JPS62281139A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS62281139A JPS62281139A JP12367786A JP12367786A JPS62281139A JP S62281139 A JPS62281139 A JP S62281139A JP 12367786 A JP12367786 A JP 12367786A JP 12367786 A JP12367786 A JP 12367786A JP S62281139 A JPS62281139 A JP S62281139A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光磁気ディスク、特に光磁気記録媒体層を
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
レーザ光を使用して情報の記録、再生及び消去を行なう
光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり、
且つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く
使用されている。
光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であり、
且つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く
使用されている。
この種の光磁気ディスクの光磁気記録媒体としては、Ｔ
ｂ −Ｆｅ系、Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−
Ｆｅ系のものなどが使用されているが、いずれのものも
酸化などの耐蝕性の面で充分ではない。
ｂ −Ｆｅ系、Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−
Ｆｅ系のものなどが使用されているが、いずれのものも
酸化などの耐蝕性の面で充分ではない。
このために光磁気ディスクにおいて光磁気記録媒体層を
保護するための各種の手段が４２ Ｅされている。
保護するための各種の手段が４２ Ｅされている。
例えば光磁気記録媒体を酸素を含有しない膜間に挟持さ
せ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を防止
し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成し、
外部からの酸素はごの金属１１りを酸化させることに費
して酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開
昭５９−１１００５２号）。
せ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を防止
し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成し、
外部からの酸素はごの金属１１りを酸化させることに費
して酸素の混入を防止する方法が提案されている（特開
昭５９−１１００５２号）。
さらには、光磁気記録媒体と基板間に、酸素を取り込ん
で安定化する還元性の誘電体膜を形成し、この誘電体膜
の存在で、光磁気記録媒体の酸化を防止しようとする方
法も提案されている（特開昭５９−１１００５６号）。
で安定化する還元性の誘電体膜を形成し、この誘電体膜
の存在で、光磁気記録媒体の酸化を防止しようとする方
法も提案されている（特開昭５９−１１００５６号）。
又、光磁気記録媒体をＡｆ、Ｂｉ。
ｐｂなどの非通気性で防湿効果の高い保護膜で保護する
方式のものが提案されている（特開昭５８−８０１４２
号）。
方式のものが提案されている（特開昭５８−８０１４２
号）。
の、光磁気記録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分で
ある。
ある。
このために実用面では、このような雰囲気での光磁気記
録媒体の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒
体が劣化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップ
アウトの問題や、Ｃ／Ｎ比の低下などの問題が完全には
解決されていなかった。
録媒体の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒
体が劣化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップ
アウトの問題や、Ｃ／Ｎ比の低下などの問題が完全には
解決されていなかった。
この発 来提案されている光磁気ディスクにおけ
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が筒車で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が筒車で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
この発明においては、第１図に示すように、ガラスやポ
リカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペン
ランなどの透明高分子材で形成される透明基板１上に、
第１層として、組成がＴａｇＸ。
リカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペン
ランなどの透明高分子材で形成される透明基板１上に、
第１層として、組成がＴａｇＸ。
Ｎｂ０ＸまたはＴａ１−、ＮｂｙＯｘ （但し、１．
５≦ｘ≦２．５．０＜ｙ＜１）で表わされ、膜厚が２０
０〜１０００人である、前記光磁気記録媒体を保護し見
かけのＫｅｒｒ回転角を増加させる誘電体膜３−１、第
２層として、前記光磁気記録媒体層２および第３層とし
て、３且成がＴａｇ、、 ＮｂＯ，またはＴａ＋−ｗＮ
ｂｗＯｚ（但し、１．５≦２≦２．５．０＜Ｗ＜１）で
表わされるか金属の、膜厚が２００Å以上である前記光
磁気記録媒体を保護する保護膜３−２が形成される。
５≦ｘ≦２．５．０＜ｙ＜１）で表わされ、膜厚が２０
０〜１０００人である、前記光磁気記録媒体を保護し見
かけのＫｅｒｒ回転角を増加させる誘電体膜３−１、第
２層として、前記光磁気記録媒体層２および第３層とし
て、３且成がＴａｇ、、 ＮｂＯ，またはＴａ＋−ｗＮ
ｂｗＯｚ（但し、１．５≦２≦２．５．０＜Ｗ＜１）で
表わされるか金属の、膜厚が２００Å以上である前記光
磁気記録媒体を保護する保護膜３−２が形成される。
この第１層の誘電体膜は、光磁気記録媒体層を保護する
と共に、情報の読み出し光の内、光磁気記録媒体層で反
射した光をこの膜内で多重反射させ、読み出し用反射光
の見かけのカー回転角が増大し、再生Ｃ／Ｎ比を向上さ
せる（カーエンハンスメント効果）ために形成する。こ
の膜の成分はＴａｇ、 、 ＮｂＯ，ＩまたはＴａ 、
−、Ｎｂ、０．で表わされる必要がある。それは、この
成分がＸの幅広い範囲での形成を防止する目的で高純度
酸素の導入を必要とする、（２）この酸素導入により成
膜速度が大幅に低下すると、いった不利を解消するから
である。そしてこの膜の組成を示すＸおよびｙには夫々
１．５≦ｘ≦２．５、Ｏ＜ｙ＜１なる条件が設定される
。
と共に、情報の読み出し光の内、光磁気記録媒体層で反
射した光をこの膜内で多重反射させ、読み出し用反射光
の見かけのカー回転角が増大し、再生Ｃ／Ｎ比を向上さ
せる（カーエンハンスメント効果）ために形成する。こ
の膜の成分はＴａｇ、 、 ＮｂＯ，ＩまたはＴａ 、
−、Ｎｂ、０．で表わされる必要がある。それは、この
成分がＸの幅広い範囲での形成を防止する目的で高純度
酸素の導入を必要とする、（２）この酸素導入により成
膜速度が大幅に低下すると、いった不利を解消するから
である。そしてこの膜の組成を示すＸおよびｙには夫々
１．５≦ｘ≦２．５、Ｏ＜ｙ＜１なる条件が設定される
。
Ｘが１．５未満では、誘電体膜中に金属性のＴａ、Ｎｂ
が形成され、均質で透明な膜が形成されず、一方Ｘが２
．５を超えると酸素が過剰となり、透明な膜が形成され
ない上に、この過剰の酸素が光磁気記録媒体層の形成時
にこの層内に混入して得られる光磁気ディスクの光磁気
記録再生特性を劣化させる。この誘電体膜は、高周波ス
パッタリングにより膜厚が２００〜１０００人に形成さ
れる。膜厚が２００人未満であると、ピンホールなどに
よる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層が酸化するこ
とによる情報のドロップアウトが生してこの媒体層を保
護する効果が不充分であると共に、カーエン・・ンスメ
イオ効果が充分に発揮されない。一方、なくなる。
が形成され、均質で透明な膜が形成されず、一方Ｘが２
．５を超えると酸素が過剰となり、透明な膜が形成され
ない上に、この過剰の酸素が光磁気記録媒体層の形成時
にこの層内に混入して得られる光磁気ディスクの光磁気
記録再生特性を劣化させる。この誘電体膜は、高周波ス
パッタリングにより膜厚が２００〜１０００人に形成さ
れる。膜厚が２００人未満であると、ピンホールなどに
よる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層が酸化するこ
とによる情報のドロップアウトが生してこの媒体層を保
護する効果が不充分であると共に、カーエン・・ンスメ
イオ効果が充分に発揮されない。一方、なくなる。
光磁気記録媒体層としては、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、
ＴｂＣｏ。
ＴｂＣｏ。
ＤｙＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＤ
ｙＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦｅ。
ｙＦｅ、 ＧｄＴｂＤｙＦｅ。
ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類遷移金属合金薄膜やこれ
らにＳｎ、 Ｚｎ、 Ｇｅ、 Ｐｂ、 Ｓｉ、 Ｂｉ、
Ｂ、 Ｃｒ、 Ａｆｆ、 Ｐｔ。
らにＳｎ、 Ｚｎ、 Ｇｅ、 Ｐｂ、 Ｓｉ、 Ｂｉ、
Ｂ、 Ｃｒ、 Ａｆｆ、 Ｐｔ。
Ｎｉなどを添加含有させた希土類遷移金属合金薄膜が用
いられ、これらの薄膜が例えば１０００への１模厚に真
空蒸着やスパッタリングの手段により形成される。
いられ、これらの薄膜が例えば１０００への１模厚に真
空蒸着やスパッタリングの手段により形成される。
第３層の保護膜は、光磁気記録媒体層を保護するために
形成し、組成がＴａｇ、、 Ｎｂ０ｚまたはＴａＩ−ｗ
ＮｂｗＯｚ （但し、１．５≦２≦２．５、Ｏ＜ｗ〈
１）で表わされるかＡβ、 Ｂｉ、 Ｐｂなど保護膜と
して公知の金属である。この膜の成分は、第１層の誘電
体の成分と必ずしも同じである必要はない。
形成し、組成がＴａｇ、、 Ｎｂ０ｚまたはＴａＩ−ｗ
ＮｂｗＯｚ （但し、１．５≦２≦２．５、Ｏ＜ｗ〈
１）で表わされるかＡβ、 Ｂｉ、 Ｐｂなど保護膜と
して公知の金属である。この膜の成分は、第１層の誘電
体の成分と必ずしも同じである必要はない。
また、２に１．５〜２．５なる条件が設定される理由は
、この範囲から外れると上記保護膜としての効果が充分
発揮されないからである。Ｘと２とは必同じである必要
はない。この保護膜は、Ｔａｇ、。
、この範囲から外れると上記保護膜としての効果が充分
発揮されないからである。Ｘと２とは必同じである必要
はない。この保護膜は、Ｔａｇ、。
ＮｂＯ，またはＴａ 、 −ｗＮｂｗＯ，の場合高周波
スパッタリングにより、また金属の場合、高周波スパッ
タリング、直流スパッタリング、真空蒸着によりいずれ
も膜厚が２００Å以上に形成される。この膜厚の下限が
上記のように設定されたのは、この下限未満では、ピン
ホールなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層
を保護する効果が充分得られない。
スパッタリングにより、また金属の場合、高周波スパッ
タリング、直流スパッタリング、真空蒸着によりいずれ
も膜厚が２００Å以上に形成される。この膜厚の下限が
上記のように設定されたのは、この下限未満では、ピン
ホールなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層
を保護する効果が充分得られない。
以下、この発明の光磁気ディスクを、その実施例に基づ
き製作法に沿ってそれぞれ詳細に説明する。
き製作法に沿ってそれぞれ詳細に説明する。
第１表〜第３表には、この発明の各実施例（実施例１〜
実施例９）の光磁気ディスクと、各実施例に対応し、こ
の発明の組成条件或いは膜厚条件を満足しない各比較例
（比較例１〜比較例２７）の光磁気ディスクの組成、膜
厚及び発明者等の実測した初期Ｃ／Ｎ比と経時Ｃ／Ｎ比
とが示されている。
実施例９）の光磁気ディスクと、各実施例に対応し、こ
の発明の組成条件或いは膜厚条件を満足しない各比較例
（比較例１〜比較例２７）の光磁気ディスクの組成、膜
厚及び発明者等の実測した初期Ｃ／Ｎ比と経時Ｃ／Ｎ比
とが示されている。
−ボネートの透明基板１上に高周波スパッタリングの手
段により、第１層の誘電体膜３−１を形成し、この第１
層の誘電体膜３−１上に第２層のＴｂ＠、 ！＋１”ｅ
Ｏ，５ｓＣｏｏ、 ｚａなる組成の光磁気記録媒体層２
を膜厚１０００人に形成し、この光磁気記録媒体層２上
に第３層の保護膜３−２を形成した膜構成のものである
。
段により、第１層の誘電体膜３−１を形成し、この第１
層の誘電体膜３−１上に第２層のＴｂ＠、 ！＋１”ｅ
Ｏ，５ｓＣｏｏ、 ｚａなる組成の光磁気記録媒体層２
を膜厚１０００人に形成し、この光磁気記録媒体層２上
に第３層の保護膜３−２を形成した膜構成のものである
。
このようにして形成された保護膜を具備する光磁気ディ
スクに対して、記録周波数２ ＭＨｚ （ＲＢＷ３０
ｋＨｚ）、レーザパワー４１で記録が行なわれ、再生レ
ーザパワー１ｍＷで再生が行なわれた。記録直後に再生
した場合のＣ／Ｎ比が第１表〜第３表の初！ＬＪＩＣ／
Ｎ比（ｄＢ）であり、光磁気ディスクを温度６０°Ｃ１
９０％Ｒ１１雰囲気中に１０００時間放置した後に再生
を行なって得られたＣ／Ｎ比が第１表〜第３表の経時Ｃ
／Ｎ比である。
スクに対して、記録周波数２ ＭＨｚ （ＲＢＷ３０
ｋＨｚ）、レーザパワー４１で記録が行なわれ、再生レ
ーザパワー１ｍＷで再生が行なわれた。記録直後に再生
した場合のＣ／Ｎ比が第１表〜第３表の初！ＬＪＩＣ／
Ｎ比（ｄＢ）であり、光磁気ディスクを温度６０°Ｃ１
９０％Ｒ１１雰囲気中に１０００時間放置した後に再生
を行なって得られたＣ／Ｎ比が第１表〜第３表の経時Ｃ
／Ｎ比である。
いずれの実施例のものでも、誘電体膜３−１および保護
膜３−２の存在により長期の耐久性に優れ、安定した光
磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られてい
ることが確認される。しかし比較例では、いずれも長期
の耐久性に優れ安定した光磁気記録再生特性を存する光
磁気ディスクが得られていない。
膜３−２の存在により長期の耐久性に優れ、安定した光
磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られてい
ることが確認される。しかし比較例では、いずれも長期
の耐久性に優れ安定した光磁気記録再生特性を存する光
磁気ディスクが得られていない。
この発明は、以上説明した各実施例の構成に限るもので
なく、例、えば保護膜３−２上にさらに紫あるいは、こ
の発明で構成される光磁気ディスクを対向させ、スペー
サにより対向空間を形成し、この対向空間内に不活性ガ
スを充填した構成のものも実現可能である。
なく、例、えば保護膜３−２上にさらに紫あるいは、こ
の発明で構成される光磁気ディスクを対向させ、スペー
サにより対向空間を形成し、この対向空間内に不活性ガ
スを充填した構成のものも実現可能である。
（発明の効果〕
以上詳細に説明したように、この発明によると成膜工程
が簡単で、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性を
維持した状態で保護し、長期耐久性を有し、カーエンハ
ンスメント効果を行動に利用する優れた光磁気記録再生
特性を有する光磁気ディスクを提供することが出来る。
が簡単で、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性を
維持した状態で保護し、長期耐久性を有し、カーエンハ
ンスメント効果を行動に利用する優れた光磁気記録再生
特性を有する光磁気ディスクを提供することが出来る。
第１図は、この発明の光磁気ディスクの実施例の構成を
示す断面図である。 ｌ：透明基板、２：光磁気記録媒体層、３−１：誘電体
膜、３−２：保護膜。
示す断面図である。 ｌ：透明基板、２：光磁気記録媒体層、３−１：誘電体
膜、３−２：保護膜。
Claims (1)
- （１）透明基板上に光磁気記録媒体層が形成され、この
光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の書き込み
及び読み出しを行なう光磁気ディスクにおいて、前記透
明基板上に、第１層として、組成がＴａＯ＿ｘ、ＮｂＯ
＿ｘまたはＴａ＿１＿−＿ｙＮｂ＿ｙＯ＿ｘ（但し、１
．５≦ｘ≦２．５、０＜ｙ＜１）で表わされ、膜厚が２
００〜１０００Åである、前記光磁気記録媒体を保護し
見かけのＫｅｒｒ回転角を増加させる誘電体膜、第２層
として、前記光磁気記録媒体層および第３層として、組
成がＴａＯ＿ｚ、ＮｂＯ＿ｚまたはＴａ＿１＿−＿ｗＮ
ｂ＿ｗＯ＿ｚ（但し、１．５≦ｚ≦２．５、０＜ｗ＜１
）で表わされるか金属の、膜厚が２００Å以上である前
記光磁気記録媒体を保護する保護膜が形成されてなるこ
とを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123677A JPH071559B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 光磁気ディスク |
| PCT/JP1987/000347 WO1987007422A1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
| DE8787903436T DE3778905D1 (de) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magnetooptische platte. |
| EP87903436A EP0324853B1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123677A JPH071559B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281139A true JPS62281139A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH071559B2 JPH071559B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=14866568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123677A Expired - Lifetime JPH071559B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071559B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63167450A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-11 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01204245A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH02152046A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気メディア |
| JPH04251452A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-09-07 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197966A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6132242A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-14 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61123677A patent/JPH071559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197966A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
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| JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01204245A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH02152046A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気メディア |
| JPH04251452A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-09-07 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071559B2 (ja) | 1995-01-11 |
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