JPS6240652A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 光磁気メモリの光記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｌ１Ｇ６．ＭｎＳｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ　ＩＧ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料か知られている。

　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法て
、プラスチックやガラス等の透明基板−Ｌに薄膜として
形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通している
特性としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さ
らにカー効果やファラデー効果が大きいという点をあげ
ることができる。

この性質を利用して、光磁気記録媒体の方法としては、
例えば次の方法がある。

まず、最初に膜全体を“０”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）。　つ　ぎに、“１”を記録し
たい部分にレーザービームを照射する。　　レーザービ
ームが照射されたところは温度が上昇し、キューリ一点
に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時に
は、保磁力ＨｃはＯに近づく。　そして、レーザービー
ムを消し、室温にもどせば、反磁場のエネルギーにより
磁化は反転し、さらには、レーザービームの照射の際、
外部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、
磁化反転し、“１”なる４８号が記録される。

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“０”のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光学
効果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな１１目を集
めている。

しかし、このような希土類−遷移金属品質薄膜からなる
光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接したま
ま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選択
的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生
が不可能となる、 そこで、一般には、前記磁性層薄膜と基板との間に保護
層を設けた構成を有するものが多く研究されている。

これらの保護層としては、例えばＳｉｎ。

５ｉ０２等の無機系の真空蒸着１１！２あるいは常温硬
化性樹脂の塗膜保護層がある。

しかしながら、これらの保護層では、基板側からの十分
な防湿性は得られず、保存による劣化という問題は未だ
解消されていない。

■　発明の目的 本発明の目的は、高湿度雰囲気中においても　　　　□
磁性薄膜層の劣化が防止され、保存性および耐　　　　
１久性のすぐれた光磁気記録媒体を提供すること　　　
　１にある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達　　　　成
される。

すなわち、本発明は、基板上にプラズマ重合膜を有し、
このプラズマ重合膜上に希土類−遷移金属の非晶質垂直
磁性薄膜層を有することを　　　　″特徴とする光磁気
記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光磁気記録媒体に用いられる基板は、通常、樹
脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ
樹脂、ポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂等から
形成するが、その他、ガラス等であってもよい。

なお、記録は基板をとおして行うことが好ましいので、
書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６％以
上が必要である。

また　基板は、通常、ディスク状とし、１．２〜１．５
ｍｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　７　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の［１１は、トラックｒ１１程度と
される。

そして、この溝の凹部に位置する磁性薄１１Ｑ層を記２
Ｊ　ｌ−ラック部として、占き込み光および読みｊ、１
．ｊ　ｊ、光を基板裏面側から照射することが好ましい
。

このように構成することにより、占き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比か向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明のプラズマ重合膜は、Ｃを含む薄膜であることが
好ましく、この場合、Ｃ草独で形成してもよいし、Ｃと
その他の元素を含有させて形成してもよい。　Ｃとその
他の元素を含有させてプラズマ重合膜を形成する場合、
その他の元素として、Ｈ，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させ
ることが好ましい。

原料ガスとしては、通常操作性の良いことから５常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成され
てもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｈ２，０２，０３、
Ｈ２０，Ｎ２　、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯＸ　
、ＮＨ３、Ｃｏ、ＣＯ２等の１種以上を加えたものを原
料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合膜をＣ単独で形成する場合には、炭
化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合ガスに対し
てプラズマ重合を行うことによって炭素膜が生成可能で
ある。

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基板温度等
の条件により、炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜の膜
厚は、一般に１０〜１０００人程度である。

この１漠厚を１０００Å以上にしても本発明の効用に７
ｉ　％はなく、この値以上にする必要がな　　　□い。

また、１０人未満であると、本発明の実効がなくなる２ なお、１１党Ｊゾの測定は、エリプソメーター等を用い
れはよい。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形　　　′成
時の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜は、前述の原料ガスの放電プ　　　：ラ
ズマを基板に接触させることにより重合膜を　　　□形
成するものである。　　　　　　　　　　　　　　　１
プラズマ重合の原理について概説すると、気　　　；体
を低圧に保ち電場を作用させると、気体中に　　　：少
ｔ’Ｊ−ｎ在する自由電子は、常圧に比へ分子間距離が
非常に大きいため、電界加速を受け、５〜１０ｅＶの連
動エネルギー（電子温度）をＰＬ得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるか、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電７′温度）と、
分子の熱運動（ガス温度）か分離した系は低温プラズマ
と呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重
合等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、
本発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を
形成しようとするものである。　なお低温プラズマを利
用するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例か第１図に
示しである。　第１図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ処理装置である。

第１図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス［５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５（１ｍＩＬ／分の流量範囲を
とりつる。

反応容ｉＲ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地されて
いる。　さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気する
ための真空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ
５６、液体窒素トラップ５７．油拡散ポンプ５８および
真空コントローラ５９を含む。　これら真空系統は、反
応容器内を０．Ｏ１〜１０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維
持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまずｌｏ−５Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理カスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

原料ガスの流量が安定すると、′１゛江源かオンにされ
る　　こうして、基板上の基板にプラズマ重合膜が形成
される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｈ２な
どを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

このように形成されるプラズマ重合膜は、前述したよう
に、ＣまたはＣとＨ，Ｎ、Ｏの１種以上を含有しており
、Ｃの含有量はプラズマ重合１１９山に３０〜１００ａ
Ｌ％、より好ましくは３０〜９０ａｔ、％である。

Ｃの含有量が３０ａ［％未満であると、プラズマ重合膜
の膜強度が低下し、実用に耐えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨｌＮ、Ｏの含有
量は、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ比）が１以下、特に
、１／６〜１、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３／
１０以下、特に、１／２０〜３／１０、酸素と炭素の原
子比（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に、１／２０〜３
／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ
，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐スクラ
ッチ性が向上する。

なお、プラズマ重合＋ｉ中のＣ，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその
他の元素の含有量の分析は、５ＩＮＳ（２次イオン質：
賃分析）等に従えばよい、　　ＳＩＭＳを用いる場合、
プラズマ重合膜表面にて、Ｃ，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他
の元素をカウントして算出さればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏ２０よびその他の元素のブロフフイルを測
定して口出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３さ
く１９８４）表面分析の基礎と応用（ρ７０）“ＳＩＭ
ＳおよびＬ　Ａ　Ｍ　Ｍ　Ａ　”の記載に従えばよい。

このようなプラズマ重合膜の上には、直接あるいは中間
層を介して磁性薄Ｉ摸層が形成される。

この磁性薄膜層は、変調された熱ビームあるいは変調さ
れた磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり
、記録情報を磁気−光変換して再生するものである。

このような磁性薄Ｉ漠層として、希土類金属と遷移金属
の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として通
常の厚さに形成する。

吊上類金属および遷移金属としては種々のものがあるが
、特に面者としてはＧｄ、Ｔｂ、また後者としてはＦｅ
、Ｃｏが好適である。

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ。

Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　、　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　、　　Ｇ
　ｄ　Ｆ　ｅ　ＣＯ。

ＧｄＴｂＦｅ等がある。

これらの場合、希土類金属は１５〜３５ａＬ％、遷移金
属は６５〜８５ａｔ％程度とする。

また磁性薄膜層の厚さは０．０５〜０．１μｍ程度とす
る。

なお、中間層を介して、磁性薄膜層を設層することもで
きる。　この場合５中間層の材質としては、Ｓ　ｉ０２
　、Ｓｉｎ、ＡｆｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４．ＺｎＳ等を真空蒸
着、スパッタリング等によって形成したものが挙げられ
る。

このような中間層は、０．０５〜０．２μｍのノ２さと
する。

また５磁性薄ｊ漠層の上には、防湿性をさらに向上させ
るためにトップコート層を設けることが好キしい。　用
いるトップコート層としては、公知の種々の無機系ある
いは打機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電ｆ線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型上ツマ−とじては、分子ｊＪｋ２０００未
満の化合物が、オリゴマーとしては分子　！ｉ−ｔ　２
０００〜１００００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レ−１・、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサング
リコールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコール
ジアクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（
メタクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート（アロニックスＭ− ７１ｅＯ１Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００笠、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにッポラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ○ＯＨ等の官能基か導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２Ｃ
Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨ０Ｃ（ＯＣ３Ｈａ）Ｉｔ−Ｃ
ＣＨ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以−ド、
特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下
記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられ
る。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） 凸 （特殊アクリレートＩ） ＾ （特殊アクリレ−）Ｊ） Ａ−（Ｘ−Ｙ−）−Ｘ−Ａ Ａニアクリル酸、　　Ｘ：多価アルコ−ルア：多塩基酸
　　　　　（特殊アクリレ−）Ｋ）１２）　　　Ａ（−
Ｍ−Ｎ＋ｎＭ−Ａ Ａニアクリル酸　　Ｍ：２価アルコール　　Ｎ　：　Ｚ
ｔＵ通（特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしてＧま、−トー記一
般式で示される多官能オリコ′エステｌレアクリレート
やウレタンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこ
れらのものにＣ０ＯＨ等の官能基か導入されたもの等が
挙げられる。

（式中Ｒ１，Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱「１
［塑＋′ｌ−樹脂を放射線感応変性することによってｊ
ｌｔられる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ルＩＩｊ合性を仔する不飽和二重結合を示すアクリル酸
、メタクリル酸、あるいはそわらのニスデル化合物のよ
うなアクリル系二重結合、シγリルフタレートのような
アリル系二二屯結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等
の不飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合
する基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した
樹脂である。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリアミド樹脂、ポリ
ビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキシ
系樹脂、繊維素話４体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含イ丁するアクリルエステル ステルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹
脂等も有効である。

このような保護層の厚さは０．１〜３０μｍであり、よ
り好ましくは１〜１０μｍである。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層３１の耐久性が向上しない。　また、３０μ
ｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録
媒体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えな
い。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗４７、スプレーコート等、種々の公知の方法で設層す
ればよい。　この時の塗膜の設層条件は、塗膜組成のポ
リマーの粘度、基板表面の状態、目的とする塗ｆｌＱ厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。

また、このような塗膜を電子線または紫外線によって硬
化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、上述したよ
うな、放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤が加
えられる。

この尾１［金増感剤としては、従来のものでよく、例え
ば、ヘンジインメチルエーテル、ヘンジインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾインのヘンジイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノ
ン、ビスジアルキルアミノヘンシフエノン等のケトン類
、アヤトラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、
ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスル
フィド等のスルフィド類、等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０％重量
％の範囲か望中１７い。

紫外線照射は、例えば、キセノン放電管、水素数′Ｓ管
などの紫外線電球等を用いればよい。

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧１００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３０
０ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０５〜２０メ
ガラツトになるように照射するのが好都合である。

特に照射線源としては、吸収線量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮　等の見地から、放射線加
熱器により電子線を使用する方法および面述した紫外線
を使用する方法が有利である。

この他、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の保護層であっても
よい。

本発明は、上述したように形成して構成してもよい。　
また磁性薄膜層を有する１対の基板を用い、磁性薄膜層
を内側にして対向させ、接着剤等を用いて貼り合わせて
、基板の裏面側からの書き込みを行う、いわゆる両面記
録のタイプとしてもよい。

また、片面記録の場合、上述したような媒体上に保護板
を接着してもよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明の光磁気記録媒体は、目的に応じ、種々の用途に
用いられ、有用である。　本発明によれば、基板上にＣ
またはＣとＮ、Ｈ，Ｏのうち少なくとも１種以上の元素
を含むプラズマ重合膜を任し、このプラズマ重合膜の上
に、直接あるいは中間層を介して希土類−遷移金属の非
晶質（ト直磁性薄膜層を形成して光磁気記録媒体が構成
される。

そのため、高湿度雰囲気中においても、基板側からの磁
性薄膜層の劣化が防止され、耐久性および保存性が格段
と向上する。

■　発明の具体的実施例 以ド、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

〔実施例１〕 直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板を真空チャンバ中に入
れ、一旦１０　’　Ｔｏｒｒの真空に引いた後、下記の
条件にてプラズマ重合膜を基板上に形成した。

こわらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜ＪｒＪはエリプソメーターによって測定した。

結果を表１に示す。

この、ヒうに形成されたプラズマ重合股上にＳｉ３Ｎ４
の中間層を高周波マグネトロンスパッタによって膜厚９
００人に設層した。

さらにこの上に下記に示される磁性薄膜層およびトップ
コート層を形成した。

（ｍ性層薄膜層の形成） ＴｂＦｅＣｏの合金薄膜をスパッタリングにより厚さ０
．１μｍに設層し、磁性薄膜層とした。

なお５　ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏチ
ップをのせたものを用いた。

（トップコート層の形成） この磁性薄膜上に、多官能オリゴエステルアクリレート
（アロニックスＭ−８０３０）１００重量部、光増感剤
（バイキュア５５）５重量部からなる塗布組成物をスピ
ンナーコートて設層し、その後、１２０Ｗ／ａｍの紫外
線を１５ｓｅｃ照射し、架橋・硬化させた。　この時の
１（！２Ｊゾは１０μｍとした。

このようにして得られた各サンプルについて特性を測定
した。　なお特性の１ｉｊｌｌ定は以下に示すとおりで
ある。

（１）保存性 初明のＣ／Ｎ比と６０℃、９０％ＲＨの雰囲気中に、各
サンプルの基板側のみを露出するようにして３００時間
保存した後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した
。

回転スピード：４ｍ／ｓｅｃ 搬送周波数＝５００にＨｚ 分　　解　　能：　　３０　ＫＨｚ 言を録”　：３〜４ｍＷ ８３０　ｒ＋ｍ） ”（’　８’　３’Ｏｎｍ）　”　ｍＷ結果を表１に示
す。

表１の結果より、本発明の効果が明らかである３゜

【図面の簡単な説明】

第１凶はプラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 ５３−・・混合器 ５４−・・直流、交流および周波数可変型電源５６−・
・油回転ポンプ ５７　・−液体窒素トラップ ５Ｂ−・・油拡散ポンプ ５９−・・真空コントローラ １１１　　・・・基板 ５１ｔ、５１２−・・処理ガス源 ５２１．５２２　−・・マスフローコントローラ５５１
．５５２　　・・・電極 ≦１・　′ ＦＩＧ、１

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にプラズマ重合膜を有し、このプラズマ重
   合膜上に希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有
   することを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜がＣ、またはＣとＨ、ＮおよびＯ
   のうちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項
   に記載の光磁気記録媒体。
3. （３）プラズマ重合膜中のＣ含有量が３０〜１００ａｔ
   ％である特許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体
   。
4. （４）プラズマ重合膜と非晶質垂直磁性薄膜層との間に
   中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
   ずれかに記載の光磁気記録媒体。
5. （５）非晶質垂直磁性薄膜層が表面に保護層を有する特
   許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光
   磁気記録媒体。