JPS62298954A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔１既　　要〕 本発明は、光磁気ディスクの希土類元素と遷移金属との
合金の記録媒体膜と透明樹脂基板との間に形成する酸化
物中間保護膜では記録媒体膜の劣化が生じていたのを、
この記録媒体膜と酸化物中間保護膜との間に薄い不働態
化金属の中間膜を設けて劣化を抑制したものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、高密度大容量メモリに用いられる光ディスク
、より詳しくは、書き換え可能な光磁気ディスクに関す
るものである。

光磁気ディスクの光磁気記録媒体には希土類元素（ＲＥ
）と遷移金属（Ｔ　Ｍ　）との合金（例えば、ＴｂＦｅ
Ｃｏ）が使われており、この記録媒体特性の劣化を抑制
（防止）して長寿命化すなわち長期安定化を図るために
効果的な保護膜が求められている。

〔従来の技術〕

従来の光磁気ディスクは、第３図に示すように、透明な
ディスク基板１上に中間保護膜２、光磁気記録媒体膜３
、および表面保護膜４が順次形成されている。ディスク
基板１にはガラス基板もあるが案内溝（光ガイド溝）の
加工が面倒なので樹脂基板又はガラス板上に紫外線硬化
型樹脂層を形成した基板が使用される。なお、本明細書
では後者の紫外線硬化型樹脂層を有する基板もその表面
が樹脂であり、樹脂基板に含める。樹脂基板上に光磁気
記録膜３の希土類元素−遷移金属合金（例えば、ＴｂＦ
ｅＣｏ）をスパッタリング又は真空蒸着によって直接に
形成すると、基板樹脂中に含まれた酸素、水分などが記
録媒体中の活性な希土類元素と反応して、光磁気ディス
クの特性が経時的に劣化してしまう。そこで、樹脂基板
１と記録媒体膜３とが直接に接触しないように中間保護
膜２を形成して劣化防止を図っている。また、光磁気デ
ィスクでは、基板側より入射したレーザ光を利用して書
き込み（記録）を行ない、レーザ光の反射光を利用して
読み出しく再生）を行なうために、中間保護膜は透明で
なければならない。このような中間保護膜２として酸化
物誘電体（ＳｉＯｚ、　Ｓｉｎ、　Ａ　１２２０３など
）が採用されている。そして、光磁気記録膜３の上には
、大気中の酸素や水分からの保護のための表面保護膜４
が形成されている。この表面保護膜４は透明である必要
がなく、安定な材料（上述の酸化物を含む）で適当な記
録感度が得られる膜であればよい。

〔発明が解決しようとする問題点〕

酸化物の中間保護膜の形成によって光磁気ディスクとし
ての特性劣化をかなり防止することができたが、それで
も経時的特性劣化が生じ、劣化をもっと抑制して特性の
長期安定化を図ることが求められている。特性劣化の原
因は、記録媒体膜を構成している希土類元素が酸素との
高い反応性を有し、酸化物中間保護膜の中に含まれる酸
素と反応して磁性に寄与しなくなるからであると思われ
る。

本発明の目的は、樹脂基板と光磁気記録媒体膜との間の
酸化物中間保護膜を用いても特性劣化を抑制し、特性の
長期安定化を図ることのできる光磁気ディスクを提供す
ることである。

〔問題点を解決するための手段〕

上述の目的が、透明な樹脂基板上に酸化物の中間保護膜
、希土類元素と遷移金属との合金である記録媒体膜、お
よび表面保護膜を順次形成してなる光磁気ディスクにお
いて、中間保護膜と記録媒体膜との間に不働態化金属の
中間膜が形成されていることを特徴とする光磁気ディス
クによって達成される。

真空蒸着又はスパッタリングで酸化物の中間保護膜を形
成する際に膜内に遊離酸素が生じて、これが記録媒体膜
中の希土類元素を酸化すると考えられ、本発明にしたが
って、不働態化金属の中間膜を酸化物保護膜と記録媒体
膜との間に設けることにより、遊離酸素が不働態化性金
属と反応してち密な酸化物層（皮膜）を形成し、その結
果として、記録媒体ｊ漠へのｔｒ離酸素の侵入が防止で
きる。

このような中間膜の不働態化金属はＴｉ、Ｃｒ。

Ｔａ、Ａ４２又はＮｂである。

さらに、中間膜の厚さは２〜２０ｎｍであるのが好まし
く、これよりも薄いと遊離酸素侵入防止が不十分となり
、一方これよりも厚いと透明性が一層低下して再生時に
不利な影響を与える。

〔実施例〕

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施態様例
によって本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明に係る光磁気ディスクの部分断面図であ
る。

本発明の光磁気ディスクは、樹脂基板２１とこの上に順
次形成した酸化物中間保護膜２２、不働態化金属の中間
膜２５、希土類元素−遷移金属合金の光磁気記録媒体膜
２３および表面保８Ｓｔ膜２４とからなる。

血止 ディスク用樹脂基板（ＰＭＭＡ基板）■上に電子ビーム
加熱方式の真空蒸着装置にてＳｉＯ□中間保３隻膜２２
　（厚さ１９５ｎｍ）を形成する。次に、真空を破るこ
となくＴｉ中間膜２５　（厚さ５　ｎｍ）を真空蒸着で
ＳｉＯ□膜２２上２２上する。Ｔｉ　中間膜２５の上に
ＴｂＦｅＣｏの光磁気記録媒体膜２３（厚さ１０１００
ｎを真空蒸着で形成する。さらに、記録媒体膜２３上に
ＺｎＳ表面保護膜２４（厚さ１０１００ｎを真空蒸着で
形成する。このように真空蒸着装置の真空を破ることな
く連続的に膜２２．２５．２３および２４を形成する。

このようにして製作した光磁気ディスクを６０°Ｃ３大
気中にて保持する加速劣化試験を行ない、カー効果ヒス
テリシスループから保磁力（Ｈｃ）を調べたところ第２
図に示す結果が得られた。

開１ 例１でのＳｉＯ□中間保護膜２２の代わりにＡ　Ｉ！Ｚ
Ｃｈ膜（厚さ１９５ｎｍ）を用いて真空蒸着でＰＭＭＡ
基板上に形成し、例１と同じにＴｉ膜２５、ＴｂＦｅＣ
。

膜２３およびＺｎＳ膜２４を形成する。

このようにして得た光磁気ディスクを例１と同じ加速劣
化試験したところ第２図に示す結果が得られた。

此漣幻舛 例１での５ｉＯｚ中間保護膜の厚さを２００ｎｍとし、
Ｔｉ中間膜を形成することな（このＳｉＯ□膜上にＴｂ
ＦｅＣｏ膜を、さらにその上にＺｎＳ表面保護膜を例１
と同しに形成する。

このようにして製作した従来の光磁気ディスク（第３図
に示す構造を有する）を例１と同し加速劣化試験を施こ
したところ第２図に示す結果が得られた。

第２図から明らかなように従来の光磁気ディスク（比較
例）では保磁力が大きく変化しており、一方、本発明に
係る光磁気ディスク（例１および例２）では保磁力はそ
れほど変化しない。この保磁力の変化は記録媒体（Ｔｂ
ＦｅＣｏ）　ｎ’；１の組成変化に対応し、膜中の希土
類元素が酸化されてることによる組成変化による。した
がって、本発明の光石荘気ディスクの記録媒体膜はその
組成はほとんど変動しないので、特性の劣化はほとんど
ないということができる。

上述の例では光磁気記録膜にＴｂＦｅＣｏを用いたが、
ＴｂＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅあるいはＴｂＣｏなどの希土
類元素−遷移金属の合金が使用できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、不働態化金属の中間膜を酸化物中間保
護膜と記録媒体膜との間に透明性を損なわない程度の厚
さで形成することによって、光磁気記録媒体の特性を長
期安定化することができる

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気ディスクの部分断面図であ
り、 第２図は光磁気ディスクの保磁力の経時変化を示すグラ
フであり、 第３図は従来の光磁気ディスクの部分断面図である。 ２１・・・樹脂基板、 ２２・・・酸化物中間保護■り、 ２３・・・光磁気記録媒体膜、 ２４・・・表面保護膜、 ２５・・・不働態化金属の中間膜。 本発明の光磁気ディスクの断面図 従来の光磁気ディスクの断面図 第３図 ２１・・・　鯉目月旨基根 ２２・酸化物中間保護膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明な樹脂基板上に酸化物の中間保護膜、希土類元
   素と遷移金属との合金である記録媒体膜、および表面保
   護膜を順次形成してなる光磁気ディスクにおいて、前記
   中間保護膜と記録媒体膜との間に不働態化金属の中間膜
   が形成されていることを特徴とする光磁気ディスク。 ２、前記中間膜の不働態化金属がＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａ
   ｌ又はＮｂであることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の光磁気ディスク。 ３、前記中間膜の厚さが２〜２０ｎｍであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク。