JPH02249687A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH02249687A JPH02249687A JP1282638A JP28263889A JPH02249687A JP H02249687 A JPH02249687 A JP H02249687A JP 1282638 A JP1282638 A JP 1282638A JP 28263889 A JP28263889 A JP 28263889A JP H02249687 A JPH02249687 A JP H02249687A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、光あるいは熱等のエネルギービームの照射に
より基板上の記録膜における照射部に光学的特性の変化
を生じさせて情報を記録するようにした光記録媒体およ
びその製造方法に関する。
より基板上の記録膜における照射部に光学的特性の変化
を生じさせて情報を記録するようにした光記録媒体およ
びその製造方法に関する。
発明の技術的背景
光記録媒体には、エネルギービームの照射により、記録
膜の一部に穴もしくは凹部等の物理的変化部(ビット)
を形成する方式のものと、記録膜の一部に相変化を生ぜ
しめて光学的特性(屈折率、反射率、透過率など)を変
化させた光学特性変化部を形成する方式のものとがある
。現在のところ、記録膜の一部に穴等の物理的変化部を
形成する方式(ピット形成方式)の光記録媒体が主流で
ある。
膜の一部に穴もしくは凹部等の物理的変化部(ビット)
を形成する方式のものと、記録膜の一部に相変化を生ぜ
しめて光学的特性(屈折率、反射率、透過率など)を変
化させた光学特性変化部を形成する方式のものとがある
。現在のところ、記録膜の一部に穴等の物理的変化部を
形成する方式(ピット形成方式)の光記録媒体が主流で
ある。
しかしながら、ビット形成方式の光記録媒体にあっては
、■記録膜の一部にビットを形成するために比較的大き
な記録用出力を要し、■記録ピット形状の制御が困難で
あり、■高密度の記録が困難であり、■二枚の光記録媒
体を密着して貼り合せることができない等の不都合を有
する。これに対して、記録膜の一部に相変化を生ぜしめ
て光学特性変化部を形成する方式(相変化方式)の光記
録媒体にあっては、ピット形成方式の光記録媒体が有す
る不都合を回避することができる。
、■記録膜の一部にビットを形成するために比較的大き
な記録用出力を要し、■記録ピット形状の制御が困難で
あり、■高密度の記録が困難であり、■二枚の光記録媒
体を密着して貼り合せることができない等の不都合を有
する。これに対して、記録膜の一部に相変化を生ぜしめ
て光学特性変化部を形成する方式(相変化方式)の光記
録媒体にあっては、ピット形成方式の光記録媒体が有す
る不都合を回避することができる。
相変化方式の光記録媒体としては、たとえばTe−Ge
−5bから成る記録膜を有する光記録媒体(特開昭62
−196,181号公報)や、T e−3n−Z n−
Sから成る記録膜を有する光記録媒体(特開昭62−1
67.632号公報)等の合金系記録膜を有する光記録
媒体が知られている。しかしながら、このような合金系
の記録膜を有する光記録媒体にあっては、基板上に合金
系の記録膜を成膜する際に、合金組成の割合を制御する
ことが比較的困難であり再現性に乏しく、一定の性能を
有する光記録媒体を生産性良く製造することができない
という不都合を有している。
−5bから成る記録膜を有する光記録媒体(特開昭62
−196,181号公報)や、T e−3n−Z n−
Sから成る記録膜を有する光記録媒体(特開昭62−1
67.632号公報)等の合金系記録膜を有する光記録
媒体が知られている。しかしながら、このような合金系
の記録膜を有する光記録媒体にあっては、基板上に合金
系の記録膜を成膜する際に、合金組成の割合を制御する
ことが比較的困難であり再現性に乏しく、一定の性能を
有する光記録媒体を生産性良く製造することができない
という不都合を有している。
また、同じ相変化方式の光記録媒体として、Te Ox
系の記録膜を有する光記録媒体(特開昭50−48.3
17号公報)も知られているが、この光記録媒体にあっ
ては、■記録膜の結晶化温度が低いので非晶質安定性す
なわち寿命が短く、■その製造に際して酸素雰囲気下で
反応性スパッタリングを行うと、酸素が助燃性であるこ
とから、成膜時の安全を害する虞があるという不都合を
有する。
系の記録膜を有する光記録媒体(特開昭50−48.3
17号公報)も知られているが、この光記録媒体にあっ
ては、■記録膜の結晶化温度が低いので非晶質安定性す
なわち寿命が短く、■その製造に際して酸素雰囲気下で
反応性スパッタリングを行うと、酸素が助燃性であるこ
とから、成膜時の安全を害する虞があるという不都合を
有する。
本発明者等は、Teを主成分とする相変化方式の記録膜
を有する光記録媒体について鋭意検討したところ、Te
にPdおよびNを含有させた記録膜を基板と保護膜との
間に設けることで、記録膜の非晶質安定性(非晶質状態
を安定して保持し得ること)が良くなると共に耐酸化性
が向上し、光記録媒体の長寿命化が図れ、しかも高C/
N比および広記録マージンが得られ、さらに記録膜の成
膜性が向上することを見出し、本発明を完成するに至っ
た。なお、C/N比とは、情報再生時における出力信号
(C)と雑音(N)との比を示し、これが高い程良い。
を有する光記録媒体について鋭意検討したところ、Te
にPdおよびNを含有させた記録膜を基板と保護膜との
間に設けることで、記録膜の非晶質安定性(非晶質状態
を安定して保持し得ること)が良くなると共に耐酸化性
が向上し、光記録媒体の長寿命化が図れ、しかも高C/
N比および広記録マージンが得られ、さらに記録膜の成
膜性が向上することを見出し、本発明を完成するに至っ
た。なお、C/N比とは、情報再生時における出力信号
(C)と雑音(N)との比を示し、これが高い程良い。
また、記録マージンとは、記録用エネルギー出力の微小
変動に応じたC/N比の変化の度合を示し、マージンが
広い程C/N比の変化が少なく、記録・再生性能が安定
する。
変動に応じたC/N比の変化の度合を示し、マージンが
広い程C/N比の変化が少なく、記録・再生性能が安定
する。
発明の目的
本発明は、このような新たな知見に基づきなされたもの
であり、記録膜の非晶質安定性を高めると共に耐酸化性
を向上させ、光記録媒体の長寿命化を図り、しかも高C
/N比および広記録マージンが得られ、さらに、記録膜
の成膜性が良好な相変化方式の光記録媒体を提供するこ
とを目的としている。
であり、記録膜の非晶質安定性を高めると共に耐酸化性
を向上させ、光記録媒体の長寿命化を図り、しかも高C
/N比および広記録マージンが得られ、さらに、記録膜
の成膜性が良好な相変化方式の光記録媒体を提供するこ
とを目的としている。
発明の概要
このような目的を達成するために、本発明に係る光記録
媒体は、基板と、この基板上に形成された記録膜と、こ
の記録膜上に形成された保護膜とを有し、前記記録膜に
エネルギービームを照射することにより、この記録膜に
おける照射部に相変化を生じさせて光学特性変化部を形
成して情報を記録するようにした光記録媒体であって、
前記記録膜は、Te5PdおよびNを含む薄膜であるこ
とを特徴としている。
媒体は、基板と、この基板上に形成された記録膜と、こ
の記録膜上に形成された保護膜とを有し、前記記録膜に
エネルギービームを照射することにより、この記録膜に
おける照射部に相変化を生じさせて光学特性変化部を形
成して情報を記録するようにした光記録媒体であって、
前記記録膜は、Te5PdおよびNを含む薄膜であるこ
とを特徴としている。
また本発明に係る光記録媒体の製造方法は、基板と、こ
の基板上に形成されたTOlPdおよびNを含む記録膜
と、この記録膜上に形成された保護膜とを有し、前記記
録膜にエネルギービームを照射することにより、この記
録膜における照射部に相変化を生じさせて光学特性変化
部を形成して情報を記録するようにした光記録媒体を製
造する方法であって、 前記記録膜を基板上に成膜するに際して、ArおよびN
2ガスの雰囲気下で反応性スパッタリングを行い、 前記ArおよびN2ガス中のArとN2との流量比((
N2/ (Ar +N2))を1〜80%とすることを
特徴としている。
の基板上に形成されたTOlPdおよびNを含む記録膜
と、この記録膜上に形成された保護膜とを有し、前記記
録膜にエネルギービームを照射することにより、この記
録膜における照射部に相変化を生じさせて光学特性変化
部を形成して情報を記録するようにした光記録媒体を製
造する方法であって、 前記記録膜を基板上に成膜するに際して、ArおよびN
2ガスの雰囲気下で反応性スパッタリングを行い、 前記ArおよびN2ガス中のArとN2との流量比((
N2/ (Ar +N2))を1〜80%とすることを
特徴としている。
このような本発明に係る光記録媒体およびその製造方法
によれば、Teを主成分とする記録膜にPdおよびNを
含有させ、この記録膜を基板と保護膜との間に積層させ
ることで、記録膜の非晶質安定性および耐酸化性が向上
し、光記録媒体の長寿命化が図れる。しかも記録膜中に
Pdを含有させるようにしているため、Nの含有量を多
くしても記録膜が割れ易くなることはなくなり、成膜性
が向上する。また、本発明によれば、情報再生時のC/
N比が向上すると共に、記録マージンも広がる。
によれば、Teを主成分とする記録膜にPdおよびNを
含有させ、この記録膜を基板と保護膜との間に積層させ
ることで、記録膜の非晶質安定性および耐酸化性が向上
し、光記録媒体の長寿命化が図れる。しかも記録膜中に
Pdを含有させるようにしているため、Nの含有量を多
くしても記録膜が割れ易くなることはなくなり、成膜性
が向上する。また、本発明によれば、情報再生時のC/
N比が向上すると共に、記録マージンも広がる。
発明の詳細な説明
以下、本発明を図面に示す、実施例に基づき詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図である。
図である。
第1図に示すように、本発明に係る光記録媒体10は、
基板11と、この基板の表面に形成された記録膜12と
、この記録膜12の表面に形成された保護膜13とから
構成されている。
基板11と、この基板の表面に形成された記録膜12と
、この記録膜12の表面に形成された保護膜13とから
構成されている。
基板11としては、たとえばガラスあるいはアルミニウ
ム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのポ
リマーアロイ、米国特許第4614778号明細書に示
されるような非晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−
■−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン
、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、エチレン・テ
トラシクロドデセン共重合体等の有機材料を用いること
ができる。この基板11の厚みは、記録媒体10全体に
適度な剛性を付与するのに十分な厚さであれば良く、好
ましくは0.5〜2.5a+m、特に好ましくは1〜1
.5mm程度である。
ム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのポ
リマーアロイ、米国特許第4614778号明細書に示
されるような非晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−
■−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン
、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、エチレン・テ
トラシクロドデセン共重合体等の有機材料を用いること
ができる。この基板11の厚みは、記録媒体10全体に
適度な剛性を付与するのに十分な厚さであれば良く、好
ましくは0.5〜2.5a+m、特に好ましくは1〜1
.5mm程度である。
本発明に係る記録膜12は、Teを主成分としてPdお
よびNを少なくとも含む薄膜であり、Te以外の低融点
元素、ないしはその他の成分を含んでも良い。記録膜1
2中に含ませることが可能なTe以外の元素としては、
T I SM n s N l 5ZrSNb、Ta、
AN、Pt、Se、Bi、In、Se、Pb、Co、S
I Pd、Sn。
よびNを少なくとも含む薄膜であり、Te以外の低融点
元素、ないしはその他の成分を含んでも良い。記録膜1
2中に含ませることが可能なTe以外の元素としては、
T I SM n s N l 5ZrSNb、Ta、
AN、Pt、Se、Bi、In、Se、Pb、Co、S
I Pd、Sn。
Zn、Go、Sb等が例示される。
このような記録膜12に含まれるPdの含有割合は、記
録膜中に含まれる全原子数に対して、1〜80原子%、
好ましくは2〜60原子%、特に好ましくは3〜40原
子%の範囲にあることが好ましい。このような範囲でP
dを含ませることにより、記録膜の記録感度およびC/
N比が向上すると共に、記録マージンも広がり、成膜性
も向上する。
録膜中に含まれる全原子数に対して、1〜80原子%、
好ましくは2〜60原子%、特に好ましくは3〜40原
子%の範囲にあることが好ましい。このような範囲でP
dを含ませることにより、記録膜の記録感度およびC/
N比が向上すると共に、記録マージンも広がり、成膜性
も向上する。
また、このような記録膜12に含まれるNの含有割合は
、記録膜中に含まれる全原子数に対して、0.1〜60
原子%、好ましくは0.3〜50原子%、特に好ましく
は0.5〜30原子%の範囲にあることが好ましい。こ
のような範囲でNを含ませることによって、記録膜12
の非晶質安定性および耐酸化性を向上させることができ
るからである。
、記録膜中に含まれる全原子数に対して、0.1〜60
原子%、好ましくは0.3〜50原子%、特に好ましく
は0.5〜30原子%の範囲にあることが好ましい。こ
のような範囲でNを含ませることによって、記録膜12
の非晶質安定性および耐酸化性を向上させることができ
るからである。
なお、記録膜12中に含まれる各元素の含有量は、本発
明においては金属元素(TeSPdなど)についてはI
CP発光分析法(誘導結合型プラズマ発光分析法)によ
って、またNについてはESCA(X線光電子分光)に
よって測定される。
明においては金属元素(TeSPdなど)についてはI
CP発光分析法(誘導結合型プラズマ発光分析法)によ
って、またNについてはESCA(X線光電子分光)に
よって測定される。
このような記録膜12の膜厚は、100人〜1μm好ま
しくは300〜1500人さらに好ましくは700〜1
300人程度である。
しくは300〜1500人さらに好ましくは700〜1
300人程度である。
このような記録膜12を、基板11の表面に成膜するに
は、たとえば次のようにして行なうことができる。
は、たとえば次のようにして行なうことができる。
まず、TeとPdとの合金ターゲットもしくはPdチッ
プを並べたTeターゲットを用い、N2ガスとArガス
との混合ガス中で、反応性スパッタリング法により、基
板11上に、PdおよびNを含むTe薄膜から成る記録
膜12を成膜する。
プを並べたTeターゲットを用い、N2ガスとArガス
との混合ガス中で、反応性スパッタリング法により、基
板11上に、PdおよびNを含むTe薄膜から成る記録
膜12を成膜する。
ご−のような反応性スパッタリングに際して、N ガス
とArガスとの流量比(N2/(Ar+N2))を制御
することにより、記録膜12中に含まれるNの含有割合
を制御することができる。
とArガスとの流量比(N2/(Ar+N2))を制御
することにより、記録膜12中に含まれるNの含有割合
を制御することができる。
N ガスとArガスとの流量比(N 2 / (A r
+N2))は1〜80%、好ましくは10〜40%で
ある。このような流量比でスパッタリングを行うことに
より、非晶質安定性が良く、耐酸化性が向上した記録膜
12を成膜性良く基板11上に得ることができる。また
、スパッタリング法を用いることなく、TeとTe窒化
物およびPdの蒸気とをプラズマ状にして共蒸着法によ
り基板に記録膜12を成膜することも可能である。また
、気相成長またはプラズマ気相成長によっても、同様の
記録膜12を形成することが可能である。さらに他の方
法としてTe s N、Pd原子の一部または全部をイ
オン化してビーム状として基板上に積もらせるようにし
てもよい。
+N2))は1〜80%、好ましくは10〜40%で
ある。このような流量比でスパッタリングを行うことに
より、非晶質安定性が良く、耐酸化性が向上した記録膜
12を成膜性良く基板11上に得ることができる。また
、スパッタリング法を用いることなく、TeとTe窒化
物およびPdの蒸気とをプラズマ状にして共蒸着法によ
り基板に記録膜12を成膜することも可能である。また
、気相成長またはプラズマ気相成長によっても、同様の
記録膜12を形成することが可能である。さらに他の方
法としてTe s N、Pd原子の一部または全部をイ
オン化してビーム状として基板上に積もらせるようにし
てもよい。
このようにして成膜された記録膜12上には、保護s1
3が形成される。保護膜13は、記録膜12への記録時
に熱の逃げを防ぎ、記録感度を高めるために、低熱伝導
率(好ましくは、1.OW/(至)・deg以下)の材
質で構成されることが望ましい。たとえば、保護膜13
は、紫外線硬化樹脂等の有機材料や、TI 、A1%N
l 、Cr等の無機材料、あるいはこれらを組み合せた
材料で構成される。保護膜の膜厚は、50人〜lll1
11、好ましくは100人〜0.1e■である。
3が形成される。保護膜13は、記録膜12への記録時
に熱の逃げを防ぎ、記録感度を高めるために、低熱伝導
率(好ましくは、1.OW/(至)・deg以下)の材
質で構成されることが望ましい。たとえば、保護膜13
は、紫外線硬化樹脂等の有機材料や、TI 、A1%N
l 、Cr等の無機材料、あるいはこれらを組み合せた
材料で構成される。保護膜の膜厚は、50人〜lll1
11、好ましくは100人〜0.1e■である。
このような保護膜13を記録膜12の表面に形成するに
は、前述した記録膜12の成膜方法と同様に、反応性ス
パッタリング法、気相成長法、プラズマ気相成長法、蒸
着法など、またはスピンコード法などの塗布によって行
なえばよい。
は、前述した記録膜12の成膜方法と同様に、反応性ス
パッタリング法、気相成長法、プラズマ気相成長法、蒸
着法など、またはスピンコード法などの塗布によって行
なえばよい。
上記のような記録膜12に情報を書込むには、記録すべ
き情報に応じて変m(オン・オフ)されたレーザビーム
等のエネルギービームを、たとえば基板11側から記録
膜12に照射することにより、その照射部の記録膜12
の組成を、非晶質から結晶質へと相変化させ、当該照射
部に対応して光学特性変化部を形成することにより行う
。光学特性変化部とそうでない部分(光学特性非変化部
)とでは、再生用レーザビームを照射した場合の反射率
Rが相違しており、この反射率Rの差を利用して情報の
書き込みおよび読み出しが可能となっている。
き情報に応じて変m(オン・オフ)されたレーザビーム
等のエネルギービームを、たとえば基板11側から記録
膜12に照射することにより、その照射部の記録膜12
の組成を、非晶質から結晶質へと相変化させ、当該照射
部に対応して光学特性変化部を形成することにより行う
。光学特性変化部とそうでない部分(光学特性非変化部
)とでは、再生用レーザビームを照射した場合の反射率
Rが相違しており、この反射率Rの差を利用して情報の
書き込みおよび読み出しが可能となっている。
発明の効果
このような本発明に係る光記録媒体およびその製造方法
によれば、Toを主成分とする記録膜にNを含有させ、
この記録膜を基板と保護膜との間に積層させるようにし
ているので、記録膜の非晶質安定性および耐酸化性が向
上し、光記録媒体の長寿命化が図れる。しかも記録膜中
にPdを含有させるようにしているため、Nの含有量を
多くしても記録膜が割れ易くなることはなくなり、成膜
性が向上する。また、本発明によれば、情報再生時のC
/N比が向上すると共に、記録マージンも広がる等の優
れた効果を有する。
によれば、Toを主成分とする記録膜にNを含有させ、
この記録膜を基板と保護膜との間に積層させるようにし
ているので、記録膜の非晶質安定性および耐酸化性が向
上し、光記録媒体の長寿命化が図れる。しかも記録膜中
にPdを含有させるようにしているため、Nの含有量を
多くしても記録膜が割れ易くなることはなくなり、成膜
性が向上する。また、本発明によれば、情報再生時のC
/N比が向上すると共に、記録マージンも広がる等の優
れた効果を有する。
[実施例]
以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1
第1図に示す構造の光記録媒体10において、基板11
としてエチレン・テトラシクロドデセン共重合体(エチ
レン含量60モル%、テトラシクロドデセン含量40モ
ル%)からなる非晶質ポリオレフィン樹脂からなるディ
スク基板を用い、この基板上に、PdチップをのせたT
eターゲ、ントの反応性スパッタ((N / (Ar
+ N2 ) l −20(流量%))により、T
e N P d I層(Pdニア原子%)を記録膜
12として成膜した。
としてエチレン・テトラシクロドデセン共重合体(エチ
レン含量60モル%、テトラシクロドデセン含量40モ
ル%)からなる非晶質ポリオレフィン樹脂からなるディ
スク基板を用い、この基板上に、PdチップをのせたT
eターゲ、ントの反応性スパッタ((N / (Ar
+ N2 ) l −20(流量%))により、T
e N P d I層(Pdニア原子%)を記録膜
12として成膜した。
これらの値は、ESC^(X−線ホトエレクトロンスペ
クトラム)モデル5sx−too <サーフエースサイ
エンス社製)で測定された値である。測定条件は、 バックグランド圧:5X10 TorrX−線スポ
ットサイズ:0.6m−φ アディションインテグレーション:6回励起源: A
f) K (1487eV)α −ray であった。
クトラム)モデル5sx−too <サーフエースサイ
エンス社製)で測定された値である。測定条件は、 バックグランド圧:5X10 TorrX−線スポ
ットサイズ:0.6m−φ アディションインテグレーション:6回励起源: A
f) K (1487eV)α −ray であった。
さらに、保護層13として、紫外線硬化樹脂をスピンコ
ード法により成膜して光記録媒体を作成した。
ード法により成膜して光記録媒体を作成した。
この光記録媒体のC/N比を、ディスク回転数900r
pm、評価位置が半径50III111記録周波数I
MHz duty= 50%の条件下でnl定し、5
0dB以上のC/N比が得られることを確認した。
pm、評価位置が半径50III111記録周波数I
MHz duty= 50%の条件下でnl定し、5
0dB以上のC/N比が得られることを確認した。
実施例2
N / (A r + N 2 ) = 50 (流
量%)と変化させた以外は、実施例1と同じ条件でスパ
ッタを行ない、成膜が可能であることを確認した。
量%)と変化させた以外は、実施例1と同じ条件でスパ
ッタを行ない、成膜が可能であることを確認した。
第1図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の断面図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板と、この基板上に形成された記録膜と、この記
録膜上に形成された保護膜とを有し、前記記録膜にエネ
ルギービームを照射することにより、この記録膜におけ
る照射部に光学的特性の変化を生じさせて情報を記録す
るようにした光記録媒体であって、 前記記録膜は、Te、PdおよびNを含む薄膜であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 2)記録膜中に含まれるPdの含有量が、記録膜中に含
まれる全原子数に対して1〜80原子%である請求項第
1項に記載の光記録媒体。 3)記録膜中に含まれるNの含有量が、記録膜中に含ま
れる全原子数に対して0.1〜60原子%である請求項
第1項に記載の光記録媒体。 4)基板と、この基板上に形成されたTe、Pdおよび
Nを含む記録膜と、この記録膜上に形成された保護膜と
を有し、前記記録膜にエネルギービームを照射すること
により、この記録膜における照射部に光学的特性の変化
を生じさせて情報を記録するようにした光記録媒体を製
造する方法であって、 前記記録膜を基板上に成膜するに際して、ArおよびN
_2ガスの雰囲気下で反応性スパッタリングを行い、 前記ArおよびN_2ガス中のArとN_2との流量比
{(N_2/(Ar+N_2)}を1〜80%とするこ
とを特徴とする光記録媒体の製造方法。 5)前記{(N_2/(Ar+N_2)}が10〜40
%である請求項第4項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282638A JPH02249687A (ja) | 1988-10-28 | 1989-10-30 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-272696 | 1988-10-28 | ||
JP27269688 | 1988-10-28 | ||
JP1282638A JPH02249687A (ja) | 1988-10-28 | 1989-10-30 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02249687A true JPH02249687A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=26550336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1282638A Pending JPH02249687A (ja) | 1988-10-28 | 1989-10-30 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02249687A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1282638A patent/JPH02249687A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
US7381458B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-06-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
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