JPS63166038A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。

光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡｊ２Ｇｅ、ＭｎＳｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ％ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ　Ｉ　Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２Ｏ４等の材料が知ら
れている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法
等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄
膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向に
あり、さらに、カー効果やファラデー効果が大きいとい
う点をあげることができる。

この性質を利用して、光磁気記録媒体の記録方法として
は、例えば次の方法がある。

まず、最初に膜全体を“０”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）。　つ　ぎに、“１”を記録し
たい部分にレーザービームを照射する。　レーザービー
ムが照射されたところは温度が上昇し、キューリ一点に
近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時には
、保持力Ｈｅに近づく。　そして、レーザービームを消
し室温にもどせば、反磁場のエネルギーにより磁化は反
転し、さにらは、レーザービームの照射の際、外部磁場
を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転
し、“１”なる信号が記録される。

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分に“０”のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光効
果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリ
一点が１００〜２００℃程度で補償点が室温付近である
こと。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体は１、大気に接したままで保存すると
、基板をとおして侵入する人気中の酸素や水により希土
類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記
録、再生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に保護
用の中間層を設けた構成を有するものが多く研究されて
いる。

これらの中間層としては、例えば５ｉＯ１ＳｉＯ□等の
無機系の真空蒸着膜あるいは常温硬化性の樹脂の塗膜中
間層等がある。

しかしながらこれらの中間層では、十分な防湿性は得ら
れず、保存劣化等の問題がある。

このような問題に対処するために特開昭６０−１７７４
４９号では、中間層にガラスを用いて耐候性を向上させ
る旨の提案が開示されている。

他方、本発明者らは基板上にプラズマ重合膜を形成し、
接着性と耐候性とを向上させる旨の提案を行っている（
特願昭６０−１８０７２９号）。

また、媒体の特性の向上や耐久性の向上、特に基板と磁
性薄膜層との接着力の向上をはかるために、プラズマ処
理をほどこした基板上にプラズマ重合膜を形成し、この
上に磁性薄膜層を設ける旨の提案を行っている（特願昭
６０−１８１３２７号）。

さらには、媒体の磁性薄膜層表面からの水分等による劣
化を防止する目的で、磁性薄膜層表面にプラズマ重合膜
を形成し、これを保護層として用いたりあるいはさらに
このプラズマ重合膜の上に放射線硬化型化合物を含有す
る保護層を設ける旨の提案を行っている（特願昭６０−
１８２７６７号、同６１−１８３２８５号）。

また、媒体の特性、特に耐久性、高湿度雰囲気中におけ
る保存性を良化する目的で基板上にプラズマ重合膜下地
層を有し、このプラズマ重合膜下地層の上に、直接ある
いは下地層を介して、希土類−遷移金属の非晶質磁性薄
膜層を有し、この磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層
を形成する旨の提案を行っている（特願昭６０−１８４
７９９号）。

また、特開昭６０−２６０６２８号では、テトラフルオ
ロエチレン、アクリロニトル、アクリル酸、メタクリル
酸メタル、塩化ビニル、塩化ビニリデンから選ばれる１
種または２種以上をモノマーするプラズマ重合膜で熱可
塑性樹脂成形体を被覆し、耐候性を向上させる旨の提案
が開示されている。

しかしながら、これらの提案でも、中間層や保護層との
接着性および耐候性の点で不十分で、要求特性を必ずし
も満足せず、より一層優れた特性を有する光磁気記録媒
体が要求されている。

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。

■　発明の目的 本発明の目的は、耐候性および接着性に優れた光記録媒
体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明における第１の発明は、基板上にプラ
ズマ重合膜下地層を有し、このプラズマ重合膜下地層の
上に中間層を有し、この中間層の上に記録層を有する光
記録媒体であって、前記プラズマ重合膜がニトリル基を
有する有機化合物のモノマーを重合したものであり、か
つこのプラズマ重合膜の６３２８人における屈折率が１
．３〜１．７であることを特徴とする光記録媒体である
。

また、第２の発明は、基板上にプラズマ重合膜下地層を
有し、このプラズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、
この中間層の上に記録層を有し、この記録層の上に直接
または保護層を介してプラズマ重合膜保護層を形成した
光記録媒体であって、前記プラズマ重合膜がニトリル基
を有する有機化合物のモノマーを重合したものであり、
かつこのプラズマ重合膜の６３２８λにおける屈折率が
１．３〜１．７であることを特徴とする光記録媒体であ
る。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

第１図および第２図は、それぞれ、本発明の光記録媒体
のうち光磁気記録媒体の一実施態様を示す断面図である
。

第１図に示す態様において、本発明の光磁気記録媒体１
は、基板１１上にプラズマ重合膜下地層１２を有し、こ
のプラズマ重合膜下地層１２の上に中間層１５を有し、
この中間層１５の上に記録層としての希土類−遷移金属
の非晶質磁性薄膜層１４を有する。

そして、非晶質磁性薄膜層１４上には、さらに保護層１
６および保護膜１９を有する。

また、第２図に示す態様においては、希土類−遷移金属
の非晶質磁性薄膜層１４の上に、さらに直接または保護
層１６を介してプラズマ重金膜保護層１７を形成したも
のである。　そして、プラズマ重合膜保護層１７上には
、さらに保ｊｉ！膜１９を有する。

本発明において、プラズマ重合股下地層１２（第１図と
第２図の態様）およびプラズマ重合膜保護層１７（第２
図の態様）のプラズマ重合膜は、ニトリル基を有する有
機化合物のモノマーを重合したものである。

ニトリル基を有する有機化合物のモノマーとしては、ア
セトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イ
ソブチロニトリル、バレロニトリル、イソバレロニトリ
ル、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、クロト
ンニトリル、エナントニトリル、カプロニトリル、カプ
リロニトリル、ペラルゴンニトリル、カブリニトリル、
ラウロニトリル、シアン化アリル、シアンアセチレン、
１−シアン−１，３−ブタジェン等の脂肪族ニトリルニ アセトニトリル、シアン化ビニリデン等の脂肪族ジニト
リル； ベンゾニトリル、シアン化ベンジル、シアン化（ｏ−、
ｍ−）トルベンジル、トルニトリル等の芳香族ニトリル
； その他シアンアセトアルデヒド、シアン化アセチル、シ
アン化アセトン、シアンギ酸、シアン酢酸エチル、ジア
ゾアセトニトリル、ジエチルシアナミド、ジメチルシア
ナミド、シアンマロン酸ジエチル等の化合物などが挙げ
られ、なかでもアクリロニトリル、アセトニトリル、プ
ロピオニトリル等の低沸点ニトリル化合物等が取扱いの
点でも好ましい。

これらは単独で用いても２１１４以上を併用してもよい
。

本発明において、プラズマ重合膜は、６３２８人におけ
る屈折率ｎが１．３〜１．７、好まくは１．４〜１．６
とするのがよい。

このような屈折率とするのは、ｎが１．３未満では、膜
の緻密性が得られず基板１１などからの水分等を庶断す
ることができず接着性も十分ではないからであり、また
、１．７をこえると、重合膜の硬さが増し、重合膜に接
して設置されるスパッタ膜、蒸着膜等、例えば後述する
中間層１５や保護層１６等との接着が不良となるからで
ある。

なお、本発明において中間層１５や保護層１６等の材質
として好ましく用いられるガラス（後記）は、その６３
２８λにおけるｎが１．５程度であり、これと類似する
値のｎを有するプラズマ重合膜とすることが好ましい。

このようなｎとするには、後述のように低成膜率および
低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。

本発明において、プラズマ重合膜下地層１２（第１図と
第２図の態様）およびプラズマ重合膜保護層１７（第２
図の態様）の厚さは、それぞれｌＯ〜１０００λ、好ま
しくは５０〜６００人とするのがよい。

このような厚さとするのは１０λ未満では、本発明の実
効が得られないからであり、１０００人をこえても本発
明の効果に差異はなく、この値以上にする必要がないか
らである。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜下地層１２は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。

またプラズマ重合膜保護層１７（第２図の態様）は、下
地層１２と同様に磁性薄膜層１４上にプラズマ重合膜を
形成するものである。

このような保護層１７を形成することにより、防湿性が
さらに向上する。

なお、プラズマ重合膜保護層１７は、磁性薄膜層１４上
に後述する中間層！５と同材質の保護層！６を介して設
層してもよい。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまた高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このような、電子の運動エネルーギ−（電子温度）と、
分子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマ
と呼ばれ、ここでは化学種か比較的原型を保ったまま重
合等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、
本発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を
形成しようとするものである。　なお、低温プラズマを
利用するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第３図に
示しである。　第３図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。

第３図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍｌ１／分の流量範囲をと
りつる。

反応容器Ｒ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地されて
いる。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７、油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む。　これら真空系統′は、反応容器
内をｏ、　　１Ｔｏｒｒ未満、好ましくは０．００５〜
０．０８Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容１１Ｒ内がまず１ｏ−ｓＴｏｒ
ｒ以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガズか所
定の流量において容器内に混合状態で供給させる。

そして、成膜率は５０〜２００λ／ｎｉｍとするのがよ
い。

このとき、反応容器内の真空は０．１未満、好ましくは
０　、００５〜０　、０８Ｔｏｒｒの範囲に管理される
。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。

なお、本発明において原料に液体子ツマ−を用いる場合
は、第３図におけるガス源５１１．５１２のところに液
体モノマーを入れた容器を恒温槽に設置して使用すれば
よい。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅ、）ｌ、
などを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

　本発明では、特に動作圧力が低圧にあるので、磁場を
併用するマグネトロン方式を用いるのが好ましい。

なお１本発明において原料に液体子ツマ−を用いる場合
は、第３図におけるガス源５１１゜５１２のところに液
体子ツマ−を入れた容器を恒温槽に設置して使用すれば
よい。

このように形成されるプラズマ重合膜のＣの含有量は３
０〜９０ａｔ％であることが好ましい。

また、プラズマ重合膜中にＨは、一般に５〜４０ａｔ％
程度含有される。

なお、プラズマ重合膜中のＣ，Ｈおよびその他の元素の
含有量の分析は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）等に
従えばよい。ＳＩＭＳを用いる場合、プラズマ重合膜表
面にて、Ｃ，Ｈおよびその他の元素をカウントして算出
さればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈおよびその他の元素のプロファイルを測定して算出
してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎請座第３巻（
１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　“ＳＩ
ＭＳおよびＬＡＭＭＡ″の記載に従えばよい。

さらに、プラズマ重合膜に存在するＣＮ基は、ＦＴＩＲ
等によって確認した。

本発明の光記録媒体に用いられる基板１１は、樹脂によ
って形成される。

好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂等があ
げられる。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずわであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。　な
かでもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂
は最も好ましく用いられる。　また、ポリカーボネート
樹脂の数平均分子量は、ｉｏ、ｏｏｏ〜Ｉｓ、０００程
度であることが好ましい。

このような基板１１の８３０ｎｍの屈折率は通常１．５
５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板１１をとおして行うので、書き込み光
ないし読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

また、基板１１は、通常ディスク状とし、１．２〜１．
５ｍｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　ｌ　２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）
とされる。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる
。

そして、通常、この溝の四部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明において、プラズマ重合股下地層１２は、プラズ
マ処理した基板１１上に形成してもよい。

基板１１表面をプラズマ処理することによって、基板１
１との接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重
合膜下地層１２との接着力が向上する。

基板１１表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にはほ
ぼ同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜下地層１２の形成には原則として、有機ガ
ス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原
料ガスとしてとして用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特にｆｉｌｌ限は
ない。

すなわち、Ｈ２，Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ□、Ｎ２、空気、ＨＮ
３，０３．Ｈ２Ｏ、Ｎｏ、Ｈ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ
等の中から適宜選定し、これらの単独ないし混合したも
のいずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであってもよ
い。

なお、基板１１の裏面（記録層としての磁性薄膜層１４
を設層しない側）にもさらにプラズマ重合膜を設層して
もよい。

本発明における中間層１５は、酸素、 炭素、窒素、硫黄等を含む化合物、例えば、５ｉ０２．
５ｉＯ１ＡＩＮ％ＡＪＺ□０３、Ｓ　ｉ３Ｎ４．ＺｎＳ
、ＢＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ等ないしこれらの混合物など
の各種誘導体物質ニガラス、例えばホウケイ酸ガラス、
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガ
ラス等あるいはこのものに５１３Ｎ４等を含むものなど
の材質を用いればよい。　なかでも、５ｉ０２４０〜８
０ｗｔ％のホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラ
ス、アルミニウムホウケイ酸ガラスや、これらの５ｉ０
２の一部を５ｊ３Ｎ４等で置換したものが好ましい。

これらのうちで特に好ましいものとしては、下記のもの
が挙げられる。

（１）酸化ケイ素４０〜６０胃Ｌ％と、Ｂａｄ、Ｃａｂ
、ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ。

ｐｂｏ等の２価金属酸化物５０ｗＬ％以下および／また
はアルカリ金属酸化物１０ｗｔ％以下と、酸化ホウ素お
よび／または酸化アルミニウムとを含有するもの。

（２）Ｓ　ｉと他の金属または半金属元素としてＢａ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ等の１種以上、Ａｎ、Ｂ
の１種以上およびアルカリ金属元素の１種以上のうちの
少なくとも１つとを含み、全金属ないし半金属中のＳｉ
原子比が０．３〜０，９であり、さらにＯおよびＮを含
み、Ｏ／（０＋Ｎ）が０．４〜０．８であるもの。

このような中間層１５は、５００〜３０００人、好まし
くは８００〜２５００人の厚さとするのがよい。

５００λ未満となると、耐候性が十分でないからであり
、１５００人をこえると、厚すぎて媒体とした場合感度
が低下してしまうからである。

なお、これら中間層１５としては、上記のガラス層を保
護層下地として３００〜１０００人程度に設層し、この
上にＳｉＯ２，５ｉＯ１Ｓ　ｉ３Ｎ、、Ａｌ１Ｎ、ＡＪ
２２０．　、ＺｎＳ等、あるいはこれらの混合物などを
誘電体物質を誘電体層として５００〜１５００人程度に
設層したものが好ましい。

この場合、誘電体層は８００ｎｍにおける屈折率１．８
〜３．０のものが好ましく、Ｓｉと希土類金属および／
またはＡｎとを含み、ＯおよびＮを含むものが好適であ
る。

本発明において記録層としての磁性薄膜層１４は、変調
された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報が
磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光変
換して再生するものである。

このような磁性薄膜層１４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ
等の希土類金属とＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金をスパ
ッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもので
あり、しかもＦｅとＣｏを必須含有成分とするものであ
る。

この場合、ＦｅとＣＯの総合有量は、６５〜８５ａ［％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａＬ％以下の範囲で
Ｃ「、Ａ２、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ。

Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ％Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含
有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａｔ％以下の範囲でＳｃ、
Ｙ、Ｌａ％Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ％Ｐｍ。

Ｓｍ、　　Ｅｕ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　Ｅｒ、　　Ｔ
ｍ、　　Ｙｂ、Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の膜厚は、０．０１〜１−が好ま
しい。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔｅ−５ｅ％Ｔｅ−５ｓ−Ｓｎ。

Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−１ｎ％Ｔｅ−５ｎ。

Ｔｅ−Ｇｅ−５ｂ−５゜ Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ−５ｉ、Ｔｅ−５ｉ。

Ｔｅ−Ｇｅ−３ｉ−３ｂ。

Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１゜ Ｔｅ−Ｇｅ　　−１ｎ−Ｇａ。

Ｔｅ−５ｉ−Ｂｉ−Ｔｌ。

Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ　ｉ　−Ｉ　ｎ−Ｓ。

Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−５ｂ。

Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ−Ｓ。

Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ。

Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｇａ。

Ｔｅ−Ｇｅ−５−Ｉｎ。

５ｅ−Ｇｅ−Ｔ　　ＩＬ、　　５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ。

５ｅ−Ｇｅ−Ｔｌ−Ｓｂ。

５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、５ｅ−Ｓ　（以上、特公昭５４−４
１９０２号、特許第１００４８３５号など） ＴｅＯｌｌ　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７
４２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、 Ｔ　ｅ　Ｏｗ　＋　Ｐ　ｂ　ＯＸ　　（特許第９７４２
５８号）、 ＴｅａＸ＋ＶＯ，（特許第９７４２５７号）、その他、
Ｔｅ−ＴＩｔ、Ｔｅ−Ｔｌ−３ｉ、５ｅ−Ｚｎ−Ｓｂ、
Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮ、等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−５ｎ、５ｉ−Ｓｎ等の非晶質−緒品質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａ１１−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｎ等の結晶
構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−５ｂ等の
結晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような磁性薄膜層１４上には、保護層１６を設層す
ることが好ましい。

保護層１６の材質としては、中間層１５同様ガラスおよ
び各種酸化物、窒化物等の誘電体物質が好ましいが特に
前記したガラスが好適である。

保護層１６の厚さは一般に３００〜１５００λ程度であ
る。

なお、保護層１６の形成は真空蒸着、スパッタ等によれ
ばよい。

本発明の光記録媒体において、保護膜１９の材質として
は、通常、公知の種々の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合する基を分子中に含有または導入したモ
ノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることがで
きる。

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、ｌ、６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も季ｉプられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メ
タクリ・レート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレート）、トリ　　１）メチロールプロパン
トリアクリレート（メタクリレート（メタクリレート）
、多官能オリゴエステルアクリレート（アロニツクスＭ
−７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−３）５
７００、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０・
Ｍ−８０６０・Ｍ−８１００等・　　４）東匪合成）、
ウレタンエラストマーにツボラン４０４０）のアクリル
変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が
導入されたもの、フェノールエチレンオキシド付加物の
アク　　５）リレート（メタクリレート）、下記一般式
で示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基（
メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル基
のついた化合物、　　　　　　　　　６）（ＣＨ２＝Ｃ
ＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２０Ｈ（特殊アクリレート
Ａ） （ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣ８２０Ｈ３（特
殊アクリレートＢ） （ＣＨ２＝ＣＨＣ０（ＯＣ３Ｈ６）ｎ−ＯＣＨ２）３−
ＣＣ８２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） 占Ｈ２Ｃ８２Ｃ００Ｃ）Ｉ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） １１： Ａニアクリｔｌａ、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩
基酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ
（−Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ ｎ Ａニアクリル酸、　　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基が導入されたもの等が挙げられる。

（式中Ｒ１、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の保護膜６の膜厚は０．
１〜３０μＩ、より好ましくは１ＮｌＯμｍである。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向トしない。　また、３０μｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない
。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０にＶ、好ましくは１５０〜３００にＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような保護膜１９の一トには、通常接着剤層を介し
て保護板が設けられる。

すなわち、前記の基板１１の裏面（ｗＡ性性膜膜層１４
設けていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、い
わゆる片前記録の場合にのみ、この保護板を用いる。

このような保護板の樹脂材質は特別に透明性等を要求さ
れることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ
ビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ
塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、ユ
リア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ア
ルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂
等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板と
して用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板１１のそれとほぼ
同様とされる。

このような保護板は、前述したように接着剤層を介して
接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂等
の接着剤であって、この膜Ｊ２は１〜１００μｍ程度と
される。

他方、上記の保護板を用いる代りに、上記の磁性薄膜層
１４、保ｊ層１６．保護膜１９等を有する基板をさらに
１セツト用いて、内磁性薄膜層を内側にして対向させて
、接着剤層を用いて貼り合せて、内基板の裏面側から書
き込みを行なう、いわゆる両前記録タイプとしてもよい
。

さらに、これらの基板１１や保護板の裏面（磁性薄膜層
１４を設けていない側の面）には各種保護膜としてのハ
ードコート層を設けることが好ましい。

ハードコート層の材質としては、前述した保護＠１９の
材質と同様なものとしてもよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、基板上にプラズマ重合膜−ド地層を有
し、このプラズマ重合膜下地層の一トに中間層を４工Ｌ
、この中間層の上に記録層を有する構成であるか、また
はさらに記録層の上に直接または保護層を介してプラズ
マ重合膜保護層を有する構成であって、これらのプラズ
マ重合膜がニトリル基を有する有機化合物のモノマーを
重合したものであり、かつこのプラズマ重合膜の６３２
８人における屈折率が１．３〜１．７であるため、耐候
性および接着性に優れた光記録媒体が得られる。

特に、これに接してガラス等の材質の中間層、保護層等
を設層する場合接着が強固となる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
ポリカーボネート樹脂（分子量ｔ　５ｏｏｏ）からなる
基板１１を真空チャンバ中に入れ、一旦１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空に引いた後、処理ガスとしてＡｒを用い、流量
：　５０ｍＩＬ／分にてガス圧０．ＩＴｏｒｒに保ちな
がら１３．５６ＭＨｚの高周波電圧をかけてプラズマを
発生させ、基板１１表面をプラズマ処理した。

その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜下地層１
２を基板１１上に形成した。

なお、表中の略号は次のものを示す。

Ａ　Ｎ−・・アクリロニトリル、 Ｐ　Ｎ−・・プロピオニトリル、 Ａ　ｃ　Ｎ　＝アセトニトリル、 Ｍ　Ａ　Ｎ−・・メタアクリロニトリル、Ｔ　Ｆ　Ｅ−
・・テトラフルオロエチレン、ｖ　ｃ−・・塩化ビニル
、 ＶＤＣ−一塩化ビニリデン これらのプラズマ重合膜の屈折率ｎは、６３２８人にて
測定した。

またこれらのプラズマ重合膜の元素分析ＳＩＭＳで測定
し、また膜厚はエリプソメーターによって測定した。

さらに、プラズマ重合膜中にＣＮ基が存在することは、
ＦＴＩＲの測定により確認した。

このように形成されたプラズマ重合膜下地層１２にガラ
ス（Ｓｉ０□　４８ｗｔ％。

Ａｌ　２０ｚ　　　　１５ｗＬ％、Ｂ２０３　　１４ｗ
Ｌ％。

Ｎａ　　２０　　　３ｗＬ％　、　　に　２０　　２　
ｗｔ％　、　　　ＢａＯ５ｗＬ％、Ｃａ０９ｗｔ％、Ｍ
ｇ０４ｗｔ％）の中間層１５を高周波マグネトロンスパ
ッタによって膜厚９００人に設層した。

この中間層１５の上に２１ａｔ％Ｔｂ、６８ａｔ％Ｆｅ
、７ａｔ％Ｃ０１４ａｔ％Ｃｒ合金薄膜をスパッタリン
グによって、厚さ８００人に設層し、磁性薄膜層１４と
した。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
「チップをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層１４上にガラス（中間層の場合と同じ）
の保護層１６を膜厚１０００人にスパッタリングで設層
し、この保護層１６の上に下記の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物を保護膜１９としてスピンナーコートで
設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤　　　　　　　　　　　５重量部このような塗
布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬化
させ、硬化膜とした。

この時の膜厚は５−であった。

なお、これと同様な処理をＦ記の基板１１裏面トにも行
った。　さらに保護層膜１９上に直径１３ｃｍのポリカ
ーボネート樹脂製の保護板を接着剤を用いて接着した。

このようにして表１に示される各種光磁気ディスクを作
製し、これらのサンプルについて、以Ｆに示すような特
性値を測定した。

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時
間保存後のＣ／Ｎ比の変化（劣化）量をＦ記の条件で測
定した。

回転スピード　　　　　　　４　ｍ　／　ｓ　ｅ　ｃ搬
送周波数　　　　　　　　ＳＯＯにＨｚ分解能　　　　
　　　　　　　３０にＨｚ記録パワー（８３０ｎｍ）　
　　３〜４ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）　　　　　　
１ｍＷ（２）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％Ｒ）Ｉにて１０００時間保存後
のＥＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

（３）接着強度 作製した光磁気ディスクの保護膜１９の表面に接着テー
プを一定の圧力で接着させ、この接着テープを１８０°
の角度方向に一定の速度で引き離し、基板とスパッタ積
層体（中間層、磁性薄膜層、保護層、保護膜）との剥離
に要した力を測定した。

そして、サンプルＮｏ、１１（ブランク）の接着強度の
値Ｗ０に対する、各サンプルの接着強度の値Ｗを以下に
示す向上率（％）として表わした。これを初期の向上率
とする。

なお、６０℃、９０％ＲＨにて１０００時間保存後の向
上率（％）も同様にして求めた。

実施例２ 実施例１のサンプルｌにおいて、保護層１６ににさらに
プラズマ重合膜保護層１７を設層し、その七に保護膜１
９を設けて、サンプル１と同様に光磁気ディスクを作成
した。　この場合保護層１７として用いた重合膜は下地
層１２と同様にプラズマ重合膜１である。　これをサン
プルＡとする。

このサンプルＡについて、実施例１と同様にＣ／Ｎ比と
ピットエラーレイトを測定した。

ただし、保存時間は２０００時間とした。　この結果を
以ドに示す。

変化量 なお、このような効果は、相転移型のＴｅ−Ｇｅ、Ｔｅ
ａ、ｌ、Ｔｅ−５ｅ等の記録層でも同様に実現した。

以上の実施例より本発明の効果は明らかで翫る。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ、本発明の１例を示す
光磁気記録媒体の１実施態様を示す断面図である。 第３図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、１１一基板、１２−・・プラ
ズマ重合膜Ｆ地層、 １４−一磁性薄膜層、　　１５・−中間層、１６一−保
護層、 １７・−プラズマ重合膜保護層 １９・−保護膜、　　　　５３・−混合器、５４−・直
流、交流および周波数可変型電源、５６−油回転ポンプ
、 ５７・−液体窒素トラップ、 ５８・−油拡故ボンブ、 ５９・・・真空コントローラ、 １１１・・・被処理基板、 ５１１．５１２・・・原料ガス源、 ５２１．５２２−・・マスフローコントローラ、５５１
．５５２−・・電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にプラズマ重合膜下地層を有し、このプラ
   ズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、この中間層の上
   に記録層を有する光記録媒体であって、前記プラズマ重
   合膜がニトリル基を有する有機化合物のモノマーを重合
   したものであり、かつこのプラズマ重合膜の６３２８Å
   における屈折率が１．３〜１．７であることを特徴とす
   る光記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜下地層の厚さが１０〜１０００Å
   である特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
3. （３）基板上にプラズマ重合膜下地層を有し、このプラ
   ズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、この中間層の上
   に記録層を有し、この記録層の上に直接または保護層を
   介してプラズマ重合膜保護層を形成した光記録媒体であ
   って、前記プラズマ重合膜がニトリル基を有する有機化
   合物のモノマーを重合したものであり、かつこのプラズ
   マ重合膜の６３２８Åにおける屈折率が１．３〜１．７
   であることを特徴とする光記録媒体。
4. （４）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
   層の厚さがそれぞれ１０〜１０００Åである特許請求の
   範囲第３項に記載の光記録媒体。