KR920007293B1 - 광기록매체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

광기록매체 및 그 제조방법
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 광기록매체의 개략단면도.
제2도 및 제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 광기록매체의 기록막두께와 반사율과의 관계를 나타낸 그래프.
본 발명은 광기록매체 및 그 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세히는 광 또는 열등의 에너지 빔을 기판상에 설비된 기록막에 조사하여 조사부의 광학적 특성을 변화시켜 정보를 기록하게한 광기록매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
광기록매체는 두종류로 분류된다. 그중 하나는 기록막의 일부에 구멍 또는 凹부등의 물리적 변화부(피트)를 형성시키게 설계된 것이고 다른 하나는 기록막의 일부에 상변화를 일으켜 광학적 특성(굴절율, 반사율, 투과율등)을 변화시킨 광학적 특성부를 형성시키게 설계된 것이다.
현재는 기록막의 일부에 구멍등의 물리적 변화부를 형성하는 방식(피트 형성방식)의 광기록매체가 주로 사용되어 있다.
그러나, 피트형성 방식의 광기록매체에 있어서는 ① 기록막의 일부에 피트를 형성하기 위하여 비교적 큰 기록용 출력을 필요로 하고 ② 기록피트형상의 제어가 곤란하고 ③ 고밀도의 기록이 곤란하고 ④ 2매의 광기록매체를 밀착시켜 붙일 수 없다는 문제들이 있다.
이에 대하여 기록막의 일부에 상변화를 일으켜 광학특성 변화부를 형성하는 방식(상변화 방식)의 광기록 매체에 있어서는 피트형성방식의 광기록매체가 갖는 문제점을 해결할 수 있다.
상반화방식의 광기록매체로서는 예를들면 Te-Ce-Sb로 된 기록막을 갖는 광기록매체(일본국 특개소 62-196181호 공보)나 Te-Sn-Zn-S로 된 기록막을 갖는 광기록매체(일본국특개소 62-167,632호 공보) 등의 합금계 기록막을 갖는 광기록매체가 알려져 있다. 그러나, 이와 같은 합금계의 기록막을 갖는 광기록 매체에 있어서는 기판위에 합금계의 기록막을 형성시키는 경우에 조성의 비율을 제어하기가 비교적 곤란하 고 재현성이 나쁘고, 일정한 성능을 갖는 광기록매체를 생산성좋게 제조할 수 없다는 문제점이 있었다.
같은 상변화방식의 광기록매체로서 TeOx계의 기록막을 갖는 광기록매체(일본국 특개소 50-46,317호 공보)도 알려져 있으나, 이 광기록매체에 있어서는 ① 기록막의 결정화 온도가 낮으므로 비정질 안정성, 즉 수명이 짧고, ② 그 제조에 산소분위기하에서 반응성 스퍼터링을 행하면 산소가 조연성이므로 성막시의 안정을 헤칠 우려가 있었다.
본 발명자들은 Te를 주성분으로 하는 상변화방식의 기록막을 갖는 광기록매체에 대해서 예의 검토한 결과, Te에 N 및 필요에 따라서 Pd를 함유시킨 기록막을 기판과 보호막사이에 설치함으로써 기록막의 비정질 안정성(비정질상태를 안정시켜 보지할 수 있는것)이 좋아지면 동시에 내산화성이 향상되고 광기록매체의 장수명화가 도모되고 또한 이 기록막을 소정의 막두께 범위로 함으로써 정보 독출오차를 작게할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하는데 이르렀다. 본 발명은 이와 같은 새로운 지식을 기초로한것으로 기록막의 비정질안정성을 높이는 동시에 내산화성을 향상시켜 광기록매체의 장수명화를 도모하고 또한 정보독출오차가 적은 상변화방식의 광기록매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 제1의 광기록매체는 기판과 이 기판위에 형성된 기록막과 이 기록막 위에 형성된 보호막을 갖으며 상기 기록막에 에너지빔을 조사함으로써 이 기록막의 조사부에 상변화를 일으키게 하여 광학 특성 변화부를 형성하여 정보를 기록하도록한 광기록매체이며 상기 기록막은 Ta 및 M를 포함하는 박막인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 제2의 광기록매체는 기판과, 이 기판위에 형성된 기록막과, 이 기록막 위체 형성된 보호막을 갖으며, 상기 기록막에 에너지빔을 조사함으로써 이 기록막의 조사부에 상변화를 일으키게하여 광학특성 변화부를 형성시켜 정보를 기록하도록한 광기록매체이며, 상기 기록막은 Te, Pd 및 N를 함유하는 박막인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 제1의 광기록매체의 제조방법은 기판과 그 기판위에 형성된 Te 및 N를 함유하는 기록막과 이 기록막위에 형성된 보호막을 가지며 상기 기록막에 에너지빔을 조사함으로써 기록막의 조사부에 상변화를 일으키게 하여 광학특성 변화부를 형성하여 정보를 기록하도록한 광기록매체를 제조하는 방법이며, 상기 기록막을 기판위에 성막시킬때 Ar 및 N2가스의 분위기하에서 반응성 스퍼터링을 행하고 상기 Ar 및 N2가스중의 Ar와 N2의 유량비[(N2)/(Ar+N2)]는 5-50%이다. 또, 본 발명에 의한 제2의 광기록매체의 제조방법은 기판과 이 기판위에 형성된 Te, Pd 및 N을 함유하는 기록막과 이 기록막 위에 형성된 보호막을 가지며, 상기 기록막에 에너지빔을 조사함으로서 기록막의 조사부에 상변화를 일으키게하여 광학특성 변화부를 형성하여 정보를 기록하도록한 광기록매체를 제조하는 방법이며 상기 기록막을 기판위에 성막시킬때 Te 및 Pd를 타게트로 하여, Ar 및 N2가스 분위기하에서 반응성 스퍼터링을 행하고 상기 Ar 및 N2가스중의 Ar와 N2의 유량비[(N2)/(Ar+N2)]는 1∼80%이다.
상기 본 발명의 광기록매체 및 그 제조방법에 의하면 Te를 주성분으로 하는 기록막에 N 및 필요에 따라서 Pd를 함유시켜 이 기록막을 기판과 보호막과의 사이에 설치함으로써 기록막의 비정질 안정성 및 내산화성이 향상되고 광기록매체의 장수명화가 도모된다. 또 기록막의 막두께를 소정의 값으로 설정함으로써 정보 독출오차를 작게할 수 있다.
이하 본 발명에 의한 광기록매체 및 그 제조방법에 대해서 구체적으로 설명한다.
제1도에 나타낸 바와 같이 본 발명에 의한 광기록매체(10)은 기판(11)과 이 기판의 표면에 형성된 기록막(12)와, 이 기록막(12)의 표면에 형성된 보호막(13)으로 구성되어 있다.
기판(11)로서는 예를들면 유리 또는 알루미늄등의 유기재료 이외에 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네트, 폴리카보네이트와 폴리스티렌의 폴리머알로이, 미국특허 제4,614,778호 명세서에 기재된 것과 같은 비정질 폴리올레핀, 폴리 4-메틸-1-펜텐, 에폭시수지, 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 폴리에테르이미드, 에틸렌.테트라시클로도데센 공중합체등의 유기재료를 사용할 수 있다. 이 기판(11)의 두께는 기록매체(10) 전체에 적당한 정도의 강성을 부여하는데 충분한 두께이면 되고 바람직하기로는 0.5∼2.5㎜, 특히 바람직하기로는 1∼1.5㎜ 정도이다.
본 발명에 의한 제1의 광기록매체인 기록막(12)는 Te를 주성분으로, N를 부성분으로 함유하는 박막이며 Te 이외의 저융점원소 또는 기타 원소를 포함하고 있어도 좋다.
제1의 기록막의 N의 함유량은 기록막중에 함유되는 전체원자수에 대해서 0.1∼60원자%, 바람직하기로는 0.3∼50원자%, 특히 바람직하기로는 0.5∼30원자%의 범위이다.
이들 함유량은 ESCA(X-선 광전자 스펙트럼), 서페이스 사이엔스 인스트루멘트(Surface Science Instru-ment)제 모델 SSX-100에 의해서 측정된 것으로 측정조건은 아래와 같다.
백그라운드 압(Background pressure) : 5×10-10Torr
X-선 조사점 크기 : 0.6㎜ø
가산적분 : 6회
여기원 : Al Kα-ray(1487eV)
그 범위의 N를 혼합함으로써 기록층의 비정질 안정성 및 내산화성을 향상시킬 수 있다.
Te 이외의 저융점 원소들 또는 기타원소들의 예로는 Ti, Mn, Ni, Zr, Nb, Ta, Al, Pt, Sm, Si, In, Se, Pb, Co, Si, Sn, Zn, Ge, Sb 등을 들을 수 있다. 기록막 중 전체 원자수에 대한 이들 원소의 함유량은 0∼60원자%, 바람직하기로는 0∼40원자%이다.
본 발명의 제2의 광기록매체에서 기록막(12)는 Te를 주성분으로 하고 Pd 및 N를 적어도 함유한 박막이며, Te 이외의 저융점원소 내지는 기타 성분을 함유해도 좋다. Te 이외의 원소들의 예로는 Ti, Mn, Ni, Zr, Nb, Ta, Al, Pt, Sm, Bi, In, Se, Pb, Co, Si, Pd, Sn, Zn, Ge, Sb 등을 들 수 있다.
이와 같은 제2의 기록막(12)중의 전체 원자수에 대한 Pd의 함량은 1-80원자%, 바람직하기로는 2-60원자%, 특히 바람직하기로는 3-40원자% 범위이다. 이런 범위로 Pd를 함유시킴으로써 기록막의 기록감도 및 C/N비가 향상되는 동시에 기록감도 마진도 넓혀질 수 있고 성막성도 향상될 수 있다.
제2의 기록막(12)중의 전체 원자수에 대한 N의 함량은 0.1∼60원자%, 바람직하기로는 0.3∼50원자%, 특히 바람직하기로는 0.5∼30원자%이다. 그런 범위로 N를 함유함으로써 기록막층(12)의 비정질 안정성과 내산화성이 향상될 수 있다.
기록막(12)중에 함유되는 금속원소들(Te, Pd등)의 함량은 ICP발광분석법(inductive coupling type plasma emission analysis)에 의해서 측정하고 N의 함량은 ESCA(X-ray-photoelectron spectrum)에 의해서 측정한다.
기록막(12)의 두께는 100Å∼1㎛, 바람직하기로는 300∼1500Å, 더욱 바람직하기로는 700-1300Å의 범위이다.
본 발명에 의한 제1의 광기록매체에서 제1의 기록막(12)는 하기방법으로 기판(11)의 표면위에 형성시킬 수 있다.
우선 Te를 타게트로 하여 N2가스와 Ar가스와의 혼합가스중에서 반응성 스퍼터링법에 의해서 기판(11) 위에 N를 포함하는 Te박막으로 된 제1의 기록막(12)를 성막시킨다. 이와 같은 반응성 스퍼터링시에 N2가스와 Ar가스의 유량비[N2/(Ar+N2)]를 제어함으로써 제1의 기록막(12)중에 포함되는 N의 함유비율을 제어할 수 있다. N2가스와 Ar가스와의 유량비[N2/(Ar+N2)]는 5∼50%, 바람직하기로는 10-30%이다.
이와 같은 유량비로 스퍼터링을 행함으로써 비정질 안정성이 높고 내산화성이 우수한 기록막(12)를 얻을 수 있다. 또 스퍼터링법 대신에 Te증기와 Te질화물 증기를 플라즈마 상태로 한 공증착법에 의해서 증착시켜 기록막(12)를 형성시킬 수도 있다.
기상성장법 또는 플라즈마 기상성장법에 의해서도 형성시킬 수 있다. 또 Te 및 N원자의 일부 또는 전부를 이온화시켜 빔상으로 기판위에 형성할 수도 있다.
본 발명에 의한 제2의 광기록매체중의 기록막(12)은 하기방법으로 기판(11)위에 형성시킬 수 있다.
우선, Te와 Pd와의 합금타게트 또는 Pd칩을 배열시킨 Te타게트를 사용하여 N2가스와 Ar가스와의 혼합 가스중에서 반응성 스퍼터링법에 의해서 기판(11)위에 Pd 및 N를 함유하는 Te박막으로 된 기록막(12)를 성막시킨다. 이와 같은 반응성 스퍼터링시에 N2가스와 Ar가스와의 유량비[N2/(Ar+N2)]를 제어함으로써 기록막(12)중에 함유되는 N의 함유량을 제어할 수 있다.
N2가스와 Ar가스와의 유량비[N2/(Ar+N2)]는 1∼80%, 바람직하기로는 10∼40%이다.
이와 같은 유량비로 스퍼터링을 행함으로써 비정질 안정성이 좋고, 내산화성이 향상된 기록막(12)를 성막성 좋게 기판(11) 위에 얻을 수 있다. 또 스퍼터링법을 사용하는 대신에 Te와 Te질화물 및 Pd의 증기를 플라즈마상으로 한 공증착법에 의해서 기판에 기록막(12)를 성막시킬 수도 있다. 또, 기상성장 또는 플라즈마 기상성장에 의해서도 같은 기록막(12)를 형성시킬 수 있다. 또, 다른 방법으로는 Te, N, Pd원자의 일부 또는 전부를 이온화시켜 빔상으로 하여 기판위에 형성할 수도 있다.
이와 같이 성막된 기록막(12) 위에는 보호막(13)이 형성된다. 보호막(13)은 기록막(12)로의 기록시에 열이 달아나는 것을 방지하고 기록감도를 높이기 위하여 저열전도율(바람직하기로는 1.0W/㎝.deg.이하)의 재질로 구성하는 것이 요망된다. 예를들면 보호막(13)은 자외선 경화수지등의 유기재료나 Ti, Al, Ni, Cr 등의 무기재료 또는 이들을 조합시킨 재료로 구성한다. 보호막의 막두께는 50Å∼1㎜, 바람직하기로는 100Å∼0.1㎜이다.
이와 같은 보호막(13)을 기록막(12)의 표면에 형성시키려면 전술한 기록막(12)의 성막방법과 마찬가지로 반응성 스퍼터링법, 기상성장법, 플라즈마 기상성장법, 증착법등 또는 스핀코오트법등의 도포에 의해서 행하면 된다.
상기와 같은 기록막(12)에 정보를 기입하려면 기록해야할 정보에 따라서 변조(ON.OFF)된 레이저빔등의 에너지빔을 예를들면 기판(11)측으로부터 기록막(12)로 조사함으로써 그 조사부의 기록막(12)의 조성을 비정질로부터 결정질로 상변화시켜 조사부에 대응하여 광학 특성 변화부를 형성시킴으로써 행해진다.
광학특성 변화부와 광학특성 비변화부에서는 재생용 레이저빔을 조사할 경우의 반사율 R가 서로 다르고 이 반사율차를 이용하여 정보를 독출할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의한 광기록매체 및 그 제조방법에 의하면 Te를 주성분으로 하는 기록막에 N를 함유시키고 이 기록막을 기판과 보호막과의 사이에 적층되도록 되어 있으므로 기록막의 비정질 안정성 및 내산화성이 향상되고 광기록매체의 장수명화를 도모할 수 있다.
또 기록막에 Pd를 더 함유시키는 경우에는 N의 함유량을 많게하여도 기록막이 잘 깨지지않고 성막성이 향상된다. 또, 본 발명에 의하면 정보재생시의 C/N비가 향상되는 동시에 기록마진도 넓혀지는등 우수한 효과를 갖는다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해서 더 상세히 설명하나 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
제1도에 나타낸 구조를 갖는 광기록매체(10)에 있어서, 기판(11)로서 비정질 폴리올레핀 수지기판과 기록막(12)로서 Te85N15층{[스퍼터링조건 : (N2/(Ar+N2)]=20(유량%)}로 된 광기록매체 위에서 측정한 기록막의 두께와 기판측으로부터의 독출광(재생광)의 반사율 변화와의 관계를 제2도에 나타냈다. 기록막중의 N의 함량은 ESCA로 측정하여 15원자%였다.
이 값은 파장 λ가 830㎜인 독출광을 사용하고 이 광기록매체가 공기중에 설치되어 있다고 가정하여 계산된 값이다.
도면 중 R은 기록광 조사전의 광기록매체의 반사율과 기록층의 두께간의 관계를 나타내고 R'는 조사후의 그들간의 관계를 나타낸다.
기록층의 두께가 750∼950λ의 범위에 있었을때 반사율차 ΔR(=R-R')는 커졌고, 데이타의 독출오차가 감소됨을 확인할 수 있었다.
[실시예 2]
스퍼터링 조건을 {N2/(Ar+N2)}=40(유량%)로 변화시킨 이외는 실시예 1에서와 같은 조건에서 반사율 변화를 구하여 제3도에 나타냈다. 이경우에 기록층의 두께를 950∼1300Å의 범위로 하면 정보의 독출오차를 감소시킬 수 있음을 확인했다.
[실시예 3]
비정질 폴리올레핀수지로 제조된 디스크기판을 사용하고 기판위에 기록층으로서 900Å의 두께를 갖는 Te85N15층을 반응 스퍼터링법에 의해서 {N2/(Ar+N2)}=20(유량%)의 조건하에 형성시키고 자외선 경화수지를 스핀코오트법에 의해서 형성시켜 광기록매체를 제조했다.
이 광기록매체의 C/N비를 디스크 회전수가 1800rpm, 평가위치가 반경 50㎜, 기록주파수 1MHz. duty=50%의 조건하에 측정하여 40dB 이상의 C/N비를 얻을 수 있음을 확인했다.
[비교예 1]
스퍼터링조건 및 Ar=100유량%로 변화시킨 이외는 실시예 3과 같은 조건하에 광기록매체를 제조했다.
실시예 3에서와 같은 방법으로 이 광학기록매체의 C/N비를 측정하여 그 최대치가 13dB 밖에 안되는 C/ N비를 얻었다. 이것은 기록막이 Te만으로 제조될 경우에, 이 기록층이 기록층 형성 직후에 이미 일부에서 결정화 되어 있기 때문에 레이저빔의 조사부와 비조사부간의 차(광학적 특성변화)가 작기 때문이라고 생각된다.
[실시예 4]
기판(11)로서 비정질 폴리올레핀수지로 제조된 디스크기판을 사용하여, 기록막(12)로서 Te85N8Pd7를 Pd팁(tips)을 올려놓은 Te타게트게 의한 반응성 스퍼터링[{N2/(Ar+N2)}=20(유량%)]에 의해서 기판위에 형성시켰다. 기록막중의 N의 함량은 ESCA에 의해서 측정하여 8원자% 있고 Pd의 함량은 ICP(Inductively coupled Plasma Spectrometry)에 의해서 측정하여 7원자%였다. 보호층(13)을 스핀코오트법에 의해서 자외선 경화수지로 형성시켜서 광기록매체를 제조했다.
이 광학기록매체의 C/N비를 디스크 회전수가 900rpm, 평가위치가 반경 50㎜, 기록주파수가 1MHz, duty 50%인 조건하에 측정하여 50dB 이상의 C/N비가 얻어지는 것을 확인했다.
[실시예 5]
{N2/(Ar+N2)}를 50(유량%)로 변화시킨 이외는 실시예 4에서와 같은 조건하에 스퍼터링을 행하여 막형성이 가능함을 확인했다.

Claims (9)

  1. 기판과, 기판위에 형성된 기록막과, 이 기록막위에 형성된 보호층으로 되고 상기 기록막에 에너지빔을 조사하여 상기 기록막의 조사부에 광학적 특성 변화를 일으키게 하여 정보를 기록하는 광기록매체에 있어, 상기 기록막이 Te와 N를 함유하는 박막인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기록막중의 N의 함량이 상기 기록막중에 함유된 전체 원자수에 대해서 0.1∼60원자%인 광기록매체.
  3. 기판과 기판위에 형성된 Te 및 N를 함유하는 기록막과 이 기록막위에 형성된 보호막을 갖고 상기 기록막에 에너지빔을 조사하여 기록막의 조사부에 광학적 특성의 변화를 일으키게 하여 정보를 기록하게한 광기록매체를 제조하는 방법에 있어, 상기 기록막을 Te타게트를 사용하여 Ar 및 N2가스 분위기중에서의 반응 스퍼터링에 의해서 형성하고 상기 N2의 Ar와 N2의 전체 유량에 대한 유량비{N2/(Ar+N2)}가 5∼50%의 범위인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유량비[N2/(Ar+N2)]가 10-30%의 범위인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 제조방법.
  5. 기판과 기판위에 형성된 기록막과 상기 기록막위에 형성된 보호막으로 되고, 상기 기록막에 에너지빔을 조사하여 상기 기록막의 조사부에 광학적 변화를 일으켜서 정보를 기록하는 광기록매체에 있어, 상기 기록막이 Te, Pd 및 N를 함유하는 박막인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기록막중의 Pd의 함량이 기록막 중에 함유된 전체 원자수에 대해서 1∼80원자%인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  7. 제1항에 있어서, 기록막중의 N의 함량이 기록막중에 함유된 전체 원자수에 대해서 0.1∼60원자%인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  8. 기판과 기판위에 형성된, Te, Pd 및 N를 함유하는 기록막과 기록막위에 형성된 보호막으로 되고, 상기 기록막에 에너지빔을 조사하여 상기 기록막의 조사부에 광학적 변화를 일으키게 하여 정보를 기록하는 광기록매체의 제조방법에 있어, 상기 기록막을 Te 및 Pd로 된 타게트를 사용하여 Ar 및 N2가스 분위기중에서의 반응 스퍼터링에 의해서 기판위에 형성시키고 상기 N2의 Ar와 N2의 전체유량에 대한 유량비{N2/(Ar+N2)}가 1∼80%인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유량비{N2/(Ar+N2)}가 10-40%의 범위인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 제조방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5034255A (en) * 1988-10-28 1991-07-23 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Optical recording medium and method of its production
WO1991005342A1 (en) * 1989-09-28 1991-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical data recording medium and method of producing the same
US5194363A (en) * 1990-04-27 1993-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium and production process for the medium
US5234803A (en) * 1992-05-21 1993-08-10 Eastman Kodak Company Optical recording media
US5328813A (en) * 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
KR100709931B1 (ko) * 2002-06-03 2007-04-24 파이오니아 가부시키가이샤 정보 기록 매체 및 그 제조 방법
JP3852408B2 (ja) * 2002-07-09 2006-11-29 ソニー株式会社 光記録媒体
JP2005044450A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
EP1657071B1 (en) * 2003-08-21 2013-02-27 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Recording medium
US7513725B1 (en) * 2007-10-15 2009-04-07 Robert Lee Bullock Low-profile wheel chock assembly

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5758250A (en) * 1980-09-25 1982-04-07 Toshiba Corp Information recording medium
JPS57157790A (en) * 1981-03-24 1982-09-29 Toshiba Corp Information recording member
KR860002121B1 (ko) * 1984-03-28 1986-11-26 마쓰시다덴기산교 가부시기가이샤 광학정보 기록부재
JPS61158051A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Pioneer Electronic Corp 光学式情報記録媒体及びその記録再生装置
CH664954A5 (de) * 1986-01-15 1988-04-15 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von tetrachlor-2-cyanbenzoesaeurealkylestern.
JPS62256242A (ja) * 1986-04-28 1987-11-07 Toshiba Corp 光カード
US4839208A (en) * 1986-04-30 1989-06-13 Nec Corporation Optical information recording medium
US5034255A (en) * 1988-10-28 1991-07-23 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Optical recording medium and method of its production

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