JPS6243850A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 光磁気メモリの光記録媒体としては、 Ｍ　ｎ　Ｂ　ｉ　、　Ｍ　ｎ　Ａ文Ｇｅ、ＭｎＳｂ、Ｍ
ｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＯ３、ＧｄＩＧ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２０４等の材料が知られている。　
これらは、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、
プラスチックやガラス等の透明基板りに薄膜として形成
される。　これらの光磁気記録媒体に共通している特Ｍ
としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに
カー効果やファラデー効果が大きいという点をあげるこ
とができる。

この性質を利用して、光磁気記録媒体の方法としては、
例えば次の方法がある。

まず、最初に膜全体をＯ“すなわち一様に磁化しておく
（これを消去という）。　つ　ぎに、”　ｔ”°を記録
したい部分にレーザービームを照射する。　レーザービ
ームが照射されたところは温度が上ｙ１シ、キューリ一
点に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時
には、保磁力ＨｅはＯに近づく。　そして、レーザービ
ームを消し、室温にもどせば、反磁場のエネルギーによ
り磁化は反転し、さらには、レーザービームの照射の際
、外部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと
、磁化反転し、１゛なる信号が記録される。

また、記録は初期状態が“０″であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は０°°のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光学
効果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求に答え、」−配材ネ；１のなかで、近年
、耗十類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目
を集めている。

しかし、このような希土類−遷移金属品質合成からなる
光磁気記録媒体において、磁＋＋薄膜層は火気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水によりｆｆｊ　Ｔ
＋−類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報
の記録、再生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性層薄膜の表面に保護層を設
けた構成を有するものが多く研究されている。

これらの保護層としては、例えばＳｉｎ。

５ｉ０２等の無機系の真空蒸着膜あるいは常温硬化性樹
脂の塗膜保護層がある。

しかしながら、これらの保護層では、基板側からの十分
な防湿性は得られず、保存による劣化等の問題がある。

このような問題に対処するために、研究グループは磁性
薄膜層の−Ｌに、放射線硬化型化合物の塗膜を電子線や
紫外線によって硬化させた保護層を設け、耐食性の向上
を図る旨の提案をしている（特願昭第５９−２５３７４
６号、同５９−２５３７４７号、同５９−２６２６１５
号、同５６−２６２６１６号等）。

このような提案によれば防湿性等は著しく向上するが、
さらに防湿性に優れ、高温高湿で長時間使用しても経時
劣化が少なく、耐久性がより一層改善された光磁気記録
媒体が要望されている。

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、高湿度雰囲気中においても磁性薄膜層
の劣化が防１トされ、防湿性および耐久性のすぐれた光
磁気記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基板上に希土類−遷移金属の非晶
質垂直磁性薄膜層を有し、この」−にプラズマ重合膜を
有し、さらにこの上に放射線硬化型化合物の塗膜を放射
線によって硬化させた保護層を有することを特徴とする
光磁気記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以ド、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の好適実施例としての光磁気記録媒体が第１図に
示されている。

本発明の光磁気記録媒体ｌは、基板１ｌｌ−にＲｉｌ二
類−遷移金属の一１１品質垂直磁性薄膜層３１（以ド、
？１１に磁性薄膜層３１という）を有し、この磁性薄膜
層３１１−にプラズマ重合ｎジ４１を形成し、さらにこ
の］二に保護層５１を有してなるものである。

本発明の光磁気記録媒体に用いられる基板１１は、通常
、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポ
キシ樹脂、ポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂等
から形成するが、その他、ガラス等であってもよい。

なお、記録は基板１１をとおして行うことが好ましいの
で、書き込み光ないし読み出し尤に対する透過率は８６
％以にが必要である。

また、基板１１は、通常、ディスク状とし、１．２〜１
．５ｍｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板１１の磁性薄膜層形成面には
、トラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、入／　８　ｎ程度、特に入／　７　ｎ〜入
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック＋ｌ＋程度とされ
る。

そして、この溝の四部に位置する磁性薄膜層３１を記録
トラック部として、書き込み光および読み出し光を基板
裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向」−シ、しかも］・ラッキングの制御
信号は大きくなる。

また、その他の基板ｌ】の形状として、テープ、ドラム
等としてもよい。　　　　　　　　　　　　　１この磁
性薄膜層３１は、変調された熱ビームあるいは変調され
た磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、
記録情報を磁気−光変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層３１として、希土類金属と遷移金
属の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として
通常の厚さに形成する。

昂ト類金属および遷移金属としては種々のものがあるが
、特に前者としてはＧｄ、Ｔｂ、また後者としてはＦｅ
、Ｃｏが好適である。

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ。

ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＧｄＴｂＦｅ等がある。

これらの場合、昂−ｔ：類金属は１５〜３５ａｔ％、遷
移金属は６５〜８５ａｔ％程度とする。

また磁性薄膜層３１の厚さは０．０５〜０゜１μｍ程度
とする。

なお、中間層２１を介して、磁性薄膜層３１を設層する
こともできる。　この場合、中間層２１の材質としては
、５ｉ０２．ＳｉＯ。

ＡＩＮ　、Ｓ　ｉ３　Ｎ４　　、ＺｎＳ等を真空蒸着、
スパッタリング等によって形成したものが挙げられる。

このような中間層２１は、０．０５〜０．２μｍの厚さ
とする。

木°発明の磁性薄膜層３１上に形成されるプラズマ重合
膜４１は、Ｃを含む薄膜であることが好ましく、この場
合、Ｃ単独で形成してもよいし、Ｃとその他の元素を含
有させて形成してもよい。　Ｃとその他の元素を含有さ
せてプラズマ重合膜４１を形成する場合、その他の元素
として、Ｈ，Ｎ、Ｏの１挿具−■−を含有させることが
好ましい。

原料ガスとしては１通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、フロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成され
てもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｎ２．０２．０３　
、Ｎ２０．Ｎ２　、ＮＯ，Ｎ２０、ＮＯ２など（７）Ｎ
Ｏｘ　、ＮＨ３、Ｃｏ、ＣＯ２等の１挿具Ｉ―を加えた
ものを原料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応して、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微り一成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合ＩＥＪ４１をＣ単独で形成する場合
にＪよ、炭化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合
ガスに対してプラズマ重合を行うことによって炭素膜が
生成可能である。

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、ノ、（板温
度等の条件により、炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜４１
の膜厚は、一般に１０〜１０００λ程度である。

この膜厚を１０００Å以上にしても本発明の効果に差異
はなく、この値以−Ｌにする必要がない。

また、１０人未満であると、本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流部等を制御すればよい。

プラズマ重合膜４１は、前述の原ネ′１ガスの放電プラ
ズマを磁性薄膜層３１に接触させることにより重合膜を
形成するものである。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状ＩＥでは不安定の化学種に解離させる。

解皺した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子源１［）と、
分子の熱連動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマ
と呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重
合等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、
本発明はこの状況を利用して磁性薄膜層３１上にプラズ
マ重合膜を形成しようとするものである。　なお低温プ
ラズマを利用するため、基板への熱影響は全くない。

磁性薄膜層３１の表面にプラズマ重合膜４１を形成する
装置例が第２図に示しである。　第２図は、周波数可変
型の電源を用いたプラズマ重合装置である。

第２図において、反応容器Ｈには、原ネ１ガス源５１１
または５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコント
ローラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源
５１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、
混合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍＭ／分の流醗範囲をとり
うる。

反応容器Ｒ内には、被処理体１１１が一方の回転式電極
５５２に支持される。

そして被処理体１１１を挟むように回転式電極５５２に
対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地されて
いる。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７、油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む。　これら真空系統は、反応容器内
を０．０１〜１０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまずｔＯ−ＳＴｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流品において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

原ネ′ｌガスのｌｌｆ、　＋１が安定すると、電源がオ
ンにされる。　こうして、磁性薄膜層３１１にプラズマ
重合膜４１が形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｈ２な
どを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

このように形成されるプラズマ重合膜４１は、前述した
ように、ＣまたはＣとＨ，Ｎ、０の１種以上を含有して
おり、Ｃの含右埴はプラズマ重合膜４１中に３Ｏ−１０
０ａｔ％、よりｌｌｆましくは３０〜９０ａｔ％である
。

Ｃの含有量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合膜
４１の膜強度が低下し、実用に酎えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨ２Ｎ、０の含有
量は、水素と炭素の原子・比（Ｈ／Ｃ比）が１以下、特
に、１／６〜１、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３
／１０以下、特に、１／２０〜３／１０、酸素と炭素の
原子比（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に、ｌ／２０〜
３／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えて
Ｈ，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐スク
ラッチ性が向上する。

なお、プラズマ重合膜４１中のＣ，Ｈ，Ｎ。

Ｏおよびその他の元素の含有量の分析は、ＳＩＭＳ　（
２次イオン質量分析）等に従えばよい。

ＳＩＭＳを用いる場合、プラズマ重合膜４１表面にて、
Ｃ，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素をカウントして算出
さればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ　７０　）　　
”　Ｓ　Ｉ　Ｍ　ＳおよびＬ　Ａ　Ｍ　Ｍ　Ａ　”の記
載に従えばよい。

さらに、プラズマ重合１１！Ｊ４１の上には、防湿性を
さらに向上させるために保護層５１が設けられる。

用いる保護層５１としては、放射線硬化型化合物を電子
線、紫外線等の放射線で硬化させたものを用いる。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のような酸、あるいはそれらのエステル化合物
のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのよ
うなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酎誘導体
等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋あるいは
重合乾燥する基を分子中に含有または導入したモノマー
、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜ｔｏｏ
ｏｏのものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１，６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート　
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート　（アロニックスＭ−７１００、Ｍ−
５４００，Ｍ−５５００、Ｍ−５７００、Ｍ−６２５０
，Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０、Ｍ−８
１００等、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボラ
ン４−０４０　）のアクリル変性体、あるいはこれらの
ものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノー
ルエチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレ
ート）、丁記一般式で示されるペンタエリスリトール縮
合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラ
クトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）３−ＣＣＨ２０
Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＯＣ（ＯＣ３Ｈａ）ｎ−ＣＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４（７）化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝ｌ、ａ＝３、ｂ＝　３（７）化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６
、ｂ＝ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮
合物Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝Ｏの化合物（以
ド、特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、およ
び下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げ
られる。

８）　　ＣＩ（２＝ＣＨＣ０Ｏ−（ＣＩ（２ＣＨ２０）
４−ＣＯＣＴ（＝ＣＨ２（！１１．’ｉ殊アクリレート
Ｈ） （特殊アクリレートエ） ＩＱ） （特殊アクリレートＪ） ＩＩ）　　　　　　　　Ａ　　　　　ＡＡ−（Ｘ−Ｙ＋
−Ｘ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　ｘ：刻面アルコールＹ：多用基
酸　　　　　（特殊アクリレ−）Ｋ）１２）　　　　　
Ａ（−Ｍ−１−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　Ｍ：２価アル
コール、Ｎ：２塩基酸　　　（特殊アクリレートＬ）ま
た、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で示
される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタンエ
ラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのものに
ＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。

拭中Ｒ１，Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑性
樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射線
硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエールテ樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ＰＶＰ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような保護層５１の厚さは０。１〜３０７ｔｍであ
り、より好ましくは１〜ｌｏμｍであ　　　　ｊる。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層３１の耐久性がｒｉｉ＋ｌＬ，ｔｃ＋ｚ゛．
　　゛゛°°“°“°７”″［ｌ！　ｔｌＩ　（７）＠
　（ｂ　（７）＊“＃　’）　＊ｍ　Ｋ　！　’Ｊ　”
Ｅ　＊　Ｗ　＃　０’）　Ｊ！　　　トりや保護層中の
クラックが生じ、実用に耐えな　　　　［。

□ い。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート等、種々の公知の方法で設層す
ればよい。　この時の塗膜の設層条件は、塗膜組成のポ
リマーの粘度、基板表面の状態、■的とする塗膜厚さ等
を考慮して適宜決定すればよい。

また、このような塗膜を電子線または紫外線によって硬
化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、１−述した
ような、放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤が
加えられる。

この光重合増感剤としては、従来のものでよく、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾ
インのベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン
、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、
アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、ベ
ンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフ
ィト等のスルフィド類、等を挙げることができる。　光
重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０％重量％
の範囲が望ましい。

紫外線照射は、例えば、キセノン放電管、水素放電管な
どの紫外線電球等を用いればよい。

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧１００〜７５０ＫＶ、＆−ｆましくは１５０〜
３００ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜
２０メガランドになるように照射するのが好都合である
。

特に照射線源としては、吸収線量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮　等の見地から、放射線加
熱器により電子線を使用する方法および荊述した紫外線
を使用する方法が有利である。

本発明は、上述したように形成して構成してもよい。　
また磁性薄膜層を有する一対の基板を用い、磁性薄膜層
を内側にして対向させ、接着剤等を用いて貼り合わせて
、基板の裏面側からの書き込みを行う、いわゆる両面記
録のタイプとしてもよい。

また、片面記録の場合、上述したような媒体上に保護板
を接着してもよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、基板上に希土類−遷移金属の非晶質垂
直磁性薄膜を有し、この磁性薄膜層上にＣ１またはＣと
、Ｎ、ＨおよびＯのうち少なくとも１種以上を含むプラ
ズマ重合膜を形成し、さらにこの」−に放射線硬化型化
合物の塗膜を電子線または紫外線によって硬化させた保
護層を形成して光磁気記録媒体を構成する。

従って、得られた媒体は、耐久性に優れ、しかも高湿度
雰囲気中における保存性にすぐれた効果を有するもので
ある。

なお、本発明の光磁気記録媒体は、各種情報記録媒体と
して種々の用途に用いられ、有用である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例］ 直径２０ｃｍのＰＭＭＡの基板上に、 Ｓｉ３Ｎ４の中間層を高周波マグネトロンスノぐツタに
より膜厚９００人に設層した。

この中間層上に、ＴｂＦｅＣｏの合金薄膜をスパッタリ
ングにより厚さ０．ｉｐ、ｍに設層し、磁性薄膜層とし
た。

なお、ターゲットは、Ｆｅターゲット番こＴｂ、Ｇｏチ
ップをのせたものを用いた。

さらにこのサンプルを真空チャン／く中に入れ、一旦１
Ｏ−５Ｔｏｒｒの真空に引き、下記の条件にてプラズマ
重合膜を磁性薄膜層上に形成した。

これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜厚はエリプソメーターによって測定した。

結果を表１に示す。

さらにこのプラズマ重合膜の−１−に、下記に示される
保護層を形成した。

佐■１ プラズマ重合膜−Ｌに、多官能オリゴエステルアクリレ
ート（アロニックスＭ−８０３０）１００重量部、光増
感剤（バイキュア５５）５重量部からなる塗布組成物を
スピンナーコートで設層し、その後、１２０　Ｗ／Ｃｍ
の紫外線を１５ｓｅｃ照射し、架橋中硬化させた。　こ
の時の膜厚は１０用ｍとした。

このようにして下記表１に示される各種光磁気ディスク
を作製し、以下に示すような特性値を測定した。

（１）保存性 初期のＣ／Ｎ比と６０°Ｃ１９０％ＲＨの雰囲気中に、
各サンプルの磁性薄膜層側のみを露出するようにして３
００時間保存した後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で
測定した。

回転スピード：　４　ｍ　／　ｓｅｃ 搬送周波数：５００ＫＨｚ 分　　　解　　　能　：３０ＫＨｚ 記録・ゞ７−・３〜４ｍＷ （８３０Ｔ１ｍ）’ 再生パワー：１ｍＷ （８３０ｎｍ） （２）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて上記と同様３００時間
保存後のＥＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表１の結果より、本発明の効果が明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、１１・・・基板、２１・・・
中間層、３１・・・磁性薄膜層、４１・・・プラズマ重
合膜、５１・・・保護層、５３・・・混合器、５４・・
・直流、交流および周波数可変型電源、５６・・・油回
転ポンプ、５７・・・液体窒素トラップ、 ５８・・・油拡散ポンプ、 ５９・・・真空コントローラ、１１１・・・被処理体、
５１１．５１２・・・原料ガス源、 ５２１．５２２・・・マスフローコントローラ、５５１
．５５２・・・電極、 ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ ＥＴ−続ネ甫１Ｅｉ：？ト（自発） ■、事件の表示 昭和６０年特ｎ願第１８３２８５号 名　　称　（３０６）　　ティーディーケイ株式会ネ１
代表者　　大　歳　　　寛 ４、代理人　〒１０１ 住　　所　　東京都千代聞メ岩本町３１’ｌ１２番２号
千代１’ｆ’ｌ岩本ビル　４階 ｆｆ１８６４−４４９８　　Ｆａｘ、８６４−６２８０
明細書の「特許請求の範囲」および 「発明の詳細な説明」の芥欄 ６、補１■二の内容 （１）明細書の「２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙のとおり補正する。 （２）明細書の「３、発明の詳細な説明」の項の記載を
下記のとおり補正する。 ｌ）第６ページ下から５行目の「基板上に」と「希−に
類」との間に「、直接あるいは中間層を介して、」を挿
入する。 ２）第２０ページを別添の第２０ページに差しかえる。 ３）第２１ページを別添の第２１ページに差しかえる。 ４）第２３ページを別添の第２３ページに差しかえる。 ５）第２４ページを別添の第２４ページに差しかえる。 ６）第２８ページ９行目の「遮　等」を「遮蔽等」と補
正する。 ７）第３２ページ下から２行目のｒｃ／Ｎ比と」をｒＣ
／Ｎ比と、」に補正する。 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０（ＯＣ３Ｈ６）ｎ　−０
ＣＨ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレ−１） ８）　　　ＣＨ２＝ＣＨＣ０Ｃ）−（ＣＨ２Ｃ１−１２
０）４　−ＣＣＨ２０Ｈ２（特殊アクリレ−トド１） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレ−）Ｊ） １１）　　　　　　　Ａ　　　　　Ａ ｌ１ Ａ−（Ｘ−Ｙ＋−Ｘ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｘ′多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ４
Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基が導入されたもの等が挙げられる。 （式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）２、特許請求
の範囲 （］）基板トに、Ｍ妄あるいは「Ｉｌｌとを　してよ希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性？＃膜層な有し、この
上にプラズマ重合膜を有し、さらにこの上に放射線硬化
型化合物の塗膜を放射線によって硬化させた保護層を有
することを特徴とする光磁気記録媒体。 （２）プラズマ重合膜がＣ１またはＣとＨ，ＮおよびＯ
のうちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項
に記載の光磁気記録媒体。 （３）プラズマ重合膜中のＣ含有量が３０〜１００ａｔ
％である特許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体
。 （４）保護層の厚さが０．１〜３０μｍである特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光磁気記
録媒体。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜
   層を有し、この上にプラズマ重合膜を有し、さらにこの
   上に放射線硬化型化合物の塗膜を放射線によって硬化さ
   せた保護層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜がＣ、またはＣとＨ、ＮおよびＯ
   のうちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項
   に記載の光磁気記録媒体。
3. （３）プラズマ重合膜中のＣ含有量が３０〜１００ａｔ
   ％である特許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体
   。
4. （４）保護層の厚さが０．１〜３０μｍである特許請求
   の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光磁気記
   録媒体。
5. （５）基板と非晶質垂直磁性薄膜層との間に中間層を有
   する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
   載の光磁気記録媒体。