JPH1079145A - 光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに用いる成膜装置 - Google Patents
光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに用いる成膜装置Info
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- JPH1079145A JPH1079145A JP18204197A JP18204197A JPH1079145A JP H1079145 A JPH1079145 A JP H1079145A JP 18204197 A JP18204197 A JP 18204197A JP 18204197 A JP18204197 A JP 18204197A JP H1079145 A JPH1079145 A JP H1079145A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマをエネルギー源にして成膜を行う方法
を用い、かつ水分を含有させた混合ガスを前記成膜室内
に供給することにより、環境条件に左右されることなく
常に安定したオーバライトサイクル特性が得られる光学
的情報記録媒体の製造方法とこれに用いる成膜装置を提
供する。 【解決手段】水分を含まないArガスと水分を含むArガス
18を供給する第1及び第2の保護層成膜室10,12を有する
インラインスパッタ成膜装置を用いて光ディスクを作製
する。光ディスクにおける各層の膜厚は第１の保護層約
150nm、記録薄膜約20nm、第2の保護層約40nm、反射層約
100nmにし、第1及び第2の保護層(ZnS−SiO2，１mTorr，
RFマグネトロンスパッタ，Arガス 10sccm，水分を含むA
rガス 0．01〜1.0sccm）にする。
を用い、かつ水分を含有させた混合ガスを前記成膜室内
に供給することにより、環境条件に左右されることなく
常に安定したオーバライトサイクル特性が得られる光学
的情報記録媒体の製造方法とこれに用いる成膜装置を提
供する。 【解決手段】水分を含まないArガスと水分を含むArガス
18を供給する第1及び第2の保護層成膜室10,12を有する
インラインスパッタ成膜装置を用いて光ディスクを作製
する。光ディスクにおける各層の膜厚は第１の保護層約
150nm、記録薄膜約20nm、第2の保護層約40nm、反射層約
100nmにし、第1及び第2の保護層(ZnS−SiO2，１mTorr，
RFマグネトロンスパッタ，Arガス 10sccm，水分を含むA
rガス 0．01〜1.0sccm）にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学的情報記録媒体
の製造方法及びこれに用いる成膜装置に関し、特に、製
造時の環境に左右されることなく常に安定したオーバラ
イトサイクル特性が得られる光学情報記録媒体を製造す
ることができる光学的情報記録媒体の製造方法及びこれ
に用いる成膜装置に関するものである。
の製造方法及びこれに用いる成膜装置に関し、特に、製
造時の環境に左右されることなく常に安定したオーバラ
イトサイクル特性が得られる光学情報記録媒体を製造す
ることができる光学的情報記録媒体の製造方法及びこれ
に用いる成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から使用されている薄膜形成方法の
一つにスパッタリング法がある。かかるスパッタリング
法に使用される基本的なスパッタリング装置の構成が
「薄膜の基本技術 金原あきら著 発行者：田中秀夫
発行所：財団法人 東京大学出版会 １９８５．５．２
０ 第８刷」の５３〜５６頁に紹介されている。
一つにスパッタリング法がある。かかるスパッタリング
法に使用される基本的なスパッタリング装置の構成が
「薄膜の基本技術 金原あきら著 発行者：田中秀夫
発行所：財団法人 東京大学出版会 １９８５．５．２
０ 第８刷」の５３〜５６頁に紹介されている。
【０００３】この装置は、図５に示すように、真空の成
膜室１内に陰極２と陽極３を設け、陰極２にターゲット
部材４を取り付け、陽極３に基板５を取り付け、放電ガ
スをボンベ６、マスフローコントローラ７、及びストッ
プバルブ８を介して所定量真空容器１の中に導入し、こ
の状態で前記陰極２と陽極３との間に電圧をかけてグロ
ー放電を行い、かかるグロー放電によって発生したプラ
ズマをエネルギー源にして前記ターゲット部材４からス
パッタされた成膜すべき物質を前記基板５に堆積させて
薄膜を形成するものである。このようなスパッタリング
装置は電源に直流電源を使うか高周波電源を使うかによ
って直流形（ＤＣ形）と高周波形（ＲＦ形）とに分けら
れる。また、密度の高いプラズマを得るために磁場収束
形（マグネトロン放電形）の装置が用いられる。この磁
場収束形の装置では陰極から放出された電子が陽極に直
行せず、互いに直交する電場と磁場を有する空間にトラ
ップされることによって密度の高いプラズマが得られ、
これによって成膜効率が高められる。
膜室１内に陰極２と陽極３を設け、陰極２にターゲット
部材４を取り付け、陽極３に基板５を取り付け、放電ガ
スをボンベ６、マスフローコントローラ７、及びストッ
プバルブ８を介して所定量真空容器１の中に導入し、こ
の状態で前記陰極２と陽極３との間に電圧をかけてグロ
ー放電を行い、かかるグロー放電によって発生したプラ
ズマをエネルギー源にして前記ターゲット部材４からス
パッタされた成膜すべき物質を前記基板５に堆積させて
薄膜を形成するものである。このようなスパッタリング
装置は電源に直流電源を使うか高周波電源を使うかによ
って直流形（ＤＣ形）と高周波形（ＲＦ形）とに分けら
れる。また、密度の高いプラズマを得るために磁場収束
形（マグネトロン放電形）の装置が用いられる。この磁
場収束形の装置では陰極から放出された電子が陽極に直
行せず、互いに直交する電場と磁場を有する空間にトラ
ップされることによって密度の高いプラズマが得られ、
これによって成膜効率が高められる。
【０００４】近年においては直流形または高周波形にマ
グネトロン放電形を組み合わせたスパッタリング装置が
使用されている。直流形の装置は導電体材料のスパッタ
リングが可能であり、高周波形の装置は絶縁体材料及び
導電体材料の両方のスパッタリングが可能であり、これ
らはスパッタするターゲット部材に応じて使い分けられ
ている。
グネトロン放電形を組み合わせたスパッタリング装置が
使用されている。直流形の装置は導電体材料のスパッタ
リングが可能であり、高周波形の装置は絶縁体材料及び
導電体材料の両方のスパッタリングが可能であり、これ
らはスパッタするターゲット部材に応じて使い分けられ
ている。
【０００５】前記スパッタリング法は光ディスクの各層
の成膜に使用されており、一般に光ディスクの記録薄
膜、反射層の成膜には直流（ＤＣ）マグネトロン放電形
装置が使用され、絶縁材料からなる保護層の成膜には高
周波（ＲＦ）マグネトロン放電形装置が使用されてい
る。現在、光磁気ディスク、相変化型光ディスクなどの
書き換え可能な光ディスクが開発され実用化されてい
る。このうような光ディスクの基本的な構成はレーザー
光の案内溝が形成された透明基板の上に第１の保護層、
記録薄膜、第２の保護層、反射層を順次成膜したもので
あり、一般に反射層の上には膜の損傷を防止するために
紫外線硬化樹脂から成るオーバーコート層が設けられて
いる。前記相変化型光ディスク等における相変化方式の
記録は記録膜を融点以上に加熱した後急冷して非晶質化
することにより行われ、消去は記録膜を結晶化温度以上
融点以下に加熱した後徐冷して結晶化することにより行
われる。信号は非晶質状態にある時と結晶状態にある時
の反射率差によって得られる。
の成膜に使用されており、一般に光ディスクの記録薄
膜、反射層の成膜には直流（ＤＣ）マグネトロン放電形
装置が使用され、絶縁材料からなる保護層の成膜には高
周波（ＲＦ）マグネトロン放電形装置が使用されてい
る。現在、光磁気ディスク、相変化型光ディスクなどの
書き換え可能な光ディスクが開発され実用化されてい
る。このうような光ディスクの基本的な構成はレーザー
光の案内溝が形成された透明基板の上に第１の保護層、
記録薄膜、第２の保護層、反射層を順次成膜したもので
あり、一般に反射層の上には膜の損傷を防止するために
紫外線硬化樹脂から成るオーバーコート層が設けられて
いる。前記相変化型光ディスク等における相変化方式の
記録は記録膜を融点以上に加熱した後急冷して非晶質化
することにより行われ、消去は記録膜を結晶化温度以上
融点以下に加熱した後徐冷して結晶化することにより行
われる。信号は非晶質状態にある時と結晶状態にある時
の反射率差によって得られる。
【０００６】ところで、相変化型光ディスクにおいて例
えば記録膜にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系のカルコゲン化合物を
用いた場合その融点は６００℃以上であり、これによっ
て記録膜の両側に設けた保護膜は記録・消去のたびに熱
ストレスを受ける。このため一般に保護層には熱的に安
定で記録薄膜との密着性が良く、しかも機械的強度の強
い膜が要求される。このような条件を満足する保護層と
しては、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合体からなる保護層が実
用化されている。しかしながら、このＺｎＳ及びＳｉＯ
2 を用いて保護層を成膜しても成膜時の基板の保管環
境、排気時間等の成膜条件によって形成される保護層の
特性が変動し、かかる保護層の成膜工程を経て作製され
た光ディスクの記録・消去のオーバライト（重ね書き）
サイクル特性が大きく異なってしまうことがあった。特
に、湿度の高い時期に作製したディスクと湿度の低い時
期に作製したディスクとではオーバライトサイクル回数
に大きな差を生じ、湿度の低い時期に作製したディスク
ではオーバライトサイクル特性が安定しないという問題
があった。
えば記録膜にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系のカルコゲン化合物を
用いた場合その融点は６００℃以上であり、これによっ
て記録膜の両側に設けた保護膜は記録・消去のたびに熱
ストレスを受ける。このため一般に保護層には熱的に安
定で記録薄膜との密着性が良く、しかも機械的強度の強
い膜が要求される。このような条件を満足する保護層と
しては、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合体からなる保護層が実
用化されている。しかしながら、このＺｎＳ及びＳｉＯ
2 を用いて保護層を成膜しても成膜時の基板の保管環
境、排気時間等の成膜条件によって形成される保護層の
特性が変動し、かかる保護層の成膜工程を経て作製され
た光ディスクの記録・消去のオーバライト（重ね書き）
サイクル特性が大きく異なってしまうことがあった。特
に、湿度の高い時期に作製したディスクと湿度の低い時
期に作製したディスクとではオーバライトサイクル回数
に大きな差を生じ、湿度の低い時期に作製したディスク
ではオーバライトサイクル特性が安定しないという問題
があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
課題に鑑みてなされたものであり、環境条件、特に、湿
度条件に左右されることなく常に安定したオーバライト
サイクル特性が得られる光学的情報記録媒体を製造する
ことができる光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに
用いる成膜装置を提供することを目的とする。
課題に鑑みてなされたものであり、環境条件、特に、湿
度条件に左右されることなく常に安定したオーバライト
サイクル特性が得られる光学的情報記録媒体を製造する
ことができる光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに
用いる成膜装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意研究を重ねたところ、優れたオーバ
ライトサイクル特性を有する光学的情報記録媒体ではそ
の保護層中に水酸基（−ＯＨ）が含有されているのに対
し、劣悪なオーバライトサイクル特性を有する光学的情
報記録媒体の保護層中には水酸基（−ＯＨ）が含まれて
いないことを突き止め（二次イオン質量分析法によ
る）、以下に記す構成からなる本発明の光学的情報記録
媒体の製造方法を完成するに至った。
解決するために鋭意研究を重ねたところ、優れたオーバ
ライトサイクル特性を有する光学的情報記録媒体ではそ
の保護層中に水酸基（−ＯＨ）が含有されているのに対
し、劣悪なオーバライトサイクル特性を有する光学的情
報記録媒体の保護層中には水酸基（−ＯＨ）が含まれて
いないことを突き止め（二次イオン質量分析法によ
る）、以下に記す構成からなる本発明の光学的情報記録
媒体の製造方法を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明の光学的情報記録媒体の
製造方法は、真空の成膜室内にて基板と成膜すべき物質
からなる部材を対向させて配置し、前記成膜室内に供給
される放電ガスを前記基板と成膜すべき物質からなる部
材間にてグロー放電することによりプラズマを形成し、
このプラズマをエネルギー源にして前記成膜すべき物質
からなる部材から遊離した前記成膜すべき物質を前記基
板上に付着または堆積させて成膜を行う成膜方法を用い
て、前記基板上に少なくとも記録薄膜と前記記録薄膜の
片側の表面または両側の表面に配置される保護層を成膜
して光学的情報記録媒体を製造する光学的情報記録媒体
の製造方法において、前記保護層の成膜工程における前
記成膜室内に供給される放電ガス中に水分を含有させた
ことを特徴とする。ここで、「成膜すべき物質からなる
部材」とは、成膜方法がスパッタリング法やレーザスパ
ッタリング法である場合に一般にターゲット（部材）と
呼ばれ、成膜方法がイオンプレーティング法や電子ビー
ム蒸着法である場合に一般に蒸発源と呼ばれている成膜
すべき物質からなる板状体である。前記の構成にしたこ
とにより、製造環境、すなわち、保護層の成膜時の環境
条件に左右されることなく、常に保護層に所定量の水酸
基（−ＯＨ）を導入することができ、その結果、優れた
オーバライトサイクル特性を有する光学的情報記録媒体
を再現性良く製造することができる。なお、保護層への
水酸基（−ＯＨ）の導入によってオーバライトサイクル
特性が向上することの理由は明らかではないが、例え
ば、保護層の構成材料が一般的なＺｎＳとＳｉＯ2 であ
る場合、水酸基（−ＯＨ）の酸素原子（Ｏ）が層中のＺ
ｎＳの亜鉛原子（Ｚｎ）やＳｉＯ2 の酸素原子（Ｏ）と
結合し、かつ、水酸基（−ＯＨ）の水素原子（Ｈ）がＳ
ｉＯ2 のケイ素原子（Ｓｉ）のダングリングボンド中に
結合して、保護層の熱的及び化学的安定性、機械的強
度、並びに記録薄膜への密着性が向上するためであると
考えている。
製造方法は、真空の成膜室内にて基板と成膜すべき物質
からなる部材を対向させて配置し、前記成膜室内に供給
される放電ガスを前記基板と成膜すべき物質からなる部
材間にてグロー放電することによりプラズマを形成し、
このプラズマをエネルギー源にして前記成膜すべき物質
からなる部材から遊離した前記成膜すべき物質を前記基
板上に付着または堆積させて成膜を行う成膜方法を用い
て、前記基板上に少なくとも記録薄膜と前記記録薄膜の
片側の表面または両側の表面に配置される保護層を成膜
して光学的情報記録媒体を製造する光学的情報記録媒体
の製造方法において、前記保護層の成膜工程における前
記成膜室内に供給される放電ガス中に水分を含有させた
ことを特徴とする。ここで、「成膜すべき物質からなる
部材」とは、成膜方法がスパッタリング法やレーザスパ
ッタリング法である場合に一般にターゲット（部材）と
呼ばれ、成膜方法がイオンプレーティング法や電子ビー
ム蒸着法である場合に一般に蒸発源と呼ばれている成膜
すべき物質からなる板状体である。前記の構成にしたこ
とにより、製造環境、すなわち、保護層の成膜時の環境
条件に左右されることなく、常に保護層に所定量の水酸
基（−ＯＨ）を導入することができ、その結果、優れた
オーバライトサイクル特性を有する光学的情報記録媒体
を再現性良く製造することができる。なお、保護層への
水酸基（−ＯＨ）の導入によってオーバライトサイクル
特性が向上することの理由は明らかではないが、例え
ば、保護層の構成材料が一般的なＺｎＳとＳｉＯ2 であ
る場合、水酸基（−ＯＨ）の酸素原子（Ｏ）が層中のＺ
ｎＳの亜鉛原子（Ｚｎ）やＳｉＯ2 の酸素原子（Ｏ）と
結合し、かつ、水酸基（−ＯＨ）の水素原子（Ｈ）がＳ
ｉＯ2 のケイ素原子（Ｓｉ）のダングリングボンド中に
結合して、保護層の熱的及び化学的安定性、機械的強
度、並びに記録薄膜への密着性が向上するためであると
考えている。
【００１０】前記本発明の光学的情報記録媒体の製造方
法においては、水分を含む放電ガスが、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、及びＸｅから選ばれる少なくとも一つのガスに水の
気化成分を混合させたものであるのが好ましい。このよ
うな構成により、グロー放電によるプラズマの形成がよ
り安定に行われ、より確実に化学的及び熱的安定性、機
械的強度並びに記録薄膜への密着性に優れた保護層を形
成することができる。
法においては、水分を含む放電ガスが、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、及びＸｅから選ばれる少なくとも一つのガスに水の
気化成分を混合させたものであるのが好ましい。このよ
うな構成により、グロー放電によるプラズマの形成がよ
り安定に行われ、より確実に化学的及び熱的安定性、機
械的強度並びに記録薄膜への密着性に優れた保護層を形
成することができる。
【００１１】前記において、混合ガス中の水分(Ｈ2Ｏ)
の濃度は、０．１〜１０vol.%の範囲が好ましい。これ
によりオーバーライトサイクル寿命がさらに長期化でき
る。また、本発明の成膜装置は、基板が取り付けられる
陽極と成膜すべき物質からなる部材が取り付けられる陰
極とがその真空の内部空間内に対向して配置された成膜
室と、前記成膜室の内部空間に放電ガスを供給するため
のガス供給手段とを備え、前記陽極と陰極間に印加され
た電圧によって前記放電ガスのグロー放電が成される成
膜装置において、前記ガス供給手段が、水分を含まない
放電ガスを成膜室内に供給する第１のガス供給経路と水
分を含有した放電ガスを成膜室内に供給する第２のガス
供経路とを有し、前記第１及び第２のガス供給経路にそ
れぞれガス流量の制御を行うガス流量制御手段が設けら
れたものであることを特徴とする。このような構成によ
り、成膜室内へ供給される放電ガス中の水分濃度の制御
を精度良くかつ容易に行うことができ、前記した本発明
の光学的情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定に実
行することができる。
の濃度は、０．１〜１０vol.%の範囲が好ましい。これ
によりオーバーライトサイクル寿命がさらに長期化でき
る。また、本発明の成膜装置は、基板が取り付けられる
陽極と成膜すべき物質からなる部材が取り付けられる陰
極とがその真空の内部空間内に対向して配置された成膜
室と、前記成膜室の内部空間に放電ガスを供給するため
のガス供給手段とを備え、前記陽極と陰極間に印加され
た電圧によって前記放電ガスのグロー放電が成される成
膜装置において、前記ガス供給手段が、水分を含まない
放電ガスを成膜室内に供給する第１のガス供給経路と水
分を含有した放電ガスを成膜室内に供給する第２のガス
供経路とを有し、前記第１及び第２のガス供給経路にそ
れぞれガス流量の制御を行うガス流量制御手段が設けら
れたものであることを特徴とする。このような構成によ
り、成膜室内へ供給される放電ガス中の水分濃度の制御
を精度良くかつ容易に行うことができ、前記した本発明
の光学的情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定に実
行することができる。
【００１２】また前記本発明の成膜装置においては、ガ
ス供給手段が、放電ガスが充填されたガスボンベと、水
が収容されたタンクと、前記ガスボンベからの放電ガス
を前記タンク内に導入する第１導入管部と前記ガスボン
ベからの放電ガスを直接成膜室内に導入する第２導入管
部とを有する第１のガス導入管と、前記タンク内にて前
記水の気化成分と前記放電ガスとが混合された混合ガス
を前記タンクから成膜室内に導入する第２のガス導入管
と、前記第１のガス導入管の前記第２導入管部及び前記
第２のガス導入管にそれぞれ取り付けられたガス流量制
御手段とを備えたものであるのが好ましい。このような
構成により、成膜室内へ供給される放電ガス中の水分濃
度の制御を精度良くかつ容易に行える成膜装置を簡単な
構成にて実現することができる。
ス供給手段が、放電ガスが充填されたガスボンベと、水
が収容されたタンクと、前記ガスボンベからの放電ガス
を前記タンク内に導入する第１導入管部と前記ガスボン
ベからの放電ガスを直接成膜室内に導入する第２導入管
部とを有する第１のガス導入管と、前記タンク内にて前
記水の気化成分と前記放電ガスとが混合された混合ガス
を前記タンクから成膜室内に導入する第２のガス導入管
と、前記第１のガス導入管の前記第２導入管部及び前記
第２のガス導入管にそれぞれ取り付けられたガス流量制
御手段とを備えたものであるのが好ましい。このような
構成により、成膜室内へ供給される放電ガス中の水分濃
度の制御を精度良くかつ容易に行える成膜装置を簡単な
構成にて実現することができる。
【００１３】また前記本発明の成膜装置においては、第
１のガス導入管における第１の導入管部の末端の開口部
がタンク内の水中に浸漬され、前記開口部から放出され
た放電ガスが前記タンク内の水をバブリングすることに
より前記水の気化が行われるのが好ましい。このような
構成により、放電ガス中への水分の混入を合理的かつ確
実に行うことができる。
１のガス導入管における第１の導入管部の末端の開口部
がタンク内の水中に浸漬され、前記開口部から放出され
た放電ガスが前記タンク内の水をバブリングすることに
より前記水の気化が行われるのが好ましい。このような
構成により、放電ガス中への水分の混入を合理的かつ確
実に行うことができる。
【００１４】また前記本発明の成膜装置においては、第
１のガス導入管における第１の導入管部の末端の開口部
がタンク内の空間内に配置され、前記開口部から放出さ
れた放電ガスが前記タンク内の水に吹き付けられること
により前記水の気化が行われるのが好ましい。このよう
な構成により、放電ガス中への水分の混入を合理的かつ
確実に行うことができる。
１のガス導入管における第１の導入管部の末端の開口部
がタンク内の空間内に配置され、前記開口部から放出さ
れた放電ガスが前記タンク内の水に吹き付けられること
により前記水の気化が行われるのが好ましい。このよう
な構成により、放電ガス中への水分の混入を合理的かつ
確実に行うことができる。
【００１５】また前記本発明の成膜装置においては、タ
ンクの周辺にヒータが配置され、前記ヒータが前記タン
クを加熱することにより前記タンク内の水の気化が行わ
れるのが好ましい。このような構成により、放電ガス中
への水分の混入を合理的かつ確実に行うことができる。
ンクの周辺にヒータが配置され、前記ヒータが前記タン
クを加熱することにより前記タンク内の水の気化が行わ
れるのが好ましい。このような構成により、放電ガス中
への水分の混入を合理的かつ確実に行うことができる。
【００１６】また前記本発明の成膜装置においては、第
２のガス導入管及びこの第２のガス導入管に取り付けら
れたガス流量制御手段を加熱するヒータが設けられてい
るのが好ましい。このような構成により、第２のガス導
入管内において放電ガス中の水分が結露してしまうこと
を防止でき、より安定に水分を含有した放電ガスを成膜
室内に供給することができる。
２のガス導入管及びこの第２のガス導入管に取り付けら
れたガス流量制御手段を加熱するヒータが設けられてい
るのが好ましい。このような構成により、第２のガス導
入管内において放電ガス中の水分が結露してしまうこと
を防止でき、より安定に水分を含有した放電ガスを成膜
室内に供給することができる。
【００１７】また前記本発明の成膜装置においては、ガ
ス流量及び圧力制御手段を第２のガス導入管ではなく第
１の導入管の第１導入管部に設けられているのが好まし
い。このような構成により、結露を防止するヒーターを
ガス流量及び圧力制御手段に組み込まずにすむため、成
膜装置の構成が簡単になるとともにより安定にガスを成
膜室内に供給することができる。
ス流量及び圧力制御手段を第２のガス導入管ではなく第
１の導入管の第１導入管部に設けられているのが好まし
い。このような構成により、結露を防止するヒーターを
ガス流量及び圧力制御手段に組み込まずにすむため、成
膜装置の構成が簡単になるとともにより安定にガスを成
膜室内に供給することができる。
【００１８】また前記本発明の成膜装置においては、成
膜室で成膜される層が、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯx 、Ｔａ2Ｏ5
、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＺｎＳ、ＺｒＯ2 、ＡｌＮx 、
ＢＮ、ＳｉＮx 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2
から選ばれる少なくとも一つの誘電体物質からなること
が好ましい。
膜室で成膜される層が、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯx 、Ｔａ2Ｏ5
、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＺｎＳ、ＺｒＯ2 、ＡｌＮx 、
ＢＮ、ＳｉＮx 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2
から選ばれる少なくとも一つの誘電体物質からなること
が好ましい。
【００１９】上記構成により、真空の成膜室内にて基板
と成膜すべき物質からなる部材を対向させて配置し、前
記成膜室内に供給されるガスを前記基板と成膜すべき物
質からなる部材間にてグロー放電することによりプラズ
マを形成し、このプラズマをエネルギー源にして前記成
膜すべき物質からなる部材から遊離した前記成膜すべき
物質を前記基板上に付着または堆積させて成膜を行う成
膜方法を用いて、前記基板上に少なくとも記録薄膜と前
記記録薄膜の片側の表面または両側の表面に配置される
保護層を成膜して光学的情報記録媒体を製造する光学的
情報記録媒体の製造方法において、前記保護層の成膜工
程における前記成膜室内に供給されるガス中に水分を含
有させるようにしたことにより、成膜時の環境条件に関
係なく保護層に水酸基（−ＯＨ）が導入されることとな
り、その結果、常にオーバライトサイクル特性に優れた
光学的情報記録媒体を製造することができる。
と成膜すべき物質からなる部材を対向させて配置し、前
記成膜室内に供給されるガスを前記基板と成膜すべき物
質からなる部材間にてグロー放電することによりプラズ
マを形成し、このプラズマをエネルギー源にして前記成
膜すべき物質からなる部材から遊離した前記成膜すべき
物質を前記基板上に付着または堆積させて成膜を行う成
膜方法を用いて、前記基板上に少なくとも記録薄膜と前
記記録薄膜の片側の表面または両側の表面に配置される
保護層を成膜して光学的情報記録媒体を製造する光学的
情報記録媒体の製造方法において、前記保護層の成膜工
程における前記成膜室内に供給されるガス中に水分を含
有させるようにしたことにより、成膜時の環境条件に関
係なく保護層に水酸基（−ＯＨ）が導入されることとな
り、その結果、常にオーバライトサイクル特性に優れた
光学的情報記録媒体を製造することができる。
【００２０】また、本発明の成膜装置によれば、基板が
取り付けられる陽極と成膜すべき物質からなる部材が取
り付けられる陰極とがその真空の内部空間内に対向して
配置された成膜室と、前記成膜室の内部空間にガスを供
給するためのガス供給手段とを備え、前記陽極と陰極間
に印加された電圧によって前記ガスのグロー放電が成さ
れる成膜装置において、前記ガス供給手段が、水分を含
まないガスを成膜室内に供給する第１のガス供給経路と
水分を含有したガスを成膜室内に供給する第２のガス供
経路とを有し、前記第１及び第２のガス供給経路にそれ
ぞれガス流量の制御を行うガス流量及び圧力制御手段が
設けられたものにしたことにより、前記本発明の光学的
情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定に実行するこ
とができる。
取り付けられる陽極と成膜すべき物質からなる部材が取
り付けられる陰極とがその真空の内部空間内に対向して
配置された成膜室と、前記成膜室の内部空間にガスを供
給するためのガス供給手段とを備え、前記陽極と陰極間
に印加された電圧によって前記ガスのグロー放電が成さ
れる成膜装置において、前記ガス供給手段が、水分を含
まないガスを成膜室内に供給する第１のガス供給経路と
水分を含有したガスを成膜室内に供給する第２のガス供
経路とを有し、前記第１及び第２のガス供給経路にそれ
ぞれガス流量の制御を行うガス流量及び圧力制御手段が
設けられたものにしたことにより、前記本発明の光学的
情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定に実行するこ
とができる。
【００２１】以上説明したように、本発明の光学的情報
記録媒体の製造方法によれば、成膜時の環境条件に関係
なく保護層に水酸基（−ＯＨ）が導入されることとな
り、その結果、常にオーバライトサイクル特性に優れた
光学的情報記録媒体を製造することができる。
記録媒体の製造方法によれば、成膜時の環境条件に関係
なく保護層に水酸基（−ＯＨ）が導入されることとな
り、その結果、常にオーバライトサイクル特性に優れた
光学的情報記録媒体を製造することができる。
【００２２】また、本発明の成膜装置によれば、前記本
発明の光学的情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定
に実行することができる。
発明の光学的情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定
に実行することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の光学的情報記録媒体の製
造方法に使用される成膜方法としては、真空の成膜室内
に基板と成膜すべき物質からなる部材を対向して配置
し、成膜室内に導入された放電ガスをこれら基板と成膜
すべき物質からなる部材間にてグロー放電してプラズマ
を形成し、このプラズマをエネルギー源にして成膜すべ
き物質を基板に付着または堆積させて成膜を行う成膜方
法であり、例えば、スパッタリング法、レーザスパッタ
リング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等を挙げることができる。このうち、膜組成制御の精度
が高い点でスパッタリング法を用いるのが好ましい。ま
た、スパッタリング法による成膜を行うための成膜装
置、すなわち、スパッタリング装置としては、マグネト
ロン放電形スパッタリング装置が好ましい。
造方法に使用される成膜方法としては、真空の成膜室内
に基板と成膜すべき物質からなる部材を対向して配置
し、成膜室内に導入された放電ガスをこれら基板と成膜
すべき物質からなる部材間にてグロー放電してプラズマ
を形成し、このプラズマをエネルギー源にして成膜すべ
き物質を基板に付着または堆積させて成膜を行う成膜方
法であり、例えば、スパッタリング法、レーザスパッタ
リング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等を挙げることができる。このうち、膜組成制御の精度
が高い点でスパッタリング法を用いるのが好ましい。ま
た、スパッタリング法による成膜を行うための成膜装
置、すなわち、スパッタリング装置としては、マグネト
ロン放電形スパッタリング装置が好ましい。
【００２４】前記成膜室内に導入される放電ガスは一般
にＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅから選ばれる少なくとも
一つのガスである。保護層の成膜工程での成膜室内にお
ける放電ガス中の水分（水の気化成分）の濃度は、成膜
すべき保護層の構成材料や記録薄膜の構成材料等に応じ
て適宜決定される。また、保護層の成膜工程において使
用される成膜すべき物質からなる部材としては、一般に
Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯx 、Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、Ｚ
ｎＳ、ＺｒＯ2 、ＡｌＮx 、ＢＮ、ＳｉＮx 、ＴｉＮ、
ＺｒＮ、ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2等の各種誘電体物質から選
ばれる１種または２種以上の物質からなる部材が使用さ
れる。このうち、ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる保護層が熱
的に安定で記録薄膜に対しての密着性が高く、しかも機
械的強度の高いものになることから、ＺｎＳとＳｉＯ2
からなる部材を使用するのが好ましい。
にＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅから選ばれる少なくとも
一つのガスである。保護層の成膜工程での成膜室内にお
ける放電ガス中の水分（水の気化成分）の濃度は、成膜
すべき保護層の構成材料や記録薄膜の構成材料等に応じ
て適宜決定される。また、保護層の成膜工程において使
用される成膜すべき物質からなる部材としては、一般に
Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯx 、Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、Ｚ
ｎＳ、ＺｒＯ2 、ＡｌＮx 、ＢＮ、ＳｉＮx 、ＴｉＮ、
ＺｒＮ、ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2等の各種誘電体物質から選
ばれる１種または２種以上の物質からなる部材が使用さ
れる。このうち、ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる保護層が熱
的に安定で記録薄膜に対しての密着性が高く、しかも機
械的強度の高いものになることから、ＺｎＳとＳｉＯ2
からなる部材を使用するのが好ましい。
【００２５】記録薄膜の成膜工程において使用される成
膜すべき物質からなる部材としては、一般にＴｅ，Ｓｅ
等のカルコゲン（酸素族元素）を主成分として含むカル
コゲン化合物やＩｎを主成分として含む化合物からなる
部材が使用される。かかるカルコゲン化合物及びＩｎを
含む化合物の具体例としてはＴｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−
Ｇｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ等を挙げることができる。
膜すべき物質からなる部材としては、一般にＴｅ，Ｓｅ
等のカルコゲン（酸素族元素）を主成分として含むカル
コゲン化合物やＩｎを主成分として含む化合物からなる
部材が使用される。かかるカルコゲン化合物及びＩｎを
含む化合物の具体例としてはＴｅ−Ｓｂ−Ｇｅ、Ｔｅ−
Ｇｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓ
ｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ等を挙げることができる。
【００２６】反射層の成膜工程において使用される成膜
すべき物質からなる部材としては、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ等の金属元素やこれらの合金からなる
部材が使用される。
すべき物質からなる部材としては、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ等の金属元素やこれらの合金からなる
部材が使用される。
【００２７】図４は本発明の光学的情報記録媒体の製造
方法に使用されるインラインスパッタ成膜装置の一実施
形態の概略構成を示した図であり、図において、４はタ
ーゲット部材（成膜すべき物質からなる部材）、５は基
板、９はロードロック室（以下、ＬＬ室と称す。）、１
０は第１の保護層成膜室、１１は記録薄膜成膜室、１２
は第２の保護層成膜室、１３は反射層成膜室、１４はア
ンロードロック室（以下、ＵＬＬ室と称す。）である。
ＬＬ室９、成膜室１０〜１３、ＵＬＬ室１４はゲートバ
ルブ１５を介して連結されている。この図では各成膜室
１０〜１３における実際の成膜作業に必要な成膜室１０
〜１３内に放電ガスを供給する放電ガス供給装置の構成
は省略されている。
方法に使用されるインラインスパッタ成膜装置の一実施
形態の概略構成を示した図であり、図において、４はタ
ーゲット部材（成膜すべき物質からなる部材）、５は基
板、９はロードロック室（以下、ＬＬ室と称す。）、１
０は第１の保護層成膜室、１１は記録薄膜成膜室、１２
は第２の保護層成膜室、１３は反射層成膜室、１４はア
ンロードロック室（以下、ＵＬＬ室と称す。）である。
ＬＬ室９、成膜室１０〜１３、ＵＬＬ室１４はゲートバ
ルブ１５を介して連結されている。この図では各成膜室
１０〜１３における実際の成膜作業に必要な成膜室１０
〜１３内に放電ガスを供給する放電ガス供給装置の構成
は省略されている。
【００２８】以下かかるインラインスパッタ成膜装置用
いた相変化型光ディスクの製造工程を説明する。先ず、
製造工程全体の概略を説明する。インジェクション法に
より成形された基板５は、基板搬送手段（図示せず）に
より、まずＬＬ室９に搬送され一定時間排気される。そ
の後第１の保護層成膜室１０から記録薄膜成膜室１１、
第２の保護層成膜室１２、反射層成膜室１３の順に搬送
され、各成膜室内で成膜作業がなされる。各成膜室では
基板５がターゲット部材４と対向する位置にセットさ
れ、放電用のＡｒガスがグロー放電し、ターゲット部材
４からスパッタされた成膜すべき物質が基板５に堆積し
た成膜が行われる。ここで、第１の保護層は約１５０ｎ
ｍ、記録薄膜は約２０ｎｍ、第２の保護層は約４０ｎ
ｍ、反射層は約１００ｎｍに成膜される。このとき、各
成膜室に隣接するゲートバルブ１５は閉の状態とされ、
各成膜室での成膜は独立した部屋で行われる。かかる４
つの層の成膜が完了した後、基板５はＵＬＬ室１４に搬
送され、ＵＬＬ室１４を大気圧にしてその上面に前記４
層が成膜された基板５を取り出す。この後、反射層の上
に紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させて硬化樹脂層を形成
し、光学的情報記録媒体が完成する。
いた相変化型光ディスクの製造工程を説明する。先ず、
製造工程全体の概略を説明する。インジェクション法に
より成形された基板５は、基板搬送手段（図示せず）に
より、まずＬＬ室９に搬送され一定時間排気される。そ
の後第１の保護層成膜室１０から記録薄膜成膜室１１、
第２の保護層成膜室１２、反射層成膜室１３の順に搬送
され、各成膜室内で成膜作業がなされる。各成膜室では
基板５がターゲット部材４と対向する位置にセットさ
れ、放電用のＡｒガスがグロー放電し、ターゲット部材
４からスパッタされた成膜すべき物質が基板５に堆積し
た成膜が行われる。ここで、第１の保護層は約１５０ｎ
ｍ、記録薄膜は約２０ｎｍ、第２の保護層は約４０ｎ
ｍ、反射層は約１００ｎｍに成膜される。このとき、各
成膜室に隣接するゲートバルブ１５は閉の状態とされ、
各成膜室での成膜は独立した部屋で行われる。かかる４
つの層の成膜が完了した後、基板５はＵＬＬ室１４に搬
送され、ＵＬＬ室１４を大気圧にしてその上面に前記４
層が成膜された基板５を取り出す。この後、反射層の上
に紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させて硬化樹脂層を形成
し、光学的情報記録媒体が完成する。
【００２９】次に、第１の保護層成膜室１０及び第２の
保護層成膜室１２で行われる保護層（第１の保護層、第
２の保護層）の成膜工程について詳しく説明する。かか
る保護層の成膜工程では成膜室１０，１２に導入する放
電ガスとして水分を含有させたＡｒガスを用いる。図１
は図４のインラインスパッタ成膜装置における第１の保
護層成膜室１０（第２の保護層成膜室１２）とこの第１
の保護層成膜室１０（第２の保護層成膜室１２）に放電
ガスを供給する放電ガス供給装置とを含む保護層成膜装
置部の一実施形態の概略構成を示した図である。
保護層成膜室１２で行われる保護層（第１の保護層、第
２の保護層）の成膜工程について詳しく説明する。かか
る保護層の成膜工程では成膜室１０，１２に導入する放
電ガスとして水分を含有させたＡｒガスを用いる。図１
は図４のインラインスパッタ成膜装置における第１の保
護層成膜室１０（第２の保護層成膜室１２）とこの第１
の保護層成膜室１０（第２の保護層成膜室１２）に放電
ガスを供給する放電ガス供給装置とを含む保護層成膜装
置部の一実施形態の概略構成を示した図である。
【００３０】図において、図４，５と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示し、１６は水１９の入ったタン
ク、１７は加熱用のヒータ、１８は水分を含んだＡｒガ
ス、３０はガスボンベ６からのＡｒガスをタンク１６内
に導入する第１導入管部３０ａとガスボンベ６からのＡ
ｒガスを直接成膜室１０，１２内に導入する第２導入管
部３０ｂとを有するガス導入管で、第１導入管部３０ａ
の末端の開口部が水１９内に浸漬されている。３１はタ
ンク１６内の水分を含んだＡｒガス１８を成膜室１０，
１２内に導入するガス導入管である。７，７ａはガス導
入管３０の第２導入管部３０ｂとガス導入管３１にそれ
ぞれ取り付けられたガスの流量を制御するマスフローコ
ントローラ、８，８ａはストップバルブである。ここ
で、ボンベ６のＡｒガスはガス導入管３０の第１導入管
部３０ａ中を通ってタンク１６の中の水１９中に導かれ
バブリングされ、このバブリングによって水１９は気化
し、この気化した水分がＡｒガスと混合されて水分を含
んだＡｒガス１８を生成する。そして水分を含んだＡｒ
ガス１８がタンク１６の上部に蓄積され、この蓄積され
た水分を含んだＡｒガス１８がガス導入管３１を通って
成膜室１０，１２内へ供給される。ガス導入管３０の第
２導入管部３０ｂによる第１のガス供給経路ではガスボ
ンベ６からのＡｒガスの成膜室１０，１２内へのガス供
給量がマスフローコントローラ７とストップバルブ８に
よって制御される。ガス導入管３１による第２のガス供
給経路では水分を含んだＡｒガス１８の成膜室１０，１
２内へのガス供給量がマスフローコントローラ７ａとス
トップバルブ８ａによって制御される。加熱用のヒータ
１７は水分を含んだＡｒガス１８が成膜室までの配管内
で結露しないように、一点鎖線で囲ったガス導入管３
１、マスフローコントローラ７ａ及びストップバルブ８
ａからなるガス供給部２０全体を予熱するものである。
なお、結露を防止する方法としてはこれに限定されるも
のでなく、他の手段でもかまわない。
たは相当する部分を示し、１６は水１９の入ったタン
ク、１７は加熱用のヒータ、１８は水分を含んだＡｒガ
ス、３０はガスボンベ６からのＡｒガスをタンク１６内
に導入する第１導入管部３０ａとガスボンベ６からのＡ
ｒガスを直接成膜室１０，１２内に導入する第２導入管
部３０ｂとを有するガス導入管で、第１導入管部３０ａ
の末端の開口部が水１９内に浸漬されている。３１はタ
ンク１６内の水分を含んだＡｒガス１８を成膜室１０，
１２内に導入するガス導入管である。７，７ａはガス導
入管３０の第２導入管部３０ｂとガス導入管３１にそれ
ぞれ取り付けられたガスの流量を制御するマスフローコ
ントローラ、８，８ａはストップバルブである。ここ
で、ボンベ６のＡｒガスはガス導入管３０の第１導入管
部３０ａ中を通ってタンク１６の中の水１９中に導かれ
バブリングされ、このバブリングによって水１９は気化
し、この気化した水分がＡｒガスと混合されて水分を含
んだＡｒガス１８を生成する。そして水分を含んだＡｒ
ガス１８がタンク１６の上部に蓄積され、この蓄積され
た水分を含んだＡｒガス１８がガス導入管３１を通って
成膜室１０，１２内へ供給される。ガス導入管３０の第
２導入管部３０ｂによる第１のガス供給経路ではガスボ
ンベ６からのＡｒガスの成膜室１０，１２内へのガス供
給量がマスフローコントローラ７とストップバルブ８に
よって制御される。ガス導入管３１による第２のガス供
給経路では水分を含んだＡｒガス１８の成膜室１０，１
２内へのガス供給量がマスフローコントローラ７ａとス
トップバルブ８ａによって制御される。加熱用のヒータ
１７は水分を含んだＡｒガス１８が成膜室までの配管内
で結露しないように、一点鎖線で囲ったガス導入管３
１、マスフローコントローラ７ａ及びストップバルブ８
ａからなるガス供給部２０全体を予熱するものである。
なお、結露を防止する方法としてはこれに限定されるも
のでなく、他の手段でもかまわない。
【００３１】このような成膜装置を用いた保護層（第１
の保護層、第２の保護層）の成膜工程では、成膜室１
０，１２にガス導入管３０の第２導入管部３０ｂからＡ
ｒガスが定量供給され、ガス導入管３１から水分を含ん
だＡｒガス１８が定量供給されるので、成膜室１０，１
２内は所望濃度の水分を含んだＡｒガスで満たされるこ
ととなり、基板５上に成膜される保護層（第１の保護
層、第２の保護層）には確実に水酸基（−ＯＨ）が導入
されることとなる。従って、全工程を経て得られる光学
的情報記録媒体はその保護層（第１の保護層、第２の保
護層）が水酸基（−ＯＨ）を含有して、熱的及び化学的
安定性、機械的強度、並びに記録薄膜への密着性の優れ
たものとなり、オーバライトサイクル特性に優れた光学
的情報記録媒体となる。
の保護層、第２の保護層）の成膜工程では、成膜室１
０，１２にガス導入管３０の第２導入管部３０ｂからＡ
ｒガスが定量供給され、ガス導入管３１から水分を含ん
だＡｒガス１８が定量供給されるので、成膜室１０，１
２内は所望濃度の水分を含んだＡｒガスで満たされるこ
ととなり、基板５上に成膜される保護層（第１の保護
層、第２の保護層）には確実に水酸基（−ＯＨ）が導入
されることとなる。従って、全工程を経て得られる光学
的情報記録媒体はその保護層（第１の保護層、第２の保
護層）が水酸基（−ＯＨ）を含有して、熱的及び化学的
安定性、機械的強度、並びに記録薄膜への密着性の優れ
たものとなり、オーバライトサイクル特性に優れた光学
的情報記録媒体となる。
【００３２】図２，３は前記図４のインラインスパッタ
成膜装置における保護成膜装置部の他の実施形態の概略
構成を示した図である。これら図２，３において、図１
と同一符号は同一または相当する部分を示している。図
２の装置の前記図１の装置との相違点は、ガス導入管３
０の第１導入管部３０ａの末端の開口部がタンク１６内
の空間に配置されており、この第１導入管部３０ａの末
端の開口部から水１９にＡｒガスが吹き付けられること
によって水１９が気化し、水分を含んだＡｒガス１８が
生成されるようになっている点である。また、図３の装
置の前記図１の装置との相違点は、ガス導入管３０の第
１導入管部３０ａの末端の開口部がタンク１６内の空間
に配置されており、水１９の入ったタンク１６がタンク
１６の周囲に配置されたヒータ１７ａによって直接加熱
されることにより、タンク１６内の水１９が気化され、
水分を含んだＡｒガス１８が生成されるようになってい
る点である。
成膜装置における保護成膜装置部の他の実施形態の概略
構成を示した図である。これら図２，３において、図１
と同一符号は同一または相当する部分を示している。図
２の装置の前記図１の装置との相違点は、ガス導入管３
０の第１導入管部３０ａの末端の開口部がタンク１６内
の空間に配置されており、この第１導入管部３０ａの末
端の開口部から水１９にＡｒガスが吹き付けられること
によって水１９が気化し、水分を含んだＡｒガス１８が
生成されるようになっている点である。また、図３の装
置の前記図１の装置との相違点は、ガス導入管３０の第
１導入管部３０ａの末端の開口部がタンク１６内の空間
に配置されており、水１９の入ったタンク１６がタンク
１６の周囲に配置されたヒータ１７ａによって直接加熱
されることにより、タンク１６内の水１９が気化され、
水分を含んだＡｒガス１８が生成されるようになってい
る点である。
【００３３】なお、前記図１〜３の成膜装置とは異な
り、タンク１６内の水１９の代わりに氷を入れ、タンク
１６へ暖めたＡｒガスを導入して、これを氷に吹き付け
ることによって水を気化させるようにしてもよい。但
し、この場合はガス導入管３０の第１導入管部３０ａに
周辺にヒータを配置する必要がある。
り、タンク１６内の水１９の代わりに氷を入れ、タンク
１６へ暖めたＡｒガスを導入して、これを氷に吹き付け
ることによって水を気化させるようにしてもよい。但
し、この場合はガス導入管３０の第１導入管部３０ａに
周辺にヒータを配置する必要がある。
【００３４】図６、７、８は前記図４のインラインスパ
ッタ成膜装置における保護成膜装置部の他の実施形態の
概略構成を示した図である。これら図６、７、８におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示して
いる。図６の装置の前記図１の装置との相違点は、ガス
導入管３０の第１導入管部３０ａにマスフローコントロ
ーラー７ａが配置されており、ガス導入管２０には圧力
調整バルブ８のみ配置されている点である。また、図７
の装置の前記図２の装置との相違点は、ガス導入管３０
の第１導入管部３０ａにマスフローコントローラー７ａ
が配置されており、ガス導入管２０には圧力調整バルブ
８のみ配置されている点である。また、図８の装置の前
記図３の装置との相違点は、ガス導入管３０の第１導入
管部３０ａにマスフローコントローラー７ａが配置され
ており、ガス導入管２０には圧力調整バルブ８のみ配置
されている点である。
ッタ成膜装置における保護成膜装置部の他の実施形態の
概略構成を示した図である。これら図６、７、８におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示して
いる。図６の装置の前記図１の装置との相違点は、ガス
導入管３０の第１導入管部３０ａにマスフローコントロ
ーラー７ａが配置されており、ガス導入管２０には圧力
調整バルブ８のみ配置されている点である。また、図７
の装置の前記図２の装置との相違点は、ガス導入管３０
の第１導入管部３０ａにマスフローコントローラー７ａ
が配置されており、ガス導入管２０には圧力調整バルブ
８のみ配置されている点である。また、図８の装置の前
記図３の装置との相違点は、ガス導入管３０の第１導入
管部３０ａにマスフローコントローラー７ａが配置され
ており、ガス導入管２０には圧力調整バルブ８のみ配置
されている点である。
【００３５】
【実施例】以下実施例を用いて本発明を具体的に説明す
る。 （実施例１）第１の保護層成膜室１０を含む成膜装置及
び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置が前記図１の
成膜装置からなる前記図４のインラインスパッタ成膜装
置を使用して以下の実験を行った。
る。 （実施例１）第１の保護層成膜室１０を含む成膜装置及
び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置が前記図１の
成膜装置からなる前記図４のインラインスパッタ成膜装
置を使用して以下の実験を行った。
【００３６】保護層の膜質（特性）が異なる種々の光デ
ィスクを得るため、各光ディスクの製造工程における第
１及び第２の保護層の成膜工程における水分を含まない
Ａｒガス（ノーマルなＡｒガス）の成膜室内への流量
と、水分を含有させたＡｒガスの成膜室内への流量を種
々変更して種々の光ディスクを作製した。光ディスクに
おける各層の膜厚は第１の保護層を約１５０ｎｍ、記録
薄膜を約２０ｎｍ、第２の保護層を約４０ｎｍ、反射層
を約１００ｎｍにした。各層の成膜条件は、記録膜（成
膜すべき物質としてＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金を用い，真空
度：２ｍTorrの条件下で，ＤＣマグネトロンスパッタ法
により，ノーマルなＡｒガス１０ｓｃｃｍを導入して行
った。）、反射層（成膜すべき物質としてＡｌ合金，真
空度：２ｍTorrの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタ
法により、ノーマルなＡｒガス１０ｓｃｃｍを導入して
行った。）、第１及び第２の保護層（成膜すべき物質と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2を用い、真空度：１ｍTorrの条件
下で、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、ノーマルな
Ａｒガス １０ｓｃｃｍと，水分を含有させたＡｒガス
０〜１．０ｓｃｃｍを導入して行った。）にした。得
られたディスクを回転数が２０２６ｒｐｍで、半導体レ
ーザー波長：７８０ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）：
０．５の光学ピックアップを組み込んだ光ディスクドラ
イブを用いて記録・消去特性を測定した。最外周の線速
度１２ｍ／ｓのところで記録周波数８．８７ＭＨｚの信
号をパルス幅３２ｎｓの発光時間で記録して、スペクト
ラムアナライザーでＣ／Ｎ比を測定した結果、Ｃ／Ｎ比
は５０ｄＢ以上であった。また消去比の測定は８．８７
ＭＨｚの信号を記録した後、３．３２ＭＨｚの信号をオ
ーバライトして、スペクトラムアナライザーで８．８７
ＭＨｚ記録時のスペクトルから３．３２ＭＨｚの信号を
オーバライトしたときのスペクトルを引いた値とした。
この消去比は２５ｄＢであた。
ィスクを得るため、各光ディスクの製造工程における第
１及び第２の保護層の成膜工程における水分を含まない
Ａｒガス（ノーマルなＡｒガス）の成膜室内への流量
と、水分を含有させたＡｒガスの成膜室内への流量を種
々変更して種々の光ディスクを作製した。光ディスクに
おける各層の膜厚は第１の保護層を約１５０ｎｍ、記録
薄膜を約２０ｎｍ、第２の保護層を約４０ｎｍ、反射層
を約１００ｎｍにした。各層の成膜条件は、記録膜（成
膜すべき物質としてＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金を用い，真空
度：２ｍTorrの条件下で，ＤＣマグネトロンスパッタ法
により，ノーマルなＡｒガス１０ｓｃｃｍを導入して行
った。）、反射層（成膜すべき物質としてＡｌ合金，真
空度：２ｍTorrの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタ
法により、ノーマルなＡｒガス１０ｓｃｃｍを導入して
行った。）、第１及び第２の保護層（成膜すべき物質と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2を用い、真空度：１ｍTorrの条件
下で、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、ノーマルな
Ａｒガス １０ｓｃｃｍと，水分を含有させたＡｒガス
０〜１．０ｓｃｃｍを導入して行った。）にした。得
られたディスクを回転数が２０２６ｒｐｍで、半導体レ
ーザー波長：７８０ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）：
０．５の光学ピックアップを組み込んだ光ディスクドラ
イブを用いて記録・消去特性を測定した。最外周の線速
度１２ｍ／ｓのところで記録周波数８．８７ＭＨｚの信
号をパルス幅３２ｎｓの発光時間で記録して、スペクト
ラムアナライザーでＣ／Ｎ比を測定した結果、Ｃ／Ｎ比
は５０ｄＢ以上であった。また消去比の測定は８．８７
ＭＨｚの信号を記録した後、３．３２ＭＨｚの信号をオ
ーバライトして、スペクトラムアナライザーで８．８７
ＭＨｚ記録時のスペクトルから３．３２ＭＨｚの信号を
オーバライトしたときのスペクトルを引いた値とした。
この消去比は２５ｄＢであた。
【００３７】次にそれぞれ光ディスクについてオーバラ
イトのサイクル特性の実験を行った。オーバライトの実
験はＰＰＭ（ピット ポジション モジュレーション）
記録で「２−７」変調されたランダム信号を用いた。最
短マークピッチは１．３５μｍとした。その結果を表１
に示す。サイクル寿命は以下で定義した。すなわち、上
記ランダム信号を同一トラック上に多サイクル連続的に
オーバライトする。そして信号を再生しＢＥＲ（ビット
・エラー・レート）を測定する。ＢＥＲはサイクルと共
に徐々に劣化するが、ＢＥＲが１×１０-5を越えるサイ
クル回数をもってその光ディスクのサイクル寿命とし
た。表１が実験結果である。
イトのサイクル特性の実験を行った。オーバライトの実
験はＰＰＭ（ピット ポジション モジュレーション）
記録で「２−７」変調されたランダム信号を用いた。最
短マークピッチは１．３５μｍとした。その結果を表１
に示す。サイクル寿命は以下で定義した。すなわち、上
記ランダム信号を同一トラック上に多サイクル連続的に
オーバライトする。そして信号を再生しＢＥＲ（ビット
・エラー・レート）を測定する。ＢＥＲはサイクルと共
に徐々に劣化するが、ＢＥＲが１×１０-5を越えるサイ
クル回数をもってその光ディスクのサイクル寿命とし
た。表１が実験結果である。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１から明らかなように、本実験により水
分を含ませたＡｒガスを成膜室内に供給し、このＡｒガ
スをグロー放電することによりプラズマを発生させた成
膜雰囲気中で保護層を成膜して得られる光ディスクのオ
ーバライトサイクル寿命（サイクル回数：５０〜１００
万回）が、水分を含まないＡｒガスをグロー放電するこ
とによりプラズマを発生させた成膜雰囲気中にて成膜さ
れた保護層を有する光ディスクのオーバライトサイクル
寿命（サイクル回数：４０万回）比べて大幅に増大する
ことが分かった。
分を含ませたＡｒガスを成膜室内に供給し、このＡｒガ
スをグロー放電することによりプラズマを発生させた成
膜雰囲気中で保護層を成膜して得られる光ディスクのオ
ーバライトサイクル寿命（サイクル回数：５０〜１００
万回）が、水分を含まないＡｒガスをグロー放電するこ
とによりプラズマを発生させた成膜雰囲気中にて成膜さ
れた保護層を有する光ディスクのオーバライトサイクル
寿命（サイクル回数：４０万回）比べて大幅に増大する
ことが分かった。
【００４０】特に、成膜室内のガス中のＨ2Ｏ濃度を
０．１〜１０vol.%の範囲にすると、オーバーライトサ
イクル寿命は安定して１００万回となるため好ましい。
なお、放電ガスとしてＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅ等を
用いた場合も前記実験と同様の結果が得られることを確
認した。
０．１〜１０vol.%の範囲にすると、オーバーライトサ
イクル寿命は安定して１００万回となるため好ましい。
なお、放電ガスとしてＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅ等を
用いた場合も前記実験と同様の結果が得られることを確
認した。
【００４１】また、第１の保護層成膜室１０を含む成膜
装置及び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置として
前記図２、図３に示した成膜装置を用いた場合も前記実
験と同様の結果が得られることを確認した。
装置及び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置として
前記図２、図３に示した成膜装置を用いた場合も前記実
験と同様の結果が得られることを確認した。
【００４２】（実施例２）第１の保護層成膜室１０を含
む成膜装置及び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置
が前記図１の成膜装置からなる前記図４のインラインス
パッタ成膜装置を使用して以下の実験を行った。
む成膜装置及び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置
が前記図１の成膜装置からなる前記図４のインラインス
パッタ成膜装置を使用して以下の実験を行った。
【００４３】保護層の膜質（特性）が異なる種々の光デ
ィスクを得るため、各光ディスクの製造工程における第
１及び第２の保護層の成膜前における水分を含まないＡ
ｒガス（ノーマルなＡｒガス）の成膜室内への流量と、
水分を含有させたＡｒガスの成膜室内への流量を種々変
更することにより、成膜室内のガス中のＨ2Ｏ濃度の異
なる条件で種々の光ディスクを作製した。ここで、第１
の保護層及び第２の保護層の成膜中はノーマルなＡｒガ
スのみを成膜室内へ供給する。光ディスクにおける各層
の膜厚は第１の保護層を約１５０ｎｍ、記録薄膜を約２
０ｎｍ、第２の保護層を約４０ｎｍ、反射層を約１００
ｎｍにした。各層の成膜条件は、記録膜（Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金，２ｍｔｏｒｒ，ＤＣマグネトロンスパッタ，
ノーマルなＡｒガス １０ｓｃｃｍ）、反射層（Ａｌ合
金，２ｍＴｏｒｒ、ＤＣマグネトロンスパッタ、ノーマ
ルなＡｒガス １０ｓｃｃｍ）、第１及び第２の保護層
（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ，１ｍＴｏｒｒ，ＲＦマグネトロン
スパッタ，ノーマルなＡｒガス １０ｓｃｃｍ，水分を
含有させたＡｒガス ０〜１．０ｓｃｃｍ）にした。得
られたディスクは第１の実施の形態と同じ方法で記録・
消去特性を測定したところ、消去比は２５ｄＢであた。
ィスクを得るため、各光ディスクの製造工程における第
１及び第２の保護層の成膜前における水分を含まないＡ
ｒガス（ノーマルなＡｒガス）の成膜室内への流量と、
水分を含有させたＡｒガスの成膜室内への流量を種々変
更することにより、成膜室内のガス中のＨ2Ｏ濃度の異
なる条件で種々の光ディスクを作製した。ここで、第１
の保護層及び第２の保護層の成膜中はノーマルなＡｒガ
スのみを成膜室内へ供給する。光ディスクにおける各層
の膜厚は第１の保護層を約１５０ｎｍ、記録薄膜を約２
０ｎｍ、第２の保護層を約４０ｎｍ、反射層を約１００
ｎｍにした。各層の成膜条件は、記録膜（Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金，２ｍｔｏｒｒ，ＤＣマグネトロンスパッタ，
ノーマルなＡｒガス １０ｓｃｃｍ）、反射層（Ａｌ合
金，２ｍＴｏｒｒ、ＤＣマグネトロンスパッタ、ノーマ
ルなＡｒガス １０ｓｃｃｍ）、第１及び第２の保護層
（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ，１ｍＴｏｒｒ，ＲＦマグネトロン
スパッタ，ノーマルなＡｒガス １０ｓｃｃｍ，水分を
含有させたＡｒガス ０〜１．０ｓｃｃｍ）にした。得
られたディスクは第１の実施の形態と同じ方法で記録・
消去特性を測定したところ、消去比は２５ｄＢであた。
【００４４】次にオーバライトのサイクル特性も第１の
実施の形態と同じ方法で評価した。
実施の形態と同じ方法で評価した。
【００４５】
【表２】
【００４６】表２から明らかなように、本実験により水
分を添加したＡｒガスを成膜室内に供給し、このＡｒガ
スをグロー放電することによりプラズマを発生させた成
膜雰囲気中で保護層を成膜して得られる光ディスクのオ
ーバライトサイクル寿命（サイクル回数：５０〜１００
万回）が、水分を含まないＡｒガスをグロー放電するこ
とによりプラズマを発生させた成膜雰囲気中にて成膜さ
れた保護層を有する光ディスクのオーバライトサイクル
寿命（サイクル回数：４０万回）比べて大幅に増大する
ことが分かった。
分を添加したＡｒガスを成膜室内に供給し、このＡｒガ
スをグロー放電することによりプラズマを発生させた成
膜雰囲気中で保護層を成膜して得られる光ディスクのオ
ーバライトサイクル寿命（サイクル回数：５０〜１００
万回）が、水分を含まないＡｒガスをグロー放電するこ
とによりプラズマを発生させた成膜雰囲気中にて成膜さ
れた保護層を有する光ディスクのオーバライトサイクル
寿命（サイクル回数：４０万回）比べて大幅に増大する
ことが分かった。
【００４７】特に、成膜室内のガス中のＨ2Ｏ濃度を
０．１〜１０％の範囲にすると、オーバーライトサイク
ル寿命は安定して１００万回となるため好ましい。な
お、ガスとしてＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅ等を用いた
場合も前記実験と同様の結果が得られることを確認し
た。
０．１〜１０％の範囲にすると、オーバーライトサイク
ル寿命は安定して１００万回となるため好ましい。な
お、ガスとしてＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅ等を用いた
場合も前記実験と同様の結果が得られることを確認し
た。
【００４８】また、第１の保護層成膜室１０を含む成膜
装置及び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置として
前記図２、図３に示した成膜装置を用いた場合も前記実
験と同様の結果が得られることを確認した。
装置及び第２の保護層成膜室１２を含む成膜装置として
前記図２、図３に示した成膜装置を用いた場合も前記実
験と同様の結果が得られることを確認した。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学的情
報記録媒体の製造方法によれば、真空の成膜室内にて基
板と成膜すべき物質からなる部材を対向させて配置し、
前記成膜室内に供給される放電ガスを前記基板と成膜す
べき物質からなる部材間にてグロー放電することにより
プラズマを形成し、このプラズマをエネルギー源にして
前記成膜すべき物質からなる部材から遊離した前記成膜
すべき物質を前記基板上に付着または堆積させて成膜を
行う成膜方法を用いて、前記基板上に少なくとも記録薄
膜と前記記録薄膜の片側の表面または両側の表面に配置
される保護層を成膜して光学的情報記録媒体を製造する
光学的情報記録媒体の製造方法において、前記保護層の
成膜工程における前記成膜室内に供給される放電ガス中
に水分を含有させるようにしたことにより、成膜時の環
境条件に関係なく保護層に水酸基（−ＯＨ）が導入され
ることとなり、その結果、常にオーバライトサイクル特
性に優れた光学的情報記録媒体を製造することができ
る。また、本発明の成膜装置によれば、基板が取り付け
られる陽極と成膜すべき物質からなる部材が取り付けら
れる陰極とがその真空の内部空間内に対向して配置され
た成膜室と、前記成膜室の内部空間に放電ガスを供給す
るためのガス供給手段とを備え、前記陽極と陰極間に印
加された電圧によって前記放電ガスのグロー放電が成さ
れる成膜装置において、前記ガス供給手段が、水分を含
まない放電ガスを成膜室内に供給する第１のガス供給経
路と水分を含有した放電ガスを成膜室内に供給する第２
のガス供経路とを有し、前記第１及び第２のガス供給経
路にそれぞれガス流量の制御を行うガス流量制御手段が
設けられたものにしたことにより、前記本発明の光学的
情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定に実行するこ
とができる。
報記録媒体の製造方法によれば、真空の成膜室内にて基
板と成膜すべき物質からなる部材を対向させて配置し、
前記成膜室内に供給される放電ガスを前記基板と成膜す
べき物質からなる部材間にてグロー放電することにより
プラズマを形成し、このプラズマをエネルギー源にして
前記成膜すべき物質からなる部材から遊離した前記成膜
すべき物質を前記基板上に付着または堆積させて成膜を
行う成膜方法を用いて、前記基板上に少なくとも記録薄
膜と前記記録薄膜の片側の表面または両側の表面に配置
される保護層を成膜して光学的情報記録媒体を製造する
光学的情報記録媒体の製造方法において、前記保護層の
成膜工程における前記成膜室内に供給される放電ガス中
に水分を含有させるようにしたことにより、成膜時の環
境条件に関係なく保護層に水酸基（−ＯＨ）が導入され
ることとなり、その結果、常にオーバライトサイクル特
性に優れた光学的情報記録媒体を製造することができ
る。また、本発明の成膜装置によれば、基板が取り付け
られる陽極と成膜すべき物質からなる部材が取り付けら
れる陰極とがその真空の内部空間内に対向して配置され
た成膜室と、前記成膜室の内部空間に放電ガスを供給す
るためのガス供給手段とを備え、前記陽極と陰極間に印
加された電圧によって前記放電ガスのグロー放電が成さ
れる成膜装置において、前記ガス供給手段が、水分を含
まない放電ガスを成膜室内に供給する第１のガス供給経
路と水分を含有した放電ガスを成膜室内に供給する第２
のガス供経路とを有し、前記第１及び第２のガス供給経
路にそれぞれガス流量の制御を行うガス流量制御手段が
設けられたものにしたことにより、前記本発明の光学的
情報記録媒体の製造方法を合理的かつ安定に実行するこ
とができる。
【図１】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給する放電ガ
ス供給装置とを含む保護層成膜装置部の一実施形態の概
略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給する放電ガ
ス供給装置とを含む保護層成膜装置部の一実施形態の概
略構成を示した図である。
【図２】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護成膜
室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給する放電ガス
供給装置とを含む保護層成膜装置部の別の実施形態の概
略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護成膜
室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給する放電ガス
供給装置とを含む保護層成膜装置部の別の実施形態の概
略構成を示した図である。
【図３】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護成膜
室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給する放電ガス
供給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形
態の概略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護成膜
室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給する放電ガス
供給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形
態の概略構成を示した図である。
【図４】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置の一実施形態の概
略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置の一実施形態の概
略構成を示した図である。
【図５】 従来のスパッタ成膜装置の概略構成を示した
図である。
図である。
【図６】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給するガス供
給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形態
の概略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給するガス供
給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形態
の概略構成を示した図である。
【図７】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給するガス供
給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形態
の概略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給するガス供
給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形態
の概略構成を示した図である。
【図８】 本発明の光学的情報記録媒体の製造方法に使
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給するガス供
給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形態
の概略構成を示した図である。
用されるインラインスパッタ成膜装置における保護層成
膜室と、この保護層成膜室へ放電ガスを供給するガス供
給装置とを含む保護層成膜装置部のさらに別の実施形態
の概略構成を示した図である。
【符号の説明】 １ 真空の成膜室 ２ 陰極 ３ 陽極 ４ ターゲット部材 ５ 基板 ６ ガスボンベ ７，７ａ マスフローコントローラー ８，８ａ 圧力調整バルブ ９ ロードロック室 １０ 第１の保護層成膜室 １１ 記録薄膜成膜室 １２ 第２の保護層成膜室 １３ 反射層成膜室 １４ アンロードロック室 １５ ゲートバルブ １６ タンク １７，１７ａ ヒーター １８ 水分を含んだＡｒガス １９ 水 ２０ ガス供給部 ３０，３１ ガス導入管 ３０ａ 第１導入管部 ３０ｂ 第２導入管部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯村 秀己 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (20)
- 【請求項１】 レーザ光線の照射によって光学的に識別
可能な状態間で可逆的な変化を生じる材料を含む記録層
を基板上に含み、保護層を少なくとも一方の前記記録層
の主面に備えた光学的情報記録媒体の製造方法におい
て、真空の成膜室内にて基板と成膜すべき物質からなる
部材を対向させて配置し、前記成膜室内に供給されるガ
スを前記基板と成膜すべき物質からなる部材間にてグロ
ー放電することによりプラズマを形成し、このプラズマ
をエネルギー源にして前記成膜すべき物質を前記基板上
に付着または堆積させて成膜を行う成膜方法を用い、か
つ、成膜前及び前記保護層の成膜中のいずれかの工程中
に水分を含有させた混合ガスを前記成膜室内に供給する
ことを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 混合ガス中の水分（Ｈ2 Ｏ）の濃度が
０．１vol.%以上１０vol.%以下の範囲である請求項１に
記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 水分を含む混合ガスが、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、及びＸｅから選ばれる少なくとも一つのガス含む請
求項１に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 成膜方法が、成膜すべき物質からなる部
材をスパッタターゲットとして用いたスパッタリング法
である請求項１に記載の光学的情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項５】 ガス供給手段が、ガスが充填されたガス
ボンベと、水が収容されたタンクと、前記ガスボンベか
らのガスを前記タンク内に導入する第１導入管部と前記
ガスボンベからのガスを直接成膜室内に導入する第２導
入管部とを有する第１のガス導入管と、前記タンク内に
て前記水の気化成分と前記ガスとが混合された混合ガス
を前記タンクから成膜室内に導入する第２のガス導入管
と、前記第１のガス導入管の前記第２導入管部、並びに
前記第１のガス導入管の前記第１の導入管部及び前記第
２のガス導入管から選ばれる少なくとも一つの部分にそ
れぞれ取り付けられたガス流量制御手段とを備えた請求
項１に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 第１のガス導入管における第１の導入管
部の開口部がタンク内の水中に浸漬され、前記開口部か
ら放出されたガスが前記タンク内の水をバブリングする
ことにより前記水の気化を行う請求項５に記載の光学的
情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 第１のガス導入管における第１の導入管
部の開口部がタンク内の空間内に配置され、前記開口部
から放出されたガスが前記タンク内の水に吹き付けられ
ることにより前記水の気化を行う請求項５に記載の光学
的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 タンクの周辺にヒータが配置され、前記
ヒータが前記タンクを加熱することにより前記タンク内
の水の気化を行う請求項５に記載の光学的情報記録媒体
の製造方法。 - 【請求項９】 第２のガス導入管及びこの第２のガス導
入管に取り付けられたガス流量制御手段を加熱するヒー
タが設けられている請求項５に記載の光学的情報記録媒
体の製造方法。 - 【請求項１０】 保護層が、Ａｌ2Ｏ3 、ＳｉＯx 、Ｔ
ａ2Ｏ5 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＺｎＳ、ＺｒＯ2 、Ａｌ
Ｎx 、ＢＮ、ＳｉＮx 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＰｂＦ 2 、Ｍ
ｇＦ2 から選ばれる少なくとも一つの誘電体物質からな
る請求項１に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 基板が取り付けられる陽極と成膜すべ
き物質からなる部材が取り付けられる陰極とがその真空
の内部空間内に対向して配置された成膜室と、前記成膜
室の内部空間にガスを供給するためのガス供給手段とを
備え、前記陽極と陰極間に印加された電圧によって前記
ガスのグロー放電がなされる成膜装置において、前記ガ
ス供給手段が、水分を含まない放電ガスを成膜室内に供
給する第１のガス供給経路と、水分を含有したガスを成
膜室内に供給する第２のガス供給経路とを有し、前記第
１及び第２のガス供給経路にそれぞれガス流量の制御を
行うためのガス流量制御手段及び圧力制御手段から選ば
れる少なくとも一つの制御手段を備えた成膜装置。 - 【請求項１２】 ガス供給手段が、ガスが充填されたガ
スボンベと、水が収容されたタンクと、前記ガスボンベ
からのガスを前記タンク内に導入する第１導入管部と前
記ガスボンベからのガスを直接成膜室内に導入する第２
導入管部とを有する第１のガス導入管と、前記タンク内
にて前記水の気化成分と前記ガスとが混合された混合ガ
スを前記タンクから成膜室内に導入する第２のガス導入
管と、前記第１のガス導入管の前記第２導入管部、並び
に前記第一のガス導入管の前記第１の導入管部及び前記
第２のガス導入管から選ばれる少なくとも一つの部分に
それぞれ取り付けられたガス流量制御手段とを備えた請
求項１２に記載の成膜装置。 - 【請求項１３】 第１のガス導入管における第１の導入
管部の開口部がタンク内の水中に浸漬され、前記開口部
から放出されたガスが前記タンク内の水をバブリングす
ることにより前記水の気化が行われる請求項１２に記載
の成膜装置。 - 【請求項１４】 第１のガス導入管における第１の導入
管部の開口部がタンク内の空間内に配置され、前記開口
部から放出されたガスが前記タンク内の水に吹き付けら
れることにより前記水の気化が行われる請求項１２に記
載の成膜装置。 - 【請求項１５】 タンクの周辺にヒータが配置され、前
記ヒータが前記タンクを加熱することにより前記タンク
内の水の気化が行われる請求項１２に記載の成膜装置。 - 【請求項１６】 第２のガス導入管及びこの第２のガス
導入管に取り付けられたガス流量制御手段を加熱するヒ
ータが設けられている請求項１１に記載の成膜装置。 - 【請求項１７】 混合ガス中の水分（Ｈ2 Ｏ）の濃度が
０．１vol.%以上１０vol.%以下の範囲である請求項１１
に記載の成膜装置。 - 【請求項１８】 水分を含む混合ガスが、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、及びＸｅから選ばれる少なくとも一つのガス含む
請求項１１に記載の成膜装置。 - 【請求項１９】 成膜方法が、成膜すべき物質からなる
部材をスパッタターゲットとして用いたスパッタリング
法である請求項１１に記載の成膜装置。 - 【請求項２０】 成膜室で成膜される層が、Ａｌ2Ｏ
3 、ＳｉＯx 、Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＺｎＳ、
ＺｒＯ2 、ＡｌＮx 、ＢＮ、ＳｉＮx 、ＴｉＮ、Ｚｒ
Ｎ、ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2 から選ばれる少なくとも一つの
誘電体物質からなる請求項１２に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18204197A JPH1079145A (ja) | 1996-07-08 | 1997-07-08 | 光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに用いる成膜装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17766896 | 1996-07-08 | ||
| JP8-177668 | 1996-07-08 | ||
| JP18204197A JPH1079145A (ja) | 1996-07-08 | 1997-07-08 | 光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに用いる成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079145A true JPH1079145A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=26498145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18204197A Pending JPH1079145A (ja) | 1996-07-08 | 1997-07-08 | 光学的情報記録媒体の製造方法及びこれに用いる成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079145A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10183332A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 |
| US6114001A (en) * | 1997-06-06 | 2000-09-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, and method for fabricating it |
| JP2013241677A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-05 | Jds Uniphase Corp | 誘電体膜の反応性スパッタ堆積 |
| JP2013241652A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
| JP2014043600A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
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1997
- 1997-07-08 JP JP18204197A patent/JPH1079145A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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