（Ａ）
及び活性種として、そのままでも分子レベル的相互衝突
によって化学反応を生起し、光記録層中に化合物（Ａ）
に由来する金属ｒＭＪｔ生成させることが出来るものを
前記に列挙したものの中より夫々選択した場合は、金属
「Ｍ」が光記録層中に分散された光記録媒体を得ること
が出来る。しかし、化合物（Ａ）及び活性種の夫々の選
択の仕方によって、上記の化学反応性に乏しい場　　　
　　１合、或いは一層効果的に化学反応を行わせて、効
率良く金属「ＭＪを光記録層中に生成させる場合には、
成膜空間において、化合物（Ａ）及び／又は活性種に作
用する反応促進エネルギー、例えば後述の活性化空間に
おいて使用されると同様な活性化エネルギーを使用しで
も差支えないのである。

更には、成膜空間に導入する前に化合物（Ａ）を他の活
性化空間においで、化合物（Ａ）　ｖ！前述した励起状
態にする為に励起エネルギーを作用させても良い。

化合物（Ａ）の成膜空間への導入は、上述のようにこれ
を励起状態にして導入してもよいし、何ら励起状態にせ
ずに導入してもよい。

一方、活性種は成膜空間に導入された時には既に活さを
有している必要があるので、次のようにしてその導入を
行なう、すなわち、活性種を生成させる原料に、成膜空
間とは異なる活性化空間で熱、光、放電などの活性化エ
ネルギーを加えることにより、活性種を生成し、この活
性＋ｉを成膜空間へ導入することにより行なう。

活性化空間に導入され、活性ｆ！そ生成させる原料とし
では、好ましくは気体状の又は容易に気化し得る物質で
、水素ラジカルを生成する物質を挙げることか出来、具
体的にはＨ２，０２、ＨＤ等が挙げられ、その他、Ｈｅ
、　Ａｒ等の稀ガスも挙げることが出来る。

活性化空間において活性種生成物質に活性化作用を起す
活性化エネルギーとしては、具体的には抵抗加熱、赤外
線加熱等による熱エネルギー、レーザー光、水銀ランプ
光、ハロゲンランプ光等の光エネルギー、マイクロ波、
ＲＦ、低周波、ＯＣ等の放電を利用する電気エネルギー
等々を挙げることが出来、これ等の活性化エネルギーは
活性化空間において単独で活性種生成物質に作用させて
も良く、又、２ｆ！以上を併用して作用させでも良φ。

尚、本発明において活性化空間で生成さ、れる活性種は
上述のように放電、光、熱等のエネルギーで或いはそれ
等の併用によって励起されて活性化されるばかりではな
く、触媒などとの接触、あるいは添加により生成されて
もよい。

本発明において成膜空間に導入される化合物（Ａ）の￥
量と活゛ｉ化空間から導入される活性種の量の割合は、
成膜条件、化合物（Ａ）及び活性種の種類、所望される
光記録層の特性などで適宜所望に従って決められるが好
ましくは１０００：１〜１：１（導入流量比）が適当で
あり、より好ましくは５００：１〜１：５とされるのが
望ましい。

活性種が化合物（Ａ）との連鎖的化学反応を起さない場
合には、上記の導入量の割合は、好ましくは１０：１〜
１：１０、より好ましくは４：１〜２：３とされるの望
ましく１゜成膜時における成膜空間の内圧としては、化
合物（Ａ）及び活性種の選択される種類及び成膜条件等
に従って適宜決定されるが、好ましくは１ｘｌｏ−’　
〜５ｘ１０３Ｐａ、より好ましくは５ＸＩＯ−’〜Ｉ　
Ｘ　１０３Ｐａ、最適にはｌＸｌ０’〜５ＸＩＯ’Ｐａ
とされるのが望ましい。

又、本発明においては、膜質の均質化を高める等の種々
の目的で、必要に応じて成膜時に基体を加熱することが
可能であるが、成膜時に基体を加熱する必要がある場合
には基体温度としては好ましくは、５０〜１０００℃、
より好ましくは１００〜９００℃、最適には１００〜７
５０℃とされるのが望ましい。

本発明においで使用される活性種が、化合物（＾）との
化学反応が連鎖的に起こる場合には所謂開始剤（１ｌｉ
ｔｉａｔｅｒ）としての（動きを最小限にすれば良いこ
とから、成膜空間に導入されるその導入量としでは、化
学反応が連鎖的に効率良く起こる程度の量が確保されれ
ば良い。

本発明で使用される活゛ｉ種の寿命は、化合物（Ａ）と
の反応′ｉを考慮すれば短い方が良く、成膜時の取扱い
易さ及び成膜空間への輸送等を考慮すれば長い方が良い
、又、活性種の寿命は、成膜空間の内圧にも依存する。

従って使用される活性種は、所望する特性を有する光記
録層が生産効率も加味して効果的に得られる様に選択さ
れて決定される他の成膜条件との開運性において、適当
な寿命を有する活性種が適宜選択されて使用される。　
　　　　　　　　　　　　　１本発明において使用され
る活性種は、その寿命としで、上記の点を鑑みて適宜選
択された寿命を有する活性種が具体的に使用される化合
物（Ａ）との化学的親和性の適合範囲内の中より所望に
従って適宜選択されるが、好ましくは、その寿命としで
は、本発明の適合範囲の環境下においで１×１０−４秒
以上、より好ましくは１×１０°３秒以上、最適にはｌ
Ｘｌ０’秒以上であるのが望ましい。

その様な寿命を有することで、成膜空間に導入される化
合物（Ａ）との化学反応の効率を増す。

成膜空間に化合物（Ａ）、及び活性種を導入する際の導
入の仕方は、例えば成膜空間に連結した輸送管を設け、
該輸送管を通じて導入しても良いし、或いは成膜空間に
設置した基体の成膜表面近くまで前記の輸送管を延在さ
せて、先端をノズル状となして導入しても良いし、輸送
管を二重にして内側の管で一方を、外側の管で他方を、
すなわち例えば内側の管で活性種を、外側の管で少なく
とも一種以上の化合物（Ａ）　’！夫々輸送して成膜空
間中に導入しても良い。

本発明の方法において、前述した金属「Ｍ」とともに光
記録層を形成する金属ヨウ化物は、化合物（Ａ）および
活性種が成膜空間内に導入されるとほぼ同時に該空間内
で蒸発される。

金属ヨウ化物の蒸発は、成膜空間内に例えばクヌードセ
ン・セル等の蒸発源を設置し、金属ヨウ化物の蒸着が金
属ｒＭ」と金属ヨウ化物とて構成される光記録層の生成
速度で０．０１〜１μ／分となるように行なうとよい。

本発明の方法を実施するための装置の一例の模式図を第
１図に示す。

この装置は、成膜室９（成膜空間に相当する）と、該室
９内に設置された蒸発源８と、活性化室１０（活性化空
間に相当する）とを主要部として構成されでいる。５お
よび６はガス導入管であって、化合物（Ａ）はガス導入
管５によって成膜室９に導入される。また、活性種原料
がガス導入管６によって活性化室１０へ導入され、該室
１０内で活性化されたのち活性種が成膜室９に入る。尚
、７は成膜室９内に設置した基体であり、１１は成膜室
９内を所望の圧力に保持するための真空ポンプ等からな
るガス排気系である。

［作用］ 本発明において使用される活性種は成膜空間で光記録層
を形成する際に、はぼ同時に成膜空間に導入され、且つ
形成される光記録層の成分となる金属ｒＭＪ＠含む前記
化合物（Ａ）及び該化合物（Ａ）の励起ｆ！　（Ａ　）
と化学的に相互作用する。こうしてできた所望の金属ｒ
ＭＪが蒸発源８で使られた金属ヨウ化物の蒸気とともに
基体７上に堆積する。その結果所望の基体上に金属ヨウ
化物中に金属ｒ　Ｍ　Ｊが分散された所望の光記録層４
が容易に形成される。

本発明の方法では、光記録層を、該光記録層の１つの成
分である金属ヨウ化物を成膜空間内で蒸発することによ
って、また、もう１つの成分である金ＩＮ　ｒＭＪを上
記金属ヨウ化物の蒸発とほぼ同時に成膜空間内に導入さ
れるｒＭＪを含む化合物（Ａ）とこれと反応する活性種
とを反応させるという別個の方法をほぼ同時に作用させ
て形成するため、金属「Ｍ」が金属ヨウ化物中に均一に
分散された光記録層を再現性よく作成することができる
。これに加えて、膜品質の安定した、膜特性の管理され
た光記録層を有する光記録媒体を、量産性よく製造する
ことができる。

［実施例］ 以下に本発明の実施例を示す−０ 〔実施例〕 第１図に示した装Ｗ！を使用し、以下の如き操作により
、第２図に示した光記録媒体を作成した。

基体１としでは、予めインジェクション法によって案内
溝を設けた厚ざ１．２ｍｍ、直径２００ｍｍのポリカー
ボネイト基板を用いた。案内溝はピッチ１．６鱒、深さ
７００人でラセン状に形成した。

この基板１を成膜室９内にセットした後、蒸発源８（本
例では、クヌードセン・セルとした）を９５０℃に加熱
して、該蒸発源８に予め入れでおいた金属ヨウ化物であ
るＰｂＩ２を蒸発させた。これとほぼ同時に、化合物（
＾）である（ＣＨａ）２Ｔｅを石英ガラス製のガス導入
管５から流入速度６０　ＳＣＣＭで芦 活性化室１０に導入するとともに、Ｈｚガスを石英ガラ
ス製のガス導入管６から活性化室１０に導入することに
よって発生させた活性種であるところのＨラジカルを２
００３ＣＣＭの流入速度で反応室９に導入した。尚、活
性化室１０では、３００Ｗのマイクロ波を作用させてＨ
ラジカルを発生させた。また、成膜中の成膜室９内の圧
力は、ガス排気系１１によって２５Ｐａとなるように調
整した。

上記操作を２分間継続したところ、基板１上に金１ヨウ
化物であるｐｂｂ中に、化合物（Ａ）に由来する金属で
あるところのＴｅが、Ｔｅ：　　Ｐｂｌ２＝０．６　：
　０．４の割合で分散した膜厚１０００人の光記録ＩＩ
ｌを有する光記録媒体が得られた。

以上のようにして作成した光記録媒体の特性を、Ｓ／Ｎ
比、媒体ノイズおよび保存環境特性によって以下のよう
にして評価した。

得られた光記録媒体を、回転数１８００　ｒｐｍで回転
させながら、記録レーザーパワー１０ｍＷ、記録周波数
４ＭＨｚで記録を行ない、再生レーザーパワー２ｍＷで
再生したところ、３３ｄＢのＳ／Ｎ比が得られた。また
、この光記録媒体を温度６０℃、湿度８０％の環境に１
０００時間放置した債のノイズの増加は、３ｄＢの極め
で低いレベルにあり、保存環境特性に優れたものである
ことが分った。

これとは別に上記同様の方法に従って、同構成の光記録
媒体を３０個作成した。これら光記録媒体について、上
記同様の評価を行なったところ、すべての光記録媒体で
上記と同じ３３ｄＢのＳ／Ｎ比が得られ、また１０００
時間放置した後のノイズの増加は３〜５ｄＢの極めて低
いレベルにあり、ノイズの少ない保存環境時゛ｉに優れ
た光記録媒体が、再現性よく量産されでいた。

（比較例〕 実施例と同様の構成の光記録媒体を、真空度５　Ｘ　１
０”　Ｐａで、電子銃を用いたスパッタリング法にで作
成し、実施例と同様の評価を行なった。

その結果、Ｓ／Ｎ比は３０ｄＢであり、このときのノイ
ズは実施例のものより３ｄＢ多かった。また、温度６０
℃、湿度８０％の環境に１０００時間放置後のノイズの
増加は２０ｄＢと、実施例のものよりも著しく増加した
。

これとは別に上記同様の方法に従って、同構成の光記録
媒体ヲ３０個作成した。これら光記録媒体について、上
記同様の評価を行なったところ、Ｓ／Ｎ比が、２８〜３
３ｄＢの範囲でバラつく再現性にとぼしい光記録媒体で
あった。また、１０００時間放胃した後のノイズの増加
も１０〜３０ｄＢと実施例のものよりもかなり高いレベ
ルにあった。

［発明の効果］ 以上に説明した如く本発明の光記録媒体の製造法により
、形成される光記録層の光記録特性を向上させることが
可能となり、媒体ノイズの低減した、保存環境特性に優
れた光記録媒体を再現性よく量産化することができるよ
うになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を具現化するための製造装置の
模式図の一例であり、第２図は本発明の方法によって作
成した光記録媒体の一例の模式的断面図である。 １．７一−−基体　　　２−ｍ−金属ヨウ化物３・・・
金属　　　　４−ｍ−光記録層５．６・・・ガス導入管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に光記録層を形成する為の成膜空間に、光
   記録層形成用の原料となる下記一般式（Ａ）で表わされ
   る少なくとも一種の化合物と、該化合物と化学反応する
   活性種とを導入するとともに、該光記録層形成用の更に
   別の原料である金属ヨウ化物を該成膜空間でほぼ同時に
   蒸発させることによって、前記基体上に金属ヨウ化物中
   に一般式（Ａ）の化合物に由来する金属Ｍが分散された
   光記録層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造
   法。 Ｒ＿ｎＭ＿ｍ・・・（Ａ） （但し、ｍはＲの価数に等しいか、または整数倍の正整
   数、ｎはＭの価数に等しいか、または整数倍の正整数、
   Ｍは金属元素、Ｒは水素、ハロゲンまたは炭化水素基を
   表わす。）