JPS62222445A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 本発明は、後で形成する記録媒体膜が基板樹脂からの酸
素などで劣化するのを防止するために、樹脂板の基板表
面上に硫化物と希土類金属とからなるＭ着膜又はスパッ
タ膜を形成した光ディスク基キ反である。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、高密度大容量メモリに用いられる光ディスク
の透明基板に関するものである。

光ディスクには光磁気ディスク、光学的反射率の変化を
利用した光ディスクなどがあり、記録媒体が劣化しない
ようにして長寿命化に寄与する基板が求められている。

〔従来の技術〕

光ディスク基板としては、（１）アクリル、スチレン、
エポキシ、ポリカーボネートなどの樹脂基板、あるいは
、（２）ガラス板又はこれら樹脂基板上に紫外線硬化型
樹脂層を形成した基板がある。

そして、樹脂基板の表面部におよび紫外線硬化型樹脂層
に光ガイド？ｎ　（案内溝）が形成されている。

なお、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂層を形成したもの
も本明細書中では案内溝付き樹脂基板に含める。

〔発明が解決しようとする問題点〕

これらの案内溝付き樹脂基板上に光磁気ディスク用磁気
記録媒体膜である希土類金属−遷移金属（例えば、Ｔｂ
ＦｅＣｏ）を真空蒸着又はスパッタで直接に形成すると
、十分な特性が得られない。十分な特性が得られない原
因は、磁気記録媒体膜の下地の樹脂中に含まれている酸
素、水分が記録媒体の特に希土類金属を酸化するからで
ある。そこで、磁気記録媒体膜が樹脂基板に直接接触す
るのを防止するために、硫化物の透明薄膜をバリア層と
して樹脂基板上に形成しておけば、初期の特性は十分な
値が得られる。また、このような硫化物薄膜は記録媒体
膜に対する無反射コーティングとして働きかつカー効果
増大効果を有することが知られている。しかしながら、
時間が経過するにつれて、成膜時に硫化物薄膜に取り込
まれた酸素、および樹脂基板からの酸素が硫化物薄膜中
を拡散移動して記録媒体に達するようになって特性が劣
化してくる。さらに、光ディスク用記録媒体膜である低
融点金属（例えば、Ｔｅ）を直接に樹脂基板上に形成し
た場合でも、時間の経過につれて上述したように酸素が
記録媒体に達して酸化して特性が劣化しでくる。

本発明の目的は、樹脂基板上に形成する記録媒体膜の樹
脂基板側からの酸化を防止する光ディスク基板を堤供し
て、光ディスクの長寿命化を図ることである。

〔問題点を解決するための手段） 上述の目的が、案内溝付き樹脂基板上に硫化物および希
土類金属からなる蒸着膜又はスパッタ膜が形成されてい
る光ディスク基板によって達成される。

蒸着膜又はスパッタ膜中の希土類金属はＩ〜６０ａｔ％
であるのが好ましく、ｌａｔ％以下では酸化防止効果が
十分でなく、一方、６０ａｔ％以上では光の吸収が大き
くなり反射効率が低下する。

硫化物としては透明でかつ屈折率が樹脂基板と記録媒体
の中間の値であるＺｎＳ、　ＣｄＳ又はｐｂｓが好まし
い。

〔作　用〕

本発明では硫化物薄膜中に酸化しやすい希土類金属を添
付することになり、この希土類金属が成膜時に硫化物薄
膜中に取り込まれた酸素および樹脂基板から侵入してく
る酸素をトラップ（捕獲）することによって記録媒体の
酸素を防止する。本発明での硫化物・希土類金属の蒸着
（スパッタ）膜を樹脂基板の耐熱性許容範囲での温度（
４５°Ｃ〜許容温度）にで熱処理することが望ましい。

蒸着（スパッタ）にて膜組成はかなり均一となっている
であろうが加熱処理によってより均一化することができ
る。

〔実施例〕

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施態様例
によって本発明の詳細な説明する。

〔例　１〕 第１図は本発明に係る光ディスク基板を用いて製作した
光磁気ディスクの部分断面図である。

案内溝（図示せず）を有するアクリル基板（例えば、射
出成形で作られたＰＭＭＡ基板）１上にスパッタリング
によって硫化＠Ｉ（ＺｎＳ）−希土類金属（Ｄｙ）の混
合膜２を形成する（第１図）。このスパッタリング成膜
は、第２図に示すようなスパッタリング装置内で次のよ
うにして行なわれる。まず、真空容器１１内にアクリル
基板ｌおよびカソード１２上で硫化物（ＺｎＳ）ターゲ
ット１３および希土類金属（Ｄｙ）ターゲット１４を配
置する。これらターゲットを面積比でＺｎＳターゲット
対ＤｙターゲットがＩＯ：Ｉとなるように並べられてい
る。

真空ポンプを用いて真空容器１１内を５　Ｘ　Ｉ　０−
７Ｔｏｒｒまで排気し、ＡｒガスをＩ　Ｘ　１０−２Ｔ
ｏｒｒとなるように真空容器ｌｌ内へ流す。高周波（Ｒ
Ｆ）電源がら高周波電力（例えば、２００　Ｗ　）をカ
ソード１２に加えて、ターゲットにＡｒ”　イオンが入
射してターゲット材料をエツチングし、このエッチング
（スパッタ）されたＺｎＳおよびｏｙがアクリル基板１
上に被着堆積する。このようにして、Ｚｎ５−Ｄｙ混合
膜（厚さ２００ｎｍ）　２が得られる。

次に、得られた基板をスパッタリング装置から取り出し
て加熱炉に入れて１２０℃にて１時間の熱処理を特別に
不活性雰囲気にすることなく施こす。

このようにして製作した本発明に係る基板上に光磁気デ
ィスクの磁気記録媒体膜（例えば、ＴｂＦｅＣ。

膜、厚さｌｏｏｎｍ）　３をスパッタリングにて形成す
る。

さらに、保護膜（例えば、Ｓｉ膜、厚さ１０１００ｎ　
４をスパッタリングにて磁気記録媒体膜３上に形成して
、光磁気ディスクが得られる。

この光磁気ディスクを６０℃、常温（９０％湿度）にて
保持したときのカーループによるＨｃ（保磁力）の変化
を調べたところ第３図の実線で示す結果が得られた。比
較例として、アクリル基板上に希土類金属の入っていな
い硫化物（ＺｎＳ）膜をスパッタリングにて形成し、さ
らにその上にＴｂＦｅＣ。

磁気記録媒体膜およびＳｉ保護膜をスパッタリングにて
同様に形成することで光磁気ディスクを製作した。この
従来例の光磁気ディスクについても６０℃、常温での保
持によるカーループにょるＨｃ変化を調べ、その結果を
第３図中の点線で示す。

第３図から明らかなように従来例の硫化物のみの膜と比
べて本発明に係る硫化物−希土類金属の膜によってｔｉ
ｃ経時変化が小さいことがわかる。このことは光磁気デ
ィスクの長寿命化が従来よりもがなり達成できたことを
意味している。

〔例　２〕 ガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層を塗布しこの樹脂層
を露光・現像によって案内溝を形成して、樹脂基板とす
る。この基板上に例工での場合と同様にスパッタリング
によってＰｂ５−Ｓｓ混合膜を形成する。得られた基板
を１００”Ｃにて２時間の熱処理をした後で、例１と同
じようにＴｂＰｅＣｏ膜およびＳｉ保護膜を形成して光
磁気ディスクを製作する。この光磁気ディスクを例１と
同様にしてｌｌｃ経時変化を調べたところ、例１と同様
の効果が得られた。

〔発明の効果〕

本発明に係る光ディスク基板では硫化物−希土類金属の
膜がこの膜形成時に取り込まれた酸素および樹脂基板か
らの酸素をトラップして、記録媒体の酸化が防止される
ので、寿命の長い光（磁気）ディスクが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る基板を用いて作成した光磁気デ
ィスクの部分断面図であり、 第２図は、スパッタリング装置の概略図であり、第３図
は、光磁気ディスクのｔｉｃ経時変化を示すグラフであ
る。 １・・・アクリル基板、 ２・・・硫化物−希土類金属の混合膜、３・・・記録媒
体膜、 ４・・・保護膜、 １３・・・ＺｎＳターゲット、 １４・・・ｏｙターゲット。 光磁気ディスクの部分断面図 第１図 スパッタリング装置の概略図 第２図 １・・・アクリル基板 ２°°°硫化物−希土類金属の膜 ３°°°記録媒体膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録媒体膜を形成することになる案内溝付き樹脂基
   板の光ディスク基板において、前記樹脂基板上に硫化物
   および希土類金属からなる蒸着膜又はスパッタ膜が形成
   されていることを特徴とする光ディスク基板。 ２、前記蒸着膜又はスパッタ膜中の前記希土類金属は１
   〜６０ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の光ディスク基板。 ３、前記硫化物がＺｎＳ、ＣｄＳ又はＰｂＳであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク基
   板。