JPH05262040A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH05262040A JPH05262040A JP4093906A JP9390692A JPH05262040A JP H05262040 A JPH05262040 A JP H05262040A JP 4093906 A JP4093906 A JP 4093906A JP 9390692 A JP9390692 A JP 9390692A JP H05262040 A JPH05262040 A JP H05262040A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に、Ｔｅを主成分とする層と、Ｂｉお
よびＳｂを主成分とする層からなる２層構造光情報記録
用薄膜を積層させた追記型光情報記録媒体。該ＢｉＳｂ
系層はＢｉx Ｓｂy Ｍz （式中、ｘ，ｙおよびｚは何れ
もat％であり、１０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦９０および
０＜ｚ≦２０の範囲内の値であり、ＭはＯ，Ｎ，Ｃ，Ａ
ｓ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群から選
択される少なくとも１種類の元素である）で示される成
分から形成されている。 【効果】 記録用ビームの照射をうけたとき、整った形
状のピットで記録でき、なおかつ、従来の記録膜が持つ
表面張力および粘性を変え、記録ピットが拡大すること
を防止する。その結果、高密度記録が実現できる。
よびＳｂを主成分とする層からなる２層構造光情報記録
用薄膜を積層させた追記型光情報記録媒体。該ＢｉＳｂ
系層はＢｉx Ｓｂy Ｍz （式中、ｘ，ｙおよびｚは何れ
もat％であり、１０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦９０および
０＜ｚ≦２０の範囲内の値であり、ＭはＯ，Ｎ，Ｃ，Ａ
ｓ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群から選
択される少なくとも１種類の元素である）で示される成
分から形成されている。 【効果】 記録用ビームの照射をうけたとき、整った形
状のピットで記録でき、なおかつ、従来の記録膜が持つ
表面張力および粘性を変え、記録ピットが拡大すること
を防止する。その結果、高密度記録が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関す
る。更に詳細には、本発明は、レーザ光等の記録用ビー
ムによって、基板上に設けられた所定の記録用薄膜に、
例えば、映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変調した
ものや、例えば、電子計算機のデータやファクシミリ信
号などのデジタル情報を、リアルタイムで記録すること
を可能とする追記型の光情報記録媒体（例えば、光ディ
スク）に関する。
る。更に詳細には、本発明は、レーザ光等の記録用ビー
ムによって、基板上に設けられた所定の記録用薄膜に、
例えば、映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変調した
ものや、例えば、電子計算機のデータやファクシミリ信
号などのデジタル情報を、リアルタイムで記録すること
を可能とする追記型の光情報記録媒体（例えば、光ディ
スク）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、記録膜にレーザ光等の記録用エネ
ルギービームを照射し、凹状または孔部を形成させるこ
とにより情報の記録を行う追記型の情報記録用薄膜にお
いて、Ｔｅ−Ｓｅ、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｃ、Ａｇ
−Ｔｅ−Ｃ、Ａｓ−ＴｅなどのＴｅを主成分とするＴｅ
系の材料を蒸着、スパッタリング等の方法で作製した記
録膜が高い光吸収率、適当な低融点、低熱伝導率、整っ
た形の孔を形成させるための表面張力や粘性から孔形成
による記録膜の代表的な材料の一つに挙げられている。
ルギービームを照射し、凹状または孔部を形成させるこ
とにより情報の記録を行う追記型の情報記録用薄膜にお
いて、Ｔｅ−Ｓｅ、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｃ、Ａｇ
−Ｔｅ−Ｃ、Ａｓ−ＴｅなどのＴｅを主成分とするＴｅ
系の材料を蒸着、スパッタリング等の方法で作製した記
録膜が高い光吸収率、適当な低融点、低熱伝導率、整っ
た形の孔を形成させるための表面張力や粘性から孔形成
による記録膜の代表的な材料の一つに挙げられている。
【０００３】これらの薄膜は一般に、ガラスやプラスチ
ックなどの高光透過率の基板上に形成され、追記型の光
情報記録媒体として用いられている。
ックなどの高光透過率の基板上に形成され、追記型の光
情報記録媒体として用いられている。
【０００４】しかし、上記の材料からなる記録膜に記録
用ビームを照射するとその初期に薄膜が溶融、蒸発、昇
華あるいは変形して基板に達する小さな孔が形成される
が、表面張力などの効果によって初期に形成された小孔
の拡大作用が生じ、記録用ビームが照射されて記録膜の
融点よりも温度が高く溶融して部分全体が孔となってし
まう。従って、小さな孔を開けて高密度記録を実現しよ
うとしても、孔の拡大作用のために記録ピットの高密度
記録を達成することができないという問題があった。こ
のような従来技術に関する公知例として、例えば、特開
昭５７−６６９９６号公報、特開昭５８−２２４４６号
公報および特公昭６２−４４３３３号公報などが挙げら
れる。
用ビームを照射するとその初期に薄膜が溶融、蒸発、昇
華あるいは変形して基板に達する小さな孔が形成される
が、表面張力などの効果によって初期に形成された小孔
の拡大作用が生じ、記録用ビームが照射されて記録膜の
融点よりも温度が高く溶融して部分全体が孔となってし
まう。従って、小さな孔を開けて高密度記録を実現しよ
うとしても、孔の拡大作用のために記録ピットの高密度
記録を達成することができないという問題があった。こ
のような従来技術に関する公知例として、例えば、特開
昭５７−６６９９６号公報、特開昭５８−２２４４６号
公報および特公昭６２−４４３３３号公報などが挙げら
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、従来の
記録膜に記録用ビームを照射して局所的に加熱し、溶
融、蒸発あるいは昇華させて孔（記録用ピット）を形成
させる場合に、表面張力などによる孔の拡大効果によっ
て記録ピットが大きくなり易く、そのため、単位記録面
積当りの記録容量に限界が生じ、高密度記録を達成でき
ないという問題があった。従って、本発明の目的は、記
録膜に記録用ビームを照射しても形成される記録ピット
が小さいままで保持され、更に、整った形成の記録ピッ
トを形成でき、記録再生特性に優れ、高密度記録が可能
な追記型光情報記録媒体を提供することである。
記録膜に記録用ビームを照射して局所的に加熱し、溶
融、蒸発あるいは昇華させて孔（記録用ピット）を形成
させる場合に、表面張力などによる孔の拡大効果によっ
て記録ピットが大きくなり易く、そのため、単位記録面
積当りの記録容量に限界が生じ、高密度記録を達成でき
ないという問題があった。従って、本発明の目的は、記
録膜に記録用ビームを照射しても形成される記録ピット
が小さいままで保持され、更に、整った形成の記録ピッ
トを形成でき、記録再生特性に優れ、高密度記録が可能
な追記型光情報記録媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、基板と、該基板上に積層された情報記
録用薄膜とを有し、該薄膜は記録用ビームの照射をうけ
て表面に凹部または孔部を形成することからなる追記型
光情報記録媒体において、前記情報記録用薄膜はＴｅを
主成分とする層と、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層と
の２層構造からなることを特徴とする追記型光情報記録
媒体を提供する。
に、本発明では、基板と、該基板上に積層された情報記
録用薄膜とを有し、該薄膜は記録用ビームの照射をうけ
て表面に凹部または孔部を形成することからなる追記型
光情報記録媒体において、前記情報記録用薄膜はＴｅを
主成分とする層と、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層と
の２層構造からなることを特徴とする追記型光情報記録
媒体を提供する。
【０００７】
【作用】前記のように、２層構造光情報記録用薄膜にお
けるＢｉおよびＳｂを主成分とする層は、記録用ビーム
の照射をうけたとき、整った形状のピットで記録でき、
なおかつ、従来の記録膜が持つ表面張力および粘性を変
え、記録ピットが拡大することを防止する。その結果、
本発明の２層構造光情報記録用薄膜は形状の整った小さ
な記録ピットを形成することができ、高密度記録が実現
できる。
けるＢｉおよびＳｂを主成分とする層は、記録用ビーム
の照射をうけたとき、整った形状のピットで記録でき、
なおかつ、従来の記録膜が持つ表面張力および粘性を変
え、記録ピットが拡大することを防止する。その結果、
本発明の２層構造光情報記録用薄膜は形状の整った小さ
な記録ピットを形成することができ、高密度記録が実現
できる。
【０００８】
【実施例】本発明の追記型光情報記録媒体の具体的構成
について更に詳細に説明する。
について更に詳細に説明する。
【０００９】本発明の２層構造情報記録用薄膜における
Ｔｅを主成分とする層は、Ｔｅを５０at％を超え、１０
０at％まで含有することを意味し、Ｔｅ以外の成分を含
む場合、Ｔｅ以外の成分としては、例えば、Ｓｅ，Ａ
ｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，ＴａおよびＣからな
る群から選択される少なくとも１種類の元素を使用する
ことができる。
Ｔｅを主成分とする層は、Ｔｅを５０at％を超え、１０
０at％まで含有することを意味し、Ｔｅ以外の成分を含
む場合、Ｔｅ以外の成分としては、例えば、Ｓｅ，Ａ
ｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，ＴａおよびＣからな
る群から選択される少なくとも１種類の元素を使用する
ことができる。
【００１０】上記のＢｉおよびＳｂを主成分とする層
は、その膜厚方向の平均組成が次の一般式で表されるも
のである。 Ｂｉx Ｓｂy Ｍz （式中、ｘ，ｙおよびｚは何れもat％であり、１０≦ｘ
≦６０，４０≦ｙ≦９０および０＜ｚ≦２０の範囲内の
値であり、ＭはＯ，Ｎ，Ｃ，Ａｓ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，ＷおよびＴａからなる群から選択される少なくとも
１種類の元素である） 従って、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層は少なくとも
３種類の成分から構成されている。ｘ，ｙおよびｚの一
層好ましい範囲は、２０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦８０お
よび０＜ｚ≦１５である。また、ｘ，ｙおよびｚの特に
好ましい範囲は、３０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦７０およ
び０＜ｚ≦１０である。この組成範囲にある本発明の２
層構造情報記録用薄膜は整った形状の小さな記録ピット
で記録でき、しかも、優れた記録再生特性を示す。
は、その膜厚方向の平均組成が次の一般式で表されるも
のである。 Ｂｉx Ｓｂy Ｍz （式中、ｘ，ｙおよびｚは何れもat％であり、１０≦ｘ
≦６０，４０≦ｙ≦９０および０＜ｚ≦２０の範囲内の
値であり、ＭはＯ，Ｎ，Ｃ，Ａｓ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，ＷおよびＴａからなる群から選択される少なくとも
１種類の元素である） 従って、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層は少なくとも
３種類の成分から構成されている。ｘ，ｙおよびｚの一
層好ましい範囲は、２０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦８０お
よび０＜ｚ≦１５である。また、ｘ，ｙおよびｚの特に
好ましい範囲は、３０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦７０およ
び０＜ｚ≦１０である。この組成範囲にある本発明の２
層構造情報記録用薄膜は整った形状の小さな記録ピット
で記録でき、しかも、優れた記録再生特性を示す。
【００１１】前記の一般式において、Ｍで表される元素
のうち、Ａｓ，Ｓ，ＳｉおよびＧｅは記録ピットの形状
を整える効果がある。また、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，
ＺｎおよびＣｄは光吸収を増し、記録感度を向上させる
効果がある。一方、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａは光反射率を高め
る効果を有する。更に、Ｏ，ＣおよびＳｅは耐酸化性を
向上させ、Ｎは膜の安定化に役立ち、Ｔｌは膜の構造変
化を防ぐ効果がある。
のうち、Ａｓ，Ｓ，ＳｉおよびＧｅは記録ピットの形状
を整える効果がある。また、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，
ＺｎおよびＣｄは光吸収を増し、記録感度を向上させる
効果がある。一方、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａは光反射率を高め
る効果を有する。更に、Ｏ，ＣおよびＳｅは耐酸化性を
向上させ、Ｎは膜の安定化に役立ち、Ｔｌは膜の構造変
化を防ぐ効果がある。
【００１２】本発明の光情報記録用薄膜のＴｅを主成分
とする層の膜厚は２nm〜２００nmの範囲内であることが
好ましい。また、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層の膜
厚は１nm〜１０nmの範囲内であることが好ましい。積層
した２層膜の合計の厚さは３nm〜３００nmの範囲内であ
ることが好ましい。この膜厚の合計厚さが３nm未満では
記録ピットの小径化の効果が少なく、また、３００nmを
超えると記録感度が低下するので好ましくない。２層構
造光情報記録用薄膜の膜厚は３nm〜８０nmの範囲内であ
ることが好ましい。Ｔｅを主成分とする層とＢｉおよび
Ｓｂを主成分とする層の膜厚比を１／３以上３以下の範
囲内とすることが好ましい。膜厚比１／３未満または３
を超えるところでは若干の記録ピット（孔）の小径化は
認められるが、著しい記録ピットの小径化は認められな
い。膜厚比は１／２以上２以下の範囲内が特に好まし
く、両層の膜厚比を１：１とすることが最も好ましい。
とする層の膜厚は２nm〜２００nmの範囲内であることが
好ましい。また、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層の膜
厚は１nm〜１０nmの範囲内であることが好ましい。積層
した２層膜の合計の厚さは３nm〜３００nmの範囲内であ
ることが好ましい。この膜厚の合計厚さが３nm未満では
記録ピットの小径化の効果が少なく、また、３００nmを
超えると記録感度が低下するので好ましくない。２層構
造光情報記録用薄膜の膜厚は３nm〜８０nmの範囲内であ
ることが好ましい。Ｔｅを主成分とする層とＢｉおよび
Ｓｂを主成分とする層の膜厚比を１／３以上３以下の範
囲内とすることが好ましい。膜厚比１／３未満または３
を超えるところでは若干の記録ピット（孔）の小径化は
認められるが、著しい記録ピットの小径化は認められな
い。膜厚比は１／２以上２以下の範囲内が特に好まし
く、両層の膜厚比を１：１とすることが最も好ましい。
【００１３】Ｔｅを主成分とする層とＢｉおよびＳｂを
主成分とする層からなる本発明の２層構造光情報記録用
薄膜において、記録ピットの形状が整っていて、かつ、
記録ピットを小径化することのできるメカニズムは、孔
形成の際に、孔の周囲部で２層膜の少なくとも一部が溶
融して混じり合って高融点の合金あるいは金属間化合物
が生成され、表面張力などの効果で孔の拡大が起こる前
に、あるいは、孔の拡大が生じつつある間に孔の周囲部
が急速に凝固するものと考えられている。
主成分とする層からなる本発明の２層構造光情報記録用
薄膜において、記録ピットの形状が整っていて、かつ、
記録ピットを小径化することのできるメカニズムは、孔
形成の際に、孔の周囲部で２層膜の少なくとも一部が溶
融して混じり合って高融点の合金あるいは金属間化合物
が生成され、表面張力などの効果で孔の拡大が起こる前
に、あるいは、孔の拡大が生じつつある間に孔の周囲部
が急速に凝固するものと考えられている。
【００１４】所望により、基板と２層構造光情報記録用
薄膜との間に別の層を介在させることもできる。例え
ば、基板表面に接して紫外線硬化樹脂層を設けることが
できる。これはトラッキング用の溝を形成するためなど
に用いられる。また、基板と記録用薄膜との間にニトロ
セルロース、テフロンのような有機下地層を設けること
もできる。これは記録感度向上などに用いられる。これ
ら紫外線硬化樹脂層および有機下地層の膜厚自体は特に
限定されないが、使用する場合は一般的に、紫外線硬化
樹脂層の膜厚が２μｍ〜１００μｍの範囲内で、有機下
地層の膜厚が２０nm〜５００nmの範囲内であることが好
ましい。
薄膜との間に別の層を介在させることもできる。例え
ば、基板表面に接して紫外線硬化樹脂層を設けることが
できる。これはトラッキング用の溝を形成するためなど
に用いられる。また、基板と記録用薄膜との間にニトロ
セルロース、テフロンのような有機下地層を設けること
もできる。これは記録感度向上などに用いられる。これ
ら紫外線硬化樹脂層および有機下地層の膜厚自体は特に
限定されないが、使用する場合は一般的に、紫外線硬化
樹脂層の膜厚が２μｍ〜１００μｍの範囲内で、有機下
地層の膜厚が２０nm〜５００nmの範囲内であることが好
ましい。
【００１５】本発明の２層構造光情報記録用薄膜の成膜
方法としては、真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング、イオンビーム蒸着、
イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、ＣＶＤ、プラ
ズマ重合、塗布などの方法を使用することができる。ま
た、有機下地層の形成方法としては上記成膜法に加え
て、スピンコートなどが使用できる。紫外線硬化樹脂層
は一般にホトポリメリゼーション法（２Ｐ法）で形成す
ることができる。
方法としては、真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング、イオンビーム蒸着、
イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、ＣＶＤ、プラ
ズマ重合、塗布などの方法を使用することができる。ま
た、有機下地層の形成方法としては上記成膜法に加え
て、スピンコートなどが使用できる。紫外線硬化樹脂層
は一般にホトポリメリゼーション法（２Ｐ法）で形成す
ることができる。
【００１６】本発明の２層構造光情報記録用薄膜は結晶
でも、非晶質状態でもどちらでもよい。結晶の場合には
膜の安定性の点で好ましく、非晶質状態の場合にはノイ
ズが低くなるという点で好ましい。Ｔｅ系膜とＢｉ−Ｓ
ｂ系膜の一方が結晶で他方が非晶質であることも可能で
ある。
でも、非晶質状態でもどちらでもよい。結晶の場合には
膜の安定性の点で好ましく、非晶質状態の場合にはノイ
ズが低くなるという点で好ましい。Ｔｅ系膜とＢｉ−Ｓ
ｂ系膜の一方が結晶で他方が非晶質であることも可能で
ある。
【００１７】本発明の記録膜を形成する基板あるいは基
材（テープなど）はアクリル樹脂、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリスチレン、ポリエチレンなどの有機物でもよ
く、あるいは、ガラスなどの無機物でもよい。また、こ
れらの複合材料でもよい。
材（テープなど）はアクリル樹脂、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリスチレン、ポリエチレンなどの有機物でもよ
く、あるいは、ガラスなどの無機物でもよい。また、こ
れらの複合材料でもよい。
【００１８】本発明の光情報記録媒体はディスク状とし
てばかりでなく、テープ状、ドラム状、カード状などの
他の形態をとることもできる。
てばかりでなく、テープ状、ドラム状、カード状などの
他の形態をとることもできる。
【００１９】以下、本発明の光情報記録媒体について具
体例を挙げて更に詳細に説明する。
体例を挙げて更に詳細に説明する。
【００２０】実施例 図１に本発明の光情報記録媒体の一例の模式的部分断面
図を示す。図において、直径が３０cmで厚さが１．１mm
のドーナツ状化学強化ガラスからなる透明基板１の表面
に、紫外線硬化樹脂層２およびニトロセルロースからな
る有機下地層３によって、トラッキング用の溝６のレプ
リカを形成した透明基板１上に、Ｂｉ49Ｓｂ49Ｓ2 層４
をスパッタリング法によって約５nmの膜厚に形成し、次
いで、Ｐｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18層５を約１０nmの膜厚で積層
して光情報記録用薄膜７を形成し、光ディスクを作製し
た。この光ディスクを、１０００rpm の速度で回転さ
せ、半導体レーザ光のパワーを記録が行われない低レベ
ルに保持して、光記録ヘッド中のレンズで集光し、この
集光ビームを、薄膜７からの反射光を検出することによ
ってトラッキング用の溝６の中心と光スポットの中心と
が常に一致するように光ヘッドを駆動させた。このよう
にトラッキングを行いながら、更に記録用薄膜７上に焦
点が合焦されるように自動焦点合わせを行い、３Ｔ信号
をデューティ比５０％で記録した。この記録によって、
Ｂｉ49Ｓｂ49Ｓ2 層４とＰｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18層５からな
る光情報記録用薄膜７に孔（記録ピット）が形成され
た。
図を示す。図において、直径が３０cmで厚さが１．１mm
のドーナツ状化学強化ガラスからなる透明基板１の表面
に、紫外線硬化樹脂層２およびニトロセルロースからな
る有機下地層３によって、トラッキング用の溝６のレプ
リカを形成した透明基板１上に、Ｂｉ49Ｓｂ49Ｓ2 層４
をスパッタリング法によって約５nmの膜厚に形成し、次
いで、Ｐｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18層５を約１０nmの膜厚で積層
して光情報記録用薄膜７を形成し、光ディスクを作製し
た。この光ディスクを、１０００rpm の速度で回転さ
せ、半導体レーザ光のパワーを記録が行われない低レベ
ルに保持して、光記録ヘッド中のレンズで集光し、この
集光ビームを、薄膜７からの反射光を検出することによ
ってトラッキング用の溝６の中心と光スポットの中心と
が常に一致するように光ヘッドを駆動させた。このよう
にトラッキングを行いながら、更に記録用薄膜７上に焦
点が合焦されるように自動焦点合わせを行い、３Ｔ信号
をデューティ比５０％で記録した。この記録によって、
Ｂｉ49Ｓｂ49Ｓ2 層４とＰｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18層５からな
る光情報記録用薄膜７に孔（記録ピット）が形成され
た。
【００２１】比較例 比較例として、膜厚２０nmの従来のＰｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18
単層からなる光記録用薄膜に、実施例と同様に光記録を
した。得られた両方の光情報記録媒体について、走査電
子顕微鏡（ＳＥＭ）で記録ピットを観察し、孔（記録ピ
ット）の幅（内径）を測定した。その結果、実施例の光
情報記録用薄膜７においては、記録パワー８ｍＷでは孔
の幅（内径）は従来のものよりも０．２μｍ小さくなっ
た。従って、記録ピットの小径化の効果が認められ、高
密度記録を実現させることができた。
単層からなる光記録用薄膜に、実施例と同様に光記録を
した。得られた両方の光情報記録媒体について、走査電
子顕微鏡（ＳＥＭ）で記録ピットを観察し、孔（記録ピ
ット）の幅（内径）を測定した。その結果、実施例の光
情報記録用薄膜７においては、記録パワー８ｍＷでは孔
の幅（内径）は従来のものよりも０．２μｍ小さくなっ
た。従って、記録ピットの小径化の効果が認められ、高
密度記録を実現させることができた。
【００２２】上記Ｂｉ49Ｓｂ49Ｓ2 層４の代わりに、Ｓ
の含有量を一定にして、ＢｉとＳｂの比を変えた層を用
いたところ内径減少量は下記の表１のように変化した。
の含有量を一定にして、ＢｉとＳｂの比を変えた層を用
いたところ内径減少量は下記の表１のように変化した。
【００２３】
【表１】 表１ Ｂｉx Ｓｂy Ｓz 内径減少量（μｍ） Ｂｉ65Ｓｂ33Ｓ2 ０．１ Ｂｉ58Ｓｂ40Ｓ2 ０．２ Ｂｉ30Ｓｂ68Ｓ2 ０．２ Ｂｉ20Ｓｂ78Ｓ2 ０．１５ Ｂｉ10Ｓｂ88Ｓ2 ０．１ Ｂｉ5 Ｓｂ93Ｓ2 ０．０
【００２４】これらの媒体を６０℃，９０％ＲＨの雰囲
気中で加速環境試験にかけたが、２０００時間以上経過
した後でも特に異常は生じなかった。ただし、Ｂｉ65Ｓ
ｂ33Ｓ2 はやや耐酸化性に劣っていた。
気中で加速環境試験にかけたが、２０００時間以上経過
した後でも特に異常は生じなかった。ただし、Ｂｉ65Ｓ
ｂ33Ｓ2 はやや耐酸化性に劣っていた。
【００２５】また、上記Ｂｉ49Ｓｂ49Ｓ2 層４の代わり
に、ＢｉとＳｂの比を一定にして、Ｓの含有量を変えた
層を用い、３Ｔ信号のＣ／Ｎを測定した。また、孔あけ
に必要な最低の記録パワー（記録感度）についても測定
した。結果を下記の表２に示す。
に、ＢｉとＳｂの比を一定にして、Ｓの含有量を変えた
層を用い、３Ｔ信号のＣ／Ｎを測定した。また、孔あけ
に必要な最低の記録パワー（記録感度）についても測定
した。結果を下記の表２に示す。
【００２６】
【表２】 表２ Ｓ（at％） Ｃ／Ｎ（ｄＢ） 記録感度（ｍＷ） ０ ６２ ７ １ ６２ ６ １０ ６２ ６ １５ ６２ ５ ２０ ６０ ５ ２５ ５５ ４
【００２７】実施例においては、光情報記録用薄膜７を
構成する薄膜として、Ｐｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18層５を用いた
が、このＰｂ−Ｔｅ−Ｓｅ以外の、Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−
Ｃ、Ａｇ−Ｔｅ−ＣおよびＡｓ−ＴｅなどのＴｅを主成
分とするＴｅ系薄膜を用いた場合においても実施例と同
様の効果が得られた。
構成する薄膜として、Ｐｂ3 Ｔｅ79Ｓｅ18層５を用いた
が、このＰｂ−Ｔｅ−Ｓｅ以外の、Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−
Ｃ、Ａｇ−Ｔｅ−ＣおよびＡｓ−ＴｅなどのＴｅを主成
分とするＴｅ系薄膜を用いた場合においても実施例と同
様の効果が得られた。
【００２８】また、Ｓの代わりに、Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ａｓ，
Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ
ｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒ
ｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群から選択され
る少なくとも１種類の元素を用いても実施例と同様の効
果が得られた。
Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ
ｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒ
ｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群から選択され
る少なくとも１種類の元素を用いても実施例と同様の効
果が得られた。
【００２９】本実施例の２層構造光情報記録膜を用いる
と従来の記録膜よりも約１．７倍の情報を記録すること
ができる。記録用レーザビームのスポット径が同一で
も、これだけ多くの情報を記録できるので、技術進歩に
よりレーザビームのスポット径が更に小さくなれば、よ
り一層多量の情報を記録することができるようになる。
と従来の記録膜よりも約１．７倍の情報を記録すること
ができる。記録用レーザビームのスポット径が同一で
も、これだけ多くの情報を記録できるので、技術進歩に
よりレーザビームのスポット径が更に小さくなれば、よ
り一層多量の情報を記録することができるようになる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の２層構造
光情報記録用薄膜におけるＢｉおよびＳｂを主成分とす
る層は、記録用ビームの照射をうけたとき、整った形状
のピットで記録でき、なおかつ、従来の記録膜が持つ表
面張力および粘性を変え、記録ピットが拡大することを
防止する。その結果、本発明の２層構造光情報記録用薄
膜は形状の整った小さな記録ピットを形成することがで
き、高密度記録が実現できる。
光情報記録用薄膜におけるＢｉおよびＳｂを主成分とす
る層は、記録用ビームの照射をうけたとき、整った形状
のピットで記録でき、なおかつ、従来の記録膜が持つ表
面張力および粘性を変え、記録ピットが拡大することを
防止する。その結果、本発明の２層構造光情報記録用薄
膜は形状の整った小さな記録ピットを形成することがで
き、高密度記録が実現できる。
【図１】本発明の光情報記録媒体の一例の模式的断面図
である。
である。
【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 紫外線硬化樹脂層 ３ 有機下地層 ４ ＢｉＳｂ系層 ５ Ｔｅ系層 ６ 案内溝 ７ ２層構造光情報記録薄膜
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に積層された情報記録
用薄膜とを有し、該薄膜は記録用ビームの照射をうけて
表面に凹部または孔部を形成することからなる追記型の
光情報記録媒体において、前記情報記録用薄膜はＴｅを
主成分とする層と、ＢｉおよびＳｂを主成分とする層と
の２層構造からなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記ＢｉおよびＳｂを主成分とする層は
一般式Ｂｉx ＳｂyＭz （式中、ｘ，ｙおよびｚは何れ
もat％であり、１０≦ｘ≦６０，４０≦ｙ≦９０および
０＜ｚ≦２０の範囲内の値であり、ＭはＯ，Ｎ，Ｃ，Ａ
ｓ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群から選
択される少なくとも１種類の元素である）で示される成
分から形成されていることを特徴とする請求項１の光情
報記録媒体。 - 【請求項３】 ２層構造の情報記録用薄膜の合計厚さが
３〜３００nmの範囲内である請求項１の光情報記録媒
体。 - 【請求項４】 Ｔｅを主成分とする層対ＢｉおよびＳｂ
を主成分とする層の膜厚比が１／３以上３以下の範囲内
である請求項１の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 Ｔｅを主成分とする層対ＢｉおよびＳｂ
を主成分とする層の膜厚比が１：１である請求項４の光
情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093906A JPH05262040A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093906A JPH05262040A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05262040A true JPH05262040A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14095529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093906A Withdrawn JPH05262040A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05262040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005289044A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録方法及び記録装置 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP4093906A patent/JPH05262040A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005289044A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録方法及び記録装置 |
| JP4542922B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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