JPS6242349A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡＪ！Ｇｅ、ＭｎＳｂ、ＭｎＣｕＢ１．
ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ１ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ１Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料が知ら
れている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング法
等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に薄
膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共通
している特性としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向に
あり、さらに、抵カー効果やファラデー効果が大きいと
いう点をあげることができる。

この性質を利用して、光磁気記録媒体の方法としては、
例えば次の方法がある。

ます、最初に膜全体を“０”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）。　つ　ぎに、“１”を記録し
たい部分にレーザービームを照射する。　　レーザービ
ームが照射されたところは温度が上昇し、キューリ一点
に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時に
は、保磁力ＨｃはＯに近づく。　そして、レーザービー
ムを消し、室温にもどせば、反磁場のエネルギーにより
磁化は反転し、さらには、レーザービームの照射の際、
外部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、
磁化反転し、“１”なる信号が記録される。

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“０”のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光学
効果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属品質薄膜からなる
光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接したま
ま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選択
的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生
が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に保護
層を設けた構成を有するものが多く研究されている。

これらの保護層としては、例えばＳｉｎ。

Ｓ　ｉ　０２等の無機系の真空蒸着膜あるいは常温硬化
性樹脂の塗膜保護層がある。

しかしながら、これらの保護層では、十分な防湿性は得
られず、保存劣化等の問題がある。

そこでこのような問題に対処するために、本発明者らは
、基板上にプラズマ重合膜を形成される旨の提案を行っ
ている（昭和６０年８月１７日付特許出願）。

また、媒体の必要特性として上述したような特性ならび
に耐久性の向上、特に基板と磁性薄膜との接着力の向上
がさらに要望されている。

■　発明の目的 本発明の目的は、耐久性にすぐれ、しかも高湿度雰囲気
中における保存性にもすぐれた光磁気記録媒体を提供す
ることにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、無機ガスを処理ガスとし、プラズ
マ処理した基板上にプラズマ重合膜を有し、このプラズ
マ重合膜上に希土類−遷移金属の非品質垂直磁性薄膜層
を有することを特徴とする光磁気記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明するう 本発明の光磁気記録媒体に用いられる基板は、通常、樹
脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ
樹脂、ポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂等から
形成するが、その他、ガラス等であフてもよい。

なお、記録は基板をとおして行うことが好ましいので、
書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６％以
上が必要である。

また、基板は、通常、ディスク状とし、１．２〜１．５
ｍｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　７　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記録トラ
ック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏面
側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明のプラズマ重合膜は、Ｃを含む薄膜であることが
好ましく、この場合、Ｃ単独で形成してもよいし、Ｃと
その他の元素を含有させて形成してもよい。　Ｃとその
他の元素を含有させてプラズマ重合膜を形成する場合、
その他の元素として、Ｈ，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させ
ることが好ましい。

原料ガスとしては、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成され
てもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｎ２．０２．０３．
Ｎ２０．Ｎ２　、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ、
ＮＨ３、Ｃｏ、ｃｏ２等の１種以上を加えたものを原料
ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合膜をＣ単独で形成する場合には、炭
化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合ガスに対し
てプラズマ重合を行うことによって炭素膜が生成可能で
ある。

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基板温度等
の条件により、炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜の膜
厚は、一般に１０〜１０００人程度である。

この膜厚を１０００Å以上にしても本発明の効果に差異
はなく、この値以上にする必要がない。

また、１０人未満であると、本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜は、前述の原料ガスの放電プラズマを基
板に接触させることにより重合膜を形成するものである
。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌ｊ４や
分子軌道を分断し、これらを、電子、イオン、中性ラジ
カルなど、通常の状態では不安定の化子種に解離させる
。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状悪となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と　分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。　なお低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第１図に
示しである。　第１図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ処理装置である。

第１図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍＪ１／分の流量範囲をと
りうる。

反応容器Ｒ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電ｌｌ１ｉ
５５２に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地されて
いる。　ざらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気する
ための真空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ
５６、液体窒素トラップ５７、油拡散ポンプ５８および
真空コントローラ５９を含む。　こ九ら真空系統は、反
応容器内を０，０１〜１０　Ｔｏｒｒの真空度の範囲に
維持する。

操佐においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０　Ｔｏｒ
ｒの範囲に管理される。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、基板上の基板にプラズマ重合膜が形成される
。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｈ２な
どを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波数放電の他に、マイク
ロ波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる
。

このように形成されるプラズマ重合膜は、前述したよう
に、ＣまたはＣとＨ，Ｎ、Ｏの１種以トを含有しており
、Ｃの含有量はプラズマ重合膜中に３０〜１００ａｔ％
、より好ましくは３０〜９０ａｔ％である。

Ｃの含有量が３０ａＬ％未満であると、プラズマ重合膜
の膜強度が低下し、実用に耐えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨｌＮ、Ｏの含有
量は、水素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が１以下、特に
、１／６〜１、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３／
１０以下、特に、１／ｚθ〜３／１０、酸素と炭素の原
子比（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に、１／２０〜３
／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ
，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐スクラ
ッチ性が向上する。

なお、プラズマ重合膜中のＣ，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他
の元素の含有量の分析は、５ＩＮＳ（２次イオン質量分
析）等に従えばよい。

ＳＩＭＳを用いる場合、プラズマ重合膜表面にて、Ｃ，
Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素をカウントして算出され
ばよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　Ｓ１
ＭＳおよびＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

このようなプラズマ重合膜は、プラズマ処理された基板
上に形成される。

基板表面をプラズマ処理することによって、基板との接
着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合Ｉ摸と
の接着力が向上する。

基板表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条件
等は１涌述したプラズマ重合法のそわと基本的にはほぼ
同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜の形成には原則とｌ、で、有機ガス（場合
によっては無機ガスを混入させてもよい）を原料ガスと
して用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわちＮ２　、Ａｒ、Ｈｅ、０２　、Ｎ２　、空気、
ＮＨ３、ｏ３．Ｎ２０、Ｎ０１Ｎ２０、ＮＯ２などのＮ
Ｏｘの中から適宜選定し、これらの単独ないし混合した
もの、いずれであってもよい。

さらに、プラズマ処理電源の周波数については、特に制
限はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。

このようにプラズマ処理された基板上には、前述したよ
うなプラズマ重合膜が形成され、さらに、このプラズマ
重合膜の上には、直接あるいは中間層を介して磁性薄膜
層が形成される。

この磁性薄膜層は、変調された熱ビームあるいは変調さ
れた磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり
、記録情報を磁気−光変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層として、希土類金属と遷移金属の
合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として通常
の厚さに形成する。

希土類金属および遷移金属としては種々にものがあるが
、特に餌者としてはＧｄ、Ｔｂ、また後者としてはＦｅ
、Ｃｏが好適である。

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ。

ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＧｄＴｂＦｅ等がある。

これらの場合、希土類金属は１５〜３５ａｔ％、遷移金
属は６５〜８５ａｔ％程度とする。

また磁性薄膜層の厚さは０，０５〜０．１μｍ程度とす
る。

なお、中間層を介して、磁性薄膜層を設層することもで
きる。　この場合、中間層の材質としては、５ｉ０２　
、Ｓｉｎ、ＡＩＮ、Ｓｉ３Ｎ４．ＺｎＳ等を真空蒸着、
スパッタリング等によフて形成したものが挙げられる。

このような中間層は、０．０５〜０．２μｍの厚さとす
る。

また、磁性薄膜層の上には、防湿性をさらに向上させる
ためにトップコート層を設けることが好ましい。

用いるトップコート層としては、公知の種々の無機系あ
るいは有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのかよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分、子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子ｆｆ１２０００〜ｉ
　ｏｏｏｏのものが用いられる。

こわらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコール・ジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサンゲ
リコールシアクリレート、１．６−ヘキサンゲリコール
ジメタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいもの
としては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（
メタクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート（アロニックスＭ−７１００、Ｍ−５
４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００、Ｍ−６２５０、
Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８１
００等、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボラン
４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのものに
Ｃ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノールエチ
レンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレート）
、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合環に
アクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラクトン
−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）３−ＣＣＨ２ｃ
）（３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＯＣ（ＯＣ３Ｈａ）ｎ　　０
ＣＨ２）３　　ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝ｆ、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ベンカエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等か挙げられる
。

（ｎ中１６）　　　　　　（特殊アクリレートＧ）８）
　　　ＣＨ２＝ＣＨＣ０Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−Ｃ
ＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） １０）（特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） Ａ−（Ｘ−Ｙ＋−Ｘ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコ−ルア：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレ−）Ｋ）１２）　　　　Ａ
（−Ｍ−Ｎ−）−ｎ　Ｍ−ＡＡニアクリル酸　　Ｍ：２
価アルコール　　Ｎ：２塩基酸（特殊アクリレートし） また、放射線硬化型オリゴマーとし３ては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリ１ノートやウレ
タンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらの
ものにＣ０ＯＨ等の官能基か導入されたもの等が挙げら
れる。

（式中Ｒ，，Ｒ２：アルキル、ｎ：整釦また、熱可塑性
樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射線
硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエールテ樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルビロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような保護層の厚さは０．１〜３０μｍであり、よ
り好ましくは１〜１０μｍである。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層３１の耐久性が向上しない。　また、３０μ
ｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録
媒体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えな
い。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート等、種々の公知の方法で設層すわ
ばよい。　この時の塗膜の設層条件は、塗膜組成のポリ
マーの粘度、基板表面の状態、目的とする塗膜厚さ等を
考慮して適宜決定すればよい。

また、このような塗膜を電子線または紫外線によフて硬
化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、上述したよ
うな、放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤が加
えられる。

この光重合増感剤としては、従来のものでよく、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾ
インのベンゾイン系、ヘンシフエノン、アセトフェノン
、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、
アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、ベ
ンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフ
ィド等のスルフィド類、等を挙げることができる。　光
重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０％重量％
の範囲が望ましい。

紫外線照射は、例えば、キセノン放電管、水素放電管な
どの紫外線電球等を用いわばよい。

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧１００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３０
０ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０
メガラツドになるように照射するのが好都合である。

特に照射線源としては、吸収、ｖｉＩ量の制御、製造工
程ラインへの導入、電離放射線の遮　等の見地から、放
射線加熱器により電子線を使用する方法および前述した
紫外線を使用する方法が有利である。

この他、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の保護層であっても
よい。

本発明は、上述したように形成して構成してもよい。　
また磁性薄膜層を有する１対の基板を用い、磁性薄膜層
を内側にして対向させ、接着剤等を用いて貼り合わせて
、基板の裏面側からの書き込みを行う、いわゆる両面記
録のタイプとしてもよい。

また、片面記録の場合、上述したような媒体に保護板を
接着してもよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、プラズマ処理された基板上に、Ｃまた
はＣとＮ、Ｈ２Ｏのうち少なくとも１種以上の元素を含
むプラズマ重合膜を任し、このプラズマ重合膜の上に、
直接あるいは中間層を介して希土類−遷移金属の非晶質
垂直磁性薄膜層を形成して光磁気記録媒体を構成する。

従って、得られた媒体は、耐久性に優れ、しかも高湿度
雰囲気中における保存性にもすぐれた効果を有するもの
である。

なお、本発明の光磁気記録媒体は、各種情報記録媒体と
して種々の用途に用いられ有用である。

Ｖｌ　　発明の具体的実施例 以Ｆ、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

〔実施例１〕 直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板を真空チャンバ中に入
れ、一旦１０−５　Ｔｏｒｒの真空に引いた後、処理ガ
スとしてＡｒを用い、流量＝５０ｍｕ／分にてガス圧０
．ＩＴｏｒｒに保ちながら１３．５６ＭＨｚの高周波電
圧をかけてプラズマを発生させ、基板表面をプラズマ処
理した。

そのｔ※、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜を基板
上に形成した。

これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜厚はエリプソメーターによって測定した。

結果を表１に示す。

このように形成されたプラズマ重合股上にＳｉ３Ｎ４の
中間層を高周波マグネトロンスパッタによって膜厚９０
０人に設層した。

さらにこの上に下記に示される磁性薄膜層およびトップ
コート層を形成した。

（磁性層薄膜層の形成） ＴｂＦｅＣｏの合金薄膜をスパッタリングにより厚さ０
．１μｍに設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、ＣＯチッ
プをのせたものを用いた。

（ト・・ブコート層の形成） この磁性層１漠上に、多官能オリゴエステルアクリレー
ト（アロニックスＭ−８０３０）１００重喰部、光増感
剤（バイキュア５５）５重量部からなる塗布組成物をス
ピンナーコートで設層し、その後、１２０　Ｗ　／　ｃ
　ｍの紫外線を１５ｓｅｃ照射し、架橋・硬化させた。

　この時の膜厚は１０μｍとした。

このようにして、下記表１に示される各種光磁気ディス
クを作製し、以下に示すような特性値を測定した。

（１）接着強度 作製した光磁気ディスクの磁性薄膜層側に接着テープを
一定の圧力で接着させ、この接着テープを１８０゛の角
度方向に一定の速度で引き離し、剥離に要した力を測定
した。

評価は、サンプルＮｏ、６（比較例）の接着強度を基準
とし、他のサンプルの接着強度の向上率を（％）で示す
。（測定点数は各サンプルともｎ＝５とし、５点の平均
値を求めた。）（２）Ｃ／Ｎ比（ｄＢ） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨの雰囲気中に各
サンプルの基板側のみを露出するように１・て３００時
間保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した。

回転スピード：４ｍ／ｓｅｃ 搬送周波数：５００ＫＨｚ 分　　解　　能：　　３０　ＫＨｚ 言Ｐトゞワ−３〜４ｍＷ ８３０　ｎｍ） 閾′ｔ′ゞｒ７　：１ｍＷ ８３０　ｎｍ） （３）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて上記と同様３００時間
保存後のＥＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表１の結果より、本発明の効果が明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図はプラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 ５３−・・混合器 ５４　・・・直流、交流および周波数可変型電源５６　
・・・油回転ポンプ ５７　・・・液体窒素トラップ ５８　・・・油拡散ポンプ ５９−・・真空コントローラ １１１　・・・基板 ｊｌ　１．５１２　−・・処理ガス源 ５２１．５２２　　・・・マスフローコントローラ５５
１．５５２−・・電極 特許出願人　　ティーディーケイ株式会社ＦＩＧ、１

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）無機ガスを処理ガスとし、プラズマ処理した基板
   上にプラズマ重合膜を有し、このプラズマ重合膜上に希
   土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有することを
   特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜がＣ、またはＣとＨ、ＮおよびＯ
   のうちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項
   に記載の光磁気記録媒体。
3. （３）プラズマ重合膜中のＣ含有量が３０〜１００ａｔ
   ％である特許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体
   。
4. （４）プラズマ重合膜と非晶質垂直磁性薄膜層との間に
   中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
   ずれかに記載の光磁気記録媒体。
5. （５）非晶質垂直磁性薄膜層が表面に保護層を有する特
   許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光
   磁気記録媒体。