JPS62217440A - 光ディスク用基板 - Google Patents
光ディスク用基板Info
- Publication number
- JPS62217440A JPS62217440A JP61056875A JP5687586A JPS62217440A JP S62217440 A JPS62217440 A JP S62217440A JP 61056875 A JP61056875 A JP 61056875A JP 5687586 A JP5687586 A JP 5687586A JP S62217440 A JPS62217440 A JP S62217440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- protective film
- fluoride
- earth metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 16
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 5
- -1 rare earth metal fluoride Chemical class 0.000 claims 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100456626 Homo sapiens MEF2A gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910002319 LaF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100079042 Mus musculus Myef2 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100021148 Myocyte-specific enhancer factor 2A Human genes 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004299 TbF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 101150014102 mef-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ディスク基板と磁気記録媒体との間に設ける保護膜がフ
ッ化物−希土類金属の蒸着膜又はスパッタ膜で安定化熱
処理を施こされており、光ディスクの長寿命化に寄与す
るディスク基板である。
ッ化物−希土類金属の蒸着膜又はスパッタ膜で安定化熱
処理を施こされており、光ディスクの長寿命化に寄与す
るディスク基板である。
本発明は、高密度大容量メモリに用いられる光ディスク
の透明基板に関するものである。
の透明基板に関するものである。
光ディスクには、光磁気ディスク、相変態ディスクある
いは追記型光ディスクなどがあり、記録媒体が劣化しな
いようにして長寿命化に寄与するディスク用基板が求め
られている。
いは追記型光ディスクなどがあり、記録媒体が劣化しな
いようにして長寿命化に寄与するディスク用基板が求め
られている。
光ディスク用基板としては、（ａ）アクリル、スチレン
、エポキシ、ポリカーボネイトなどの樹脂基板、あるい
は（ｂｌガラス板又はこれらの樹脂板上に紫外線硬化型
樹脂層を形成した基板がある。樹脂基板の表面部にそし
て紫外線硬化型樹脂層に案内溝（光ガイド溝）が形成さ
れている。なお、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂層を形
成したものも本明細書では案内溝付き樹脂基板に含める
。
、エポキシ、ポリカーボネイトなどの樹脂基板、あるい
は（ｂｌガラス板又はこれらの樹脂板上に紫外線硬化型
樹脂層を形成した基板がある。樹脂基板の表面部にそし
て紫外線硬化型樹脂層に案内溝（光ガイド溝）が形成さ
れている。なお、ガラス板上に紫外線硬化型樹脂層を形
成したものも本明細書では案内溝付き樹脂基板に含める
。
これら案内溝付き樹脂基板上に、例えば、光磁気ディス
ク用の磁気記録媒体膜となる希土類金属−遷移金属（例
えば、ＴｈＦｅＣｏ）を真空蒸着又はスパッタリングに
よって直接に形成すると、磁気的特性、記録・再生特性
などの特性が十分でなくかつ経時的に劣化する。この原
因は、磁気記録媒体膜の下地の樹脂中に酸素、水分、さ
らに未硬化のモノマーなど活性な成分が含まれており、
これらが記録媒体膜成分の希土類金属と反応して酸化す
るからである。
ク用の磁気記録媒体膜となる希土類金属−遷移金属（例
えば、ＴｈＦｅＣｏ）を真空蒸着又はスパッタリングに
よって直接に形成すると、磁気的特性、記録・再生特性
などの特性が十分でなくかつ経時的に劣化する。この原
因は、磁気記録媒体膜の下地の樹脂中に酸素、水分、さ
らに未硬化のモノマーなど活性な成分が含まれており、
これらが記録媒体膜成分の希土類金属と反応して酸化す
るからである。
そこで、従来から、樹脂基板と磁気記録媒体膜との中間
に透明な保護膜を形成して直接接触しないようにするこ
とで記録媒体の劣化防止を図っている。この保護膜は、
光磁気ディスクであれば、透明な他に無反射コーティン
グと働きカー効果増大効果をもたらすことなどを考慮し
て硫化物（ＺｎＳ）膜が提案されている。
に透明な保護膜を形成して直接接触しないようにするこ
とで記録媒体の劣化防止を図っている。この保護膜は、
光磁気ディスクであれば、透明な他に無反射コーティン
グと働きカー効果増大効果をもたらすことなどを考慮し
て硫化物（ＺｎＳ）膜が提案されている。
硫化物（ＺｎＳ）の保護膜によってかなり特性の劣化を
防ぐことができるが、それでも樹脂基板からの酸素およ
び成膜時に保護膜中に取り込まれた酸素が硫化物の保護
膜中を拡散移動して記録媒体に達するようになって経時
的特性劣化が生じている。
防ぐことができるが、それでも樹脂基板からの酸素およ
び成膜時に保護膜中に取り込まれた酸素が硫化物の保護
膜中を拡散移動して記録媒体に達するようになって経時
的特性劣化が生じている。
硫化物の代わりにフッ化物を保護膜材料とすることが考
えられていたが、以下の理由によりその保護効果が期待
できないことがわかっている。それは、フッ化物を蒸着
又はスパッタリングによって成膜する際に、一部のフッ
素がフッ化物から切れて遊離フッ素となって保護膜中に
存在し、この遊離フッ素が記録媒体膜中の希土類金属と
反応して特性を劣化するからである。
えられていたが、以下の理由によりその保護効果が期待
できないことがわかっている。それは、フッ化物を蒸着
又はスパッタリングによって成膜する際に、一部のフッ
素がフッ化物から切れて遊離フッ素となって保護膜中に
存在し、この遊離フッ素が記録媒体膜中の希土類金属と
反応して特性を劣化するからである。
本発明の目的は、樹脂基板と記録媒体膜との間の保護膜
を上述したフッ化物での欠点が生じないようにしてフッ
化物を用いて形成し、光ディスクの長寿命化を図ること
のできるディスク用基板を提供することである。
を上述したフッ化物での欠点が生じないようにしてフッ
化物を用いて形成し、光ディスクの長寿命化を図ること
のできるディスク用基板を提供することである。
上述の目的が、案内溝付き樹脂基板上にフッ化物および
希土類金属からなる保護膜が形成され、この保護膜は加
熱による安定化処理が施こされていることを特徴とする
光ディスク用基板によって達成される。
希土類金属からなる保護膜が形成され、この保護膜は加
熱による安定化処理が施こされていることを特徴とする
光ディスク用基板によって達成される。
保護膜は蒸着又はスパッタリングによって形成され、希
土類金属のフッ化物に対する蒸着又はスパッタリング速
度の比が０．３〜０．６であることが好ましく、０．３
以下では希土類金属の量が少なく遊離フッ化物による特
性劣化が生じ、一方、０．６以上では光の吸収が大きく
なり反射率が低下する。
土類金属のフッ化物に対する蒸着又はスパッタリング速
度の比が０．３〜０．６であることが好ましく、０．３
以下では希土類金属の量が少なく遊離フッ化物による特
性劣化が生じ、一方、０．６以上では光の吸収が大きく
なり反射率が低下する。
成膜時に希土類金属を含ませることによって、多くの遊
離フッ素は希土類金属と結合状態にある、一部の遊離フ
ッ素は未結合状態にあると考えられる。この未結合の遊
離フッ素を固定化するために、加熱による安定化処理を
４５℃ないし樹脂基板の耐熱性許容温度の温度範囲にて
行ない、この熱処理によって成膜時に保護膜中に存在す
る遊離フッ素と希土類金属原子とを反応させて安定なフ
ッ化物とする。同時に、記録媒体の酸化を防止すること
もできる。
離フッ素は希土類金属と結合状態にある、一部の遊離フ
ッ素は未結合状態にあると考えられる。この未結合の遊
離フッ素を固定化するために、加熱による安定化処理を
４５℃ないし樹脂基板の耐熱性許容温度の温度範囲にて
行ない、この熱処理によって成膜時に保護膜中に存在す
る遊離フッ素と希土類金属原子とを反応させて安定なフ
ッ化物とする。同時に、記録媒体の酸化を防止すること
もできる。
フッ化物としてはＭｇＦｚ、 ＣａＦｚ、 ＣｅＦ、
ＮｄＦ：＋。
ＮｄＦ：＋。
Ａ ｉ！ Ｆｘ、 ＬａＦ３． Ｌｉｄ、 ＮａＡ Ｉ
Ｆｂ、又はＴｂＦ３が使用でき、希土類金属としては
、Ｔｂ＋ Ｌａ＋ Ｃｅ、 Ｐｒ＋ Ｎｄ＋Ｐ＋ｌｌ＋
Ｓｍ、 Ｅｕ、 ｃｄ、 ａｙ、 Ｈｏ＋ Ｅｒ＋
Ｔｍ＋ ＹｂおよびしＵの少くとも一種が用いられる。
Ｆｂ、又はＴｂＦ３が使用でき、希土類金属としては
、Ｔｂ＋ Ｌａ＋ Ｃｅ、 Ｐｒ＋ Ｎｄ＋Ｐ＋ｌｌ＋
Ｓｍ、 Ｅｕ、 ｃｄ、 ａｙ、 Ｈｏ＋ Ｅｒ＋
Ｔｍ＋ ＹｂおよびしＵの少くとも一種が用いられる。
特に、この希土類金属としては記録媒体中の希土類金属
と同じものを用いるのが望ましい。
と同じものを用いるのが望ましい。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施態様例
によって本発明の詳細な説明する。
によって本発明の詳細な説明する。
鼾
第１図は本発明に係る光ディスク用基板を用いて製作し
た光磁気ディスクの部分断面図である。
た光磁気ディスクの部分断面図である。
案内溝（図示せず）を有するアクリル基板（例えば、射
出酸で作られたＰＭＭＡ基板）１上にフッ化物としてＭ
ｇＦ２を、希土類金属としてＴｂを用いて、電子ビーム
加熱方式の真空蒸着装置にて蒸着でＭｇｐ２’ｒｂ保護
膜２（厚さ２００ｎｍ）を形成する。
出酸で作られたＰＭＭＡ基板）１上にフッ化物としてＭ
ｇＦ２を、希土類金属としてＴｂを用いて、電子ビーム
加熱方式の真空蒸着装置にて蒸着でＭｇｐ２’ｒｂ保護
膜２（厚さ２００ｎｍ）を形成する。
保護膜２の蒸着成膜において、ＭＥＦ２蒸着速度に対す
るＴｂ蒸着速度の比（Ｔｂ／ＭｇＦ２）を０．０．２゜
０．３． ０．４および０．６と変えた条件にて成膜す
る。
るＴｂ蒸着速度の比（Ｔｂ／ＭｇＦ２）を０．０．２゜
０．３． ０．４および０．６と変えた条件にて成膜す
る。
次に、得られた基板を大気中にて６０℃、８０時間維持
する熱処理（安定化処理）を施こすが、この熱処理を施
こさないでそのままの基板もある。
する熱処理（安定化処理）を施こすが、この熱処理を施
こさないでそのままの基板もある。
なお、大気中でなく真空中又は不活性雰囲気中であって
もよい。
もよい。
熱処理した基板および熱処理しない基板の上に光磁気デ
ィスクの磁気記録媒体膜（例えば、ＴｂＦｅＣｏ膜、厚
さ１０１００ｎ ３を蒸着にて形成する。この成膜条件
は、例えば、真空度： １． Ｉ Ｘｌ０−５Ｐａ。
ィスクの磁気記録媒体膜（例えば、ＴｂＦｅＣｏ膜、厚
さ１０１００ｎ ３を蒸着にて形成する。この成膜条件
は、例えば、真空度： １． Ｉ Ｘｌ０−５Ｐａ。
蒸着速度：Ｔｂで０．２３ｍ／秒およびＦｅＣｏで０．
２ｍｍ／秒であり、得られた記録媒体膜の特性は１１Ｃ
（保磁力）一７〜８ｋＯｃおよびθｋ（カー回転角）
−０，３５ｄｅｇである。さらに、真空を破ることなく
、磁気記録媒体膜３上に表面保護膜４（厚さ２００ｎｍ
）をＳｔの蒸着によって形成する。この表面保護膜４は
、透明である必要はなく、安定な窒化物（Ｓｉ３Ｎ４．
Ａｎ）あるいは硫化物（ＺｎＳ）であってもよい。
２ｍｍ／秒であり、得られた記録媒体膜の特性は１１Ｃ
（保磁力）一７〜８ｋＯｃおよびθｋ（カー回転角）
−０，３５ｄｅｇである。さらに、真空を破ることなく
、磁気記録媒体膜３上に表面保護膜４（厚さ２００ｎｍ
）をＳｔの蒸着によって形成する。この表面保護膜４は
、透明である必要はなく、安定な窒化物（Ｓｉ３Ｎ４．
Ａｎ）あるいは硫化物（ＺｎＳ）であってもよい。
このようにして製作した光磁気ディスクを６０℃。
大気中（湿度：９０％）にて保持したときの保磁力（ｔ
ｌ ｃ ）の経時変化を調べたところ第２図に示す結果
が得られた。第２図中、線ａはＴｂを含有しないＭｇＦ
２保護膜で熱処理なしの場合、線ＢおよびｂはＴｂ／Ｍ
ｇｌ’！蒸着速度比０．２での保護膜で熱処理ありの場
合となしの場合、線ＣおよびＣはＴｂ／ＭｇＦｚ蒸着速
度比０．３での保護膜で熱処理ありの場合となしの場合
、線りおよびｄは蒸着速度比０．４での保護膜で熱処理
ありの場合となしの場合、および線ｅは蒸着速度比０．
６での保護膜で熱処理なしの場合を示す。なお、破線は
ＭｇＦｉ２Ｔｂ保護膜を形成することなくアクリル基板
上に蒸着によってＴｂＦｅＣｏ膜および保護膜を形成し
た光磁気ディスクの場合を示す。
ｌ ｃ ）の経時変化を調べたところ第２図に示す結果
が得られた。第２図中、線ａはＴｂを含有しないＭｇＦ
２保護膜で熱処理なしの場合、線ＢおよびｂはＴｂ／Ｍ
ｇｌ’！蒸着速度比０．２での保護膜で熱処理ありの場
合となしの場合、線ＣおよびＣはＴｂ／ＭｇＦｚ蒸着速
度比０．３での保護膜で熱処理ありの場合となしの場合
、線りおよびｄは蒸着速度比０．４での保護膜で熱処理
ありの場合となしの場合、および線ｅは蒸着速度比０．
６での保護膜で熱処理なしの場合を示す。なお、破線は
ＭｇＦｉ２Ｔｂ保護膜を形成することなくアクリル基板
上に蒸着によってＴｂＦｅＣｏ膜および保護膜を形成し
た光磁気ディスクの場合を示す。
第２図かられかるように、ＭｇＦｚ Ｔｂ保護膜のな
い場合（破線）ではＨｃが増加しており、これはアクリ
ル基板からの活性な成分によるＴｂＦｅＣｏ膜中のＴｂ
の酸化に起因していると考えられる。Ｔｂを含有しない
保護膜（線ａ）では保護膜のない場合（破線）よりもＨ
ｅが大きく変化しており、これはＭｇＦ２膜中の遊離フ
ッ素によるＴｂＦｅＣｏ膜中のＴｂとの反応に起因して
いると考えられる。ＭｇＦ２−Ｔｂ保護膜中のＴｂ量が
多くなるにしたがってＨｃの変化は小さくなり、さらに
熱処理が施こされることにより小さくなる。
い場合（破線）ではＨｃが増加しており、これはアクリ
ル基板からの活性な成分によるＴｂＦｅＣｏ膜中のＴｂ
の酸化に起因していると考えられる。Ｔｂを含有しない
保護膜（線ａ）では保護膜のない場合（破線）よりもＨ
ｅが大きく変化しており、これはＭｇＦ２膜中の遊離フ
ッ素によるＴｂＦｅＣｏ膜中のＴｂとの反応に起因して
いると考えられる。ＭｇＦ２−Ｔｂ保護膜中のＴｂ量が
多くなるにしたがってＨｃの変化は小さくなり、さらに
熱処理が施こされることにより小さくなる。
製作した光磁気ディスクを６０℃、大気中（湿度：９０
％）に保持したときの記録再生特性（ＣＮ比）の経時変
化を調べたところ第３図に示す結果が得られた。線Ｂ、
ｂ、Ｄおよびｄは上述したＭｇＦｚ Ｔｂ保護膜のあ
る光磁気ディスクの場合であり、熱処理を施こすことに
よってＣＮ比の減少をかなり小さくすることがわかる。
％）に保持したときの記録再生特性（ＣＮ比）の経時変
化を調べたところ第３図に示す結果が得られた。線Ｂ、
ｂ、Ｄおよびｄは上述したＭｇＦｚ Ｔｂ保護膜のあ
る光磁気ディスクの場合であり、熱処理を施こすことに
よってＣＮ比の減少をかなり小さくすることがわかる。
これらの結果から本発明に係るディスク基板の採用によ
って光磁気ディスクの長寿命化が達成できることが明ら
かである。
って光磁気ディスクの長寿命化が達成できることが明ら
かである。
±１
例１でのアクリル基板の代わりにスチレン、エポキシ、
ポリカーボネイトを用いた場合にも例１と同様な結果が
得られた。
ポリカーボネイトを用いた場合にも例１と同様な結果が
得られた。
■１
例１でのアクリル基板の代わりに、ガラス板上に紫外線
硬化型樹脂による案内溝付き樹脂層を形成した基板を用
いる。この基板上に例１の真空蒸着装置にてＭｇＦ２−
Ｔｂ保護膜（厚さ２０Ｏｒ＋ｎ＋）を形成する。なお
、Ｔａ／ＭｇＦｚ蒸着速度比を０．３および０．６とし
て保護膜を成膜する。
硬化型樹脂による案内溝付き樹脂層を形成した基板を用
いる。この基板上に例１の真空蒸着装置にてＭｇＦ２−
Ｔｂ保護膜（厚さ２０Ｏｒ＋ｎ＋）を形成する。なお
、Ｔａ／ＭｇＦｚ蒸着速度比を０．３および０．６とし
て保護膜を成膜する。
次に、得られた基板を大気中にて１２０℃で、１時間維
持する熱処理（安定化処理）を施こすが、この熱処理を
施こさないでそのままの基板もある。
持する熱処理（安定化処理）を施こすが、この熱処理を
施こさないでそのままの基板もある。
熱処理した基板および熱処理していない基板の上に例１
と同じに蒸着によってＴｂＰｅＣｏ膜を形成し、その上
にＳｉ表面保護膜を形成して光ディスクを製作する。
と同じに蒸着によってＴｂＰｅＣｏ膜を形成し、その上
にＳｉ表面保護膜を形成して光ディスクを製作する。
製作した光ディスクを１２０℃、大気中（湿度：９０％
）にて保持したときの保磁力（Ｈｅ）の経時変化を調べ
たところ第４図に示す結果が得られた。
）にて保持したときの保磁力（Ｈｅ）の経時変化を調べ
たところ第４図に示す結果が得られた。
第４図中、線ＦおよびｆはＴｂ／ＭｇＦ２蒸着速度比０
．３での保護膜で熱処理ありの場合となしの場合、およ
び線Ｇおよびｇは蒸着速度比０．６での保護膜で熱処理
ありの場合となしの場合を示す。保護膜中のＴｂ量が多
いほうがｌ（ｃの変化は小さくかつ熱処理を施こすこと
でさらにＨｅ変化は小さくなることが第４図かられかる
。
．３での保護膜で熱処理ありの場合となしの場合、およ
び線Ｇおよびｇは蒸着速度比０．６での保護膜で熱処理
ありの場合となしの場合を示す。保護膜中のＴｂ量が多
いほうがｌ（ｃの変化は小さくかつ熱処理を施こすこと
でさらにＨｅ変化は小さくなることが第４図かられかる
。
また、Ｔｂ／ＭｇＦｚ蒸着速度比０．６の保護膜での光
ディスクにおける記録再生特性（ＣＮ比）の経時変化を
調べて第５図に示す結果が得られた。熱処理を施こすこ
と（線Ｇ）によってＣＮ比の減少が小さくなることがわ
かる。
ディスクにおける記録再生特性（ＣＮ比）の経時変化を
調べて第５図に示す結果が得られた。熱処理を施こすこ
と（線Ｇ）によってＣＮ比の減少が小さくなることがわ
かる。
これらの結果からも本発明に係る基板は光磁気ディスク
の長寿命化に寄与していることが明らかである。
の長寿命化に寄与していることが明らかである。
聞↓
例１での保護膜を構成するフッ化物ＭｇＦ、の代わりに
他のフッ化物へＩ Ｆ、、 ＣａＦｚ、 ＣｅＦ、 Ｌ
ａＦ３＋ＬｉＦ、 ＮａＡ １２ ＦＢＩ ＮａＦ＋＋
又はＴｈＦｎを用いた場合にも例１と同様な結果が得ら
れた。
他のフッ化物へＩ Ｆ、、 ＣａＦｚ、 ＣｅＦ、 Ｌ
ａＦ３＋ＬｉＦ、 ＮａＡ １２ ＦＢＩ ＮａＦ＋＋
又はＴｈＦｎを用いた場合にも例１と同様な結果が得ら
れた。
廻】
例１での保護膜を構成する希土類金属Ｔｂの代わりに他
の希土類金属Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ＋ Ｐｍ＋
Ｓｍ。
の希土類金属Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ＋ Ｐｍ＋
Ｓｍ。
Ｅｕ、 Ｇｄ＋ ＤＶ＋ Ｎｏ、 Ｅｒ、 Ｔｍ＋ Ｙ
ｂ又はＬｕを用いても例１と同様な結果が得られた。
ｂ又はＬｕを用いても例１と同様な結果が得られた。
上述の実施例では光磁気ディスクに適用した例であるが
、相変態比ディスク、追記型光ディスクにも本発明に係
る光ディスク用基板を用いることができ、上述したよう
に記録媒体の特性劣化が抑制できて長寿命化が図れる。
、相変態比ディスク、追記型光ディスクにも本発明に係
る光ディスク用基板を用いることができ、上述したよう
に記録媒体の特性劣化が抑制できて長寿命化が図れる。
第１図は、本発明に係る基板を用いて製作した光磁気デ
ィスクの部分断面図であり、 第２図は、アクリル基板を用いて製作した光磁気ディス
クの保磁力（Ｈｃ）の経時変化を示すグラフであり、 第３図は、アクリル基板を用いて製作した光磁気ディス
クのＣＮ比の経時変化を示すグラフであり、第４図は、
ガラス板および紫外線硬化型樹脂層からなる基板を用い
て製作した光磁気ディスクの保磁力の経時変化を示すグ
ラフであり、第５図は、ガラス板および紫外線硬化型樹
脂層からなる基板を用いて製作した光磁気ディスクのＣ
Ｎ比の経時変化を示すグラフである。 １・・・アクリル基板、 ２・・・保護膜、３・・
・記録媒体膜、 ４・・・表面保護膜。
ィスクの部分断面図であり、 第２図は、アクリル基板を用いて製作した光磁気ディス
クの保磁力（Ｈｃ）の経時変化を示すグラフであり、 第３図は、アクリル基板を用いて製作した光磁気ディス
クのＣＮ比の経時変化を示すグラフであり、第４図は、
ガラス板および紫外線硬化型樹脂層からなる基板を用い
て製作した光磁気ディスクの保磁力の経時変化を示すグ
ラフであり、第５図は、ガラス板および紫外線硬化型樹
脂層からなる基板を用いて製作した光磁気ディスクのＣ
Ｎ比の経時変化を示すグラフである。 １・・・アクリル基板、 ２・・・保護膜、３・・
・記録媒体膜、 ４・・・表面保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、記録媒体膜を形成することになる案内溝付き樹脂基
板の光ディスク用基板において、前記樹脂基板上にフッ
化物および希土類金属からなる保護膜が形成され、該保
護膜は加熱による安定化処理が施こされていることを特
徴とする光ディスク用基板。 ２、前記保護膜は蒸着又はスパッタリングによって形成
され、希土類金属のフッ化物に対する蒸着又はスパッタ
リング速度の比が０．３〜０．６であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光ディスク用基板。 ３、前記フッ化物はＭｇＦ＿２、ＣａＦ＿２、ＣｅＦ、
ＮｄＦ＿３、ＡｌＦ＿３、ＬａＦ＿３、ＬｉＦ、ＮａＡ
ｌＦ＿６又はＴｈＦ＿４であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光ディスク用基板。 ４、前記加熱による安定化処理は４５℃から前記樹脂基
板の許容温度までの範囲の温度にて行われることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク用基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056875A JPS62217440A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光ディスク用基板 |
| EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
| DE8686402530T DE3685649T2 (de) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Apparatur mit optischem gedaechtnis und verfahren zu deren herstellung. |
| KR1019860009659A KR900003688B1 (ko) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | 광기억장치 및 그의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056875A JPS62217440A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 光ディスク用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217440A true JPS62217440A (ja) | 1987-09-24 |
| JPH0447381B2 JPH0447381B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=13039593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056875A Granted JPS62217440A (ja) | 1986-01-29 | 1986-03-17 | 光ディスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62217440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02254651A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61056875A patent/JPS62217440A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02254651A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447381B2 (ja) | 1992-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5577020A (en) | Magneto-optical disc with intermediate film layer between a recording film and a dielectric film | |
| JPH0335734B2 (ja) | ||
| JPS60177449A (ja) | 光学式情報記録担体 | |
| US5700567A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| KR900003688B1 (ko) | 광기억장치 및 그의 제작방법 | |
| JPS62217440A (ja) | 光ディスク用基板 | |
| JPS62219348A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2606729B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2527762B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0503607B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS62281139A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH0447384B2 (ja) | ||
| JP2619361B2 (ja) | 光磁気記録担体及びその製造方法 | |
| JP3064583B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2704186B2 (ja) | 磁気光学記憶媒体 | |
| JP2654676B2 (ja) | 光磁気記録素子 | |
| JPS62222445A (ja) | 光ディスク | |
| JPS62217439A (ja) | 光磁気記録担体 | |
| JPH06187681A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62217444A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS62298954A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP2737241B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01292649A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0690814B2 (ja) | 光磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH03142728A (ja) | 光記録媒体 |