JPS63167450A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録等に好適な光磁気媒体に関する。

（従来の技術） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イレ
ーザブル（Ｋｒａｓａｂｌｅ　）　　型メモリーは、光
磁気記録媒体が最も実用化に近い段階にいる。光磁気記
録媒体としては総合的な特性から見て、希土類、遷移金
属薄膜が最も優れているが、致命的欠陥として耐食性に
欠けるという欠点が挙げられる。

すなわち、腐食に伴ない高密度記録の必要条件である保
磁力の低下や高ｓ　／　Ｎ比の必要条件であるカー回転
角の減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事と
なる。

従来、その対策としては２つの方法がとられてきた。即
ち、 （１）磁性層に添加物を添加して耐食性を向上する０ （１１）保護膜を形成し耐食性を向上する。

本発明は上記コ方法のうち保護膜を用いる方法に注目し
なされたものである。

この場合、基板側の保護膜に間しては信号品質を高める
ために光の高透過率（吸収係数が低い）、高屈折率のも
のが望まれ、さらに記録感度向上のために低熱伝導性の
ものが好ましい材料となる。保護膜としては、　　Ｓｉ
ｎ、　　などが知られているがこれは屈折率が極めて低
（（／ｊｃ〜１．ｓ　）て、上記の条件に適合しない。

次にＳｉＯなとの酸素の欠乏したＳｌ　酸化物が考えら
れているが、これはあるＳｌと０　の比よｐ酸素が多す
ぎれば磁性層と８１０層が反応し磁気光学特性を劣化さ
せ、少なすぎれば樹脂基板との密着性が下がるという欠
陥がある。

さらに、上記酸化物系以外の保護膜として、ＡｊＮ　、
　　Ｓｉ、Ｎ、をはじめとする窒化物膜は酸素を含有し
ない材質であシ、従って磁性層を酸化させることが少な
いので、良好な保護特性をもつことが明らかにされてき
た。しかしながら、窒化物は熱伝導性が極めて高く、記
録媒体へのレーザー照射時に熱の逃げの大きいこと樹脂
基板との接着性が悪く、そのために高温高湿下での剥離
が問題であった。

更に、光磁気媒体は、合成樹脂やガラス等を基板として
用い、これに磁性層を設けた構造とされているが、特に
基板をポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の合成樹
脂とした場合、基板に含有されていたシ、透過してくる
微量の空気や水分等による磁性層の劣化が問題と々るの
で、保護層は磁性層や基板と親和性があシ、水分や空気
を透過せず、自身も水分や空気等によシ劣化することが
ないものであることが要求される。

本発明は上述のような諸問題、すなわち、磁性層と外界
とを完全に遮断し、しかも磁性層との界面反応性が少な
くて、磁性層及びポリカーボネート等の合成樹脂基板と
の親和性に優れ、自身が水分や空気によって劣化するこ
とがなく、熱伝導率が低く、屈折率の大きい、しかも成
膜が効率的に行なえる保護膜を提供するべくなさ°れた
ものである。

本発明者らはＴａ　酸化物の化学的安定性、低熱伝導性
、高屈折率に着目して検討した結果十分に磁性層との反
応が少なく安定な保護膜となることを見出し、本発明に
到達した。

すなわち、本発明の要旨は、基板上に光磁気活性層（磁
性層）を設けてなる光磁気媒体において、タンタルの酸
化物を含有する保護層を基板と磁性層との間に設けたこ
とを特徴とする光磁気媒体にある。

（発明の構成） 以下、本発明の詳細な説明する。

まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属が挙げられる。

基板の厚みは１〜コ謹糧度が一般的である。

この基板上に設けられる光磁気記録層としては、たとえ
ば、　　ＤｙＦｅＣ！ｏ　、　ＴｂＦｅ０ｏ　％ＴｂＣ
ｏなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金、及びＭｎ
Ｂ１、Ｍｎ（！ｕＢｉなどの多結晶垂直磁化膜が用いら
れる。特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効果的であ
る。

本発明においては、上記基板と光磁気活性層の間にタン
タルの酸化物を保護膜として形成させる。

本発明に係る光磁気媒体を光磁気記録媒体として用いる
場合、上記の複合酸化物保護層は透明性と屈折率に優れ
るため記録、再生光入射側に配置して用いるのが望まし
い。多く、の場合記録再生光は基板側から入射させるの
で、本発明の保護膜は多くの場合基板上に堆積される。

ポリカーボネート等の合成樹脂を基板とした場合には、
基板側からの水分や空気の浸入が考えられるので、基板
と磁性層との間に本発明の保護層を設ける必要がある。

基板と磁性層間には本Ｔａ酸化物層のみ、または木屑と
接着性改良のための層をＴａ　酸化物層と基板の間に挿
入する。但しこの接着層は３ｏｏ′ｊ−以下が好ましい
０ 本発明の保護層を磁性層の１面に採用し、他面側を他の
保護層とすることも考えられ、その場合ＢＮ％Ｓｉ３Ｎ
４　、ＴｉＮ％ＺｒＮ、　　ＮｂＮ、　　ＴａＮなどの
チツ化物、または、ＴｉＯ、ＮｂＣ、ＴａＣ％Ｍｏ、ｃ
などの炭化物、Ｔａ８１ｇ、０ｒＢ１１．０ｏＳｉ、、
ＶＳｉ、、ＴｉＳｉ２　、Ｔａ、、１８１　　などのケ
イ化物及び５１０７、ＳｉＯ等が保護層として用いるこ
ともできる。

勿論本発明の保護層を他面に用いてもよい。

本保護膜の製法としては物理的蒸着法（ｐｖＤ）、化学
的蒸着法（ＣＶＤ）、スピンコードなどの湿式塗布法な
どが考えられる。

ＰＶＤには電子ビーム蒸着法スパッタリング法、イオン
ブレーティング法等が知られている。

スパッタリング法で保護膜を形成するにはＴａ、Ｏ，な
どの酸化物ターゲットを用いる方法とＴａ　金属ターゲ
ットを酸素と不活性ガス中でスパッターする反応性スパ
ッターが知られておシ、後者の方が高速製膜に適する。

本発明のタンタル酸化物は緻密に作製しないとメンタル
酸化物中の酸素が磁性層と反応し、特性を劣化させるた
め緻密な膜を作る必要がある。またこれは高屈折率な膜
を得るためＫも効果がある。

この目的のためにはＰＶＤ中スパッタリング法、イオン
ブレーティング法（イオンビーム照射も同様）が適する
。特にスパッタリング法で本タンタル酸化物膜を作製す
る際は、膜が透明で且つ膜応力が極端に高くならない範
囲でできるだけスパッターガス圧を低くした方がよい。

好ましいガス圧としてはＩＩ　ｍ　ｔｏｒｒ　程度以下
がよい。

次にタンタル酸化物の磁性層等との界面状態を改質する
目的で高エネルギー粒子（／〜ｉｏ。

θＶの運動エネルギー）で表面を衝撃する。この方法は
高エネルギー粒子が得られればどのような方法でもよい
が、通常のスパッタリング装置ではプラズマエツチング
処理機構が備っておシ、これによシ基板側にプラズマを
たてＡｒ　ガスで作製した薄膜を衝撃するという手段を
とる。

エツチング時間としては、Ｏ８／〜／Ｗ／ｄｉで７分か
らコＯ分程度が代表的な値である。

（実施例） 実施例／、比較例／ ！“φの”ｒａＲｏ、を真空槽内カソードに堆シつけポ
リカーボネート基板を装着し、？、ｏ×ｉｏ’ｔｏｒｒ
　　ｉで排気後Ａｒ　　ガスをｊ　０８Ｃ（４Ｍ　　流
入させ、真空槽を八〇　ｍ　ｔｏｒｒ　　とした。予備
スパッター後高周波電力（／　Ｊ、！　ｔ　ＭＨｚ　）
　ｊ　００　Ｗを印加しスパッターした。極間距離は／
６信、基板回転数はりＯｒｐｍとした。膜厚は　１００
０スであった。次にＡｒ　簿量／　ｒ　ＳｃｃＭ　１Ａ
ｒ　　ガス圧３．Ｏｍ　ｔｏｒｒ　で基板側によＯＷの
高周波電力を投入し！分間エツチング処理した。

次にＴｂＦｅＣｏ層をｒｏｏｇ形成し上述と同一条件で
保護層を１ｏｏｏ′ｊ−形成した。比較例として同様の
条件でアルミニウム酸化物を用いた光磁気媒体を作製し
た。

得られた媒体はキャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ　）、記録
感度に優れたものが得られた。

測定法：　差動法検出 記録条件 ｒ　＝　４４１ｍ、６００　ｒｐｍ ヒツト長　　！、０μｍ ２次歪最小になるレーザーパワーを記録感度とした。

再生条件 ｒ＝ｕｊｍ、／ｒ００ｒｐｍ レーザーパワー　１．４ＡｍＷ （発明の効果） 本発明によれば、耐食性、記鋒感度信号品質に優れ且つ
生産しやすい光磁気媒体が得られる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に磁性層を設けてなる光磁気記録媒体にお
   いて、タンタルの酸化物を含有する保護層を基板と磁性
   層との間に設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）タンタル酸化物層の磁性層に接する表面を磁性層
   形成前にプラズマエッチング処理してなる特許請求の範
   囲第１項記載の光磁気記録媒体。