JP2013241652A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のプラズマガンを備え、膜厚の均一化を図ることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】複数のプラズマガン５を備える成膜装置１において、ハース部２０と被処理物配置部との間に電位の勾配を発生させる電位勾配発生部７を備える構成とする。電位勾配発生部７によって、電位の勾配を発生させることで、イオン化された成膜材料粒子の挙動を拘束し、イオン化された成膜材料粒子のエネルギー及び流束分布を変化させて、被処理物に付着する成膜材料の厚みを調節する。
【選択図】図３

Description

本発明は、成膜装置に関する。

被処理物の表面に成膜材料を成膜する方法としては、例えばイオンプレーティング法が知られている。イオンプレーティング法においては、真空容器（チャンバー）内において成膜材料をイオン化し、拡散して成膜材料粒子を被処理物の表面に付着させることにより成膜を行う（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−９３０９号公報

近年、従来よりも大型化された被処理物に対して、成膜を行うことが可能な成膜装置の開発が進められている。被処理物の大型化に伴って、チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマガンを複数備える成膜装置が検討されている。複数のプラズマガンを備える成膜装置において、膜厚の均一化を図ることが可能な装置が望まれている。

イオン化された成膜材料粒子のエネルギー及び流束分布を制御するためには、成膜室の圧力を変化させる、ハース部のコイルに流す電流を変化させる、プラズマガンのステアリングコイルに流す電流を変化させる、ステアリングコイルの角度を変化させるなど、間接的な方法があるが、更なる膜厚の精度向上が求められている。上記の方法では、複数のプラズマガンを用いて従来よりも幅方向に大きな被処理物に対して成膜を行う際に、低抵抗率の透明導電膜を生成するための条件を見つけることが困難であった。

本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、複数のプラズマガンを備え、膜厚の均一化を図ることが可能な成膜装置を提供することを目的とする。

本発明は、チャンバー内で成膜材料をイオン化させて拡散し被処理物に付着させる成膜装置であって、チャンバー内にプラズマを生成する複数のプラズマガンと、成膜材料が配置されるハース部と、被処理物が配置される被処理物配置部と、ハース部と被処理物配置部との間に、電位の勾配を発生させる電位勾配発生部と、を備える成膜装置を提供する。

このような成膜装置は、電位勾配発生部を備えているので、ハース部と被処理物配置部との間に、電位の勾配を発生させることができる。これにより、イオン化された成膜材料粒子のエネルギー及び流束分布を変化させることができ、被処理物に付着する成膜材料の厚みを調整することができる。

ここで、電位勾配発生部は、ハース部と被処理物配置部との間に、電位差を生成する電位差生成部と、電位の勾配を制御する勾配制御部と、を備える構成が挙げられる。電位差生成部が、ハース部と被処理物配置との間に電位差を生じさせ、勾配制御部が、電位の勾配を制御する構成であるため、イオン化された成膜材料の粒子のエネルギー及び流束分布を微調整することができる。その結果、被処理物に付着する成膜材料の厚みを精度良く調整することができる。

電位差生成部は一対の電極を有し、勾配制御部は一対のコイルを有し、被処理物配置部からハース部を見た場合に、一対の電極は、ハース部を挟むように配置され、一対のコイルは、一対の電極が対向する第１の方向と交差する第２の方向に対向して配置されている構成でもよい。このような構成の成膜装置では、被処理物を挟むように配置された一対の電極によって、電位差を生成し、一対の電極と交差する方向に対向する一対のコイルによって、電位の勾配を制御することができる。一対の電極間の電圧を制御することで、イオン化された成膜材料の粒子のエネルギー及び流束分布を調整することができる。一対のコイルによって、振幅及び周波数を制御することで、イオン化された成膜材料の粒子のエネルギー及び流束分布を調整することができる。これらにより、被処理物に付着する成膜材料の厚みを精度良く調整することができる。

成膜装置は、被処理物配置部からハース部を見た場合に、一対のコイルは、第１の方向と、第２の方向とが直交するように、配置されている構成でもよい。この構成の成膜装置では、一対のコイルが向かい合う方向と、一対の電極が向かい合う方向が直交することになり、一対の電極が形成する電場に対して、好適な磁場を形成することができ、イオン化された成膜材料の粒子のエネルギー及び流束分布を調整することができる。なお、直交するとは、略直交するものを含む。

電位勾配発生部は、被処理物配置部と、プラズマガンのステアリングコイルとの間に配置されている構成でもよい。この構成の成膜装置によれば、イオン化された成膜材料の粒子が多く存在する領域に、電位の勾配を生じさせることができ、イオン化された成膜材料粒子のエネルギー及び流束分布を変化させることができる。

ハース部と被処理物とを結ぶ方向に延在する軸線を回転中心として、電位勾配発生部は、チャンバーに対して回転移動可能である構成が挙げられる。この構成の成膜装置では、電位差生成部に対して、勾配制御部を回転移動することができるので、電界に対する磁力線の方向を変更することが可能となる。イオン化された成膜材料の粒子の挙動が制御される。

本発明によれば、複数のプラズマガンを備えた成膜装置において、チャンバー内に電位の勾配を生じさせ、イオン化された成膜材料粒子のエネルギー及び流束分布を変化させることで、膜厚の均一化を図ることができる。品質の向上された成膜を実行可能な成膜装置を提供することができる。

本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。 図１に示した成膜装置のＩ−Ｉ線に沿った側面断面図である。 図１に示した成膜装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った平面断面図である。 陽極と陰極との間の電位勾配を示すグラフである。 イオン化成膜材料粒子の流束を示す図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明による成膜装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。また、図２は、図１に示した成膜装置１のＩ−Ｉ線に沿った側面断面図である。また、図３は、図１ に示した成膜装置１のＩＩ−ＩＩ線に沿った平面断面図である。図１〜図３には、説明を容易にする為にＸＹＺ直交座標系も示されている。本実施形態の成膜装置１はいわゆるイオンプレーティング装置である。

本実施形態の成膜装置１は、主陽極２、搬送機構３（被処理物配置部）、プラズマ源５（プラズマガン）、補助陽極６、電位勾配発生部７、及び真空容器１０（チャンバー）を備える。

真空容器１０は、成膜対象である被処理物１１を、イオン化成膜材料粒子Ｍｂに曝しつつ搬送するための搬送室１０ａと、成膜材料Ｍａをイオン化して拡散させるための成膜室１０ｂと、プラズマ源５から照射されるプラズマＰを成膜室１０ｂ内へ受け入れるプラズマ口１０ｇと、酸素等の雰囲気ガスを成膜室１０ｂ内部へ導入するためのガス供給口１０ｄ、１０ｅと、成膜室１０ｂ内の残余ガスを排気する排気口１０ｆとを有する。搬送室１０ａは、本実施形態における所定方向である搬送方向（図中の矢印Ａ）に延びており、成膜室１０ｂ上に配置されている。本実施形態においては、搬送方向（矢印Ａ）はＸ軸の正方向に設定されている。また、真空容器１０は、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。

成膜室１０ｂは、搬送方向（矢印Ａ）に沿った一対の側壁１０ｊ及び１０ｋ（図２参照）と、搬送方向（矢印Ａ）と交差する方向（Ｙ軸方向）に沿った一対の側壁１０ｈ及び１０ｉ（図１参照）とを有する。側壁１０ｈは、成膜室１０ｂにおける搬送方向Ａの上流側（すなわちＸ軸負方向側）に配置されている。側壁１０ｉは、成膜室１０ｂにおける搬送方向Ａの下流側（すなわちＸ軸正方向側）に配置されている。

搬送機構３は、本実施形態において被処理物１１が配置される被処理物配置部である。搬送機構３は、被処理物１１を保持する被処理物保持部材３２を、成膜材料Ｍａの露出表面と対向した状態で搬送方向（矢印Ａ）に搬送する。搬送機構３は、搬送室１０ａ内に設置された複数の搬送ローラ３１によって構成されている。搬送ローラ３１は、搬送方向（矢印Ａ）に沿って等間隔で並んでおり、ガイド３３（図２参照）によって回転可能に支持されている。搬送ローラ３１は、被処理物保持部材３２の両端を支持しつつ搬送方向に搬送することができる。なお、被処理物配置部は、搬送ローラを備える搬送機構に限定されない。例えば、被処理物である基板を保持する基板保持部を備え、基板の板厚方向が水平方向となるように基板を保持しながら基板を搬送するものでもよい。

被処理物１１は、搬送方向（矢印Ａ）に延びる一対の辺（第１及び第２の辺）を有する平板状の部材であり、例えば矩形状や搬送方向（矢印Ａ）に延びる板状の部材である。被処理物１１としては、例えばガラス基板やプラスチック基板が例示される。或いは、該板状部材の上に有機ＥＬ層などの機能素子層が形成された基板生産物を被処理物１１としてもよい。

プラズマ源５は、圧力勾配型であり、その本体部分が成膜室１０ｂの側壁（プラズマ口１０ｇ）に設けられている。プラズマ源５において生成されたプラズマＰは、プラズマ口１０ｇから成膜室１０ｂ内へ出射される。プラズマＰは、プラズマ口１０ｇに設けられたステアリングコイル５１によって出射方向が制御される。

図３に示すように、１つの成膜室１０ｂに対して複数（本実施形態では３つ）のプラズマ源５が設けられている。複数のプラズマ源５は、被処理物１１の幅方向に沿う方向（Ｙ軸方向）に並べて配置されている。複数のプラズマ源５は同一の側壁１０ｈに配置されている。なお、複数のプラズマ源５は、対向する一対の側壁１０ｈ，１０ｉにおいて交互に配置されていてもよい。例えば、３個のプラズマ源５のうちＹ軸方向の中央のプラズマ源５は、側壁１０ｉに設けられ、Ｙ軸方向の両側のプラズマ源５は、側壁１０ｈに設けられていてもよい。プラズマ源５は、Ｘ軸方向において互い違いに（図３に示す場合には、左右交互に）配置されている。複数のプラズマ源５は、被処理物１１の長手方向に沿う方向（Ｘ軸方向、搬送方向）に並べて配置されていてもよい。また、複数のプラズマ源５は、Ｙ軸方向に並べられ、且つ、Ｘ軸方向に並べられている構成でもよい。

成膜装置１には、複数のハース部２０（主陽極２及び補助陽極６）が設けられている。複数のハース部２０は、複数のプラズマ源５に対応して配置されている。複数のハース部２０は、被処理物１１の幅方向に沿う方向（Ｙ軸方向）に並べて配置されている。なお、複数のハース部２０は、被処理物１１の長手方向に沿う方向（Ｘ軸方向、搬送方向）に並べて配置されていてもよい。また、複数のハース部２０は、Ｙ軸方向及びＸ軸方向の双方に並べられている構成でもよい。

主陽極２は、成膜材料Ｍａを保持するための部分である。主陽極２は、真空容器１０の成膜室１０ｂ内に設けられ、搬送機構３に対し、Ｚ軸方向の負方向に配置されている。主陽極２は、プラズマ源５から出射されたプラズマＰを成膜材料Ｍａへ導く主ハース２１を有する。主ハース２１は、接地電位である真空容器１０に対して正電位に保たれており、プラズマＰ を吸引する。このプラズマＰが入射する主ハース２１の中央部には、成膜材料Ｍａを装填するための貫通孔が形成されている。そして、成膜材料Ｍａの先端部分が、この貫通孔から露出している。

成膜材料Ｍａとしては、ＺｎＯなどの透明導電材料や、ＳｉＯＮなどの絶縁封止材料が例示される。成膜材料Ｍａが絶縁性物質からなる場合、主ハース２１にプラズマＰが照射されると、プラズマＰからの電流によって主ハース２１が加熱され、成膜材料Ｍａの先端部分が蒸発する。また、成膜材料Ｍａが導電性物質からなる場合、主ハース２１にプラズマＰが照射されると、プラズマＰが成膜材料Ｍａに直接入射し、成膜材料Ｍａの先端部分が加熱されて蒸発する。蒸発した成膜材料Ｍａは、プラズマＰによってイオン化されてイオン化成膜材料粒子Ｍｂとなる。イオン化成膜材料粒子Ｍｂは、成膜室１０ｂ内に拡散しながら成膜室１０ｂの上方（Ｚ軸正方向）へ移動し、搬送室１０ａ内において被処理物１１の表面に付着する。なお、成膜材料Ｍａは、その先端部分が所定の位置を常に維持するように、主陽極２の下方から押し出される。なお、成膜材料Ｍａが絶縁性物質からなる場合、主ハース２１にプラズマＰが照射されると、プラズマＰからの電流によって主ハース２１が加熱され、成膜材料Ｍａの先端部分が蒸発し、プラズマＰによりイオン化された成膜材料粒子Ｍｂが成膜室１０ｂ内に拡散する。

補助陽極６は、プラズマＰを誘導するための電磁石である。補助陽極６は、成膜材料Ｍａを保持する主ハース２１の周囲に配置されており、環状の容器、並びに該容器内に収容されたコイル６ａ及び永久磁石６ｂを有する。コイル６ａ及び永久磁石６ｂは、コイル６ａに流れる電流量に応じて、主ハース２１に入射するプラズマＰの向きを制御する。

電位勾配発生部７は、成膜室１０ｂ内に、電位の勾配を発生させるものである。電位勾配発生部７は、Ｚ軸方向において、主ハース２１と被処理物１１（搬送機構３、被処理物配置部）との間に、電位の勾配を発生させる。電位勾配発生部７は、一対のコイル７ａ及び一対の電極７ｂ，７ｃを有する。成膜装置１には、複数の電位勾配発生部７が設けられている。複数の電位勾配発生部７は、複数のハース部２０に対応して配置されている。複数のハース部２０それぞれについて、一つのハース部２０に対し、一つの電位勾配発生部７が設けられている。本実施形態では、全てのハース部２０に対して、電位勾配発生部７が各々設けられているが、例えば、複数のハース部２０のうちの１つのハース部２０に対して、電位勾配発生部７が設けられている構成でもよい。

一対のコイル７ａは、電位の勾配を制御する勾配制御部である。一対のコイル７ａは、例えば、Ｘ軸方向に対向して配置されている。一対のコイル７ａは、成膜室１０ｂの側壁１０ｈ，１０ｉの外側に配置されている。一対のコイル７ａは、その他の位置に配置されていてもよい。一対のコイル７ａは、例えば、搬送室１０ａの天板の外側に配置されていてもよい。コイル７ａは、コイル７ａの中心軸Ｌ７ａがＸ軸に対して傾斜して配置されていてもよい。一対のコイル７ａによる磁力線（磁場Ｂ）は、成膜室１０ｂ内において、被処理物１１の表面側（成膜面側）に形成される。

一対の電極７ｂ，７ｃは、主ハース２１と被処理物１１との間において、電位差を生成する電位差生成部である。一対の電極７ｂ，７ｃは、Ｙ軸方向において（被処理物配置部からハース部を見た場合に）ハース部２０を挟むように配置されている。一対の電極７ｂ，７ｃには、直流電源７ｄに接続されている。一対の電極７ｂ，７ｃは、陽極７ｂ及び陰極７ｃからなる。図３に示すように、陽極７ｂは、プラズマ源５側から見て左側に配置され、陰極７ｃは、プラズマ源５側から見て右側に配置されている。

一対の電極７ｂ，７ｃは、Ｚ軸方向において、成膜室１０ｂ内の被処理物１１側に配置されている。一対の電極７ｂ，７ｃは、Ｚ軸方向において、一対のコイル７ａと同じ位置に配置されていてもよく、Ｚ軸方向において異なる位置に配置されていてもよい。コイル７ａ及び電極７ｂ，７ｃは、Ｚ軸方向において、搬送機構３とプラズマ源５との間に配置されている。コイル７ａ又は電極７ｂ，７ｃがプラズマ源５より主ハース２１側に配置されている構成でもよい。

一対のコイル７ａは、一対の電極７ｂ，７ｃが対向する第１の方向（本実施形態では、Ｙ軸方向）と交差する第２の方向（本実施形態ではＸ軸方向）に対向して配置されている。本実施形態では、第１の方向及び第２の方向が直交するように、コイル７ａ及び電極７ｂ，７ｃが配置されている。Ｚ軸方向から見て、第１の方向と第２の方向とが、その他の角度で交差するように、コイル７ａ及び電極７ｂ，７ｃが配置されている構成でもよい。

成膜装置１は、Ｚ軸方向に延在する回転軸線を回転中心として、電位勾配発生部７が真空容器１０に対して回転移動可能な構成でもよい。成膜装置１は、Ｚ軸方向に延在する回転軸線を回転中心として、一対のコイル７ａが一対の電極７ｂ，７ｃに対して回転移動可能な構成でもよい。例えば、回転軸線回りに回転可能なターンテーブルを備える構成として、このターンテーブルに一対のコイル７ａを設けることで、一対のコイル７ａを回転移動させることができる。

次に、成膜装置１を用いた成膜方法について説明する。まず、主陽極２に配置された主ハース２１へ成膜材料Ｍａを装着するとともに、被処理物１１を保持した被処理物保持部材３２を搬送機構３にセットする。そして、真空容器１０内を真空に保持する。

続いて、接地電位にある真空容器１０を挟んで、負電圧をプラズマ源５に、正電圧を主陽極２に印加して放電を生じさせ、プラズマＰを生成する。プラズマＰは、補助陽極６に案内されて主陽極２へ照射される。本方法では、被処理物保持部材３２をＸ軸方向に搬送しつつ、このようにプラズマＰを主陽極２へ照射する。プラズマＰに曝された主陽極２内の成膜材料Ｍａは、徐々に加熱される。成膜材料Ｍａが十分に加熱されると、成膜材料Ｍａが蒸発してイオン化され、イオン化成膜材料粒子Ｍｂとなって成膜室１０ｂ内に拡散する。成膜室１０ｂ内に拡散したイオン化成膜材料粒子Ｍｂは、成膜室１０ｂ内をＺ軸方向の正方向に上昇し、被処理物１１に向けて飛行する。

ここで、成膜装置１は、電位勾配発生部７によって主ハース２１と搬送機構３との間に、電位の勾配を発生させている。電位勾配発生部７は、一対のコイル７ａに電流を流し、成膜室１０ｂ内に磁場を形成する。電位勾配発生部７は、一対の電極７ｂ，７ｃに電流を流し、一対の電極７ｂ，７ｃ間に電位差を生じさせる。

図４は、一対の電極（陽極７ｂ，陰極７ｃ）間の電位勾配を示すグラフである。図４中、破線で示すグラフＧ１は、一対のコイル７ａが通電されていない状態における一対の電極７ｂ，７ｃ間の電位の勾配を示している。このように、一対のコイル７ａが通電されていない状態であり、プラズマＰ中に磁場が形成されていない状態では、陽極７ｂから陰極７ｃに向かうにつれて電位は変化せず略一定であり、陰極７ｃの直前で電位が下がることになる。陽極７ｂと陰極７ｃとの間の殆どの領域で電位が一定であり、陰極７ｃの直前のみで電位が降下している。

図４中、実線で示すグラフＧ２は、一対のコイル７ａに電流が流れている状態における一対の電極７ｂ，７ｃ間の電位の勾配を示している。このように、一対のコイル７ａが通電されている状態であり、プラズマＰ中に磁場が形成されている状態では、陽極７ｂから陰極７ｃに向かうにつれて電位が下がり始め、陰極７ｃの直前で電位の降下の割合が大きくなる。陽極７ｂと陰極７ｃとの間の殆どの領域で電位が降下している。この状態では、イオン化成膜材料粒子Ｍｂは、陰極７ｃ側へ引き寄せられるように進行方向が変更される。

本実施形態の成膜装置１では、一対のコイル７ａに電流を流すことで磁場を形成し、この磁場によってプラズマ中の電子をトラップすることで、プラズマ中に電場を形成することができる。そのため、一対の電極７ｂ，７ｃに電位の勾配が発生するので、この電位の勾配の影響を受けて、イオン（イオン化成膜材料粒子Ｍｂ）のエネルギー分布及び流束分布を変化させることができる。電位の勾配により、イオンは陰極側に引き寄せられるので、これに応じて、エネルギー分布及び流束分布を変化させることで、被処理物１１に付着するイオン化成膜材料粒子Ｍｂの付着量を制御して、膜厚の均一化を図ることができる。

通常、電極によって形成される電場は、プラズマ中においてはデバイ長程度で遮断されてしまう。上述したように本実施形態の成膜装置１では、電位勾配発生部７を備え、プラズマ中に磁場が形成されるので、磁場によって電子の動きが拘束され、プラズマＰの内部まで電場が浸透する。成膜装置１では、プラズマＰ中に浸透した電場によってイオン化された成膜材料粒子Ｍｂのエネルギー及び流束分布を制御できる。電位勾配発生部７によって、イオン化成膜材料粒子Ｍｂを加速又は減速させることで、イオン化成膜材料粒子Ｍｂのエネルギーを制御する。

図５は、イオン化成膜材料粒子Ｍｂの流束の一例を示す図である。図５では、電位勾配発生部７を作動させる前のイオン化成膜材料粒子Ｍｂの流束を示している。イオン化成膜材料粒子Ｍｂの流束分布は、ハース部２０からＺ軸方向に進行し、Ｙ軸方向に拡散する。イオン化成膜材料粒子Ｍｂは、例えば、図示左右方向に傾いて進行し、イオン化成膜材料粒子Ｍｂの流束分布に偏りが生じる。複数のハース部２０からイオン化成膜材料粒子Ｍｂが供給される領域では、イオン化成膜材料粒子Ｍｂが多く（濃く）なる。

本実施形態の成膜装置１は、電位勾配発生部７を備え電位の勾配を発生させることができるので、イオン化成膜材料粒子Ｍｂの流束分布及びエネルギーを変化させることが可能である。成膜装置１では、イオン化成膜材料粒子Ｍｂが多い（濃い）方から少ない（薄い）方へイオン化成膜材料粒子Ｍｂを引き寄せることができる。これにより、イオン化成膜材料粒子Ｍｂの流束分布を均一化させて、被処理物１１に付着する成膜材料の厚みを調整することができる。

成膜装置１では、電位の勾配を容易に変更することが可能であるため、膜厚を均一にするための条件を容易に見つけることが可能である。例えば、一対の電極７ｂ，７ｃの電圧を制御したり、一対のコイル７ａに供給される交流電流の振幅、周波数を制御したりすることで、膜厚を均一にするための条件を容易に設定することができる。その結果、成膜された製品の品質の向上を図ることが可能である。

また、一対の電極７ｂ，７ｃの陽極及び陰極としての役割を反転させることで、プラズマ源５の配置の違いに対応させることが可能である。

以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、電位勾配発生部７が一対のコイル７ａを備える構成としているが、一対のコイル７ａに代えて、永久磁石を備える構成でもよい。

上記実施形態では、被処理物１１がハース部２０の上方を通過する構成としているが、位置関係はこれに限定されない。例えば、ハース部２０及び被処理物１１が水平方向に向かい合うように配置されている構成でもよい。

搬送機構３は、搬送ローラを備え被処理物１１を載置させて搬送するものに限定されない。専用の保持具によって被処理物を上方から支持しながら搬送する構成でもよい。搬送機構３を備えていない成膜装置でもよい。

上記実施形態では、成膜装置１をイオンプレーティング装置としているが、ＥＢ（イオンビーム）蒸着法などその他の蒸着法を用いた成膜装置でもよい。

１…成膜装置、２…主陽極、３…搬送機構、５…プラズマ源（プラズマガン）、６…補助陽極、６ａ…コイル、６ｂ…永久磁石、７…電位勾配発生部、７ａ…コイル（イオンコントロール用コイル）、７ｂ…陽極（電位差生成部、イオンコントロール用電極）、７ｃ…陰極（電位差生成部、イオンコントロール用電極）、１０…真空容器、１０ａ…搬送室、１０ｂ…成膜室、１１…被処理物、２０…ハース部、２１…主ハース、３１…搬送ローラ、３２…被処理物保持部材、３３…ガイド、５１…ステアリングコイル、Ｍａ…成膜材料、Ｍｂ…イオン化成膜材料粒子、Ｐ…プラズマ。

Claims (6)

1. チャンバー内で成膜材料をイオン化させて拡散し被処理物に付着させる成膜装置であって、
   前記チャンバー内にプラズマを生成する複数のプラズマガンと、
   前記成膜材料が配置されるハース部と、
   前記被処理物が配置される被処理物配置部と、
   前記ハース部と前記被処理物配置部との間に、電位の勾配を発生させる電位勾配発生部と、を備える成膜装置。
2. 前記電位勾配発生部は、前記ハース部と前記被処理物配置部との間に、電位差を生成する電位差生成部と、
   前記電位の勾配を制御する勾配制御部と、を備える請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記電位差生成部は一対の電極を有し、
   前記勾配制御部は一対のコイルを有し、
   前記被処理物配置部から前記ハース部を見た場合に、
   前記一対の電極は、前記ハース部を挟むように配置され、
   前記一対のコイルは、前記一対の電極が対向する第１の方向と交差する第２の方向に対向して配置されている請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記被処理物配置部から前記ハース部を見た場合に、
   前記一対のコイルは、前記第１の方向と、前記第２の方向とが直交するように、配置されている請求項３に記載の成膜装置。
5. 前記電位勾配発生部は、前記被処理物配置部と、前記プラズマガンのステアリングコイルとの間に配置されている請求項１〜４の何れか１項に記載の成膜装置。
6. 前記ハース部と前記被処理物とを結ぶ方向に延在する軸線を回転中心として、前記電位勾配発生部は、前記チャンバーに対して回転移動可能である請求項１〜５の何れか１項に記載の成膜装置。

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