JPS6292250A

JPS6292250A - 情報記録媒体

Info

Publication number: JPS6292250A
Application number: JP60232969A
Authority: JP
Inventors: Hajime Utsunomiya; 肇宇都宮; Masatoshi Nakayama; 正俊中山; Tsuneo Kuwabara; 恒男桑原
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1985-10-18
Filing date: 1985-10-18
Publication date: 1987-04-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景技術分野本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う情報記録媒体に関する。

先行技術とその問題点例えば光メモリの情報記録媒体としては、Ｔｅ−Ｇｅ−
３ｂ−５，ＴｅＯｘ、Ｔｅ−５ｅ−５ｎ、Ｉｎ−５ｂ、
５ｅ−Ｉｎ−３ｂ等の材料が知られている。　これらは
、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、プラスチ
ックやガラス等の透明基板上に薄膜として形成される。

　これらの情報記録媒体に共通している特性としては、
熱あるいは光ビーム等のエネルギーを与えることにより
光学的に異なる２種類以上の状態変化をおこすことによ
って反射率あるいは透過率が変化するという点である。

この性質を利用した情報記録の方法として、例えば次の
方法がある。

まず、最初に膜全体を０”すなわち記録層を非結晶状態
にしておく（これを消去という）。　つぎに、“ｌ”を
記録したい部分にレーザービームを照射する。レーザー
ビームが照射されたところは温度が上昇し、転移温度を
こえた時、結晶が成長し反射率が変化する。

そして、レーザービームを消し、室温にもどせば、レー
ザービームが照射されたところだけが記録層の結晶化に
ともない反射率が変化し、これにより°“１°゛なる信
号が記録される。

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“０”のまま残る。　これらは
また、記録と消去を逆にした使用、つまり、結晶状態を
消去とし、非晶質状５ｆ、を記録として使用することも
可能である。

記録された光メモリの読み取りは、同じようにレーザー
ビームを用いて、このレーザービーム反射光の強度の変
化を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは第１に、転移に必要なエネルギーが小さく、転移速度が
早いこと。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらず゛に、比
較的大面積にわたって均一な膜が得られることがあげら
れる。

このような要求に対して、Ｔｅ、Ｓｅ等を主　　“成分
とするカルコゲン系等の材料は記録層として好適である
。

しかし、このようなカルコゲン系の記録層を有する情報
記録媒体において、記録層は大気に接したまま保存され
ると、大気中の酸素や水により腐食あるいは酸化されて
しまい、情報の記録、再生が不可能となる。　また、実
用上有利な樹脂製基板を用いるときには、基板を透過し
た水分や酸素により、記録層が酸化されてしまう。

そこで、一般には、前記記録層の表面ないし基板界面に
保護層を設けた構成を有するものが多く研究されている
。

従来、このような防湿性の保護層としては、例えば、−
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、Ａｉ、Ｔｉ等の無機系の真
空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み（特開昭５７−５５５
４５号、同５６−１３０３９４号、同５６−１５６９４
０号、同第５６−１５５９４０号公報等）がある。

これらの保護層のうち、例えば、５ｉ０２などの無機系
の保護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成され
る。

しかし、これらの方法によっては、均一で一様におおわ
れた成膜が難しく、防湿性が十分な保護層はえられない
、　そのため、情報記録媒体の記録層の経時劣化が改善
されない。

また、常温硬化性の樹脂の塗膜保護層でも十分な防湿性
はえられず、硬化まで水分、酸素の透過等の影響があり
、これが劣化をうながす。

■　発明の目的本発明の目的は、高湿度雰囲気中においても記録層の劣
化が防止され、防湿性のすぐれた情報記録媒体を提供す
ることにある。

■　発明の開示このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基体と、基体上に設層された光学
的に異なる２種以上の状態をとり得る記録層と、記録層
の基体側および／または基体と反対側に設層されたプラ
ズマ重合膜を有することを特徴とする情報記録媒体であ
る。

■　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の情報記録媒体の好適実施例が第１図に示されて
いる。

第１図において、本発明の情報記録媒体ｌ（以下、単に
媒体ｌという）は、基体２と記録層５とを有し、記録層
５の基体２側および記録層５の基体２と反対側にプラズ
マ重合膜３１．３５を有し１、さらに必要に応じて中間
層４１．４５および保護層６１．６５を設けて構成され
ている。

本発明のプラズマ重合膜３１．３５は、通常、第１図に
示されるように、記録層５の基体２側および記録層５の
基体２と反対側の双方に設けられることが好ましいが、
必要に応じてどちらか一方だけに設けてもよい。　この
場合、中間層４１．４５および保護層６１を設けるとき
には、通常、図示のように、プラズマ重合膜３１は、中
間層４１と基体２との間、プラズマ重合膜３５は、中間
層４５と保護層６１との間に設けることが好ましい。

本発明のプラズマ重合１１５ｉ３１．３５Ｊｆ、ｃを含
む薄膜であることが好ましく、この場合、Ｃ単独で形成
してもよいし、Ｃとその他の元素を含有させて形成して
もよい、　Ｃとその他の元素を含有させてプラズマ重合
膜３１．３５を形成する場合、その他の元素として、Ｈ
，Ｎ、０の１種以上を含有させることが好ましい。

原料ガスとしては、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、フロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成され
てもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｎ２．０２．０３．
Ｎ２０、Ｎ２　、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２Ａ：ど（７）Ｎ
Ｏｘ　、ＮＨ３、Ｃｏ、ＣＯ２等の１種以上を加えたも
のを原料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合膜３１．３５をＣ単独で形成する場
合には、炭化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合
ガスに対してプラズマ重合を行うことによって炭素膜が
生成可能である。

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基体温度等
の条件により、炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜３１
．３５の膜厚は、一般に１０〜１０００人程度である。

この膜厚を１０００Å以上にしても本発明の効果に差異
はなく、この値以上にする必要がない。

また、１０人未満であると１本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜３１．３５形
成時の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜３１．３５は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基体等に接触させることにより重合膜を形成す
るものである。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し　これらを電子、イオン、中性ラジカル
など１通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており１本
発明はこの状況を利用して基体等の上にプラズマ重合膜
３１．３５を形成しようとするものである。

なお低温プラズマを利用するため、基体等への熱影響は
全くない。

基体等の表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第２
図に示しである。　第２図は、例えば周波数可変型の電
源を用いたプラズマ重合装置である。

第２図において、反応容器Ｈには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１およヒ５２２ヲ経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍｆＬ／分の流量範囲をと
りうる。

反応容器Ｒ内には、被処理基体１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基体１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８に接地されてい
る。

さらに１反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７、油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む６　これら真空系統は１反応容器内
を０．０１〜１０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

原料ガスのＩｉ量が安定すると、電源がオンにされる。

　こうして、基体等の上にプラズマ重合膜が形成される
。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｎ２な
どを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

このように形成されるプラズマ重合ｐｓ３１．３５は、
前述したように、ＣまたはＣとＨ９Ｎ、Ｏの１種以上を
含有しており、Ｃの含有量はプラズマ重合膜３１．３５
中に３０〜１００ａｔ％、より好ましくは３０〜９０ａ
ｔ％である。

Ｃの含有量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合膜
３１．３５の膜強度が低下し、実用に耐えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨｌＮ、Ｏの含有
量は、水素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が１以下、特に
、１／６〜ｌ、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３／
１０以下、特に、１／２０〜３／１０．酸素と炭素の原
子比（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に、１／２０〜３
／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ
，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐久性が
向上する。

なお、プラズマ重合膜３１．３５中のＣ９Ｈ，Ｎ、Ｏお
よびその他の元素の含有量の分析は、ＳＩＭＳ（２次イ
オン質量分析）等に従えばよい、　　ＳＩＭＳを用いる
場合、プラズマ重合膜３１．３５表面ニテ、Ｃ、Ｈ、Ｎ
　、　０オヨびその他の元素をカウントして算出すれば
よい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　“Ｓ
ＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

このようなプラズマ重合膜３１．３５のうち、基体２上
に設けられるプラズマ重合膜３１は、プラズマ処理され
た基体２上に形成されることが好ましい。

基体２表面をプラズマ処理することによって、基体２と
プラズマ重合膜３１との接着力が向上し、ひいてはこの
基体２と記録層５との接着力が向上する基体２表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条
件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にはほぼ
同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜３１．３５の形成には原則として、有機ガ
ス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原
料ガスとして用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわち、Ｎ２　　、Ａｒ、Ｈｅ、０２　　、Ｎ２　　
。

空気、ＮＨ３，０３、Ｎ２０．Ｎｏ、Ｎ２０゜ＮＯ２な
どのＮＯｘ等の中から適宜選定し、これらの単独ないし
混合したちのいずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであってもよ
い。

本発明の記録層５は、第１図に示されるように、好まし
い態様として、基体２上に前述したプラズマ重合膜３１
上、より好ましくはこのプラズマ重合膜３１上に設層さ
れた中間層４１上に形成される。　そして、この記録層
５は、光学的に異なる２種類以上の状態をとりうる組成
が用いられる。

すなわち、記録層５は変調された熱ビームあるいは変調
された光ビームにより、情報が物理的な状態変化、例え
ば、非晶質−結晶質間の相転移や、微結晶の粒径の変化
、結晶形の種類。

配向率、結晶化率の変化等の結晶状態の変化を生起させ
て記録される。

そして、記録情報を反射率等の変化により読みとって再
生が行なわれる。

このような記録層５の材質としては、例えば。

Ｔｅ−５ｅ、Ｔｅ−５ｅ−３ｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ、　　Ｔ
ｅ−Ｇｅ−３ｂ−Ｓ　　、　Ｔｅ−Ｇｅ　　−Ａｓ−５
ｉ、　　Ｔｅ−５ｔ、　　Ｔｅ−Ｇｅ−５ｉ　　−３ｂ
、　　Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ　　ｉ　、　　Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉ　
　ｎ　−Ｇａ、　　Ｔｅ−５ｉ　　−Ｂ　　ｉ　　−Ｔ
１．　　Ｔｅ’−Ｇｅ　　−Ｂｉ−Ｉ　ｎ−３，Ｔｅ−
Ａｓ−Ｇｅ−５ｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ−Ｓ、Ｔｅ−Ｇｅ
−５ｅ。

Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｇａ、Ｔｅ−Ｇｅ−３−Ｉｎ、５ｅ
−Ｇｅ−Ｔｌ、５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ、５ｅ−Ｇｅ−Ｔｌ−
Ｓｂ、５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、５ｅ−３（以上、特公昭５４
−４１９０２号、特許第１００４８３５号など）ＴｅＯＸ　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４
２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ：以下Ｘ
は同義）、ＴｅＯｘ＋ＰｂＯｘ　（特許第９７４２５８号）。

ＴｅＯｘ＋ＶＯｘ　（特許第９７４２５７号）、その他
、Ｔｅ−Ｔｌ、Ｔｅ−７文−５ｉ、５ｅ−Ｚｎ−Ｓｂ　
、　Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮｘ等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系Ｇｅ−５ｎ、５ｉ−３ｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ１等の結晶
構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−５ｂ等の
結晶粒径の変化を生じる合金などかある。

このような記録層５は、蒸着法、スパッタ法、イオンブ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい、　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜Ｉ
ｇｍ程度とされる。

このような記録層５が直接もしくはプラズマ重合膜３１
や中間層４１を介して設層される基体２は、アクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチル
ペンテンなト＋７）オレフィン樹脂等の樹脂製あるいは
ガラス製とすることが好ましい。

このような基体２の屈折率ｎｂは、通常１．４５〜１．
５８程度である。

なお、記録は基体２をとおして行うことが好ましいので
、書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６％
以上とする。

また、基体２は、通常ディスク状基板とし１、　　１°
′〜”°５°°８１０“８２ｔ６・１　　　　　このよ
うなディスク状基板の記録層形成面には、トラッキング
用の溝が形成されてもよい。

溝は直接形成されていても、いわゆる２Ｐ法によって形
成されていてもよい。

溝の深さは、入／　８　ｎ程度、特に入／　７　ｎ〜入
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、通常、この溝の凹部に位置する記録層５を記録
トラック部として、書き込み光お、よび読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基体２の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。

このような基体２、通常プラズマ重合膜３１を形成した
基体２と、記録層５との間には、第１図に示されるよう
に、種々の中間層４１を１層もしくは２層以上（第１図
においては１層）設けることが好ましい。

通常は基体２上に設けられたプラズマ重合膜３１上に中
間層４１を設けるが、場合によってはプラズマ重合膜３
１と中間層４１との設層位置を逆にしてもよい。

中間層４１を設けることによって、記録および消去の際
に生ずる熱エネルギーによる基体２のダメージを防止す
ることができる。

さらには、基体２側からの記録層５の劣化に対する防湿
膜としての役割をも果たすものである。

このような中間層４１の材質としては、５ｉ０２　、Ｓ
ｉｎ、Ａ見Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳなどが好適である。

そして、この中間層４１の屈折率は、好ましくは１．５
以上であり、より好ましくは２以上である。　この屈折
率の上限値は、現在、存在するものの物質により必然的
に決められるものである。

なお、この屈折率の設定範囲は、読みとり光を照射して
、記録層５中の信号を読みとる際に、中間層４１で読み
とり光を多重干渉させ、増巾効果を得るのに好適な範囲
である。

従って、この範囲の屈折率にて、初期のＣＺＮ比をより
一層向上させることができる。

また、この中間層４１の屈折率が１．５未満の場合には
、上述した増巾効果が期待できない。

またさらに、この中間層４１は、特に樹脂製基体の場合
、上述したように基体２のダメージ防止および基体２側
から記録層５への防湿の効果も兼ねそなえている。

この中間層４１は、蒸着法、スパッタ法などの方法によ
り設層される。

そして、このこの中間層４１の膜厚は。

０．０５〜０．２ＪＬｍ程度とすればよい。

さらに本発明においては、前述したようにより好ましい
態様として記録層５の上に形成された中間層４５の上に
プラズマ重合膜３５、保護層６１を設層することが好ま
しい。

このような中間層４５の材質については、特に制限はな
いが無４１１１．特に、上述したような中間層４１の場
合と同様な各種酸化物、窒化物等が好適である。　ただ
し、中間層４５には。

中間層４１のような屈折率や膜厚の制限がないので、広
範な化合物の中から適宜選択すればよい。

設層厚さは、０．０５〜０．２ｐｍ程度とされる。

本発明の媒体１は前述したプラズマ重合膜３１．３５を
有することによって、格段と記録層５の劣化防止効果が
向上するものであるが、さらにこの効果を一層向上させ
る目的で各種保護層を設けてもよい。

このような保護層を設ける場合１通常、第１図に示され
るように記録層５上に必要に応じて設層された中間層４
５およびプラズマ重合膜３５の上と、基体２の裏面上と
に、それぞれ保護層６１．６５を設けることが好ましい
。

基体２裏面に形成される保護層６５は、裏面のみならず
、図示のように、媒体の外面全域に亘って形成すること
が好ましい、　この場合、後述の保護体７等を設けない
ときには、通常、保護層６５と記録層５上に設層される
保護層６１は一体的に連接する。

記録層５上に保護層６１を設層する場合には１図示のよ
うに、記録層５の表面上のみならず、記録層５、さらに
必要に応じて中間層４５の側面をも覆い、記録層５を完
全に覆うように保護ｆｉ６１を設けることが好ましい。

本発明の保護層６１．８５の材質としては、各種有機膜
や無機膜のいずれであってもよい。

有機膜としては、各種の放射線硬化性樹脂。

熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、反応性樹脂等があるが、
中でも放射線硬化性樹脂が最も好ましい、　これは後述
する各種無機膜と比較しても優れた防湿性を有するもの
である。

放射線硬化性樹脂の保護層は通常、放射線硬化型化合物
の塗膜を硬化させたものであり、用いる放射線硬化型化
合物としては、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル
重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタ
クリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなア
クリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル
系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和
二重結合等の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥す
る基を分子中に含宥または導入したモノマー、オリゴマ
ーおよびポリマー等を挙げることができる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１，６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、ｌ、８−ヘキサングリコールジ
メタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものと
しては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（
メタクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００，Ｍ−５５００，Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０，Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、式中、ｍ＝１．ａ＝２．ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、ｍ＝１．ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１．ａ＝６．ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）。

ｍｗ２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物りという）、および下記式一般式で
示される特殊アクリレート類等が挙げられる。

１）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００ＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ）２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００ＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ３（特殊アクリレートＢ）３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０Ｃ０Ｃ３Ｈａ）ｎ−ＣＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ）（特殊アクリレ−ＩＩ））（特殊アクリレートＥ）（特殊アクリレートＦ）８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−
ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ）（特殊アクリレートＩ）（特殊アクリレートＪ）Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレ−）Ｋ）１２）　　　　Ａ
（−Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｍ：２
価アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリレー
トＬ）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一
般式で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウ
レタンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれら
のものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げ
られる。

試中Ｒ１＊　Ｒ２：アルキル、ｎ：Ｈｏまた、熱可塑性
樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射線
硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレインＳ誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエールテ樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、Ｗ＆維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の硬化膜の保護層６１．
６５の膜厚は０９１〜３０ｇ５＋、より好ましくは１〜
１０ルｍである。

この膜厚が０．１ＪＬｍ未満になると、一様な膜を形成
できず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく
、記録Ｍ５の耐久性が向上しない、　また、３０ｐｍを
こえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体
の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーニート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい、　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、基板表面の状態
、目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい
。

このような塗膜を硬化させて硬化膜の保護層６１．６５
とするには、電子線、紫外線等の放射線を塗膜に照射す
ればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく１例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィト類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬　　化させるには、
公知の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このようにして設けられた硬化膜の保護層は、通常、前
記の放射線硬化型化合物のうちの１種以上を用いて、同
一材質とされる。　しかし、必要に応じて硬化膜の保護
層を設ける位置により、それぞれ組成の異なる放射線硬
化型化合物を用いて設けてもよい、　設層膜厚も保護層
の設ける位置によりそれぞれ異なる厚さとしてもよい。

一方、無機膜を保護層６１．６５とする場合には、酸化
物、窒化物の薄膜が好ましい。

酸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等が好適である。

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。

このような薄膜の厚さは、０．１〜１０ｇｍ程度とする
。

なお、薄膜の保護層の形成は真空蒸着、スパッタ等によ
ればよい。

本発明は、上述してきたように形成して構成してもよい
、　また、記録層を有する一対の基体を用い、記録層を
内側にして対向させ、接着剤等を用いて貼り合せて、基
体の裏面側からの書き込みを行う、いわゆる両面記録の
タイプとしてもよい。

また、片面記録の場合１図示のように、保護板７を接着
剤層８を介して接着してもよい。

■　発明の効果本発明の情報記録媒体はプラズマ重合膜を有するので、
防湿性が向上し、高温高湿下で長時間使用しても記録層
の経時劣化が少ない。

■　発明の具体的実施例以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

〔実施例１〕基体２として、直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板を用い
、これを真空チャンバ中に入れ、一旦１０″５Ｔｏｒｒ
の真空に引いた後、処理ガスとしてＡｒを用い、流量５
０ｍＭ／分にてガス圧０．ＩＴｏｒｒに保ちながら、１
３．５６ＭＨｚにてプラズマ処理を施した。

次いで、下記の条件にてプラズマ重合膜３１を形成した
。

プラズマ重合膜原料ガス　　　　　ＣＨ４，１１００５ＣＣ作動圧力　
　　　　０　、　Ｉ　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒプラズマパワー　
　２００Ｗプラズマ周波数　　１３．５６ＭＨｚ膜厚　　　　　　　３００人Ｈ／ＣＯ、５このプラズマ重合膜３１の上に、５ｉ０２からなる中間
層４１を高岡波マグネトロンスパッタにより設層した。

この中間層４１の屈折率はエリプソメーターで測定し、
その屈折率は１．５４であった。

また膜厚は９００人であった。

この中間層４１上にＴｅ−Ｇｅ−３ｂ−３からなる合金
薄膜をスパッタリングにより厚さ０．１ルｍに設層し、
記録層５とした。

この記録層５上に、プラズマ重合膜３５を形成した。　
その形成方法、材質、および膜厚等は前述の基体２上に
設けたプラズマ重合膜３１の場合と同様である。

さらにこのプラズマ重合膜３５の上に、多官能オリゴエ
ステルアクリレート（アロニツクスＭ−８０３０）　１
００重量部、光増感剤（パイキュアー５５）５重量部か
らなる塗布組成物をスピンナコートで設層し、その後、
８０Ｗ／ｃｍの紫外線を１５ｓｅｃ照射し、架橋番硬化
させ保＠層６１とした。　この時の膜厚は、１０ＪＬｍ
であった。

さらに、この上に保護板７を接着し、外面全域がすべて
被覆されるように、上記と同一の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物をスピンナーコートおよびディッピング
で設層した。

設層後、８０　Ｗ　／　ｃ　ｍ紫外線を１５ｓｅｃ照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。　この時の膜厚はｌＯ
鉢ｍであった。

これをサンプルＮｏ、ｌとする。

〔実施例２〕実施例１で用いた保護板７を除いた。

それ以外は実施例１の場合と同様とした。

すなわち、プラズマ処理されたＰＭＭＡ基板上にプラズ
マ重合膜を形成し、その上に記録層を設けた。　その上
に再びプラズマ重合膜１次いで保護層の順に形成した。

（サンプルＮｏ。

〔比較例１〕実施例２で処理したプラズマ処理およびプラズマ重合膜
３１．３５を施さなかった。

それ以外は、実施例２の場合と同様とした。

（サンプルＮｏ、３）これら各サンプルにつき、８３０ｎｍ、１０ｍＷ、０．
ＩＩＬｓｅｃにて記録、１ｍＷにて再生したところ同等
の特性をえた。

これに対し、各サンプルを６０℃、９０％ＲＨにて保存
したところ、サンプルＮｏ、Ｌ及びサンプルＮｏ、２で
は３００時間保存後も特性劣化が生じなかったのに対し
、サンプルＮｏ、３では、１００時間以内に記録再生不
能となった。

以上から本発明の効果があきらかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す情報記録媒体の断面図で
ある。第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。符号の説明ｌ・・・情報記録媒体、２・・・基体、３１．３５・・
・プラズマ重合膜、４１．４５・・・中間層、５・・・記録層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体と、基体上に設層された光学的に異なる２種
以上の状態をとり得る記録層と、記録層の基体側および
／または基体と反対側に設層されたプラズマ重合膜を有
することを特徴とする情報記録媒体。
（２）光学的に異なる２種以上の状態が、非晶質−結晶
質の相転移または結晶状態の変化によって生じる特許請
求の範囲第１項に記載の情報記録媒体。
（３）プラズマ重合膜が、ＣまたはＣとＨ、ＮおよびＯ
のうちの１種以上とを含む特許請求の範囲第１項またほ
第２項に記載の情報記録媒体。
（４）基体上にプラズマ重合膜を有する特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれかに記載の情報記録媒体。
（５）基体がプラズマ処理されたものである特許請求の
範囲第４項に記載の情報記録媒体。
（６）記録層上にプラズマ重合膜を有する特許請求の範
囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の情報記録媒体
。
（７）記録層の基体側に記録層と接して中間層を有する
特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の
情報記録媒体。
（８）記録層の基体と反対側に記録層と接して中間層を
有する特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに
記載の情報記録媒体。
（９）記録層上に保護層を有する特許請求の範囲第１項
ないし第８項のいずれかに記載の情報記録媒体。
（１０）保護層がプラズマ重合膜上に設層された特許請
求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の情報記
録媒体。
（１１）保護層および／またはプラズマ重合膜が記録層
を完全に被っている特許請求の範囲第１項ないし第１０
項のいずれかに記載の情報記録媒体。
（１２）少なくとも基体裏面上にさらに保護層を有する
特許請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれかに記載
の情報記録媒体。
（１３）保護層が媒体の外面全域に亘って形成されてい
る特許請求の範囲第１２項に記載の情報記録媒体。