JPH0355292A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光あるいは熱等のエネルギービームの＠穿１
により基板上の記録膜にビッ１・を形威して情報を記録
するようにした光記録媒体およびその製造方広に関する
。

発明の技術的背景ならびにその問題点 光記録媒体には、エネルギービームの照射により、記録
膜の一部に穴もしくは凹郎等の物理的変化部を形或する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性（屈折率、反
射率など）を変化させた光学特性変化部を形成する方式
のものとがある。

いずれの方式の光紀録媒体における記録膜としても、テ
ルル（Ｔｅ　）等の低融点金属を主成分とする記録膜が
従来から知られている（特開昭５８−７１１９５号公報
、特開昭５８−９２３４号公報）。低融点金属膜として
代表的なＴｅ＠は、非常に低いエネルギーで所望の物理
的変化部もしくは光学特性変化部（以下、総称して、「
ピット」と称す）を形成でき、高感度材料として極めて
有望である。ここで感度とは単位面積当りのピット形成
に要するエネルギー（■Ｊ　／　ｃ４　）で定義される
。

しかしながら、Ｔｅは大気中に放置された場合、酸素あ
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう。このようなＴｅを記録膜として使用する
場合、膜厚は数百λ程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う。すなわち、膜が酸化されると融解温度および蒸発温
度が上昇するとともに、透明化により光等のエネルギー
の吸収が少なくなるため、ピット形成に要するエネルギ
ーが大きくなり、感度の著しい低下を来たす。

たとえばＴｅ膜を温度７０℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置した場合、約５時間で感度が約２０％低下し、約
１５時間で約５０％低下してしまう。

このような問題点を解決するため、Ｔｅｌｌｌの酸化防
止のために種々の対策がとられている。その１つとして
安定無機物質でＴｅｌ）ｌをコーティングする方法が知
られているが、この方法は、Ｔｅ膜の酸化防止には有効
であるが、感度を低下させてしまい、また高価であるた
め、実用化されていない。一方、Ｔｅ膜をプラスチック
コーティングする方法も知られているが、この方法はプ
ラスチックの熱伝導率が小さいことから感度を損なう度
合が小さく有利であるが、酸素や水を比較的容易に透過
させるため、Ｔｅ膜の酸化防止にはあまり役立たない。

また、Ｔｅ膜中にＣおよびＨを含ませる（特公昭５９−
３３３２０号公報）ことにより、記録層としてのＴｅｌ
ｌｉの酸化を防止するようにした技術も提案されている
が、この技術ではＣの含有量が少ないときには耐酸化性
がいまだ不充分であり、また耐酸化性を向上させるため
に、Ｃの含有量を多くすると、情報再生時におけるＣ　
／　Ｎ比が低下するという不都合を有している。

また上記のような問題点を解決するため、特開昭５９−
６３，０３８号公報には、ＴＯを主成分としてＣｒを含
有する記録膜を具備する光記録媒体が開示されている。

この公報に開示されているように、Ｔｅを主威分とする
記録膜中にＣｒを含有させると、その含有量に対応して
記録膜の耐酸化性が向上し、光記録媒体の長寿命化が図
られることが知られている。

しかしながら、Ｔｅを主成分としてＣｒを含有する記録
膜を具備する光記録媒体にあっては、Ｃｒが多量に含ま
れると、記録感度が低下するという不都合を有している
。そこで、Ｔｅを主成分とする記録膜中に含まれるＣｒ
の含有量は、耐酸化性向上および記録感度向上の観点か
ら、特開昭５９−６３．０３８号公報に示すように、記
録膜中のＴｅに対してＣｒが５〜１５重量％となるよう
に決定されるのが一般的であった。

ところが、Ｃｒが５〜１５重量％の量で含まれるＴｅ系
の記録膜を具備する光記録媒体の記録感度は、Ｔｅｆａ
単独の記録膜に比較して依然として低いことが本発明者
等によって見出された。本発明者等は、このようなＴｅ
を主成分としてＣｒを含む記録膜を具備する光記録媒体
について鋭意険討したところ、特定量のＣｒを含有する
と共にＣおよびＨを含ませたＴｏを主成分とする記ｉ！
膜を具備する光記録媒体は、耐酸化性が向上するにもか
かわらず、記録感度が、Ｃｒを多量に含有するＴｅ系記
録膜と比較して著しく向上すると共に、記録マージンが
広がることを見出した。また、本発明者等は、このよう
にＣｒ，ＣおよびＨを含Ｇ１−、Ｔｅを主成分とする記
録膜を基板上に成膜した後に、熱処理を行なえば、さら
に記録感度が向上し、しかも記録マージンが店がること
を見出した。

発明の目的 本発明は、このような新たな知見に基づきなされたもの
であり、記録膜の耐酸化性を向上させ、光記録膜の長寿
命化を図ると共に、小さいエネルギーで情報の記録が可
能であり、しかも高感度で記録マージンの広い光記録媒
体およびその製造方法を提供することを目的とする。

発明の概要 このような目的を達戊するために、本発明に係る光記録
媒体は、基板と、この基板上に形成された・記録膜とか
らなり、この記録膜にエネルギービームを照射すること
により、この記録膜にピットを形成して情報を記録する
ようにした光記録媒体において、 前記記録膜は、Ｔｏを主成分としてＣｒＳＣおよびＨを
含む薄膜であり、 前記紀録膜に含まれるＣｒおよびＣの含有割合が、記録
膜を構成する全原子数に対して、Ｃｒについては０．１
〜４０原子％の範囲にあり、Ｃについては５原子％未満
の範囲にあることを特徴としている。

また、本発明に係る光記録媒体は、基板と、この基板上
に形成された記録膜とからなり、この記録膜にエネルギ
ービームを照射することにより、この記録膜にピットを
形成して情報を記録するようにした光記録媒体において
、 前記記録膜は、Ｔｅを主成分としてＣｒＳＣおよびＨを
含む薄膜であり、 前記記録膜に含まれるＣｒの含有割合が、記録膜中のＴ
ｅおよびＣｒの合計原子数に対して、０．１〜４０原子
％の範囲にあり、前記記録膜中に含まれるＣの含有割合
が、記録膜中のＴｅ、ＣｒおよびＣの合計原子数に対し
て、５原子％未満の範囲にあることを特徴としている。

このような本発明に係る光紀録媒体によれば、Ｔｅを主
成分とする記録膜にＣｒ、ＣおよびＨを含有させるよう
にしているので、記録膜の耐酸化性が向上し、光記録媒
体の長寿命化が期待できる。

また、本発明で、記録膜中におけるＣｒの含有量を、記
録膜の全原子数または記録膜中のＴｏおよびＣｒの合計
原子数に対して、０．１〜４０原子％、特に０．５〜１
０原子％と、従来に比較して低い値に設定すると、従来
のＣｒ含有量が多いＴｅ膜に比較して優れた記録感度を
有することになる。さらに本発明では、耐酸化性を向上
するためのＣの含有量を、Ｃｒを含有させることによっ
て、記録膜の全原子数または記録膜中のＴｅ，Ｃｒおよ
びＣの合計原子数に対して、５原子％未満まで減少させ
ることができるため、Ｃの含有量増大に伴って生じる記
録マージンの狭小化およびＣ／Ｎ比の低下を有効に防止
することができる。

また、前記目的を達戊するために、本発明に係る光記録
媒体の製造方法は、前述した記録膜を前記基板上に成膜
した後に、この記録膜を熱処理することを特徴としてい
る。

前記熱処理は、７０〜３００℃の温度で５秒以上行なう
ことが好ましい。

このような本発明に係る光記録媒体の製造方注によれば
、成膜された記録膜を熱処理しているので、記録用エネ
ルギー出力の微小変動によっても記録膜に形或されるピ
ット形状を均一なものとすることができ、記録マージン
が広がると共にＣ／Ｎ比が向上し、また得られる光記録
媒体の記録感度が向上する。

なお本発明において記録マージンか狭いとは記録用エネ
ルギー出力の変動に応じてＣ／Ｎ比か変化することをい
う（以下同様の意味に用いる）。

すなわち記録マージンが狭いとは記録川エネルギー出力
を大きくした際にＣ／Ｎ比の低下かみられ、一定のＣ／
Ｎ比を示す記録用エネルギー出力の範囲が狭いことをい
う。また、Ｃ／Ｎ比とは、情報再生時における雑音の少
なさを示し、これが高い程良い。

発明の具体的説明 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説１リ
１する。

第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図である。

第１図に示すように、本発明に係る光記録媒体１０は、
基板１１と、この基板の表面に形或された記録膜１２と
から構威されている。

基板１１としては、たとえばガラスあるいはアルミニウ
ム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ボ
リカーボネート、ポリヵーボネートとボリスチレンのボ
リマーアロイ、エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−
１．２．３，４．４ａ．５．８．８ａ−オクタヒド口ナ
フタレン（テトラシク口ドデセン）との共重合体、エチ
レンと２−メチル−１．４，５．８−ジメタノ−１．２
．３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒド口ナフタレ
ン（メチルテトラシクロドデセン）との共重合体、エチ
レンと２−エチル−１．４．５．８−ジメタノ−１．２
．！ｌ．４．４ａ．５．８，８ａ−オクタヒドロナフタ
レンとの共重合体などの米国特許第４６１４７７８号明
細書に示されるような非品質ポリオレフィン、ボリ４−
メチル−１−ベンテン、エボキシ樹脂、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミドなどの
有機材料を用いることができる。この基板１１の厚みは
、記録媒体１０全体に適度な剛性を付与するのに十分な
厚さであれば良く、好ましくは０．５〜２．５ｍｍ，特
に好ましくは１〜１．５ｍｍ程度である。

本発明に係る記録膜１２は、Ｔｅを主成分としてＣｒ，
ＣおよびＨを少なくとも含む薄膜であり、′ｒｏ以外の
低融点元素、ないしはその他の成分を含んでも良い。記
録１１１１２中に含ませることが可能なＴｅ以外の元素
としては、ＴＩ，Ｍｎ，Ｎｔ，ＺｒＳＮｂｓＴａ１Ａｐ
ｓＰｔｓＳＩ！ｌＳ　Ｂｌ、（ｎ，Ｓｅｓ　Ｐｂ，ＣＯ
ＳＳｔ　　　Ｐｄ，Ｓｎ，Ｚｎ等が例示される。

このような記録膜１２に含まれるＣｒの含有割合は、記
録膜中に含まれる全原子数に対して、０．１〜４０原子
％、好ましくは０．５〜１０原子％、特に好ましくは１
〜４原子％の範囲にあるか、または記録膜中のＴθおよ
びＣｒの合計原子数に対してのＣｒの含有割合が、０．
１〜４０原子％、好ましくは０．５〜１０原子％、特に
好ましくは１〜４原子％の範囲にあることが好ましい。

このような範囲でＣｒを含ませることによって、記録１
１１１２の耐酸化性を向上させるにもかかわらず、記録
感度が低下せず、場合によっては記録感度を向上させる
ことができるからである。

また、記録＋１！！！　１　２中のＣの含有量は、記録
膜の寿命及び記録感度の向上の点から、記録膜全体の原
子数に対して５原子％未満、好ましくは３〜５原子％未
満または記録膜中のＴｅＳＣｒおよびＣの合計原子数に
対して、５原子％未満、好ましくは３〜５原子％である
ことが望ましい。このような範囲でＣを含有させること
により、記録感度および記録マージンの向上を図ること
が可能となる。

また、記録膜１２中のＨの含有量は、寿命等の点から全
体に対して１〜１５原子％好ましくは３〜１０原子％で
あることが望ましい。なお、記録膜１２中に含まれる各
元素の含有量は、本発明においては金属元素（Ｔｅ，Ｃ
ｒなど）についてはＩＣＰ発光分析法（誘導結合型プラ
ズマ発光分析法）によって、またＣについてはＸ線光電
子分光法（ＸＰＳ）、（ＥＳＣＡ）　、Ｈについては有
機元素分析法によって測定される。

上記のような組成を有する記録膜１２に情報を書込むに
は、記録すべき情報に応じて変調（オン・オフ）された
レーザビーム等のエネルギービームを該記録膜１２に照
射することにより、その照射部分にピットを形成すれば
よい。このピットは、穴や凹郎等のような物理的変化部
であっても良いし、屈折率や反射率等の光学的特性を変
化させた光学特性変化部であっても良い。

このような記録膜１２の膜厚は、十分な光反１・１率を
得る程度に厚く、かつ感度を損なわない程度に薄いこと
が必要である。具体的には、記録膜１２に穴などの物理
的変化部を形或する場合には、記録膜の膜厚は１００人
〜１μｒｎ好ましくは１００〜５０００大さらに好まし
くは１５０〜５００＾程度である。また記録膜１２に反
ｎ＝｝率または屈折率などの光学的特性変化部を形成す
る場合には、記録膜の膜厚は１００λ〜１μｍ好ましく
は１００〜５０００大さらに好ましくは２００〜２００
０λ程度である。

このような記録Ｉｌｉ１２を基板１１の表面に成膜する
には、たとえば次のようにして行なうことができる。

まず、ＴｏおよびＣｒをそれぞれ別々のターゲットとし
て、もしくはＴｅ−Ｃｒ合金をターゲットとし、Ｃおよ
びＨを含む有機ガス、たとえばＣＨ４やＣ２Ｈ２ガスと
、Ａｒガスとの混合ガス中で、マグネトロンスパッタリ
ング法により、基板１１上に、ＣおよびＨを含むＴｅ−
Ｃｒ合金薄膜から成る記録膜１２を成膜する。また、ス
パッタリング法を用いることなく、ＣＨ４とＴｏ−Ｃｒ
合金の蒸気とをプラズマ状にして基板にＣおよびＨを含
むＴｅ−Ｃｒ合金薄膜からなる記録ＩＩ１２を成膜する
ことも可能である。また、気相戊長またはプラズマ気相
成長によっても、同様の記録膜１２を形成することが可
能である。さらに他の方法としてＴｅ，ＣｒＳＣＳＩ原
子の一部または全部をイオン化してビーム状として基板
上に積もらせるようにしてもよい。

このようなＣおよびＨを含むＴｅ−Ｃｒ合金薄膜から成
る記録膜１２中のＴｅおよびＣｒの含有原子数比は、Ｔ
ｏとＣｒとを同時スパッタする際には、それぞれの印加
電圧によって、合金ターゲットを用いる場合には合金組
或によって自由に制御される。また、Ｔｅ−Ｃｒ合金薄
膜から或る記録膜１２中のＣおよびＨの含有量は、ＣＨ
４とＡｒとの混合比または印加電圧により自由に制御で
きる。

この場合、膜が化学的に最も安定するＨの含有量はＣの
含有量によって決まる。ここでは膜中に水素ガス（Ｈ２
）が発生するほど多量に含有させない限り、Ｈ含有量は
任意に選ぶことができる。さらに膜厚はスパッタリング
時間に比ｖｌするので、自由に制御できる。

このようにして形成されるＣおよびＨを含有するＴｏ−
Ｃｒ合金薄膜から成る記録膜１２における反射率あるい
は消衰係数などの光学特性は、ＣとＨとの含有量によっ
て異なり、情報記録用として利用するには、上記のよう
な光学特性に応じて膜摩が決定される。

なお、記録膜を成膜する際に薄膜製造装置内に導入され
る炭化水素としては、前述のメタンやアセチレンの他に
エタンなども用いられるがメタンが最も好ましい。この
ような炭化水素は、通常、不活性ガスとともに薄膜製造
装置内に導入されるが、この開用いられる不活性ガスと
しては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンなど
が挙げられるが、このうち特にアルゴンが好ましい。

上記のような条件で形成した記録！１１１２は、Ｔｅな
どの低融点金属単体で形或した膜に比べて杼しく耐酸化
性および記録感度が向上している。

たとえば、ＣｒＳＣおよびＨを含有するＴＯ記録膜では
、７０℃、８５％Ｒｌ｛（相対湿度）の条件下で１００
時間経過後の反射率の変化は、Ｃｒの含有量が多い程少
なく、Ｔｏ単独の記録膜に比較して、本発明に係る記録
膜の耐酸化性が向上していることが実験により確認され
た。

また、たとえば本発明に係る記録膜によれば、記録用エ
ネルギー出力が比較的小さく、記録感度が向上している
ことが実験により確認された。

さらに、第２図に示すように、本発明に係る光記録媒体
（図中、曲線Ａ）は、従来のＣおよびＨを含むＴｃ膜を
有する光記録媒体（図中、曲線Ｂ）に比較して、記録用
エネルギー出力の微小変動■に対してＣ／Ｎ比がほとん
ど変化せず、記録マージンが広いことが確認された。

さらにまた、第３図に示すように、本発明に係る光記録
媒体（図中、曲線Ａ）は、従来のＣおよびＨを含むＴｅ
Ｊ！Ｉを有する光記録媒体（図中、曲線Ｂ）に比較して
、反射率の経時的変化がほとんどなく、耐久性が向上す
ることも確認された。このことは表２からも明らかであ
る。

また本発明では、上述したように基板１１上に記録＠１
２を或膜した後、必要に応じて、この記録ＩＰＩ１２ま
たは記録膜１２と基板１１を、不活性ガス、還元性ガス
、もしくは酸素を含んだガス雰囲気中で、熱処理するこ
ともできる。熱処理温度は、記録膜中に含まれるＴｅの
融点以下であることが必要であり、好ましくは７０〜３
００℃特に９０〜１５０℃の温度範囲が良い。また熱処
理時間は好ましくは５秒以上、特に好ましくは５秒〜１
０時間、最も好ましくは５分〜２時間である。

このように、記録膜１２を基板１１上に形成した後に記
録膜１２または記録膜１２と基板１１を熱処理すること
で、記録膜における記録感度が向上すると共に、記録マ
ージンが広がる。

なお、本発明は、第１図に示す実施例に限定されず、本
発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、第４図に示すように、基板１１と記録膜１２
との間に、下地層１３を積層させるようにしてもよい。

下池層１３としては、たとえばフッ化マグネシウム（Ｍ
ｇＦ２）などからなるフッ化物膜、酸化ケイ素ｃｓｉｏ
　　．．ＳＩＯ）も２ しくは窒化ケイ素（Ｓ１３８４）などからなるケイ素化
合物膜、Ｔｉ　ＮＩ　Ｃｒ、Ａｊ２またはＮ　ｉ−Ｃ　
ｒなどからなる金属薄膜、ポリテトラフルオ口エチレン
（ＰＴＦＥ）薄膜などのフッ素置換の炭化水素化合物お
よび／またはそのポリマーの薄１漠、Ｃｒ−Ｃ−Ｈ薄膜
（Ｃｒ．ＣおよびＨを含む膜）などが用いられる。下池
層１３の膜厚は、その材質によっても異なるが、一般に
、１０〜１．　０　０　０大、好ましくは５０〜５００
六である。

このような膜厚に設定することで、透明性を維持するこ
とができると共に、下地層１４としての種々の特性を発
揮することができる。

このような下地層１３を基板１１の表面に形成するには
、記録層１２を形成する場合と同様に、マグネトロンス
パッタリング法、気相戊長法、プラズマ気相戊長法、蒸
着法またはスピンコート法などの塗布によって行なえば
よい。

このような下地層１３を、基板１１と記録膜１２との間
に設ければ、記録感度がさらに向上し、場合によっては
記録マージンもさらに店がることになる。

また、本発明によれば、第１図または第４図に示す光記
録媒体１０における紀録膜１２の表面に表面層を形成す
るようにしてもよい。表面層を形成する材質としては、
記録膜の元素、ＳＩＳＴｉ算の酸化物、窒化物、金属な
どが用いられる。表面層の膜厚は、その材質によっても
異なるが、５〜１００入、好ましくは１０〜５０λであ
る。

発明の効果 本発明では、Ｔｅを主成分とする記録膜にＣｒ，Ｃおよ
びＨを含有させるようにしているので、記録膜の耐酸化
性ないし耐久性が向上し、光記録媒体の長寿命化が期待
できる。特に記録膜中におけるＣｒの含有量を０．１〜
４０原子％、特に０．１〜１０原子％と従来に比較して
低い値に設定すると共に、Ｃの含有量を５原子％未満と
すると、優れた記録感度が得られる。

また、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば、記
録膜の成嘆後に熱処理するようにしているので、記録膜
に形威されるピット形状を均一かつ小さなものとするこ
とができ、記録用エネルギー出力の範囲を広くとれ（記
録マージンが広がる）、また得られる光記録媒体の記録
感度が向上する等の優れた効果を奏する。

［実施例］ 以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例１ 真空容器を排気後、ＡｒガスおよびＣＨ４ガスを導入し
、内部圧力を６　ｘ　１　０−３Ｔｏｒｒとした（　Ａ
　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　４　−　９　／　１　：ガス流量比
）。次に、ＴｅおよびＣｒをターゲットとし、同時スバ
ッタを行なった。その際、各々のターゲットに与える電
圧を制御し、かつスバッタ時間を制御することにより、
Ｔ　ｅ　８７Ｃ　ｒ　２　Ｃ　ｉ，　Ｈ　７の組或の記
録膜を膜厚２４０大で非晶質ポリオレフィン基板上に得
た。

実施例２ 膜厚を２９０入とした以外は、実施例１と同様にしてＴ
　Ｏ　８７　Ｃ　ｒ　２　Ｃ　４　Ｈ　７の記録膜を非
晶質ポリオレフィン基板上に得た。

比較例１ ガス流量比をＡ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　，ｉ　−　９　／　
１とし、Ｔ　ｅのターゲットを用いて実施例１と同様に
してＴｅ　　Ｃ　　Ｈ　　Ｓ膜厚２５０大の記録膜を非
晶質８９　　４　　　７ ポリオレフィン基阪上に得た。

参考列１ 導入するガスをＡｒのみとし実施例１と同様にしてＴｅ
　　Ｃｒ　　，膜厚２５０大の記録膜を非晶９７３ 質ポリオレフィン基板上に得た。

実施例３．４ 実施例１．２の記録媒体（記録膜）を各々１００℃の温
度でＮ２雰囲気下で２０分間熱処理を施した。

参考例２ ガス流量比をＡ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　４　−　８　／　２
とした以外は、実施例１と同様にしてＴ　ｅ　ｇｏＣ　
ｒ　ａ　Ｃ　ｅ　Ｈ　ｉ１、膜厚２９０大の記録膜を非
晶質ポリオレフィン基板上に得て、その記録媒体く紀録
ｌｌＩ）を実施例３．４と同様にして熱処理を施した。

実施例５ Ｔ　ｅ　９７　Ｃ　ｒ　３合金ターゲットを用い、ガス
流量比をＡ　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　４＝　９　／　１とし、
実施例１と同様にしてＴ　ｅ　　Ｃ　ｒ　　Ｃ　　Ｈ　
　ｓ　Ｉｌｉ厚２３０λの記８７２４７ 録膜を非晶質ポリオレフィン基板上に得た。さらに実施
例３，４と同様にして熱処理を施した。

実施例６ 真空容器を排気後、ＡｒガスおよびＣＨ４ガスを導入し
、内部圧力を６　Ｘ　１　０−”Ｔｏｒｒとした（　Ａ
　ｒ　／　Ｃ　Ｈ　４＝　９　／　１　：ガス流量比）
。次に、ＴθおよびＣｒをターゲットとし、同時スバッ
タを行なった。その際、各々のターゲットに与える？［
ｉ圧を制御し、かつスバッタ時間を制御することこより
、記録膜中のＴｏ、ＣｒおよびＣの原子数比が次の式、 （Ｔｅ　　　Ｃｒ．　　　）　　Ｃ　　で表わせるＴｅ
Ｑ８．８　　１．２　　９６　　４ Ｃｒ、ＣおよびＨを含む記録膜を膜厚２４ＯＡで非品質
ポリオレフィン基板上に得た。

実施例７ 膜厚を２９０大とした以外は、実施例６と同様にして、
Ｔｅ．．ＣｒおよびＣの原子数比が次の式、（Ｔ０９８
Ｃｒ２）９６Ｃ４で表わせるＴｏ，Ｃｒ，ＣおよびＨを
含む記録膜を非晶質ポリオ１ノフィン基板上に得た。

実施例８ 膜厚を２６０大とした以外は、実施例６と同様にして、
Ｔｅ，ＣｒおよびＣの原子数比が次の式、（Ｔｅ９８．
８Ｃｒ３．２　）９８Ｃ４で表わせるＴｅＣｒ、Ｃおよ
びＨを含む記録膜を非品質ポリオレフイン基板上に得た
。

実施ＩＡ９ 膜厚を２３０大とした以外は、実施例６と同様にして、
Ｔｅ，ＣｒおよびＣの原子数比が次の式、（　Ｔ　ｅ　
９２　Ｃ　ｒ　８）　９８　Ｃ　２で表わせるＴ　ｅ　
、Ｃ　ｒ　％ＣおよびＨを含む記録膜を非品質ポリオレ
フイン基板上に得た。

実施例１０ Ｔ　ｅ　９７　Ｃ　ｒ　ａの合金ターゲットを用い、膜
厚を２３０大とした以外は、実施例６と同様にして、Ｔ
ｅ，ｃｒおよびＣの原子数比が次の式、”ｅ９７．５Ｃ
ｒ２５）９８Ｃ４で表わせるＴｅ，Ｃｒ、ＣおよびＨを
含む記録膜を非品質ポリオレフイン基板上に得た。

実施例１１ Ｔ　｛３　９４　Ｃ　ｒ　ｅの合金ターゲットを用い、
膜厚を２５０λとした以外は、実施例６と同様にして、
Ｔｅ，ＣｒおよびＣの原子数比が次の式、９５．１　　
４．９　）９８Ｃ２で表わせるＴｅ（Ｔｏ　　　Ｃｒ Ｃ　ｒ　％　ＣおよびＨを含む記録膜を非品質ポリオレ
フィン基板上に得た。

実施例１２〜１７ 実施例６〜１１の光記録媒体（光記録膜）を各々１００
℃の温度でＮ２雰囲気下で２０分間熱処理を施した。

［試験結果］ （１）１８００ｒｐｍでディスクを回転させ３．７Ｍｌ
ｌｚの周波数でレーザー光を照射し、記録特性を調べた
。ここでＣ／Ｎｓ＋ａｘとはレーザーパワーを変えた際
のＣ／Ｎ比の最大値を示す。記録感度はＣ／’Ｎ＞Ｃ／
Ｎ　　ｍａｘＸＯ．９となるレーザーバワーの最小値を
表わし、マージンとはＣ／Ｎ＞Ｃ／Ｎ［ｌａｘ　Ｘ０．
９となるレーザーバワーの範囲を表わす。結果を表１に
示す。

表 １ （２）温度７０℃、相対湿度８５％の環境下に５００時
間放置した後の反射率Ｒを当初の反射率Ｒｏと比較した
場合の試験結果を表２に示す。

表 ２

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る光紀録媒体の概略断面
図、第２．３図は本発明に係る光記録媒体と従来の光記
録媒体との作用効果上の相違を示すグラフ、第４図は本
発明の他の実施例に係る光記録媒体の概略断面図である
。 １ Ｏ ・・光記録媒体 １ １ ・・・基板 １ ２・・・記録膜 １ ３・・・下地層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板と、この基板上に形成された記録膜とからなり
   、この記録膜にエネルギービームを照射することにより
   、この記録膜にピットを形成して情報を記録するように
   した光記録媒体において、前記記録膜は、Ｔｅを主成分
   としてＣｒ、ＣおよびＨを含む薄膜であり、前記記録膜
   に含まれるＣｒおよびＣの含有割合が、記録膜を構成す
   る全原子数に対して、Ｃｒについては０．１〜４０原子
   ％の範囲にあり、Ｃについては５原子％未満の範囲にあ
   ることを特徴とする光記録媒体。 ２）基板と、この基板上に形成された記録膜とからなり
   、この記録膜にエネルギービームを照射することにより
   、この記録膜にピットを形成して情報を記録するように
   した光記録媒体において、前記記録膜は、Ｔｅを主成分
   としてＣｒ、ＣおよびＨを含む薄膜であり、前記記録膜
   に含まれるＣｒの含有割合が、記録膜中のＴｅおよびＣ
   ｒの合計原子数に対して、０．１〜４０原子％の範囲に
   あり、前記記録膜中に含まれるＣの含有割合が、記録膜
   中のＴｅ、ＣｒおよびＣの合計原子数に対して、５原子
   ％未満の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。 ３）請求項第１項または第２項に記載の記録膜を前記基
   板上に成膜した後に、この記録膜を熱処理することを特
   徴とする光記録媒体の製造方法。 ４）前記熱処理は、７０〜３００℃の温度で５秒以上行
   なうことを特徴とする請求項第３項に記載の光記録媒体
   の製造方法。