JP2704186B2 - 磁気光学記憶媒体 - Google Patents
磁気光学記憶媒体Info
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- JP2704186B2 JP2704186B2 JP63189313A JP18931388A JP2704186B2 JP 2704186 B2 JP2704186 B2 JP 2704186B2 JP 63189313 A JP63189313 A JP 63189313A JP 18931388 A JP18931388 A JP 18931388A JP 2704186 B2 JP2704186 B2 JP 2704186B2
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- Japan
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- optical storage
- film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザー等の光と外部より加えられる磁気
により情報の記録、再生、消去等を行う磁気光学記憶媒
体に関するものである。
により情報の記録、再生、消去等を行う磁気光学記憶媒
体に関するものである。
磁気光学記憶媒体は垂直磁気異方性を持つ磁化膜記録
層からなり、この磁化膜は主に希土類金属と遷移金属か
ら形成される。希土類金属は大変酸化されやすく、空気
中に数日放置するだけでその垂直磁気異方性に劣化が認
められる。
層からなり、この磁化膜は主に希土類金属と遷移金属か
ら形成される。希土類金属は大変酸化されやすく、空気
中に数日放置するだけでその垂直磁気異方性に劣化が認
められる。
そのため、特性の保持という点で大きな問題となって
いた。この為、保護膜としてSiO2、SiO、AlN、Si3N4等
をコーティングする事により特性のしてSiO2、SiO、Al
N、Si3N4等をコーティングする事により特性の劣化を大
きく改善する工夫がなされてきた。この劣化の程度は基
板の材質、保護膜として使用する材質によって異なり、
特に基板又は保護膜として酸化物材料を使用した場合特
にその酸化の程度が著しかった。
いた。この為、保護膜としてSiO2、SiO、AlN、Si3N4等
をコーティングする事により特性のしてSiO2、SiO、Al
N、Si3N4等をコーティングする事により特性の劣化を大
きく改善する工夫がなされてきた。この劣化の程度は基
板の材質、保護膜として使用する材質によって異なり、
特に基板又は保護膜として酸化物材料を使用した場合特
にその酸化の程度が著しかった。
又、磁気膜自身を酸化しにくくする為に、他の元素を
添加するなどの改善もされている。しかし酸化を確実に
防ぐにはいたっていない。
添加するなどの改善もされている。しかし酸化を確実に
防ぐにはいたっていない。
以上のように従来の磁気光学記憶媒体では記憶層の特
性の保持という点で大きな欠点があった。
性の保持という点で大きな欠点があった。
さらにまた磁気光学記憶装置の欠点として再生レベル
の低さが上げられる。一般にカー効果を利用した再生方
式が広く使用されているが、従来の構造ではカー回転角
が小さい為再生信号レベルが低く信号雑音比が高くとれ
ない欠点を有していた。そのためカー回転角を大きくし
SN比を向上される事が望まれている。
の低さが上げられる。一般にカー効果を利用した再生方
式が広く使用されているが、従来の構造ではカー回転角
が小さい為再生信号レベルが低く信号雑音比が高くとれ
ない欠点を有していた。そのためカー回転角を大きくし
SN比を向上される事が望まれている。
本発明は以上の問題点を大きく改善した。磁気光学記
憶媒体を提供するものである。
憶媒体を提供するものである。
本発明の磁気光学記憶媒体は記憶層と基板との関に、
炭素を主成分とする被膜を保護膜として有し記憶層の酸
化を防止しその記憶層の特性を保持し、さらには炭素を
主成分とする被膜の存在によってカー回転角を大きくす
ることができ、よって記憶、再生時のSN比を大きくする
ように構成したものである。
炭素を主成分とする被膜を保護膜として有し記憶層の酸
化を防止しその記憶層の特性を保持し、さらには炭素を
主成分とする被膜の存在によってカー回転角を大きくす
ることができ、よって記憶、再生時のSN比を大きくする
ように構成したものである。
本発明の磁気光学記憶媒体は記憶層の酸化を防止する
為に、炭素を主成分とする被膜を保護膜として記憶層の
表面の少なくとも一方または両方に形成させたもので、
より一層の酸化防止効果を得る為に、炭素を主成分とす
る被膜の上に磁化膜を形成する前と、磁化膜の上に炭素
を主成分とする被膜を形成する前の少なくとも一方にH2
プラズマ処理を施して、磁化膜と保護膜との界面に酸素
が存在しないように処理しその記憶層の特性を保持し、
さらには炭素を主成分とする被膜の存在によってカー回
転角を大きくすることができ、よって記憶、再生時のSN
比を大きくするように構成したものである。
為に、炭素を主成分とする被膜を保護膜として記憶層の
表面の少なくとも一方または両方に形成させたもので、
より一層の酸化防止効果を得る為に、炭素を主成分とす
る被膜の上に磁化膜を形成する前と、磁化膜の上に炭素
を主成分とする被膜を形成する前の少なくとも一方にH2
プラズマ処理を施して、磁化膜と保護膜との界面に酸素
が存在しないように処理しその記憶層の特性を保持し、
さらには炭素を主成分とする被膜の存在によってカー回
転角を大きくすることができ、よって記憶、再生時のSN
比を大きくするように構成したものである。
以上に実施例により本発明を説明する。
『実施例』 第１図は本発明の磁気光学記憶媒体及びシステムの概
略図を示す。
略図を示す。
本実施例では基板（６）としてガラス、アクリル等の
透明基板を用い、この基板上にプラズマ気相反応法によ
って炭素を主成分とする被膜（４）を約500Åの厚さで
全面に形成した。この時の形成条件を以下に示す。
透明基板を用い、この基板上にプラズマ気相反応法によ
って炭素を主成分とする被膜（４）を約500Åの厚さで
全面に形成した。この時の形成条件を以下に示す。
反応圧力 0.02Torr 反応気体 CH4 50SccM H2 20SccM 反応温度 150℃ 次に公知スパッタリング法により、この被膜（４）上
に磁化膜記憶層（５）としてTbFeCo膜を約1000Åの厚さ
に形成した。
に磁化膜記憶層（５）としてTbFeCo膜を約1000Åの厚さ
に形成した。
さらに、この後再度炭素を主成分とする被膜（４′）
を磁化膜記録層（５）の上に形成した。これにより磁化
膜記録層（５）は炭素を主成分とする被膜（４）及び
（４′）によって酸化を防止される構造となっている。
を磁化膜記録層（５）の上に形成した。これにより磁化
膜記録層（５）は炭素を主成分とする被膜（４）及び
（４′）によって酸化を防止される構造となっている。
本実施例では行っていないが、炭素を主成分とする被
膜（４）の上に磁化膜（５）を形成する前と磁化膜
（５）の上に炭素を主成分とする被膜（４′）を形成す
る前にH2プラズマ処理を施して、磁化膜（５）と保護膜
（４）及び（４′）との界面に酸素が存在しないように
処理することは磁化膜（５）の酸化防止をさらに助長す
ることも可能であった。
膜（４）の上に磁化膜（５）を形成する前と磁化膜
（５）の上に炭素を主成分とする被膜（４′）を形成す
る前にH2プラズマ処理を施して、磁化膜（５）と保護膜
（４）及び（４′）との界面に酸素が存在しないように
処理することは磁化膜（５）の酸化防止をさらに助長す
ることも可能であった。
この後接着層（３）を介して支持基板（２）を接着し
て本発明の磁気光学記憶媒体を完成した。
て本発明の磁気光学記憶媒体を完成した。
このようにして作成した記憶媒体を80℃の恒温層に入
れ、記録層の保磁力Hcの経時変化を測定し結果を第２図
に示す。保護膜を炭素膜、SiO2、SiOとして同一のサン
プルにて比較したが、SiO2（11）、SiO（10）を保護膜
とした場合共に時間の経過と共に大きく変化している
が、炭素膜を使用することにより非常に安定した保磁力
を得る事ができた。
れ、記録層の保磁力Hcの経時変化を測定し結果を第２図
に示す。保護膜を炭素膜、SiO2、SiOとして同一のサン
プルにて比較したが、SiO2（11）、SiO（10）を保護膜
とした場合共に時間の経過と共に大きく変化している
が、炭素膜を使用することにより非常に安定した保磁力
を得る事ができた。
一般に記憶媒体の保磁力の値が経時変化した場合、情
報の記憶に必要な温度、磁場の値は変化するので実用上
は保磁力の経時変化がないことが長期にわたって高い信
頼性を保証する。
報の記憶に必要な温度、磁場の値は変化するので実用上
は保磁力の経時変化がないことが長期にわたって高い信
頼性を保証する。
又、この炭素膜は屈折率が2.1〜2.5の値を持ち、基板
の屈折率より十分大きな物となっており多重反射効果に
より情報読み出し時カー回転角が増大し、再生信号レベ
ルが高くなり信号雑音比が改善されるという他の効果を
有する。
の屈折率より十分大きな物となっており多重反射効果に
より情報読み出し時カー回転角が増大し、再生信号レベ
ルが高くなり信号雑音比が改善されるという他の効果を
有する。
さらにまた、接着層（３）との炭素膜（４′）との間
に反射膜としてAl等を入れた場合、再生信号レベルを大
きくでき信号雑音比を改善するのに効果的である。又、
炭素膜をどちらか一方だけ成膜しても、酸化防止、再生
信号レベル、どちらも改善することができる。
に反射膜としてAl等を入れた場合、再生信号レベルを大
きくでき信号雑音比を改善するのに効果的である。又、
炭素膜をどちらか一方だけ成膜しても、酸化防止、再生
信号レベル、どちらも改善することができる。
炭素膜の作成には、CH4＋H2が本実施例では使われた
がフッ素、窒素を含有する気体を添加しても良質な膜が
得られる。
がフッ素、窒素を含有する気体を添加しても良質な膜が
得られる。
この場合、添加されたフッ素又は窒素元素により炭素
を主成分とする被膜中の応力歪を取り除くことができ下
地基板又は下地被膜との密着性を向上できクラッフ又は
ピーリングの発生を少なくする効果があった。又、フッ
素又は窒素の添加量を調整することにより炭素を主成分
とする被膜の透過率を制御することができ、特定の波長
での透過率を90％以上とすることも可能であった。
を主成分とする被膜中の応力歪を取り除くことができ下
地基板又は下地被膜との密着性を向上できクラッフ又は
ピーリングの発生を少なくする効果があった。又、フッ
素又は窒素の添加量を調整することにより炭素を主成分
とする被膜の透過率を制御することができ、特定の波長
での透過率を90％以上とすることも可能であった。
以上のように、本発明は炭素膜を保護膜として用い、
更に炭素を主成分とする被膜の上に磁化膜を形成する前
と、磁化膜の上に炭素を主成分とする被膜を形成する前
の少なくとも一方にH2プラズマ処理を施した事により、
磁化膜の酸化を効果的に防ぐと共に再生信号レベルを大
きく改善する物である。
更に炭素を主成分とする被膜の上に磁化膜を形成する前
と、磁化膜の上に炭素を主成分とする被膜を形成する前
の少なくとも一方にH2プラズマ処理を施した事により、
磁化膜の酸化を効果的に防ぐと共に再生信号レベルを大
きく改善する物である。
第１図は本発明の磁気光学記憶媒体の概略断面図を示
す。 第２図は本発明の磁気光学記憶媒体の依頼性を示すデー
タである。
す。 第２図は本発明の磁気光学記憶媒体の依頼性を示すデー
タである。
Claims (5)
- 【請求項１】磁気記憶層と基板を有してなり、前記磁気
記憶層と前記基板との間に、水素プラズマ処理が施され
た炭素を主成分とする被膜を設けたことを特徴とする磁
気光学記憶媒体。 - 【請求項２】請求項１において前記記憶層が主に希土類
−遷移金属合金からなり、前記炭素を主成分とする被膜
は磁気光学記憶に用いられる光に対して透光性を有して
いることを特徴とする磁気光学記憶媒体。 - 【請求項３】請求項１において前記炭素を主成分とする
被膜はハロゲン元素、窒素又は水素の少なくとも１つの
元素が添加されていることを特徴とする磁気光学記憶媒
体。 - 【請求項４】磁気記憶層と該磁気記憶層に接して設けら
れた炭素を主成分とする被膜とを有する磁気光学記憶媒
体の作製方法であって、 前記炭素を主成分とする被膜に対して水素プラズマ処理
を施す工程および／または前記磁気記憶層に対して水素
プラズマ処理を施す工程を有することを特徴とする磁気
光学記憶媒体の作製方法。 - 【請求項５】請求項４において前記炭素を主成分とする
被膜が、前記磁気記憶層と基板との間にあることを特徴
とする磁気光学記憶媒体の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189313A JP2704186B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 磁気光学記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189313A JP2704186B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 磁気光学記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237549A JPH0237549A (ja) | 1990-02-07 |
| JP2704186B2 true JP2704186B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=16239263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63189313A Expired - Lifetime JP2704186B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 磁気光学記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704186B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
| JPS61196447A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 光磁気記録素子 |
| JPS6240652A (ja) * | 1985-08-17 | 1987-02-21 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0778915B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1995-08-23 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62195744A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-28 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0766580B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1995-07-19 | 住友電気工業株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPS63153750A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気媒体 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP63189313A patent/JP2704186B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237549A (ja) | 1990-02-07 |
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Legal Events
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