JPS6246448A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術 光磁気メモリの光記録媒体としては、 Ｍ　ｎ　Ｂ　ｉ　、　Ｍ　ｎ　Ａ　Ｉ　Ｇ　ｅ　、　Ｍ
　ｎ　Ｓ　ｂ　。

ＭｎＣｕＢ１　、ＧｄＦｅ　、ＴｂＦｅ　。

ＧｄＣｏ　、ＰｔＣｏ　、ＴｂＣｏ　。

ＴｂＦｅＣｏ　、ＧｄＦｅＣｏ　。

ＴｂＦｅＯ３、ＧｄＩＧ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１　、ＣｏＦｅ２０４等の材料が知
られている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング
法等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に
薄膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共
通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり。

さらに、カー効果やファラデー効果が大きい・という点
をあげることができる。

この性質を利用して、光磁気記録の方法としては１例え
ば次の方法がある。

まず、最初に膜全体を“Ｏ”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）、　つ　ぎに、“°１”を記録
したい部分にレーザービームを照射する。　レーザービ
ームが照射されたところは温度が上昇し、キューリ一点
に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時に
は、保磁力ＨｃはＯに近づく、　そして、レーザービー
ムを消し、室温にもどせば、反磁場のエネルギーにより
磁化は反転し、さらには、レーザービームの照射の際、
外部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、
磁化反転し、１　”なる信号が記録される。

また、記録は初期状態が“θ″であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“θ″のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光学
効果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点がｌＯＯ〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的１機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性Ｓ膜が大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄　　　□膜層は大気
に接したまま保存されると、大気中の酸素や水により希
土類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の
記録、再生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に保護
層を設けた構成を有するものが多く研究されている。

これらの保護層としては１例えばＳｉｎ。

５ｉ０２等の無機系の真空蒸着膜あるいは常温硬化性の
樹脂の塗膜保護層等がある。

しかしながら、これらの保護層では、十分な防湿性は得
られず、保存劣化等の問題がある。

このような問題に対処するために１本発明者らは、基板
上にプラズマ重合膜を形成させる旨の提案を行っている
（昭和６０年８月１７日付特許出願）。

また、媒体の特性の向上や耐久性の向上、特に基板と磁
性薄膜との接着力の向上をはかるために、プラズマ処理
をほどこした基板上にプラズマ重合膜を形成し、この上
に磁性薄膜層を設ける旨の提案を行っている（昭和６０
年８月１９日付特許出願）。

さらには、媒体の磁性薄膜層表面からの、水分等による
劣化を防止する目的で、磁性薄膜層表面にプラズマ重合
膜を形成し、これを保護層として用いたりあるいはさら
にこのプラズマ重合膜の上に放射線硬化型化合物を含有
する保護層を設ける旨の提案を行っている（昭和６０年
８月２０日および２１日付特許出願）。

また、さらに防湿性向上、高温高湿の雰囲気中での経時
変化防止の目的で、媒体の外面全域に亘って放射線硬化
型化合物の硬化膜の被覆を形成する旨の提案を行ってい
る（昭和６０年８月２２日付特許出願）。

しかしこれらの提案では媒体の要求特性を、必ずしも満
足せず、より一層優れた特性を有する光磁気記録媒体が
要求されている。

Ｈ発明の目的 本発明の目的は、特性がより向上し、しかも耐久性、高
湿度雰囲気中における保存性にもすぐれた光磁気記録媒
体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基板上に希土類−遷移金属の非晶
質垂直磁性薄膜層を有し、この磁性薄膜層の基板側に設
層されたプラズマ重合膜下地層および／または磁性薄膜
層の基板と反対側に設層されたプラズマ重合膜保護層を
有し、媒体の外面全域に亘って放射線硬化型化合物の硬
化膜の被覆を有することを特徴とする光磁気記録媒体で
ある。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の好適実施例としての光磁気記録媒体が第１図に
示されている。

本発明の光磁気記録媒体１は、基板２１゜２５を有し、
これらの基板の少なくとも一方（この場合は一方の基板
２１）に必要に応じてプラズマ処理を行い、この上にプ
ラズマ重合膜下地層３を有し、この上に必要に応じて設
けられる中間層４を有する。　そしてこの上に磁性薄膜
層５を有し、この上にプラズマ重合膜保護層６を有し、
さらにこの上に、必要に応じて設けられる保ｖ１層７を
有する。

さらに、接着層８を介して基板２５を有する。

しかも、媒体の外面全域は、放射線硬化型化合物の硬化
膜の被覆層９で被覆されている。

本発明の光磁気記録媒体１に用いられる基板２１は、通
常、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等のオレフィン系
樹脂等から形成するが・、その他、ガラス等であっても
よい。

なお、記録′は基板２１をとおして行うことが好ましい
ので、書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８
６％以上必要である。

また、基板は５通常ディスク状とし、１．２〜１．５ｍ
ｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、入／　８　ｎ程度、特に、入／　７　ｎ〜
入／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）
とされる、　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる
。

そして、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記録トラ
ック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏面
側から照射するこ−とが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明のプラズマ重合膜下地層３は、Ｃを含む薄膜であ
ることが好ましく、この場合、Ｃ単独で形成してもよい
し、Ｃとその他の元素を含有させて形成してもよい。

Ｃとその他の元素を含有させてプラズマ重合膜下地層３
を形成する場合、その他の元素として、Ｈ，Ｎ、Ｏの１
種以上を含有させることが好ましい。

原料ガスとしては、通常操作性の良いことかう、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成され
てもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｈ２゜０２．０３　
、Ｈ２０、Ｎ２．Ｎ０１Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ　
、ＮＨ３、Ｇｏ、ＣＯ２等の１種以上を加えたものを原
料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｔ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　□なお、プラズ
マ重合膜下地層３をＣ単独で形成する場合には、炭化水
素ガスに対して大量の　　　　□水素を加えた混合ガス
に対してプラズマ重合を行うことによって炭素膜が生成
可能である。

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基板温度等
の条件により、炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜下地
層３の膜厚は、一般にｌＯ〜ｔｏｏｏλ程度である。

□ この膜厚を１０００λ以上にしても本発明の　　　　□
効果に差異はなく、この値以上にする必要がない。

また、１０人未満であると、本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜下地層３形成
時の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜下地層３は、前述の原料ガスの放電プラ
ズマを基板に接触させることにより重合膜を形成するも
のである。

プラズマ重合の原理について概説すると、基体を低圧に
保ち電場を作用させると、基体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電解
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子起動や分
子起動を分断し、これらを電子、イオン中性ラジカルな
ど１通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電解加速を受けて、別の　　　　□
原子や分子を解＋ｇｌせるが、この連鎖作用で気体　　
　　□はたちまち高度の電離状態となる。　そしてこれ
は、プラズマガスと呼ばれている。

５″″＋′“′ｌ侵０口０１がｉパｉ　　　　：エネル
ギーをあまり吸収せず、常温に近い温度　　　　：□ に保たれている。

□ このように、電子の運動エネルギー（電子部　　　　□
度）と、分子の熱運動（ガス温度）が分離した　　　　
□系は低温プラズマと呼ばれ、ここでは化学種が　　　
　□比較的原型を保°たまま重合等の加成的化学反　　
　　：応を進めうる状況を創出しており１本発明はこ　
　　　□の状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
　　　　□成しようとするものである。　なお、低温プ
ラズマを利用するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合■々を形成する装置例が第２図
に示しである。　第２図は、周波数可変型の電源を用い
たプラズマ重合装置である。

第２図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０＋ｅＭ／分の流量範囲をと
りうる。

反応容器Ｒ内には、被処理基板ｉｌｌが一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地されて
いる。

さらに１反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７．油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む、　これら真空系統は、反応容器内
を０、Ｏ１〜１０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔａｒｔ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０，０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、基板上にプラズマ重合膜が形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｈ２な
どを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

このように形成されるプラズマ重合膜下地層３は、前述
したように、ＣまたはＣとＨｌＮ、Ｏの１種以上を含有
しており、Ｃの含有量はプラズマ重合膜下地層３中に３
０〜１００ａｔ％、より好ましくは３０〜９０ａｔ％で
ある。

Ｃの含有量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合膜
下地層３の膜強度が低下し、実用に酎えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨ２Ｎ、Ｏの含有
量は、水素と炭素の原子比（）（／Ｃ比）が１以下、特
に、ｌ／６〜１、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３
／ｌ　Ｏ以下、特に、１／２０〜３／１０、酸素と炭素
の原子比（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に、１／２０
〜３／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加え
てＨ，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐ス
クラッチ性が向上する。

なお、プラズマ重合膜下地層３中のＣ１Ｈ，Ｎ、Ｏおよ
びその他の元′素の含有量の分析は、５ＩＮＳ’（２次
イオン質量分析）等に従えばよい。　ＳＩＭＳを用いる
場合、プラズマ重合膜下地層３表面にて、Ｃ，Ｈ，Ｎ、
Ｏおよびその他の元素をカウントして算出さればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、０およびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　“Ｓ
ＩＭＳおよびＬ　Ａ　Ｍ　Ｍ　Ａ　”の記載に従えばよ
い。

このようなプラズマ重合膜下地層３は、プラズマ処理さ
れた基板２１上に形成されることが好ましい。

基板２１表面をプラズマ処理することによって、基板２
１との接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重
合膜下地層３との接着力が向上する 基板２１表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にはほ
ぼ同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜下地層３の形成には原則として、有機ガス
（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原料
ガスとして用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわち、Ｈ２、Ａ　ｒ　−Ｈｅ　＋　０２　１　Ｎ２
　−空気、ＮＨ３，０３，８２０，Ｎｏ、Ｎ２０゜ＮＯ
２などのＮＯｘ等の中から適宜選定し、これらの単独な
いし混合したちのいずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであってもよ
い。

このようにプラズマ処理された基板２１上には、前述し
たようなプラズマ重合膜下地層３が形成され、さらに、
このプラズマ重合膜下地層３の上には、直接あるいは中
間層４を介して磁性薄膜層５が形成される。

この磁性薄膜層５は、変調された熱ビームあるいは変調
された磁界により、情報が磁気的に記録されるものであ
り、記録情報を磁気−光変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層５として、希土類金属と遷移金属
の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として通
常の厚さに形成する。

希土類金属および遷移金属としては種々のものがあるが
、特に前者としてはＧｄ、Ｔｂ、また後者としてはＦｅ
、Ｃｏが好適である。

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ　。

ＴｂＦｅ　、ＴｂＦｅＣｏ　、ＧｄＦｅＣｏ　。

ＱｄＴｂＦｅ等がある。

これらの場合、希土類金属は１５〜３５ａｔ％、遷移金
属は６５〜８５ａｔ％程度とする。

また磁性薄膜層５の厚さは０．０５〜０．１島ｍ程度と
する。

なお、上述したように中間層４を介して、磁性薄膜層５
を設層することもできる。　この場合、中間層４の材質
としては、５ｉ０２゜ＳｉＯ，ＡＪＩＮ、Ｓｉ３　Ｎ４
　　、ＺｎＳ等を真空蒸着、スパッタリング等によって
形成したものが挙げられる。

このような中間層４は、０．０５〜０．２ＪＬｍの厚さ
とする。

このような磁性薄膜層５上には、防湿性をさらに向上さ
せるために前述したようなプラズマ重合膜からなるプラ
ズマ重合膜保護層６が形成される。

このプラズマ重合膜保護層６の形成方法、形成条件、な
らびに重合膜の組成、膜厚等は前述したプラズマ重合膜
下地層３の場合と同様にすれ（ｆよい。

なお、このプラズマ重合膜下地層６は、図示のように、
磁性薄膜層５を完全に被うように設けることが好ましい
。

このようなプラズマ重合膜保護層６の上に。

さらに別の材質の保護層７を設層することが好ましい。

保護層７の材質については、特に制限はなく、放射線硬
化型化合物、熱硬化型樹脂、二液反応硬化型化合物、熱
可塑性樹脂等の有機系の保護層、あるいは酸化ケイ素、
窒化ケイ素等の無機系の保護層など種々使用可能である
。

しかしながら、これらの中では放射線硬化型化合物を放
射線で硬化させたものが好ましい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１ｏｏ
ｏｏのものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．Ｂ−ヘキサングリコールジ
メタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（
メタクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
　（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリア
クリレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパ
ンジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエ
ステルアクリレート（アロニツクスＭ− ７１００、Ｍ−５４００，Ｍ−５５００，Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０，Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０，Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物の７クリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物。

１）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）　３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）３−ＣＣＨ２Ｃ
）（３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨ０Ｃ（ＯＣ３Ｈａ　）　ｎ　
−０ＣＨ２）　３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレート
Ｃ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレ−）Ｆ） 式中、ｍ＝１．ａ＝２、ｂ＝４（７）化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１．ａ＝！３、ｂ＝３１７）化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝ｌ、ａ＝６
、ｂ＝Ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮
合物Ｃという）、ｍ＝２．ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以
下、特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、およ
び下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げ
られる。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）　４
−ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレ−）Ｉ） （特殊アクリレートＪ） Ａ−（Ｘ−Ｙ−）−Ｘ−Ａ Ａ：７クリノ１駿、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩
基酸　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　　Ａ
−４Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−Ａ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　’□・　　　　　　　　　　　　　１ Ａニアクリル酸、　　Ｍ：２価アルコール　　　　　　
　　　　　　　１Ｎ：２ｊ！２基酸　　　　　（特殊ア
クリレートＬ）　　　　　　　　　　　　　Ｌまた、放
射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で示される
多官能オリゴエステルアク　　　″リレートやウレタン
エラストマーのアクリル変　　　：性体、あるいはこれ
らのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙
げられる。

拭中Ｒ，，Ｒ２：アルキル、ｎ：整ω また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエールテ樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合　　　−、。

体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、フエ　　　）
７−２．樹脂、８ピ。アヤ、−１．樹脂、水酸基、）−
含有するアク′リルエステルおよびメタクリル酸　　　
ニスチルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系
樹脂等も有効である。

このような保護層７の厚さはＯ０１〜３０ｐｍであり、
より好ましくは１〜ｉｏｏｍである。

この膜厚が０．１ｐｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層５の耐久性が向上しない、　また、３０ｐｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護層中のクラックが生じ、実用に耐えない
。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート等、種々の公知の方法で設層すれ
ばよい、　この時の塗膜＋７−１屯陽冬社１士　揄Ｉ■
目のポリマーの粘度、其板表面の状態、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

また、このような塗■りを電子線または紫外線によって
硬化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、上述したよ
うな、放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤が加
えられる。

この光重合増感剤としては、従来のものでよく、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾ
インのベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン
、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、
アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、ベ
ンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフ
ィト等のスルフィト類、等を挙げることができる。　光
重合増感剤は°樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

紫外線照射は２例えば、キセノン放電管、水素放電管な
どの紫外線電球等を用いればよい。

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧１００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３０
０ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０
メガラツドになるように照射するのが好都合である。

特に照射線源としては、吸収量量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮蔽等の見地から、放射線加
熱器により電子線を使用する方法および前述した紫外線
を使用する方法が有利である。

また無機系の保護層７を用いる場合には、−酸化ケイ素
、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化
亜鉛等の酸化物や、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒
化チタン、窒化ホウ素等の窒化物の薄膜を用いればよい
。

このような薄膜の厚さは０．１〜ＬＯｙＬｍ程度とされ
、真空蒸着やスパッタ等によって形成される。

このようにして基板２１に設層された各層をはさむよう
にして、基板２１と対をなすように、接着層８を介して
基板２５が設けられる。

この基板２５は、通常、樹脂製とされその材質の選定も
基板２５の使用目的に応じて適宜決定すればよい。

すなわち、前述したような一方の基板２１の側からのみ
書き込み、読み出しを行う場合には、対として用いられ
る基板２５は通常保護板としてのみの機能を有し、その
樹脂材質は特別に透明性等を要求されることはなく、種
々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、
メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ふっ素樹脂等の各種
熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ポリウレタン、ア、ルキド樹脂、メラ
ミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性
樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を基板２５
として用いてもよい。

また、接着層８は、ホットメルト樹脂等の接着剤であっ
て宝い。

他方、基板２５の内面にさらにもう一層、前述したよう
な組成からなるプラズマ重合膜下地層、磁性薄膜層を設
け、二つの磁性薄膜層を用いて基板２１側と基板２５側
の両側から書き込み、読み出しが可能ないわゆる両面記
録の媒体とするときは、基板２５の材質は、通常、前述
の基板２１のそれと同様とされる。

また、基板２５の形状は、基板２１のそれとほぼ同一と
される。

以上、述べてきたような媒体の外面の全域、すなわちデ
ィスクではその外側面、内側面、表面および裏面は、第
１図に示されるように、全て放射線硬化型化合物の硬化
膜の被覆層９で被覆されている。

用いる放射線硬化型化合物としては、保護層７に用いる
放射線硬化型化合物として先に詳述したものがあげられ
る。

このような放射線硬化型化合物の硬化膜の被覆層９の膜
厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜ｌ０ＪＬ１
１である。

この膜厚が０．１＃Ｌｍ未満になると、一様な膜を形成
できず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく
、磁性薄膜層５の耐久性が向上しない、　また、３０μ
■をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録
媒体の反りや被覆層中のクラックが生じ、実用に耐えな
い。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい、　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、基板表面の状態
、目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい
。

このような塗膜を硬化させて硬化膜の被覆層９とするに
は、前記と同様、電子線、紫外線等の放射線を塗膜に照
射すればよい。

このように設けられた硬化膜の被覆層９は、通常、前記
の放射線硬化型化合物のうちの１種を用いて、連続的に
設層される。　しかし、必要に応じて被覆層９を部分ご
とに異なる放射線硬化型化合物を用いて設けてもよい、
　改暦膜厚もそれぞれ異なる厚さとしてもよい。

なお本発明は、第１図に示されるように形成してもよい
し、前述したように２つの磁性薄膜層を内優にして対向
させ、接着剤等を用いて貼り合わせて、基板の裏面側か
らの書き込みを行う、いわゆる両面記録の媒体としても
よい。

■　発明の具体的作用効果 本発明の光磁気記録媒体は１例えば片面記録の媒体の場
合、必要に応じてプラズマ処理された基板上に２プラズ
マ重合膜下地層を有し、必要に応じこの上に中間層を有
し、この上に希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層
を有し、さらにこの上にプラズマ重合膜保護層を有し、
またさらに必要に応じて保護層を形成し、これと保護板
とを一体化し、この媒体の外面全域を放射線硬化型化合
物の硬化膜で被覆している。

このため、耐久性、防湿性が向上し、高温高湿の雰囲気
中で長時間使用しても経時劣化がきわめて少ない。

このような効果はいわゆる両面記録の媒体の場合におい
ても同様に発現されるものである。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板２１を真空チャンバ中
に入れ、一旦１０−５　Ｔｏｒｒの真空に引いた後、処
理ガスとしてＡｒを用い、流量：５０＋ｊＬ／分にてガ
ス圧０　、　Ｉ　Ｔｏｒｒに保ちながら１３．５６ＭＨ
２の高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基板２１
表面をプラズマ処理した。

その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜下地層３
を基板２１上に形成した。

これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜厚はエリプソメーターによって測定した。

結果を表１に示す。

このように形成されたプラズマ重合膜下地層３上にＳｉ
３Ｎ４の中間層４を高周波マグネトロンスパッタによっ
て膜厚９００人に設層した。

さらにこの上に下記に示される磁性薄膜層５を設層した
後、この磁性薄膜層５上に下地層と同様にプラズマ重合
膜保護層６を形成し、さらにこの上に必要に応じて下記
に示されるような保護層７を設けた。　なお、同一基板
に形成されたプラズマ重合膜下地層３とプラズマ重合膜
保護層６の膜組成および膜厚は同一とした。

（磁性薄膜層の形成） ＴｂＦｅＣｏからなる合金薄膜をスパッタリングにより
厚さ０．Ｉμｍに設層し、磁性薄膜層とした。

Ｔｂ、Ｃｏチップをのせたものを用いた。

（保護層の形成） プラズマ重合膜保護層６上に、多官能オリゴニスチルア
ク′リレート　（アロニックスＭ−８０３０）Ｚｏｏ重
埴部、光増感剤（バイキュア５５）５重着部からなる塗
布組成物をスピンナコートで設層し、その後、１２０　
Ｗ／ｃｍの紫外線を１５ｓｅｃ照射し、架橋・硬化させ
た。　この時の膜厚は１０％閣とした。

この保護層Ｅに直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板２５を
ホットメルト樹脂接着剤を用いて接着した。

さらに、このように設けられた一対の基板の外面全域が
すべて被覆されるように、下記の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物をスピンナーコートおよびディッピング
で設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート（アロニックスＭ−
８０３０）　　　　１００重量部光増感剤（バイキュア
５５）　　　　５重量部このような塗布組成物を設層後
、８０Ｗ／ｃ層紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬化させ
、硬化膜とした。

この時の膜厚は１０ＩＬ１１であった。

このようにして、下記表１に示される各種光磁気ディス
クを作製し、以下に示すような特性値を測定した。

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて５００時間
保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した。

回転スピード　　　　　　　ａｍ７’ｓｅｃ搬送周波数
　　　　　　　　５００ＫＨｚ分解能　　　　　　　　
　　　３０ＫＨｚ記録パワー（８３０ｎｍ）　　　３〜
４ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）　　　　　　１ｍＷ結
果を表１に示す。

表１に示される結果より本発明の効果はあきらかである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 ■・・・光磁気記録媒体、２１．２５・・・基板、３・
・・プラズマ重合膜下地層、４・・・中間層、５・・・
磁性薄膜層、６・・・プラズマ重合膜保護層、７・・・
保護層、８・・・接着層、９・・・被複層５３・・・混
合器、５４・・・直流、交流および周波数可変型電源、
５６・・・油回転ポンプ、５７・・・液体窒素トラップ
、５８・・・油拡散ポンプ、５９・・・真空コントロー
ラ、１１１・・・基板、５１１．５１２・・・処理ガス
源、 ５２１．５２２・・・マスフローコントローラ、５５１
．５５２・・・電極 ＦＩＧ、２ 手続ネ甫正書（自発） 昭和６１年　５月２７日　　　： 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　１□ 昭和６０年特許願第１８５０９０号　　　　　　　　　
　　　　　　１、発明の名称 □ 光磁気記録媒体　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　：□ ３、補正をする者 事件８″関係　　　特許出願人　　　　　　　　　　　
　　　　　　：住　　所　　東京都中央区日本橋−丁目
１３番１号名　　称　（３０６）　　ティーディーケイ
株式会社　　　　　　　　１代表者　　大　歳　　　寛 ４、代理人　〒１０１１ 住　　所　　東京都千代田区岩本町３丁目２番２号　　
　　　　　　：□ 千代田岩本ビル　４階　　　　　　　　　　　　　　　
：明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の「３、発明の詳細な説明」の項の記載を
下記のとおり補正する。 １）第１３ページ１３行〜１４行目の「基体」という２
つの記載をそれぞれ「気体」と補正する。 ２）第２４ページを別添の第２４ページに差しかえる。 ３）第２５ページを別添の第２５ページに差しかえる。 ４）第２８ページを別添の第２８ページに差しかえる。 チルアクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００，Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ　−，６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ
−８０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエ
ラストマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入された
もの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレー
ト（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエ
リスリトール縮金環にアクリル基（メタクリル基）また
はε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２−ＣＣＨ２ＣＨ３）　３−ＣＣ８２
ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ８）ｎ−ＯＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） １２）　　　Ａ−（−Ｍ−Ｎ＋　Ｍ−ＡＡ・ニアクリル
酸、　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（
特殊アクリレートＬ）ま、た、放射′線硬化型オリゴマ
ーとしては、下記一般式で示される多官能オリゴエステ
ルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性
体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入
されたもの等が挙げられる。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜
   層を有し、この磁性薄膜層の基板側に膜層されたプラズ
   マ重合膜下地層および／または磁性薄膜層の基板と反対
   側に設層されたプラズマ重合膜保護層を有し、媒体の外
   面全域に亘って放射線硬化型化合物の硬化膜の被覆を有
   することを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）被覆の厚さが０．１〜３０μｍである特許請求の
   範囲第１項に記載の光磁気記録媒 体。
3. （３）プラズマ重合膜下地層がＣと、Ｈ、ＮおよびＯの
   うちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項ま
   たは２項に記載の光磁気記録媒体。
4. （４）プラズマ重合膜保護層がＣと、Ｈ、ＮおよびＯの
   うちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項な
   いし第３項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
5. （５）プラズマ重合膜下地層が、無機ガスにてプラズマ
   処理された基板上に設層されている特許請求の範囲第１
   項ないし第４項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
6. （６）プラズマ重合膜下地層と磁性薄膜層との間に、さ
   らに中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし第５項
   のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
7. （７）プラズマ重合膜保護層上にさらに保護層が設けら
   れている特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか
   に記載の光磁気記録媒体。
8. （８）保護層の厚さが０．１〜３０μｍである特許請求
   の範囲第７項に記載の光磁気記録媒体。
9. （９）保護層が酸化物または窒化物の薄膜である特許請
   求の範囲第７項または第８項に記載の光磁気記録媒体。
10. （１０）保護層が放射線硬化型の塗膜を放射線により硬
    化させたものである特許請求の範囲第７項または第８項
    に記載の光磁気記録媒体。