JP3163302B2 - 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 - Google Patents
光情報記録媒体および情報の記録再生方法Info
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- JP3163302B2 JP3163302B2 JP41903090A JP41903090A JP3163302B2 JP 3163302 B2 JP3163302 B2 JP 3163302B2 JP 41903090 A JP41903090 A JP 41903090A JP 41903090 A JP41903090 A JP 41903090A JP 3163302 B2 JP3163302 B2 JP 3163302B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光や電子線等の
放射線エネルギによって、例えば映像や音声などのアナ
ログ信号をＦＭ変調したものや、電子計算機のデータ、
それにファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号な
どのディジタル情報を、リアルタイムで記録することが
可能な光情報記録媒体、およびそれを用いた情報の記録
再生方法に関する。
放射線エネルギによって、例えば映像や音声などのアナ
ログ信号をＦＭ変調したものや、電子計算機のデータ、
それにファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号な
どのディジタル情報を、リアルタイムで記録することが
可能な光情報記録媒体、およびそれを用いた情報の記録
再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上にヒートモード記録材
料よりなる薄膜（記録層）を担持し、放射線の光熱作用
によって情報の追記を可能にした光情報記録媒体が知ら
れている。
料よりなる薄膜（記録層）を担持し、放射線の光熱作用
によって情報の追記を可能にした光情報記録媒体が知ら
れている。
【０００３】放射線によって薄膜に記録を行う記録原理
は種々あり、Ｔｅ，Ｂｉなどを主成分とした金属層やシ
アニンなどの色素層からなる記録薄膜の変形、昇華、蒸
発などによる記録、Ｔｅ−Ｇｅ系、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ
系、Ｔｅ−Ｏ系などの相転移（（相変化ともいう）、フ
ォトダークニングなど原子配列変化による記録などが知
られている。
は種々あり、Ｔｅ，Ｂｉなどを主成分とした金属層やシ
アニンなどの色素層からなる記録薄膜の変形、昇華、蒸
発などによる記録、Ｔｅ−Ｇｅ系、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ
系、Ｔｅ−Ｏ系などの相転移（（相変化ともいう）、フ
ォトダークニングなど原子配列変化による記録などが知
られている。
【０００４】一方、予め情報が記録されており、放射線
による情報の記録、消去を行わない再生専用の光情報記
録媒体が、オーディオ部門や映像部門などで広く普及し
ている。ＣＤ（コンパクトディスク）はオーディオ部門
で普及している再生専用の光情報記録媒体の代表的なも
のであり、ビデオディスクは映像部門で普及している再
生専用の光情報記録媒体の代表的なものである。これら
再生専用の光情報記録媒体における再生信号の仕様は、
例えばＣＤフォーマットとして規格化されている。
による情報の記録、消去を行わない再生専用の光情報記
録媒体が、オーディオ部門や映像部門などで広く普及し
ている。ＣＤ（コンパクトディスク）はオーディオ部門
で普及している再生専用の光情報記録媒体の代表的なも
のであり、ビデオディスクは映像部門で普及している再
生専用の光情報記録媒体の代表的なものである。これら
再生専用の光情報記録媒体における再生信号の仕様は、
例えばＣＤフォーマットとして規格化されている。
【０００５】さらには、情報の追記が可能でＣＤプレー
ヤで情報の再生が可能な光情報記録媒体（追記型ＣＤ）
や、同じく情報の追記が可能でビデオディスクプレーヤ
で情報の再生が可能な光情報記録媒体（追記型ビデオデ
ィスク）の開発が盛んに行われている。
ヤで情報の再生が可能な光情報記録媒体（追記型ＣＤ）
や、同じく情報の追記が可能でビデオディスクプレーヤ
で情報の再生が可能な光情報記録媒体（追記型ビデオデ
ィスク）の開発が盛んに行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記追記型ＣＤや追記
型ビデオディスクを実用化するためには、反射率や記録
した情報の信号変調度などを、各プレーヤが要求する条
件を満たすようにする必要がある。例えば追記型ＣＤに
ついていえば、反射率が７０％以上、１１Ｔ信号記録時
の信号変調度が６０％以上などの条件を満たさなくては
ならない。
型ビデオディスクを実用化するためには、反射率や記録
した情報の信号変調度などを、各プレーヤが要求する条
件を満たすようにする必要がある。例えば追記型ＣＤに
ついていえば、反射率が７０％以上、１１Ｔ信号記録時
の信号変調度が６０％以上などの条件を満たさなくては
ならない。
【０００７】上記した従来の記録可能な光情報記録媒体
に使用される記録材料は、高い記録感度を得るため、照
射される放射線が効率よく吸収され、反射率が低くなる
ように設定されているために、ＣＤプレーヤやビデオデ
ィスクプレーヤでの情報の再生が不可能である。また、
光情報記録媒体を従来のＣＤと同様に単板構造に形成す
ると、特に耐環境性に優れることが要求されるが、従来
の追記型の記録材料はいずれも耐環境性に難点があり、
この点からも追記型ＣＤとして用いることは不適であ
る。
に使用される記録材料は、高い記録感度を得るため、照
射される放射線が効率よく吸収され、反射率が低くなる
ように設定されているために、ＣＤプレーヤやビデオデ
ィスクプレーヤでの情報の再生が不可能である。また、
光情報記録媒体を従来のＣＤと同様に単板構造に形成す
ると、特に耐環境性に優れることが要求されるが、従来
の追記型の記録材料はいずれも耐環境性に難点があり、
この点からも追記型ＣＤとして用いることは不適であ
る。
【０００８】本発明は、上記した従来技術の現状に鑑み
てなされたものであって、記録特性が良く、ＣＤプレー
ヤもしくはビデオディスクプレーヤでの再生が可能で、
かつ耐環境性に優れた光情報記録媒体、および当該光情
報記録媒体に対する情報の記録再生方法を提供すること
を目的とする。
てなされたものであって、記録特性が良く、ＣＤプレー
ヤもしくはビデオディスクプレーヤでの再生が可能で、
かつ耐環境性に優れた光情報記録媒体、および当該光情
報記録媒体に対する情報の記録再生方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、光情報記録媒体に関しては、基板の信号
面に、膜厚方向の平均組成が下記の一般式で表され、か
つ各成分の含有率が下記の不等式で表される物質からな
る記録層が直接形成され、当該記録層に記録用放射線ビ
ームが照射されたとき、当該記録層の記録用放射線ビー
ム照射部に原子配列の変化が生じると共に、当該記録用
放射線ビーム照射部の下地である上記基板に変形が生じ
て情報の記録が行われるという構成にした 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、ＭＢは〔Ｔ
ｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なくともいずれ
か一つの元素、ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択さ
れた少なくともいずれか一つの元素、ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，
Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，Ｏ，Ａｒ〕元素群
から選択された少なくともいずれか一つの元素、添字
ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，ＭＣ，
ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率； ５≦ｘ≦７０ ３０≦ａ≦９５ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０。
達成するため、光情報記録媒体に関しては、基板の信号
面に、膜厚方向の平均組成が下記の一般式で表され、か
つ各成分の含有率が下記の不等式で表される物質からな
る記録層が直接形成され、当該記録層に記録用放射線ビ
ームが照射されたとき、当該記録層の記録用放射線ビー
ム照射部に原子配列の変化が生じると共に、当該記録用
放射線ビーム照射部の下地である上記基板に変形が生じ
て情報の記録が行われるという構成にした 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、ＭＢは〔Ｔ
ｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なくともいずれ
か一つの元素、ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択さ
れた少なくともいずれか一つの元素、ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，
Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，Ｏ，Ａｒ〕元素群
から選択された少なくともいずれか一つの元素、添字
ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，ＭＣ，
ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率； ５≦ｘ≦７０ ３０≦ａ≦９５ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０。
【００１０】なお、前記各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，Ｍ
Ｃ，ＭＤの含有率ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは、７≦ｘ≦６
８、３２≦ａ≦９３、０≦ｂ≦２０、０≦ｃ≦２０、０
≦ｄ≦２０とすること、１０≦ｘ≦６５、３５≦ａ≦９
０、０≦ｂ≦７、０≦ｃ≦７、０≦ｄ≦７とすること、
さらには、１０≦ｘ≦６５、３５≦ａ≦９０、０≦ｂ≦
５、０≦ｃ≦５、０≦ｄ≦５とすることもできる。
Ｃ，ＭＤの含有率ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは、７≦ｘ≦６
８、３２≦ａ≦９３、０≦ｂ≦２０、０≦ｃ≦２０、０
≦ｄ≦２０とすること、１０≦ｘ≦６５、３５≦ａ≦９
０、０≦ｂ≦７、０≦ｃ≦７、０≦ｄ≦７とすること、
さらには、１０≦ｘ≦６５、３５≦ａ≦９０、０≦ｂ≦
５、０≦ｃ≦５、０≦ｄ≦５とすることもできる。
【００１１】基板としては、プラスチック基板が用いら
れる。
れる。
【００１２】なお、多重干渉効果によって高い反射率を
得るため、基板側から見て記録層の背面側に、当該記録
層よりも再生用光に対する反射率が高い反射層を積層す
ることもできる。この反射率の高い反射層材料として
は、Ａｕ，Ａｌなども有効である。
得るため、基板側から見て記録層の背面側に、当該記録
層よりも再生用光に対する反射率が高い反射層を積層す
ることもできる。この反射率の高い反射層材料として
は、Ａｕ，Ａｌなども有効である。
【００１３】さらには、より高い多重干渉効果を得ると
ともに、熱の拡散を防いで記録感度を高めるため、基板
側から見て記録層の背面側に、無機材料からなる中間層
と、上記記録層よりも再生用光に対する反射率が高い反
射層とを順次積層することもできる。
ともに、熱の拡散を防いで記録感度を高めるため、基板
側から見て記録層の背面側に、無機材料からなる中間層
と、上記記録層よりも再生用光に対する反射率が高い反
射層とを順次積層することもできる。
【００１４】情報の記録再生方法については、基板の信
号面に、膜厚方向の平均組成が前記の一般式で表され、
かつ各成分の含有率が前記の不等式で表される物質から
なる記録層が直接形成された光情報記録媒体を用い、情
報の記録時には、前記記録層に記録用放射線ビームを照
射し、その熱によって上記記録層の記録用放射線ビーム
照射部に原子配列の変化を生じさせると共に当該記録用
放射線ビーム照射部の下地である上記基板に変形を生じ
させ、情報の再生時には、情報の記録部に沿って再生用
放射線ビームを照射し、上記記録層に生じた原子配列の
変化ならびに上記基板に生じた変形に伴う反射率の変化
を光学的に読み出すという構成にした。
号面に、膜厚方向の平均組成が前記の一般式で表され、
かつ各成分の含有率が前記の不等式で表される物質から
なる記録層が直接形成された光情報記録媒体を用い、情
報の記録時には、前記記録層に記録用放射線ビームを照
射し、その熱によって上記記録層の記録用放射線ビーム
照射部に原子配列の変化を生じさせると共に当該記録用
放射線ビーム照射部の下地である上記基板に変形を生じ
させ、情報の再生時には、情報の記録部に沿って再生用
放射線ビームを照射し、上記記録層に生じた原子配列の
変化ならびに上記基板に生じた変形に伴う反射率の変化
を光学的に読み出すという構成にした。
【００１５】
【作用】Ｓｉと〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から
選択された少なくとも１種類の元素とが適当な比率で存
在する合金は、７０％以上の反射率を持つ。また、この
合金は共晶組織を持ち、融点が比較的低いので、記録感
度が良好であるばかりでなく、原子配列変化、例えば非
晶質相から結晶質相への変化などを高速で行うことがで
きる。さらには、この合金は、耐環境性特に耐食性に優
れる。よって、追記型ＣＤもしくは追記型ビデオディス
クに好適な記録層となり得る。
選択された少なくとも１種類の元素とが適当な比率で存
在する合金は、７０％以上の反射率を持つ。また、この
合金は共晶組織を持ち、融点が比較的低いので、記録感
度が良好であるばかりでなく、原子配列変化、例えば非
晶質相から結晶質相への変化などを高速で行うことがで
きる。さらには、この合金は、耐環境性特に耐食性に優
れる。よって、追記型ＣＤもしくは追記型ビデオディス
クに好適な記録層となり得る。
【００１６】また、記録用放射線ビームを照射すること
によって記録層の原子配列を変化させ、かつ該部下地の
基板を変形させて情報の記録を行い、また、上記原子配
列の変化および上記基板の変形に伴う反射率の変化を光
学的に読み出すことによって情報の再生を行うと、記録
層の原子配列のみを変化させることによって情報を記録
する場合に比べて、記録部の反射率変化を格段に大きく
することができるので、良好な再生特性を得ることがで
きる。
によって記録層の原子配列を変化させ、かつ該部下地の
基板を変形させて情報の記録を行い、また、上記原子配
列の変化および上記基板の変形に伴う反射率の変化を光
学的に読み出すことによって情報の再生を行うと、記録
層の原子配列のみを変化させることによって情報を記録
する場合に比べて、記録部の反射率変化を格段に大きく
することができるので、良好な再生特性を得ることがで
きる。
【００１７】
【実施例】本発明の第１実施例を、図１〜図３によって
説明する。図１は本例に係る光情報記録媒体の要部断面
図、図２は平面図、図３は本例の光情報記録媒体を用い
た情報の記録再生方法を示す説明図である。
説明する。図１は本例に係る光情報記録媒体の要部断面
図、図２は平面図、図３は本例の光情報記録媒体を用い
た情報の記録再生方法を示す説明図である。
【００１８】図１に示すように、本例の光情報記録媒体
は、基板１の信号面２に、基板１側より、記録層３と保
護層４とを順次積層してなる。
は、基板１の信号面２に、基板１側より、記録層３と保
護層４とを順次積層してなる。
【００１９】基板１は、例えばポリカーボネート、ポリ
オレフィン、エポキシ、アクリルなど、比較的熱変形し
やすい透明なプラスチック材料をもって、所望の形状お
よび寸法に形成される。
オレフィン、エポキシ、アクリルなど、比較的熱変形し
やすい透明なプラスチック材料をもって、所望の形状お
よび寸法に形成される。
【００２０】信号面２には、光ビームスポットを案内す
るための案内溝やヘッダー信号を表すプリピット列など
の信号パターン５が微細な凹凸状に形成される。上記信
号パターン５は、図２に示すように、基板１と同心の渦
巻状もしくは同心円状に形成される。
るための案内溝やヘッダー信号を表すプリピット列など
の信号パターン５が微細な凹凸状に形成される。上記信
号パターン５は、図２に示すように、基板１と同心の渦
巻状もしくは同心円状に形成される。
【００２１】記録層３は、Ｓｉと、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素とを主成分とする合金にて形成される。
ｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素とを主成分とする合金にて形成される。
【００２２】もちろん、添加元素として、例えばＴｌ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｔｅ，Ｓ
ｅ，Ｓｂ，Ｓ，Ｈｇ，Ａｓ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｐ，Ｏ，ハロ
ゲン元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、
アクチニド元素、ランタニド元素、不活性ガス元素など
のうちの少なくとも１元素を含んでも良い。
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｔｅ，Ｓ
ｅ，Ｓｂ，Ｓ，Ｈｇ，Ａｓ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｐ，Ｏ，ハロ
ゲン元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、
アクチニド元素、ランタニド元素、不活性ガス元素など
のうちの少なくとも１元素を含んでも良い。
【００２３】上記各元素のうち、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅは、半導体レーザ光などの長波長光の
吸収を容易にして記録感度を高める効果を持ち、また高
速結晶化を可能にする。Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｓは、非晶
質状態の安定性を増し、かつ耐酸化性を向上させる効果
を持つ。Ｔｌ，ハロゲン元素、アルカリ金属元素は、結
晶化速度を向上させ、かつ非晶質状態の安定性を増す効
果を持つ。Ｎ，Ｏ，Ａｒは、非晶質状態の安定性を増す
効果を持つ。また、希土類元素などは、結晶化温度を高
めるなどの役割を果させ得る。
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅは、半導体レーザ光などの長波長光の
吸収を容易にして記録感度を高める効果を持ち、また高
速結晶化を可能にする。Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｓは、非晶
質状態の安定性を増し、かつ耐酸化性を向上させる効果
を持つ。Ｔｌ，ハロゲン元素、アルカリ金属元素は、結
晶化速度を向上させ、かつ非晶質状態の安定性を増す効
果を持つ。Ｎ，Ｏ，Ａｒは、非晶質状態の安定性を増す
効果を持つ。また、希土類元素などは、結晶化温度を高
めるなどの役割を果させ得る。
【００２４】上記記録材料のうちでは、ＳｉとＡｌとを
主成分とする合金であって、その膜厚方向の平均組成が
下記の一般式にて表されるものが特に好ましい。Ｓｉｘ
ＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から選択された少なくともいず
れか一つの元素、ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、ＭＣは
〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくともいずれ
か一つの元素、ＭＤは上記Ｓｉ（ケイ素）およびＭＡ，
ＭＢ，ＭＣで表される元素以外の元素である。上記ＭＤ
で表される元素としては、例えばＴｌ，Ｐｄ，Ｔａ，
Ｗ，Ｉｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｓｂ，Ｈ
ｇ，Ａｓ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｏ，ハロゲン元素、アルカ
リ金属元素、アルカリ土類金属元素、アクチニド元素、
ランタニド元素、不活性ガス元素などの各元素を挙げる
ことができる。
主成分とする合金であって、その膜厚方向の平均組成が
下記の一般式にて表されるものが特に好ましい。Ｓｉｘ
ＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から選択された少なくともいず
れか一つの元素、ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、ＭＣは
〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくともいずれ
か一つの元素、ＭＤは上記Ｓｉ（ケイ素）およびＭＡ，
ＭＢ，ＭＣで表される元素以外の元素である。上記ＭＤ
で表される元素としては、例えばＴｌ，Ｐｄ，Ｔａ，
Ｗ，Ｉｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｓｂ，Ｈ
ｇ，Ａｓ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｎ，Ｏ，ハロゲン元素、アルカ
リ金属元素、アルカリ土類金属元素、アクチニド元素、
ランタニド元素、不活性ガス元素などの各元素を挙げる
ことができる。
【００２５】上記の一般式における添字ｘ，ａ，ｂ，
ｃ，ｄは各成分の含有率を示し、下記の範囲に設定する
ことができる。ただし、単位は原子％である。 ５≦ｘ≦７０ ３０≦ａ≦９５ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０。
ｃ，ｄは各成分の含有率を示し、下記の範囲に設定する
ことができる。ただし、単位は原子％である。 ５≦ｘ≦７０ ３０≦ａ≦９５ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０。
【００２６】なお、各成分の含有率を下記の範囲に設定
すると、より好ましい結果を得ることができる。 ７≦ｘ≦６８ ３２≦ａ≦９３ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ０≦ｄ≦２０。
すると、より好ましい結果を得ることができる。 ７≦ｘ≦６８ ３２≦ａ≦９３ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ０≦ｄ≦２０。
【００２７】また、各成分の含有率を下記の範囲に設定
すると、特に好ましい結果を得ることができる。 １０≦ｘ≦６５ ３５≦ａ≦９０ ０≦ｂ≦７ ０≦ｃ≦７ ０≦ｄ≦７。
すると、特に好ましい結果を得ることができる。 １０≦ｘ≦６５ ３５≦ａ≦９０ ０≦ｂ≦７ ０≦ｃ≦７ ０≦ｄ≦７。
【００２８】さらには、０≦ｂ＜５、０≦ｃ＜５、０≦
ｄ＜５であれば、最も好ましい。
ｄ＜５であれば、最も好ましい。
【００２９】上記の各組成において、ＭＡで表される元
素がＡｇ，Ａｌ，Ｃｕのうちの少なくとも１元素である
場合には、耐食性の面から１≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦２０とする
ことがより好ましく、さらに、１≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦７とす
ることが特に好ましい。
素がＡｇ，Ａｌ，Ｃｕのうちの少なくとも１元素である
場合には、耐食性の面から１≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦２０とする
ことがより好ましく、さらに、１≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦７とす
ることが特に好ましい。
【００３０】また、記録層３内における各成分の分布
は、均一であっても良いし、膜厚方向に濃度勾配を有し
ていても良い。例えば、Ｓｅ，Ｓｂ，Ｓについては、記
録層３の表層部により多く分布させた方が好ましい。
は、均一であっても良いし、膜厚方向に濃度勾配を有し
ていても良い。例えば、Ｓｅ，Ｓｂ，Ｓについては、記
録層３の表層部により多く分布させた方が好ましい。
【００３１】保護層４は、例えばＡｌＮ，Ａｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉＮ，ＳｉＯ2などの無機材料、または光硬化性樹脂な
どの有機材料をもって形成される。
ｉＮ，ＳｉＯ2などの無機材料、または光硬化性樹脂な
どの有機材料をもって形成される。
【００３２】以下、図３により、上記第１実施例の光情
報記録媒体を用いた情報の記録再生方法について説明す
る。
報記録媒体を用いた情報の記録再生方法について説明す
る。
【００３３】図３に示すように、ＣＤフォーマットなど
の所定の方式で信号変調された記録用放射線ビーム６を
上記記録層３に合焦すると、その光エネルギーが上記記
録層３によって熱エネルギーに変換され、その熱によっ
て上記記録層３の記録用放射線ビーム照射部７の原子配
列を変化されるとともに、該部下地の基板１が熱変形８
されて情報の記録が行われる。したがって、上記原子配
列の変化および上記基板１の熱変形に伴う反射率の変化
を光学的に読み出すことによって情報の再生を行うこと
ができる。なお、情報の記録は、案内溝上に行うことも
できるし、相隣接する案内溝の間の平坦部に行うことも
できる。ただし、畜熱効果が顕著で、記録層３の原子配
列を速やかに変化させ、かつ基板１に大きな熱変形を生
じさせることができるため、溝上に記録する方がより記
録再生特性を高める上で有利である。
の所定の方式で信号変調された記録用放射線ビーム６を
上記記録層３に合焦すると、その光エネルギーが上記記
録層３によって熱エネルギーに変換され、その熱によっ
て上記記録層３の記録用放射線ビーム照射部７の原子配
列を変化されるとともに、該部下地の基板１が熱変形８
されて情報の記録が行われる。したがって、上記原子配
列の変化および上記基板１の熱変形に伴う反射率の変化
を光学的に読み出すことによって情報の再生を行うこと
ができる。なお、情報の記録は、案内溝上に行うことも
できるし、相隣接する案内溝の間の平坦部に行うことも
できる。ただし、畜熱効果が顕著で、記録層３の原子配
列を速やかに変化させ、かつ基板１に大きな熱変形を生
じさせることができるため、溝上に記録する方がより記
録再生特性を高める上で有利である。
【００３４】かように、上記第１実施例の光情報記録媒
体は、記録層３の原子配列を変化させるのみならず、基
板１を熱変形させることによって情報を記録するので、
大きな信号変調度を得ることができる。
体は、記録層３の原子配列を変化させるのみならず、基
板１を熱変形させることによって情報を記録するので、
大きな信号変調度を得ることができる。
【００３５】次に、本発明の第２実施例を、図４によっ
て説明する。図４は本例に係る光情報記録媒体の要部断
面図である。
て説明する。図４は本例に係る光情報記録媒体の要部断
面図である。
【００３６】図４に示すように、本例の光情報記録媒体
は、基板１側から見て記録層３の背面側に、光吸収層１
２が設けられている。
は、基板１側から見て記録層３の背面側に、光吸収層１
２が設けられている。
【００３７】その他については、上記第１実施例と同じ
であり、重複を避けるため、説明を省略する。
であり、重複を避けるため、説明を省略する。
【００３８】第２実施例の光情報記録媒体は、記録層３
の背面側に光吸収層１２を設けたので、発熱量が大き
く、記録感度をより向上させる効果がある。
の背面側に光吸収層１２を設けたので、発熱量が大き
く、記録感度をより向上させる効果がある。
【００３９】次に、本発明の第３実施例を、図５によっ
て説明する。図５は本例に係る光情報記録媒体の要部断
面図である。
て説明する。図５は本例に係る光情報記録媒体の要部断
面図である。
【００４０】図５に示すように、本例の光情報記録媒体
は、基板１側から見て記録層３の背面側に、反射層１３
が設けられている。反射層１３を形成する物質として
は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属材料が特に好適であ
る。
は、基板１側から見て記録層３の背面側に、反射層１３
が設けられている。反射層１３を形成する物質として
は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属材料が特に好適であ
る。
【００４１】その他については、上記第１実施例と同じ
であり、重複を避けるため、説明を省略する。
であり、重複を避けるため、説明を省略する。
【００４２】第３実施例の光情報記録媒体は、記録層３
の背面側に反射層１３を設けたので、記録層３と反射層
１３との間で多重干渉効果を生じ、より高い反射率を得
ることができる。
の背面側に反射層１３を設けたので、記録層３と反射層
１３との間で多重干渉効果を生じ、より高い反射率を得
ることができる。
【００４３】次に、本発明の第４実施例を、図６によっ
て説明する。図６は本例に係る光情報記録媒体の要部断
面図である。
て説明する。図６は本例に係る光情報記録媒体の要部断
面図である。
【００４４】図６に示すように、本例の光情報記録媒体
は、基板１側から見て記録層３の背面側に、中間層１４
と反射層１３とが順次積層されている。
は、基板１側から見て記録層３の背面側に、中間層１４
と反射層１３とが順次積層されている。
【００４５】中間層１４の例を挙げると、Ｃｅ，Ｌａ，
Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔ
ａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗよりな
る群より選ばれた少なくとも１元素の酸化物、Ｃｄ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉよりな
る群より選ばれた少なくとも１元素の硫化物またはセレ
ン化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどの弗化物、Ｓｉ，Ａｌ，
Ｔａ，Ｂなどの窒化物、Ｂ，Ｓｉなどの炭化物、Ｔｉな
どのホウ化物、ホウ素、炭素よりなるものであって、例
えば主成分がＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉ
ｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，Ｓｎ
Ｏ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ
2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，
Ｃｒ2Ｏ3，ＷＯ2，ＷＯ3，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，
ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓ
ｅ3，Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，Ｇｅ
Ｓｅ2，ＳｎＳ，ＳｎＳ2，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ2，Ｐｂ
Ｓ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3，Ｂｉ2Ｓ3，ＭｇＦ2，Ｃｅ
Ｆ3，ＣａＦ2,ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓ
ｉ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの一者に近
い組成を持ったもの、およびこれらの混合物である。
Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔ
ａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗよりな
る群より選ばれた少なくとも１元素の酸化物、Ｃｄ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉよりな
る群より選ばれた少なくとも１元素の硫化物またはセレ
ン化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどの弗化物、Ｓｉ，Ａｌ，
Ｔａ，Ｂなどの窒化物、Ｂ，Ｓｉなどの炭化物、Ｔｉな
どのホウ化物、ホウ素、炭素よりなるものであって、例
えば主成分がＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉ
ｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，Ｓｎ
Ｏ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ
2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，
Ｃｒ2Ｏ3，ＷＯ2，ＷＯ3，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，
ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓ
ｅ3，Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，Ｇｅ
Ｓｅ2，ＳｎＳ，ＳｎＳ2，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ2，Ｐｂ
Ｓ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3，Ｂｉ2Ｓ3，ＭｇＦ2，Ｃｅ
Ｆ3，ＣａＦ2,ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓ
ｉ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの一者に近
い組成を持ったもの、およびこれらの混合物である。
【００４６】これらのうち、硫化物では、ＺｎＳに近い
ものが、屈折率が適当な大きさで膜が安定である点で好
ましい。窒化物では、表面反射率があまり高くなく、膜
が安定かつ強固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）、またはＡｌＳｉＮ２に近い組
成のものが好ましい。酸化物では、Ｙ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ
３，ＣｅＯ２，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＳｉＯ，Ｔａ２Ｏ
５,Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＳｉＯ２に近
い組成のものが好ましい。Ｓｉの水素を含む非晶質も好
ましい。 反射層１３を形成する物質としては、上記
第３実施例と同様に、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属材料
が用いられる。
ものが、屈折率が適当な大きさで膜が安定である点で好
ましい。窒化物では、表面反射率があまり高くなく、膜
が安定かつ強固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）、またはＡｌＳｉＮ２に近い組
成のものが好ましい。酸化物では、Ｙ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ
３，ＣｅＯ２，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＳｉＯ，Ｔａ２Ｏ
５,Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＳｉＯ２に近
い組成のものが好ましい。Ｓｉの水素を含む非晶質も好
ましい。 反射層１３を形成する物質としては、上記
第３実施例と同様に、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属材料
が用いられる。
【００４７】その他については、上記第１実施例と同じ
であり、重複を避けるため、説明を省略する。
であり、重複を避けるため、説明を省略する。
【００４８】第４実施例の光情報記録媒体は、記録層３
の背面側に中間層１４および反射層１３を設けたので、
多重干渉効果がより高められ、より高い反射率を得るこ
とができる。また、記録層３で発生した熱が反射層１３
に拡散するのを中間層１４にて抑制することができ、よ
り高い記録感度を得ることができる。
の背面側に中間層１４および反射層１３を設けたので、
多重干渉効果がより高められ、より高い反射率を得るこ
とができる。また、記録層３で発生した熱が反射層１３
に拡散するのを中間層１４にて抑制することができ、よ
り高い記録感度を得ることができる。
【００４９】なお、上記第１実施例の光情報記録媒体に
おいては、主として記録層３が光熱の作用によって非晶
質相と結晶質相との間の変化を利用して情報の記録が行
われるものと思われるが、必ずしも非晶質状態と結晶状
態との間の変化を記録に利用する必要はなく、何らかの
原子配列変化によって光学的性質の変化を起させれば良
い。例えば、結晶粒径や結晶形の変化などでも良い。非
晶質状態と結晶状態の変化でも、非晶質は完全な非晶質
でなく、結晶部分が混在していても良い。また、記録層
を多層構造とした場合、各層を形成する原子のうちの一
部が移動（拡散、化学反応などによる）することによ
り、あるいは移動と相変化の両方により記録されても良
い。
おいては、主として記録層３が光熱の作用によって非晶
質相と結晶質相との間の変化を利用して情報の記録が行
われるものと思われるが、必ずしも非晶質状態と結晶状
態との間の変化を記録に利用する必要はなく、何らかの
原子配列変化によって光学的性質の変化を起させれば良
い。例えば、結晶粒径や結晶形の変化などでも良い。非
晶質状態と結晶状態の変化でも、非晶質は完全な非晶質
でなく、結晶部分が混在していても良い。また、記録層
を多層構造とした場合、各層を形成する原子のうちの一
部が移動（拡散、化学反応などによる）することによ
り、あるいは移動と相変化の両方により記録されても良
い。
【００５０】以下に、より具体的な実験例を示し、本発
明の効果を明らかにする。
明の効果を明らかにする。
【００５１】〈実験例１〉 直径１２ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板
を、複数のターゲットを持ち、膜厚の均一性および再現
性の良いマグネトロンスパッタリング装置に入れ、基板
上に記録層である厚さが約８０ｎｍのＡｕ70Ｇｅ30の組
成の薄膜を形成し、次いでこの薄膜上に紫外線硬化樹脂
による保護層を１００μｍの厚さにスピンコートした。
を、複数のターゲットを持ち、膜厚の均一性および再現
性の良いマグネトロンスパッタリング装置に入れ、基板
上に記録層である厚さが約８０ｎｍのＡｕ70Ｇｅ30の組
成の薄膜を形成し、次いでこの薄膜上に紫外線硬化樹脂
による保護層を１００μｍの厚さにスピンコートした。
【００５２】上記のように作成したディスクを用いて、
下記の条件で情報の記録・再生を行った。まず、ディス
クの線速を１．２ｍ／ｓとし、半導体レーザ（波長７８
０ｎｍ）の光を記録が行われないレベル（約１ｍＷ）に
保った。この光を記録ヘッド中のレンズで集光して基板
を通して記録層に照射し、反射光を検出することによっ
て、トラッキング用の案内溝上に光スポットの中心が一
致するように記録ヘッドを駆動した。このようにしてト
ラッキングを行いながら、さらに記録層上に焦点が来る
ように自動焦点合わせを行い、レーザ光を照射してピッ
トを形成した。続いて、記録時と同じようにトラッキン
グと自動焦点合わせを行いながら、記録が行われた低パ
ワーの半導体レーザ光で反射光の強弱を検出し情報を再
生した。本実験例では、再生光パワーを１ｍＷとしたと
きに、約１．３Ｖの信号強度が得られた。これは市販の
ＣＤとほぼ同じレベルである。また、記録パワーを７ｍ
Ｗとし、周波数１９６ＫＨｚの信号（１１Ｔ信号）を記
録したときに、約７０％の信号変調度が得られた。
下記の条件で情報の記録・再生を行った。まず、ディス
クの線速を１．２ｍ／ｓとし、半導体レーザ（波長７８
０ｎｍ）の光を記録が行われないレベル（約１ｍＷ）に
保った。この光を記録ヘッド中のレンズで集光して基板
を通して記録層に照射し、反射光を検出することによっ
て、トラッキング用の案内溝上に光スポットの中心が一
致するように記録ヘッドを駆動した。このようにしてト
ラッキングを行いながら、さらに記録層上に焦点が来る
ように自動焦点合わせを行い、レーザ光を照射してピッ
トを形成した。続いて、記録時と同じようにトラッキン
グと自動焦点合わせを行いながら、記録が行われた低パ
ワーの半導体レーザ光で反射光の強弱を検出し情報を再
生した。本実験例では、再生光パワーを１ｍＷとしたと
きに、約１．３Ｖの信号強度が得られた。これは市販の
ＣＤとほぼ同じレベルである。また、記録パワーを７ｍ
Ｗとし、周波数１９６ＫＨｚの信号（１１Ｔ信号）を記
録したときに、約７０％の信号変調度が得られた。
【００５３】ディスクから上記の方法で記録を行ったト
ラックを含む小片を切り出し、これをテトラヒドロフラ
ンに浸してポリカーボネートを溶かし、記録層のみを取
り出した。これを透過電子顕微鏡により観察した結果、
未記録部分は結晶状態、記録部分は非晶質状態であっ
た。また、記録済みのトラックを含む小片から記録層の
みを除去して走査電子顕微鏡により観察した。その結
果、記録部分の基板の変形を確認した。このように、記
録層の原子配列変化および基板変形の両方を起すことに
よって記録を行い、大きな信号変調度を得ることは、本
発明の特徴の１つである。
ラックを含む小片を切り出し、これをテトラヒドロフラ
ンに浸してポリカーボネートを溶かし、記録層のみを取
り出した。これを透過電子顕微鏡により観察した結果、
未記録部分は結晶状態、記録部分は非晶質状態であっ
た。また、記録済みのトラックを含む小片から記録層の
みを除去して走査電子顕微鏡により観察した。その結
果、記録部分の基板の変形を確認した。このように、記
録層の原子配列変化および基板変形の両方を起すことに
よって記録を行い、大きな信号変調度を得ることは、本
発明の特徴の１つである。
【００５４】案内溝上に行ったのと同様の方法で相隣接
する溝間に記録を行ったところ、良く似た特性が得られ
た。ただし、信号変調度は、溝上記録に比べて少し小さ
くなった。
する溝間に記録を行ったところ、良く似た特性が得られ
た。ただし、信号変調度は、溝上記録に比べて少し小さ
くなった。
【００５５】本実験例の媒体は、耐環境性にも優れてお
り、気温８０℃相対湿度９０％の環境下に１０００時間
置いた後でも、反射率および透過率はほとんど変化しな
かった。
り、気温８０℃相対湿度９０％の環境下に１０００時間
置いた後でも、反射率および透過率はほとんど変化しな
かった。
【００５６】なお、Ａｕの一部または全部を置換してＡ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌのうちの少なくとも１元素を添加して
も、良く似た特性が得られた。また、Ｇｅの一部または
全部を置換してＳｉおよびＳｎのうちの少なくとも１元
素を添加しても、良く似た特性が得られた。
ｇ，Ｃｕ，Ａｌのうちの少なくとも１元素を添加して
も、良く似た特性が得られた。また、Ｇｅの一部または
全部を置換してＳｉおよびＳｎのうちの少なくとも１元
素を添加しても、良く似た特性が得られた。
【００５７】また、上記の光情報記録媒体において、基
板側から見て記録層の背面側に反射層を設けると、再生
出力信号が向上した。また、記録層と上記反射層との間
に中間層を設けると、記録感度が向上した。中間層とし
ては、ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ
2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｃｒ
2Ｏ3，ＷＯ2，ＷＯ3，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓｅ3，
Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ2，ＳｎＳ，ＳｎＳ2，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ2，Ｐｂ
Ｓ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3，Ｂｉ2Ｓ3，ＭｇＦ2，Ｃｅ
Ｆ3，ＣａＦ2，ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓ
ｉ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの一者に近
い組成を持ったもの、およびこれらの混合物を用いたと
きに、特に効果があった。
板側から見て記録層の背面側に反射層を設けると、再生
出力信号が向上した。また、記録層と上記反射層との間
に中間層を設けると、記録感度が向上した。中間層とし
ては、ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ
2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｃｒ
2Ｏ3，ＷＯ2，ＷＯ3，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓｅ3，
Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ2，ＳｎＳ，ＳｎＳ2，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ2，Ｐｂ
Ｓ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3，Ｂｉ2Ｓ3，ＭｇＦ2，Ｃｅ
Ｆ3，ＣａＦ2，ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓ
ｉ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの一者に近
い組成を持ったもの、およびこれらの混合物を用いたと
きに、特に効果があった。
【００５８】さらに、基板として、ポリカーボネートの
代りに、表面に直接案内溝などの信号パターンが形成さ
れたポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂を用いた
場合にも、上記とほぼ同様の結果が得られた。
代りに、表面に直接案内溝などの信号パターンが形成さ
れたポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂を用いた
場合にも、上記とほぼ同様の結果が得られた。
【００５９】〈実験例２〉 上記実験例１と同様のポリカーボネート基板を多数用意
し、各基板ごとに上記実験例１と同様の方法で、Ｓｉ含
有率が異なるＳｉ−Ａｕ系記録層を形成し、記録層中の
Ｓｉ含有率が異なる各種のディスクを作製した。ただ
し、各ディスクとも記録層の厚さは約６０ｎｍであり、
記録層上には、紫外線硬化樹脂製の保護層を１００μｍ
の厚さにスピンコートした。
し、各基板ごとに上記実験例１と同様の方法で、Ｓｉ含
有率が異なるＳｉ−Ａｕ系記録層を形成し、記録層中の
Ｓｉ含有率が異なる各種のディスクを作製した。ただ
し、各ディスクとも記録層の厚さは約６０ｎｍであり、
記録層上には、紫外線硬化樹脂製の保護層を１００μｍ
の厚さにスピンコートした。
【００６０】下記に、記録層中のＳｉ含有率を種々変更
したときの、再生出力信号強度の変化と、記録に必要な
レーザパワーの変化とを示す。記録・再生条件および記
録・再生方法は、上記実験例１にて説明したと同じであ
る。Ｓｉ含有率 再生出力信号 記録レーザ
したときの、再生出力信号強度の変化と、記録に必要な
レーザパワーの変化とを示す。記録・再生条件および記
録・再生方法は、上記実験例１にて説明したと同じであ
る。Ｓｉ含有率 再生出力信号 記録レーザ
【００６１】また、上記実験例１と同様のポリカーボネ
ート基板を多数用意し、各基板ごとに上記実験例１と同
様の方法で、ＳｉとＡｕとの相対的比率を２５：７５と
一定にし、Ｂ含有率が異なるＳｉ−Ａｕ−Ｂ系記録層を
形成し、記録層中のＢ含有率が異なる各種のディスクを
作製した。ただし、各ディスクとも記録層の厚さは約６
０ｎｍであり、記録層上には、紫外線硬化樹脂製の保護
層を１００μｍの厚さにスピンコートした。
ート基板を多数用意し、各基板ごとに上記実験例１と同
様の方法で、ＳｉとＡｕとの相対的比率を２５：７５と
一定にし、Ｂ含有率が異なるＳｉ−Ａｕ−Ｂ系記録層を
形成し、記録層中のＢ含有率が異なる各種のディスクを
作製した。ただし、各ディスクとも記録層の厚さは約６
０ｎｍであり、記録層上には、紫外線硬化樹脂製の保護
層を１００μｍの厚さにスピンコートした。
【００６２】下記に、記録層中のＢ含有率を種々変更し
たときの、再生出力信号強度の変化と、ノイズレベルの
変化とを示す。記録・再生条件および記録・再生方法
は、上記実験例１にて説明したと同じである。 なお、Ａｕの一部または全部を置換してＡｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌのうちの少なくとも１元素を添加しても、良く似た特
性が得られた。また、Ｂの一部または全部を置換してＣ
およびＰのうちの少なくとも１元素を添加しても、良く
似た特性が得られた。また、Ｂの代わりにＳｅ，Ｔｅ，
Ｓのうちの少なくとも１元素を添加しても、同様の効果
があった。さらに、上記ＭＤで表される元素を添加する
と、記録感度が若干向上した。
たときの、再生出力信号強度の変化と、ノイズレベルの
変化とを示す。記録・再生条件および記録・再生方法
は、上記実験例１にて説明したと同じである。 なお、Ａｕの一部または全部を置換してＡｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌのうちの少なくとも１元素を添加しても、良く似た特
性が得られた。また、Ｂの一部または全部を置換してＣ
およびＰのうちの少なくとも１元素を添加しても、良く
似た特性が得られた。また、Ｂの代わりにＳｅ，Ｔｅ，
Ｓのうちの少なくとも１元素を添加しても、同様の効果
があった。さらに、上記ＭＤで表される元素を添加する
と、記録感度が若干向上した。
【００６３】その他については、上記実験例１と同様の
結果が得られた。
結果が得られた。
【００６４】なお、上記各実施例においては、基板１の
ほぼ全域にわたって信号パターン５を形成し、情報の追
記ができるようにしたが、図７に示すように、基板１の
記録領域をＲＯＭ領域２１と追記領域２２とに分け、Ｒ
ＯＭ領域２１にはＲＯＭ情報をＣＤフォーマットに適合
したプリピットの形で記録し、追記領域２２には上記の
信号パターンを形成して情報の追記ができるようにする
こともできる。
ほぼ全域にわたって信号パターン５を形成し、情報の追
記ができるようにしたが、図７に示すように、基板１の
記録領域をＲＯＭ領域２１と追記領域２２とに分け、Ｒ
ＯＭ領域２１にはＲＯＭ情報をＣＤフォーマットに適合
したプリピットの形で記録し、追記領域２２には上記の
信号パターンを形成して情報の追記ができるようにする
こともできる。
【００６５】また、上記各実施例においては、いわゆる
追記型ＣＤを例にとって説明したが、ビデオディスク信
号を記録可能で、ビデオディスクプレーヤで再生可能な
ディスクにも応用することができる。
追記型ＣＤを例にとって説明したが、ビデオディスク信
号を記録可能で、ビデオディスクプレーヤで再生可能な
ディスクにも応用することができる。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光情報記
録媒体は、少なくともＳｉと〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ〕元素群から選択された元素とを含み、各成分の含有
率が所要の値に調整された合金からなる記録層を備え、
当該記録層に記録用放射線ビームが照射されたとき、当
該記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化
が生じると共に、当該記録用放射線ビーム照射部の下地
である上記基板に変形が生じて情報の記録が行われるよ
うにしたので、反射率が高く、かつ信号変調度が大き
く、さらには耐酸化性に優れている。よって、情報の追
記が可能にして、ＣＤプレーヤやビデオレーザディスク
プレーヤで情報の再生を行うことができ、かつ耐環境性
に優れた光情報記録媒体を提供することができる。
録媒体は、少なくともＳｉと〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ〕元素群から選択された元素とを含み、各成分の含有
率が所要の値に調整された合金からなる記録層を備え、
当該記録層に記録用放射線ビームが照射されたとき、当
該記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化
が生じると共に、当該記録用放射線ビーム照射部の下地
である上記基板に変形が生じて情報の記録が行われるよ
うにしたので、反射率が高く、かつ信号変調度が大き
く、さらには耐酸化性に優れている。よって、情報の追
記が可能にして、ＣＤプレーヤやビデオレーザディスク
プレーヤで情報の再生を行うことができ、かつ耐環境性
に優れた光情報記録媒体を提供することができる。
【００６７】また、本発明の情報の記録再生方法は、前
記構成の光情報記録媒体を用い、情報の記録時には、前
記記録層に記録用放射線ビームを照射し、その熱によっ
て上記記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の
変化を生じさせると共に当該記録用放射線ビーム照射部
の下地である上記基板に変形を生じさせ、情報の再生時
には、情報の記録部に沿って再生用放射線ビームを照射
し、上記記録層に生じた原子配列の変化ならびに上記基
板に生じた変形に伴う反射率の変化を光学的に読み出す
ようにしたので、記録部と非記録部の反射率の差が大き
く、大きな再生出力信号を得ることができる。
記構成の光情報記録媒体を用い、情報の記録時には、前
記記録層に記録用放射線ビームを照射し、その熱によっ
て上記記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の
変化を生じさせると共に当該記録用放射線ビーム照射部
の下地である上記基板に変形を生じさせ、情報の再生時
には、情報の記録部に沿って再生用放射線ビームを照射
し、上記記録層に生じた原子配列の変化ならびに上記基
板に生じた変形に伴う反射率の変化を光学的に読み出す
ようにしたので、記録部と非記録部の反射率の差が大き
く、大きな再生出力信号を得ることができる。
【図１】第１実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。
である。
【図２】第１実施例に係る光情報記録媒体の平面図であ
る。
る。
【図３】第１実施例に係る光情報記録媒体の記録再生原
理の説明図である。
理の説明図である。
【図４】第２実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。
である。
【図５】第３実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。
である。
【図６】第６実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。
である。
【図７】他の実施例に係る光情報記録媒体の平面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 信号面 ３ 記録層 ３ａ 第１の薄膜 ３ｂ 第２の薄膜 ４ 保護層 １２ 光吸収層 １３ 反射層 １４ 中間層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−214434（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−220794（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−204442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−304439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−268142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−248146（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (11)
- 【請求項１】 基板の信号面に、膜厚方向の平均組成が
下記の一般式で表され、かつ各成分の含有率が下記の不
等式で表される物質からなる記録層が直接形成され、当
該記録層に記録用放射線ビームが照射されたとき、当該
記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化が
生じると共に、当該記録用放射線ビーム照射部の下地で
ある上記基板に変形が生じて情報の記録が行われること
を特徴とする光情報記録媒体 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、 ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なく
ともいずれか一つの元素、 ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも
いずれか一つの元素、 ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，
Ｏ，Ａｒ〕元素群から選択された少なくともいずれか一
つの元素、 添字ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，Ｍ
Ｃ，ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率； ５≦ｘ≦７０ ３０≦ａ≦９５ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０。 - 【請求項２】 基板の信号面に、膜厚方向の平均組成が
下記の一般式で表され、かつ各成分の含有率が下記の不
等式で表される物質からなる記録層が直接形成され、当
該記録層に記録用放射線ビームが照射されたとき、当該
記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化が
生じると共に、当該記録用放射線ビーム照射部の下地で
ある上記基板に変形が生じて情報の記録が行われること
を特徴とする光情報記録媒体 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、 ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なく
ともいずれか一つの元素、 ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも
いずれか一つの元素、 ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，
Ｏ，Ａｒ〕元素群から選択された少なくともいずれか一
つの元素、 添字ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，Ｍ
Ｃ，ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率； ７≦ｘ≦６８ ３２≦ａ≦９３ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ０≦ｄ≦２０。 - 【請求項３】 基板の信号面に、膜厚方向の平均組成が
下記の一般式で表され、かつ各成分の含有率が下記の不
等式で表される物質からなる記録層が直接形成され、当
該記録層に記録用放射線ビームが照射されたとき、当該
記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化が
生じると共に、当該記録用放射線ビーム照射部の下地で
ある上記基板に変形が生じて情報の記録が行われること
を特徴とする光情報記録媒体 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、 ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なく
ともいずれか一つの元素、 ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも
いずれか一つの元素、 ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，
Ｏ，Ａｒ〕元素群から選択された少なくともいずれか一
つの元素、 添字ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，Ｍ
Ｃ，ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率；１０≦ｘ≦６５ ３５≦ａ≦９０ ０≦ｂ≦７ ０≦ｃ≦７ ０≦ｄ≦７。 - 【請求項４】 基板の信号面に、膜厚方向の平均組成が
下記の一般式で表され、かつ各成分の含有率が下記の不
等式で表される物質からなる記録層が直接形成され、当
該記録層に記録用放射線ビームが照射されたとき、当該
記録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化が
生じると共に、当該記録用放射線ビーム照射部の下地で
ある上記基板に変形が生じて情報の記録が行われること
を特徴とする光情報記録媒体 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、 ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なく
ともいずれか一つの元素、 ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも
いずれか一つの元素、 ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，
Ｏ，Ａｒ〕元素群から選択された少なくともいずれか一
つの元素、 添字ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，Ｍ
Ｃ，ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率；１０≦ｘ≦６５ ３５≦ａ≦９０ ０≦ｂ≦５ ０≦ｃ≦５ ０≦ｄ≦５。 - 【請求項５】 請求項１ないし４に記載の光情報記録媒
体において、上記ＭＡで表される元素がＡｕ（金）であ
ることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項６】 請求項５に記載の光情報記録媒体におい
て、ＳｉとＡｕの相対的含有比率が２５：７５であるこ
とを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項７】 請求項６に記載の光情報記録媒体におい
て、上記ＭＣで表される元素がＢ（ホウ素）であること
を特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１ないし４に記載の光情報記録媒
体において、上記ＭＡで表される元素がＡｇ（銀）、Ａ
ｌ（アルミニウム）またはＣｕ（銅）であって、上記Ｍ
Ｂ，ＭＣおよびＭＤで表される元素の含有率ｂ，ｃおよ
びｄが、１≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦２０の関係にあることを特徴
とする光情報記録媒体。 - 【請求項９】 請求項８に記載の光情報記録媒体におい
て、元素の含有率ｂ，ｃおよびｄの関係が、１≦ｂ＋ｃ
＋ｄ≦７であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９に記載の光情報記録
媒体において、波長が７８０ｎｍの光の反射率が７０％
以上あることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項１１】 基板の信号面に、膜厚方向の平均組成
が下記の一般式で表され、かつ各成分の含有率が下記の
不等式で表される物質からなる記録層が直接形成された
光情報記録媒体を用い、情報の記録時には、前記記録層
に記録用放射線ビームを照射し、その熱によって上記記
録層の記録用放射線ビーム照射部に原子配列の変化を生
じさせると共に当該記録用放射線ビーム照射部の下地で
ある上記基板に変形を生じさせ、情報の再生時には、情
報の記録部に沿って再生用放射線ビームを照射し、上記
記録層に生じた原子配列の変化ならびに上記基板に生じ
た変形に伴う反射率の変化を光学的に読み出すことを特
徴とする情報の記録再生方法 一般式；ＳｉｘＭＡａＭＢｂＭＣｃＭＤｄ ただし、ＭＡは〔Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ〕元素群から
選択された少なくともいずれか一つの元素、 ＭＢは〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なく
ともいずれか一つの元素、 ＭＣは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも
いずれか一つの元素、 ＭＤは〔Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎ，
Ｏ，Ａｒ〕元素群から選択された少なくともいずれか一
つの元素、 添字ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄは各成分Ｓｉ，ＭＡ，ＭＢ，Ｍ
Ｃ，ＭＤの含有率であって、単位は原子％、 含有率； ５≦ｘ≦７０ ３０≦ａ≦９５ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０。
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|---|---|---|---|
| JP41903090A JP3163302B2 (ja) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP41903090A Expired - Fee Related JP3163302B2 (ja) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 |
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