JPS62217438A - 光記録担体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 光記録担体の酸化物保護膜中の不安定な酸素が記録媒体
を劣化するのを防止するために保護膜を酸化物と金属の
同時成膜によって作成し、不安定な酸素を金属でトラッ
プする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は光記録担体およびその製造方法に係り、より詳
しく述べると、光記録媒体が使用環境や基板からの悪影
響を遮断するための保護膜に関する。

〔従来の技術〕

ングしまたは紫外線硬化樹脂を用いて光案内溝を形成し
た後、記録媒体が基板あるいは紫外線硬化樹脂から悪影
響を受けるのを防止するために酸化物その他の誘電体に
よる保護膜（下地保護膜）を形成し、その上に上記非晶
質合金からなる記録媒体層を形成している。記録媒体上
には、さらに、記録媒体が外部環境から悪影響を受ける
のを防止するためにもう１つの保護膜（上地保護膜）を
形成している。

従来、このような光記録担体の保護膜としては、主とし
て、ＳｉＯ，ＳｔＯ□、ＡＡ２０ｓなどの酸化物が用い
られている。これは、酸化物膜がレーザ光に対して透明
でありかつ成膜が容易なためである。そのほか酸化物以
外の保護膜としてＺｎＳ、ＳｉＪ＜、　Ａ　７！Ｎなど
の適用が考えられる。しかし、ＺｎＳは屈接率が大きい
（ｎ　＝　２．３〜２．４）ので正確な膜厚制御が要求
され、またＺｎＳの蒸着は突沸等が多く成膜が難しいと
いう欠点がある。ｓｉ　Ｊ４．、　Ａ　７！Ｎは、蒸着
による成膜は難しいので一般に反応性スパッタによる方
法が採用されているが、５ｉＪ４．、　Ａｊ！Ｎを得る
ためには使用ガス、ガス圧、パワーの制御また温度制御
が必要であり、成膜速度も遅い欠点がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の如き光磁気記録媒体を構成する希土類金属は酸化
され易い性質を有し、空気中の酸素や水分、基板中に含
まれる水分、酸素および活性成分によって特性が劣化す
る。この特性劣化を防止するために保護膜を形成したが
、真空蒸着、スバソタリング等により成膜された酸化物
保護膜は構造的に多くの欠陥を含み、特に不安定な酸素
を存している。そのため、保護膜中に存在する不安定な
酸素が記録媒体、特に希土類金属と反応し、記録媒体を
劣化させるという問題がある。

このような保護膜による記録媒体の劣化は希土類金属を
用いた光磁気記録担体において著しいが、その他の光磁
気記録担体、あるいは穴あけ形光記録担体、等において
も大なり小なり共通であり、記録媒体に対して不活性な
保護膜の提供が望まれる。

〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明は、
上記問題点を解決するために、保護膜を成膜する際に金
属酸化物と共に金属を同時成膜する。これによって、金
属酸化物の成膜時に発生する不安定な酸素を同時に成膜
する金属によりトランプし、安定な保護膜を提供するこ
とができる。

金属酸化物と同時に成膜する金属はその金属酸化物を構
成する金属でも、あるいはそれと異なる金属でもよい。

例えば、５ｉ０２と共にＳｉを同時成膜してもよく、あ
るいはＳｉｎ、と共に希土類金属、アルミニウムなどを
同時成膜してもよい。金属酸化物を構成する金属はその
金属酸化物と化学的に一体化し易いので好ましく、また
希土類金属は成膜し易くかつ酸素親和力が大きいので好
ましい。

金属あるいは金属酸化物が２種以上であることも何ら問
題はない。保護膜に用いる金属酸化物としではＳ　ｉ　
Ｏｚ　＋＾ｊ！　２０３．ＣａＯ，Ｃａｔ（１＋＋Ｍｇ
ｏ＋５ｂ２０２．　ＳｉＯを例示できる。

金属酸化物との共に成膜する金属は、その量が多いほど
不安定な酸素をより多くトラップすることができるが、
過剰の金属はもはや結合する酸素が存在しないので金属
状態で存在することになり、その量が多くなると保護膜
の透光率を低下させるので好ましくない。特に、記録膜
に対して光を入射させる側（出射側も同じ）の保護膜は
光吸収率が１０％以下であるべきである。従って、望ま
しい金属の最適量は、このような光吸収率および記録媒
体の安定化効果を見ながら、保護膜の材質、成膜条件、
記録媒体の種類等に応じて実験的に決められるべきであ
る。しかし、一般的には、例えば、Ｔｂと５ｉ０２の例
では蒸着速度（すなわち体積比）でＳｉＯ□：Ｔｂ＝５
　：　Ｉ〜３、ＳｉとＳｉＯ□の例ではＳｉｎｇ　：Ｓ
　ｉ　＝　５　：　１〜２は適当である。

金属と金属酸化物の同時成膜は同時真空蒸着、同時スパ
ッタリング等の慣用の手段によることができ、さらには
金属と金属酸化物の混合物を真空蒸着やスパッタリング
してもよい。

本発明により金属酸化物と金属を同時成膜して得られる
膜は金属の種類に応じて組成的にも新規である。

本発明により金属を同時成膜する保護膜は、第１に光の
入射側（出射側）に存在すること、また記録膜の前に形
成される下地保護膜であることが、それぞれ効果が大き
いので好ましいが、記録媒体層のいずれか一方の側にあ
ってもそれぞれ一定の効果は奏せられるものである。

本発明が適用される光記録担体としては、光磁気記録タ
イプ、穴あけタイプ、結晶−アモルファス間あるいは結
晶−結晶相変態タイプなどが例示される。

〔実施例〕

実施例１ 光ディスクに用いられる透明基板は光案内溝を有するア
クリル樹脂（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、およびガラスなどである。基板表面にエツチ
ングして直接トラッキング用案内溝を形成してもよいが
、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用案内溝を形成
されることが多い。

第１図を参照する表、いずれにしろ、トラッキング用案
内溝を形成した基板１を真空蒸着装置２内にセントし、
蒸着室内を５　ｘｔｏ−’ｐ　ａ以下に排気後、基板を
回転しながら保護膜を形成した。この例では、２つのハ
ース３，４にそれぞれ金属としてＴｂ、金属酸化物とし
て５ｉｎ２を用意し、電子ビーム５により加熱し同時蒸
着した。蒸着速度は（１）Ｔｂ　　２人／　ｓ　、　　
５ｉＯ７５人／Ｓと（２）Ｔｂ　　１人／ｓ＋ＳｉＯ□
　Ｓ人／Ｓとし、膜厚は１０００人になるまで蒸着した
。蒸着中の真空度は、７〜８　ｘｔｏ−’ｐ　ａであっ
た。

第２図を参照すると、基板１１上に下地保護膜１２を成
膜した後に、記録膜として光磁気記録媒体であるＴｂＦ
ｅＣ：ｏ膜１３の成膜を行った。成膜の方法はＴｂとＦ
ｅＣｏの同時蒸着により行い、所定の膜組成となるよう
に各々の蒸着速度を制御した。膜厚は１０００人とした
。次に上地保護膜１４の成膜を行った。上地保護膜１４
は光デイスク使用時にレーザ光１５が入射する側ではな
いので、レーザ光に対して透明である必要はなく、この
例ではＳｉ膜を１０００人真空蒸着した。

比較のために、下地保護膜１４にＴｂを同時成膜しない
従来法による光磁気ディスクを作成した。

こうして作成した光磁気ディスクを大気中１５０°Ｃに
保持して光磁気記録膜１３の保持力の変化を調べた。光
磁気ディスク媒体の酸化・腐食による劣化は特性上保磁
力、カー回転角、反射率の変化として現われるがこのう
ち保磁力の変化は光磁気ディスク媒体（記録層）の組成
変化に対応し、酸化・腐食に際し、酸化し易い希土類元
素が酸化して酸化物になると大きく変化する。そのため
光磁気ディスクの耐久性および保護膜の効果は保磁力の
経時変化を調べることにより評価できる。

第３図に結果を示す（図中、Ｔｂ／５ｉＯｚはＴｂとＳ
ｉＯ□の蒸着速度比を示す）。下地保護膜中にＴｂが含
まれないものは、著しく保磁力が変化し、光磁気媒体は
劣化しているが、下地保護膜中にＴｂを含むものは保磁
力の変化は小さいことが認められる。これは保護膜にＴ
ｂを同時成膜したことにより記録層のＴｂＦｅＣｏの劣
化が防止されていることを示している。

災施且ｌ 実施例工では、光ディスクの記録媒体として、光磁気デ
ィスク媒体として一般に用いられるＴｂＦｅＣｏ膜に関
して述べたが、本発明の保護膜は他の光デイスク記録膜
に対しても効果がある。この実施例は光デイスク穴あけ
材料として一般に用いられている、Ｔｅ膜に関するもの
である。

基板および下地保護膜の成膜は実施例１と同様である。

但し、基板としてＰＭＭＡを用いた。次に記録層として
Ｔｅを蒸着した。Ｔｅの成膜条件は、真空度５ＸＩＯ’
Ｐａで行い、蒸着速度５人／Ｓで、２００人の膜厚とな
るまで成膜した。次に」二地保護膜の成膜を行った。こ
の場合も、レーザ光に対して透明である必要はなく、こ
こでは銅フタロシアニンを２００人厚成る膜した。

この場合も、比較のためにＳｉＯ□だけの下地保護膜の
光ディスクを作成した。

Ｔｅを記録層として用いた光ディスクはＴｅ自体が実施
例］で述べたＴｂＦｅＣｏに比べ、酸素に対して活性で
はないが、大気中の酸素、水分によって酸化され、透明
になる。そこで本発明による保護膜の効果を確認するた
め、上記の如（、ＰＭＭＡ基板上に下地保護膜と記録膜
を成膜したもの（上地保護膜は銅フタロシアニンで形成
）を６０℃、９０％Ｒ）Ｉ環境に放置し、光透化率の経
時変化を調べた。

結果を第４図に示す。第４図から、下地保護膜が、基板
側からの酸素、水分のＴｅｙ中への拡散に対して効果が
あることが認められる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、光記録担体の保護膜として用いる被着
酸化物中に含まれる不安定な酸素を酸化物と同時に被着
する金属によりトラップし、安定かつ透明な保護膜を与
え、光記録担体の長期安定化に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は同時真空蒸着装置の模式断面図、第２図は光記
録担体の模式断面図、第３図は実施例の光磁気ディスク
の保磁力の経時変化を表わすグラフ図、第４図は実施例
の穴あけタイプ光ディスクの光透過率の促進経時変化を
表わすグラフ図である。 １・・・光デイスク基板、　２・・・蒸着装置、３・・
・Ｔｂハース、　　　　４・・・５ｉＯｚハース、５・
・・電子ビーム、　　１１・・・基板、１２・・・下地
保護膜、　　１３・・・記録媒体層、１４・・・上地保
護膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に光記録媒体層と該光記録媒体層と接する保
   護膜を有する光記録担体において、該保護膜が金属と金
   属酸化物を同時成膜して成る膜であることを特徴とする
   光記録担体。 ２、基板上に光記録媒体層と該光記録媒体層と接する保
   護膜を有する光記録担体の製造において、該保護膜を、
   金属と金属酸化物とを同時成膜して作成することを特徴
   とする光記録担体の製造方法。