JPH02161629A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野ン 本発明は、レーザー光等を用いて情報の記録又は／及び
再生を行なう光記録媒体に関し、更に詳しくはその保護
層及び／又はエンハンス層として透明誘を体層を有する
光記録媒体に関する。

〈従来の技術〉 光記録媒体は、高密度、大容量記録が可能な媒体として
近年注目をあびている。

例えば光磁気記録媒体らその一つである。光磁気記録媒
体の２１４層に用いられる磁性材料には、ＧｄＦｅ、Ｔ
ｂＦｅ、’Ｉ’ｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、
ＮｄＤｙＦｅＣｏ。

ＴｂＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＧｄＣｏ等、希土類金
属と遷移金属の非晶質磁性合金膜が有望視されている、
しかしＴｂ等の希土類金属は耐蝕性に劣る為、記録層製
膜後の酸化を防止する必要がある。この酸化防止法とし
ては記録層の上下にＡ［Ｎ、５ＩＯｚ　、Ｓ１３　Ｎａ
　、’Ｔ”ＩＮ等の透明な誘電体保護層を設けたり２記
録層に窒化、炭化水素化、フッ化処理を施したり、ある
いはｐ　ｔ。

Ｔｉ、Ａ１等を添加した磁性材料を用いることが有効で
あることが報告されている。

上記の内、記録層に各種処理を施したり、各種金属を添
加したりする方法は、成膜初期の段階でカー回転角等の
低下が見られ、今後更に検討の余地がある。

一方保護層を設ける方法は耐蝕性が良く、膜厚。

屈折率の最適化を図ることによってエンハンス層として
のカー回転角のエンハンスメント効果もあり、成膜後の
記録層の劣化防止法としては有力な手段である。

〈発明が解決しようとする問題点〉 そこで本発明者らは保護層に透明誘電体層を用いる構成
に着目し、種々検討の結果、Ｉｎ又／及びＳｎの酸化物
からなる透明誘電体層が高分子樹脂基板との接着性が良
く靭性に富Ａ７でいる為、耐候試験においても亀裂、剥
離が生じないことが見出し、その検討を進めてきた。

ところがこれらの酸化物具体的にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）　、　　Ｉ　ｎｚ　Ｏｓ　Ｈ
等をスパッタリング法で形成し、光磁気記録媒体の誘電
体としたディスクはノイズレベルが高いことが確認され
た。特にスパッタガス圧が低いほどノイズレベルが高く
て膜応力ら大きく、基板に反りが生じ、腰に亀裂が発生
し易いことが確認された。

これらの原因を調べる為、上記酸化膜のＸ線分析を行な
った結果、低ガス圧で成膜したものほど結晶化が進Ｘ、
でいることが分かった。従ってこの膜の結晶化と膜の内
部応力の増加及びノズルレベルの上昇の間に相関がある
ものと推察される。

そごで、スパッタガス圧を高くし、膜の内部応力を低下
させることを検討したが、膜の緻密さが低下し、保護橘
能と共に光学特性具体的には屈折率が低下し、エンハン
ス層としてのカー回転角のエンハンスメンｌ−効果も小
さくなることが分かった。

従って、本発明は、保護層又は／及びエンハンス層に用
いられる透明誘電体層として潰れた特性を存するＩｎ又
は／及びＳｎの酸化物の上述の欠陥を改良し、その特徴
を保持しつつその欠点のないすなわち内部応力により反
りがなく、大きなエンハンスメント効果も得られる光記
１１媒体を第１の目的とし、該光記録媒体の生産性の良
い製造方法を第２の目的とするものである。

く問題点を解決するための手段及びその作用〉上記の目
的は以下の本発明により達成される。

すなわち本発明は、前述の保護層又は／及びエンハンス
層として透明誘電体層を有する光記録媒体において、前
記透明誘電体層がインジウム（１口〉又は／及び錫（Ｓ
ｎ）の窒素含有酸化物からなることを特徴とする光記録
媒体を第１の発明と！−１、第１の発明の光記録媒体の
製造方法において、前記窒素含有酸化４１１１層を、イ
ンジウム又は／及び錫の酸化物をターゲットとして、不
活性ガスに窒素を含有さぜな反応性ガスよりなる窒素雰
囲気下のスパッタリングにより形成することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法を第２の発明とするらのである
。

上述の通り、本発明の透明誘電体層は、Ｉｎ又はＳｎの
少なくとも一方の酸化物に窒素含有せＬ７めたものてで
あり、驚くべきことに、この窒素＆有により透明誘電体
層とｉ−で従来より公知の酸化物、窒化物の単独膜に対
して、実施例に示す通り、媒体の反りを左右する内部応
力が数分の１以下と大巾に低下する。又エンハンスメン
ト効果に直結する屈折率もＸ　Ｔ　Ｏ（ＩｎｄｉｕＩ−
Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）　膜等の酸化物膜より増加し、更
に水蒸気等に対するガスバリヤ性も向上する。一方接画
性もＩＴＯＷＡと同様良好で、Ａｌ５ｉＮ等の窒素膜よ
りはるかに優れている。そして上記内部応力は膜形成時
のガス圧の広範囲において得られており、安定生産面で
も有利である。

また本発明のＩｎ、Ｓｎの窒素含有酸化物は１部微結晶
を含む場合らあるがアモルファスが主体であり、耐久件
部及び光学特性の均−化従ってノイズレベルの低下面で
も一層有利である。特にこの点で全アモルファスのもの
が好ましい。

かかる作用は、ｉａｔ％以下という微量の窒＃含有量に
おいても確認されており、従って本発明の窒素含有のＩ
ｎ又は／及びＳｎの酸化物の窒素含有量は基本的には特
に制限はない、但し、窒素含有量の増加に伴なって高分
子樹脂どの接着性が低下する傾向があり、かがる面から
、窒素禽有厘は、４Ｑａｔ％以下が好ましい、又、内部
応力、屈折率の面からは、窒素含有量は、ｌａｔ％以上
が好ましい。

なお、上記窒素含有蓋は、膜中にＮ止れる全窒素を含む
もので、窒化物等あらゆる形態で含まれる窒素を包含す
るものである。

又上記本発明の窒素含有のＩ　ｒｉ又は／及びＳｎの酸
化物のＩｎ、Ｓｎの含有量は特に制限はなく８Ｉｎ、Ｓ
ｎ夫々単独でもこの双方を同時に含むもの全てを包含す
るが、Ｓｎが増すと若ｆｉｔ色傾向があり、透明性面か
らＳｎのＮ有量はＩｎとＳｎの合計に対して５０ａｔ％
以下が好ましい。

更に屈折率を高くするという面からは、高屈折率の透明
誘電体を添加することが好ましい。かかる透明誘電体と
しては、Ｚ　ｎ　Ｓ　＋　Ｔ　ａ　ｚ　Ｏ、＊Ｔ　ｉ　
Ｏ□、　Ｚ　ｒ０２　、　ｋｌ　２０３等を挙げること
ができる。なお、添加量は必要な屈折率に応じて選定す
る。

以上の本発明の窒素含有酸化物の透明誘電体の形成法は
、スパッタリング法に代表される気相中から基板」二に
薄膜を堆積させる気相薄膜形成法であれば特に限定され
ず５、スパッタリング法の池に真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、ＥＣＲ法等のＰＶＤ法、更にはＣＶＤ法
９等の公知の気相薄膜形成法ら適用出来、これらの膜形
成方法を用い必要に応じて同時スパッタあるいは蒸着等
あるいは単元スパッタあるいは蒸着等を行なう。

又、そのスパッタまたは真空蒸着等の蒸発源はＩｎ、Ｓ
ｎの金属又はこれらの合金、あるいはＩｎＮ、Ｉｎ２Ｏ
。ＳｎＮ、ＳｎＯ，、ＩＴＯ等の酸化物及び窒化物。あ
るいはこれらの混合物であるＫｎＮ／Ｉｎｚ　Ｏ，、Ｓ
ｎＮ／ＳｎＯ２゜Ｓ　ｎ　Ｎ　／　Ｓ　ｎ　Ｏ等の焼成
体であってもよい９そして反応性の薄膜形成法で成膜す
る場合の膜形成に用いる反応性ガスは所定の含有量の窒
素ガスあるいは窒素／酸素混合ガスを有するものであれ
ばよい、なお、蒸発源にＮを含む混合物を用いる＃Ｊ合
は、、Ａｒ１００％の不活性ガス雰囲気下でもよい。

又」二連の高屈折率誘電体を添加する場合はこれら誘電
体を所定量添加した混合物を蒸発源として用いれば良い
。

ところで上述の形成法の中でも、Ｉｎヌ、は／及びＳｎ
の酸化物からなるターゲツトを用い、不活性ガスに窒素
を所定ｉ色有ぜしめた反応性ガス雰囲気下でのスパッタ
リングにより形成する反応性スパッタリング法が、高速
製膜が可能で生産性に優れ、膜質に対するスパッタ条件
も広く安定生産ができ、更に酸化雰囲気とならないので
、次段の記録形成に際し、３！Ｊ枕化等の面で有利であ
り、本発明の光記録媒体の製造には特に好ましい、更に
この不活性ガス中への窒素の添加により、ＤＣの反応性
スパッタで問題となる異常放電がなくなり、スパッタが
安定となり生産性が向上する効果がある。

なお、Ｌ述の反応性スパッタリング法の反応性ガスのＮ
２含有量は、目的とする膜質によって異なり特に限定さ
れない。前述の通り本発明の窒素大吉酸化物は非常にｌ
ａｔの窒素が含まれるのみで充分効果が得られるもので
あり、従って反応ガスの下限は、窒素が含まれれば良く
、特に限定されない、なお、その］二限は特になく、１
００％Ｎ２ガス雰囲気でも良いが、得られる透明誘電体
の接着性等の低下より通常５０Ｖｏ　１％以下が好まｌ
−い。

とごろで、本発明が適用される光記録媒体は基板上に誘
電体層、記録層を形成したものであればよく、更にその
」二に金居層、保護層、更に保護平板等必要に応じて設
けてもよいことは云うまでもない。

ここで記録層にはレーザを照射することによって相変化
するもの、バブルを形成するもの、磁化反転するもの等
が挙げられるが、特に前述の希土類−遷移金属の非晶質
合金より成る光磁気記録層はノイズレベルの改善が特性
向上の重要なポイントであり、本発明が極めて有効であ
る。そしてその基板には、ＰＭＭＡ。ポリカーボネート
２エポキシ系等の高分子樹脂基板及びガラス基板等があ
げられるが、特に安価で温度特性９寸法安定性のよいポ
リカーボネートが好んで用いられる。

また、本発明の窒素含有酸化物層を用いた光記録媒体を
形成するに際し、記録層特に前述の光磁気記録層と接す
る界面にＴＩ金金属またはこのＴｉとＣｒ及び／または
Ｒｅとの合金からなる５０Å以下、好ましくは２０Å以
下の金属薄膜を設けることは、Ｈ２Ｏ，Ｏ□なとのガス
バリヤ性を改善する上で、また界面を安定化する上で好
ましい。

特に、この層として少なくとらＴｉとＲｅを含む合金、
特に５ａｔ％以上のＲｅを含むＴｉＲｅまたはＴｌＣｒ
Ｒｅ合金が好ましい。

以上のＩｎ又は／及びＳｎの窒素含有酸化物を透明誘電
体層とした本発明により、長時間の耐候試験に於いてら
亀裂剥離の生じない、しかも記録層の酸化による特性の
低下がない高信頼性の光記録媒体を得ることができる。

以下、本発明を光磁気配ＩＪ２奴体に適用した実施例に
ついて図を参照しながら説明する。

〈実施例１．比較例１，２〉 本実施例の透明誘電体層に用いるＩｎ、Ｓｎの窒素含有
酸化物膜と［７て窒素含有ＩＴＯ（インジ’７ム、ａ酸
化物）　膜（ＩＴＯＮ）（ｆｆａｓｌ　）　をＲｆマグ
ネトロンスパッタ装置により、ＩＴＯ（ＳｎＯｚ含有量
１０［１０１％）をターゲットとして、窒素を含有した
アルゴンガスを導入した窒素雰囲気下の反応性スパッタ
リングにより、ポリカーボネート基板上に成膜して評価
しな。なおスパッタ条件はスパッタガス組成がＡ　ｒ　
／　Ｎ　ｔ　＝　９０／　１０（ＶＯＩ％）、スパッタ
ガス圧が２＋ｍｍＴＯｒｆ。スバヅタバワーが４Ｗ／−
であった。

得られたＩＴＯＮｖの窒素含有量は反応炉の入口部温度
を９００℃に設定Ｉ７たドーマン法により分析した結果
よりＳａｔ％であった。そしてこのＩＴＯＮ膜を２００
０人膜厚に形成してＸ線解析１７た結果アモルファスで
あることが確認された。更にその内部応力を、薄膜を顕
Ｒ鏡用カバーガラス上に形成し１４反りの程度を測定し
、その反り量から計算する方法により測定した。その結
果を第１表に示す。

次に上記ＩＴＯＮ膜を透明誘電体層とした５、２５′の
ディスク状の光磁気記録媒体（実施例１）を作成し、評
価した。

第１図は、実施例１の光磁気記録媒体の構成を示す断面
図である。第１図において、０ηはポリカーボネート基
板、（Ｉ２は１述のようにして形成したＩＴＯＮ膜（膜
厚は８００人）よりなる透明誘電体層、ａ３は同じスパ
ッタリング法によりＡ　ｒ　１００％ガスを用いて形成
したＴ１膜（膜厚２０人）からなる金Ｒ保護層、陸は同
じスパッタリング法によりＡ　ｒ　１００％ガスを用い
て形成したＴ　ｂ　２３　Ｆ　ｅ　ａ６ＣＯ１１非晶質
合金膜（１１！厚４００人）かちなる記録層、固は同じ
スパッタリング法によりＡ　ｒ　１００％ガスを用いて
形成した′ｒｉ膜（膜厚ｔｏｏｏ入）からなる背面保護
層である。

上記実施例１の光磁気記録媒体についてｌＯ℃９０％Ｒ
，Ｈの耐候試験を行なった２通常記録層Ｖ４＋の材料が
酸化した場合１．保持力、カー回転角が低下するが、実
施が１１の光磁気記録媒体は１０００時間以−Ｅ亀裂、
剥離および保持力、カー回転角の劣化は認められなかっ
た。又本実施例１のノイズレベルを測定したところ第１
表の結果を得た。

比較の為にＩＴＯターゲットをＡ　ｒ　１００％及びＡ
　ｒ　／　Ｏｚ　＝　９０／　１０　（ｖｏ１％）の雰
囲気中テスパッタリングして形成した各ＩＴＯ膜（比較
例１゜２）の評価を行なった７成膜東件はスパッタガス
以外全て実施例と等しくした。

形成したＩＴＯ膜（膜厚２０００人）をＸ線解析した結
果、比較例１のＡ　ｒ　１００％、比較例２のＡｒ／　
Ｏｚ　＝　９０／　１０の各雰囲気中で形成した各ＩＴ
Ｏ膜は両者とも膜が結晶化していることが確認された。

更に第１表に上記条件で成膜した比較例１．２の各誘電
体膜の内部応力及び実施ＰＡｌのＩＴＯＮに替えてこれ
を用いた同構成の光磁気記録媒体のノイズレベル測定結
果を示した。なお、表のノイズレベルは１ｍＷをＯｄＢ
の基準にとった場合のｄＢｒｒ＋で示しである。また、
ノイズレベルはディスク回転１８００ｒｕ　、記録周波
数２ＭＨｚ、ディスク位置３０　ｍｒ＝　Ｒ，、またス
ペクトルアナライザー人力インピーダンスは５０Ωの条
件で得た侍であるやこれによれば比較例の従来のＩＴＯ
膜は本発明の実施例のＩＴＯＮＭに比べ内部応力、ノイ
ズレベル何れも大きく本発明によってこれらが改善され
るごどが確認された。また５１−ンネル顕微鏡により実
施例及び比較例で作成した誘電体膜の表面を観察したと
ころ、ＩＴＯＮ膜は極めてなめらか、一方ＩＴＯ膜は荒
れが大きく構造の違いが示された。

第１表 （実施例２．３及び比較例３） 透明誘電体層に用いるＩｎ、Ｓｎの窒素含有酸化物膜と
して、窒素含有Ｉ　ｎ２０３　（Ｉ　ｎ０Ｎ）膜〈実施
例２）９実施例１とは窒素含有量の異なるＩＴＯＮ膜（
実施例３）を、実施例１と同様にＲＦマグネトロンスバ
・ｙり装置により、Ｉｎ２Ｏ３及びＩＴＯ（ＳｎＱ２含
有Ｊｌ　：　１０ｉｏＩＸ）の焼結体を夫々ターゲラＦ
−Ｌ、窒素雰囲気下の反応性スパッタリングによりポリ
カーボネート基板上に成膜して評価した。なおニスバッ
タ条件は、スパッタガス組成がＡ　ｒ　／　Ｎ　ｚ　＝
　５０／　５０（ＶｏｌＸ）。

スパッタガス圧が２ｍ＋Ｔａｒｒ、スパッタパワーが６
ｗ　／　ｄであった。

得られた膜の窒素Ｎ有量は前記ドーマン法の結果より、
Ｉ　ｎＯＮｇが１０ａｔ％、ｒ’ｒｏＮｇが９８ｔ％で
あった。又、酸素の含有量はＩ　ｎＯＮ膜が５゜ａｔ％
、ＩＴＯＮ膜が５１ａｔ％であった。又Ｘ線解析の結果
より両者共にアモルファスであることが確認された。更
に各サンプルの内部応力を測定した結果を第２表に示す
。

次いで第１図の実施例１と透明誘電体層０２を上述のＩ
ｎＯＮｇ（実施例２）、ＩＴＯＮｇ（実施例３）とした
以外は全く同じ構成の光磁気記録媒体を作成し、評価し
た。

上記実施例の光磁気記録媒体について７０℃９０％Ｒ，
Ｈの耐候試験を行なった。その結果通常記Ｂ層０３の材
料が酸化した場合、保持力、カー回転角が低下するが実
施例２．３共に５００時間以上亀裂。

剥離および保持力、カー回転角の劣化は認められなかっ
た。又、反りの発生もなかった。

比較のため、透明誘電体層として公知のＡＩＮ。

ＳｉＮを実施例２．３のＩｎ０Ｎ、ＩＴＯＮと同じスパ
ッタ粂件下で作成し、その内部応力を測定すると共に、
第１図の実施例１の透明誘電体層（１２にＡＩ　Ｎ　（
比較ρｆ３）、５ｉＮ（比較例４）を用いた以外は実施
例１と同ｉ二構成の光磁気記録媒体を作成し、実施例２
．３と同粂件で耐候試験を行なった。その結果、比較例
３，４共に亀裂は認められなかったものの５０時間程度
で特性の劣化が確認されたやなお、内部応力の測定結果
を第２表に示す。

同表により明らかな通り本発明のＩｎ、Ｓｎの窒素含有
酸化物は、内部応力が従来の代表例であるＡｕＮ、Ｓｉ
Ｈに比べ数分の１以下に低下しており、反り、耐久性の
面で良好な結果が得られたのは、この内部応力の低下が
寄与していると考えられる。

第２表 以外は２、第１図の実施例と全く同じ梢成の光磁気記録
媒体を作成し、実施例２，３と同じ条件の耐候試験を行
なった７その結果１０００時間以」２．保持力。

カー回転角、剥離等の目視検査において劣化は認められ
なかった。

（実施例４） 本実施例では、透明誘電体層として実施例３と同様のＩ
　ｎ０ＮＩＴＡを以下のようにして作成した。

ターゲットにＩ　ｎｚ　０３　／　Ｉ　ｎ　Ｎ　＝５０
１５０　（１１０１％）の焼成体ターゲットを用い、Ｒ
ｆマグネトロンスパッタリング法によってＩｎ０Ｎｌｌ
Ｑとポリカーボネート基板」二に形成した。

膜の形成条件は、スパッタガス圧２ｍＴＯｒｒ、スパッ
タパワー３　Ｗ／＆　、スパッタガスは誘電体膜形成時
は、Ａ　ｒ　／　Ｎｚ　＝５０１５０．その他は、Ａｒ
１００％としな。

そして、このＩ　ｎＯＮ膜を透明誘電体層どした（実施
例５〜７．比較例５） 透明誘電体層に用いるＩｎの窒素含有酸化物に高屈折率
の透明誘電体を添加した膜と［７て第３表に示すように
Ｉ　ｎｚ　Ｏｓ　　（９９，９％）単独及びＩ　ｎｚ　
０３　　（９９，９％）にそれぞれＺ　ｎ　Ｓ　（９９
，９％）。

Ｔａｚ　Ｏｓ　　（９９，９％）を４０　ｍｏ１％添加
し焼結した４″ターゲツトを作成した。それぞれのター
ゲットを用いＲＦマグネトロンスパッタリング法により
、スライドガラス」二に窒素含有酸化物からなる透明薄
膜を形成した。形成条件はスパッタガス圧１０關ｔｏｒ
ｒ、スパッタパワー３　Ｗ／ｃｄ　、スパッタガスはＡ
　ｒ　／　Ｎ、　＝７０／３０であった。できた膜の屈
折率を第３表に示す。また比較例５として同じＩ　ｎｚ
　０３ターゲツトを用いスパッタガスを、Ａ　ｒ１００
％とし、その他は前述の実Ｍｍｌと同じ条件で酸化イン
ジウム膜を作成し評価した。結果を同表に示す。

更に上述と同一条件で５．２５″のディスク状ポリカー
ボネート基板ａ１）」−に透明誘電体層ａ２として−１
−述のそれぞれの誘電体膜を７００人形成Ｉ〜な後、同
じＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＴ　ｌ　５
０　Ｒｅ　５０　（添字ａｔｅ）ターゲット及びＴ　ｂ
　２３　Ｆ　ｅ　ｅｓ　Ｃ０１１キ金（添字ａｔｘ）の
ターゲラｌ−より、スパッタガス圧１０ｍｐＴＯｒｒ、
スパッタパワー３Ｗ／ｃｄ、スパッタガスＡ　ｒ　１０
０％の条件でｙＡ厚１５人のＴｉＲｅ合金からなる金属
薄膜層０３及び膜厚８００＾のＴｂＦｅＣｏ合金からな
る記録層（５）を順次形成した。その後、背面保護層（
′１９として再びそれぞれ透明誘電体層０３に用いたの
と同じ誘電体ターゲットを用いて透明誘電体層０２と同
−条件で膜厚７００人の誘電体保護層形成し、第１図と
同様のディスク状媒体を得た。これらザンプルについて
半導体レーザピックアップ（波長：８３０ｎｌ）による
反射率を測定した。この結果も第３表に示すや第３表 第３表より単なる窒素含有酸化物の実施例５．高屈折率
の誘電体を添加して形成したＩｎの窒素含有酸化ｅｌ膜
の実施例６，７は従来の単なる酸化物の比較例５に対し
てその屈折率が向上し、反射率の下ったディスクが得ら
れることがわかる。特に実施例６．７においてその効果
は顯著である。

（実施例８） ５．２５″のディスク状ポリカーボネート基板０１）上
に、ＩＴＯターゲット（ＳｎＯｚ含有量２０ｉｏ１％）
を用い、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により下記
条件下で７００人の窒素含有酸化物の透明誘電体層［’
１２を形成した。形成条件はスパッタガス圧１０市Ｔｏ
ｒｒ、スパッタパワー３　Ｗ／ｃｄ　、スパッタガスは
Ａ　ｒ　／　Ｎ　ｚ　−７０／　３０であった０次に金
属薄膜層（′１３及び記録層３４）として同じ＜Ｆ？、
Ｆマグネトロンスパッタリング法によりＴ　ｌ　６０Ｃ
ｌ：’　３０Ｒｅ　１０’＃金ターゲツト（添字ａｔＸ
）及びＮｄ５Ｄｙ１５Ｔｂ８Ｆ　ｅ　ｅ　ｏ　ＣＯ１２
合金ターゲット（添字ａｔｘ）より、スパッタガス圧１
０ｍｍＴＯｒｒ、スパッタパワー３　Ｗ／ａａ　。

スパッタガスＡ　ｒ　１００％の条件で、それぞれ膜厚
１５人のＴ１ＣｒＲｅ合金膜及び膜厚２００人のＮｄＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ合金膜を順次形成した。

次に第１図の背面保護層ａ〜を兼ねて再びＩＴＯターゲ
ット（ＳｎＯ２含有凰２０ｎｏ１％）を用い前記透明誘
電体層ａ２と同−条件で３００人の膜厚の第２の透明誘
電体層を形成した後、最後に再び’ｒ’　ｉ　ｅ。

Ｃｒ３ｏ　Ｒｅ　１ｏ合金ターゲットを用い金属薄膜層
０３のＴ１ＣｒＲｅ合金膜と同−条件で５００人の膜厚
の金属反射膜層を形式しファラデイー効果も利用できる
第１図の背面保護層部が２Ｆｒ１構成になったディスク
媒体を形成した。ディスクの反射率は１２％でノイズレ
ベルが一５９ｄＢｎのノイズの低いディスクが形成でき
た。

〈発明の効果〉 以上の様に本発明によれば亀裂、剥離が生じない、また
ガスバリア性の良好なため記録層の劣化のない、しかも
膜の内部応力に起因するディスクの反りが少なく光学特
性に優れた光記録媒体が得られる。このように本発明は
光記録媒体の実用化に大きな寄与をなすものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例の光磁気記録媒体の積層構成の１例を示
す側断面図である。 １１：ポリカーボネート基板 １２二透明誘電体層 １３：金属保護層 １４：記録層 １５：″Ｊ１面保護層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、保護層又は／及びエンハンス層として透明誘電体層
   を有する光記録媒体において、前記透明誘電体層がイン
   ジウム又は／及び錫の窒素含有酸化物からなることを特
   徴とする光記録媒体。 ２、前記窒素含有酸化物がアモルファスである請求項第
   １項記載の光記録媒体。 ３、前記窒素含有酸化物の窒素含有量が４０ａｔ％以下
   である請求項第１項記載の光記録媒体。 ４、透明高分子基板上に前記窒素含有酸化物層、Ｔｉ単
   独、またはＣｒ、Ｒｅの一方若しくは双方とＴｉとの合
   金からなる金属薄膜層、光磁気記録層、保護層を順次積
   層した請求項第１項記載の光記録媒体。 ５、請求項第１項〜第４項記載のいずれかの光記録媒体
   の製造方法において、前記窒素含有酸化物層を、インジ
   ウム又は／及び錫の酸化物をターゲットとし、不活性ガ
   スに窒素を含有させた反応性ガスよりなる窒素雰囲気下
   のスパッタリングより形成することを特徴とする光記録
   媒体の製造方法。