JP2578418B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2578418B2 JP2578418B2 JP61310116A JP31011686A JP2578418B2 JP 2578418 B2 JP2578418 B2 JP 2578418B2 JP 61310116 A JP61310116 A JP 61310116A JP 31011686 A JP31011686 A JP 31011686A JP 2578418 B2 JP2578418 B2 JP 2578418B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録等に好適な光磁気媒体を製造す
る方法に関する。
る方法に関する。
（従来の技術） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イ
レーザブル（Erasable）型メモリーは、光磁気記録方式
が最も実用化に近い段階にある。光磁気記録媒体として
は総合的な特性から見て、希土類、遷移金属薄膜が最も
優れているが、致命的欠陥として耐食性に欠けるという
欠点が挙げられる。
レーザブル（Erasable）型メモリーは、光磁気記録方式
が最も実用化に近い段階にある。光磁気記録媒体として
は総合的な特性から見て、希土類、遷移金属薄膜が最も
優れているが、致命的欠陥として耐食性に欠けるという
欠点が挙げられる。
すなわち、腐食に伴ない高密度記録の必要条件である
保磁力の低下や高S/N比の必要条件であるカー回転角の
減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事とな
る。
保磁力の低下や高S/N比の必要条件であるカー回転角の
減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事とな
る。
従来、その対策としては２つの方法がとられてきた。
即ち、 （ｉ）磁性層に添加物を添加して耐食性を向上する。
即ち、 （ｉ）磁性層に添加物を添加して耐食性を向上する。
（ii）保護膜を形成し耐食性を向上する。
本発明は上記２方法のうち保護膜を用いる方法に注目
し、なされたものである。
し、なされたものである。
この場合、基板側の保護膜に関しては信号品質を高め
るために光の高透過率（吸収係数が低い）、高屈折率の
ものが望まれ、さらに記録感度向上のために低熱伝導性
のものが好ましい材料となる。保護膜としては、SiO2な
どが知られているが、これは屈折率が極めて低く（1.4
〜1.5）て、上記の条件に適合しない。
るために光の高透過率（吸収係数が低い）、高屈折率の
ものが望まれ、さらに記録感度向上のために低熱伝導性
のものが好ましい材料となる。保護膜としては、SiO2な
どが知られているが、これは屈折率が極めて低く（1.4
〜1.5）て、上記の条件に適合しない。
次にSiOなどの酸素の欠乏したSi酸化物が考えられて
いるが、これはあるSiとＯの比より酸素が多すぎれば磁
性層とSiO層が反応し磁気光学特性を劣化させ、少なす
ぎれば樹脂基板との密着性が下がるという欠陥がある。
いるが、これはあるSiとＯの比より酸素が多すぎれば磁
性層とSiO層が反応し磁気光学特性を劣化させ、少なす
ぎれば樹脂基板との密着性が下がるという欠陥がある。
さらに、上記酸化物系以外の保護膜として、AlN、Si3
N4をはじめとする窒化物膜は酸素を含有しない材質であ
り、従って磁性層を酸化させることが少ないので、良好
な保護特性をもつことが明らかにされてきた。しかしな
がら、窒化物は熱伝導性が極めて高く、記録媒体へのレ
ーザー照射時に熱の逃げの大きいこと及び、樹脂基板と
の接着性が悪く、そのために高温高湿下で剥離し易いこ
とが問題であった。
N4をはじめとする窒化物膜は酸素を含有しない材質であ
り、従って磁性層を酸化させることが少ないので、良好
な保護特性をもつことが明らかにされてきた。しかしな
がら、窒化物は熱伝導性が極めて高く、記録媒体へのレ
ーザー照射時に熱の逃げの大きいこと及び、樹脂基板と
の接着性が悪く、そのために高温高湿下で剥離し易いこ
とが問題であった。
更に、光磁気媒体は、合成樹脂やガラス等を基板とし
て用い、これに磁性層を設けた構造とされているが、特
に基板をポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の合成
樹脂とした場合、基板に含有されていたり、透過してく
る微量の空気や水分等による磁性層が劣化することが問
題となるので、保護層は磁性層や基板と親和性があり、
水分や空気を透過せず、自身も水分や空気等により劣化
することがないものであることが要求される。
て用い、これに磁性層を設けた構造とされているが、特
に基板をポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の合成
樹脂とした場合、基板に含有されていたり、透過してく
る微量の空気や水分等による磁性層が劣化することが問
題となるので、保護層は磁性層や基板と親和性があり、
水分や空気を透過せず、自身も水分や空気等により劣化
することがないものであることが要求される。
本発明は上述のような諸問題、すなわち、磁性層と外
界とを完全に遮断し、しかも磁性層との界面反応性が少
なくて、磁性層及びポリカーボネート等の合成樹脂基板
との親和性に優れ、自身が水分や空気によって劣化する
ことがなく、熱伝導率が低く、屈折率の大きい、しかも
成膜が効率的に行なえる保護膜を提供するべくなされた
ものである。
界とを完全に遮断し、しかも磁性層との界面反応性が少
なくて、磁性層及びポリカーボネート等の合成樹脂基板
との親和性に優れ、自身が水分や空気によって劣化する
ことがなく、熱伝導率が低く、屈折率の大きい、しかも
成膜が効率的に行なえる保護膜を提供するべくなされた
ものである。
本発明者らはTa酸化物の化学的安定性、低熱伝導性、
高屈折率に着目して検討した結果十分に磁性層との反応
が少なく、安定な保護膜となることを見出し、本発明に
到達した。
高屈折率に着目して検討した結果十分に磁性層との反応
が少なく、安定な保護膜となることを見出し、本発明に
到達した。
すなわち、本発明の要旨は、基板上に保護層と磁性層
を設けてなる光磁気媒体を製造するに当り、基板上にタ
ンタルの酸化物からなる保護層を設けた後、保護層の表
面をArガスでプラズマエッチング処理し、その面に接し
て磁性層を設けることを特徴とする光磁気媒体の製造方
法にある。
を設けてなる光磁気媒体を製造するに当り、基板上にタ
ンタルの酸化物からなる保護層を設けた後、保護層の表
面をArガスでプラズマエッチング処理し、その面に接し
て磁性層を設けることを特徴とする光磁気媒体の製造方
法にある。
（発明の構成） 以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラ
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はアルミニウム等の金属が挙げられる。
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はアルミニウム等の金属が挙げられる。
基板の厚みは１〜2mm程度が一般的である。
この基板上に設けられる光磁気記録層としては、たと
えば、DyFeCo、TbFeCo、TbCoなどの希土類と遷移金属の
非晶質磁性合金、及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁
化膜が用いられる。特に希土系の合金磁性膜に用いて大
変効果的である。
えば、DyFeCo、TbFeCo、TbCoなどの希土類と遷移金属の
非晶質磁性合金、及びMnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁
化膜が用いられる。特に希土系の合金磁性膜に用いて大
変効果的である。
本発明においては、上記基板と光磁気活性層の間にタ
ンタルの酸化物を保護膜として形成させる。
ンタルの酸化物を保護膜として形成させる。
本発明に係る光磁気媒体を光磁気記録媒体として用い
る場合、上記の複合酸化物保護層は透明性と屈折率に優
れるため記録、再生光入射側に配置して用いるのが望ま
しい。多くの場合記録再生光は基板側から入射させるの
で、本発明の保護膜は多くの場合基板上に堆積される。
る場合、上記の複合酸化物保護層は透明性と屈折率に優
れるため記録、再生光入射側に配置して用いるのが望ま
しい。多くの場合記録再生光は基板側から入射させるの
で、本発明の保護膜は多くの場合基板上に堆積される。
ポリカーボネー等の合成樹脂を基板とした場合には、
基板側からの水分や空気の侵入が考えられるので、基板
と磁性層との間に本発明の保護層を設ける必要がある。
基板と磁性層間には本Ta酸化物層のみ、または本層と接
着性改良のための層をTa酸化物層と基板の間に挿入す
る。但しこの接着層は300Å以下が好ましい。
基板側からの水分や空気の侵入が考えられるので、基板
と磁性層との間に本発明の保護層を設ける必要がある。
基板と磁性層間には本Ta酸化物層のみ、または本層と接
着性改良のための層をTa酸化物層と基板の間に挿入す
る。但しこの接着層は300Å以下が好ましい。
本発明の保護層を磁性層の１面に採用し、他面側を他
の保護層とすることも考えられ、その場合BN、Si3N4、T
iN、ZrN、NbN、TaNなどのチッ化物、または、TiC、Nb
C、TaC、Mo2Cなどの炭化物、TaSi2、CrSi2、CoSi2、VSi
2、TiSi2、Ta4.5Siなどのケイ化物及びSiO2、SiO等が保
護層として用いることもできる。勿論本発明の保護層を
他面に用いてもよい。
の保護層とすることも考えられ、その場合BN、Si3N4、T
iN、ZrN、NbN、TaNなどのチッ化物、または、TiC、Nb
C、TaC、Mo2Cなどの炭化物、TaSi2、CrSi2、CoSi2、VSi
2、TiSi2、Ta4.5Siなどのケイ化物及びSiO2、SiO等が保
護層として用いることもできる。勿論本発明の保護層を
他面に用いてもよい。
本保護膜の製法としては物理的蒸着法（PVD）、化学
的蒸着法（CVD）、スピンコートなどの湿式塗布法など
が考えられる。
的蒸着法（CVD）、スピンコートなどの湿式塗布法など
が考えられる。
PVDには電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法等が知られている。スパッタリング
法で保護膜を形成するにはTa2O5などの酸化物ターゲッ
トを用いる方法とTa金属ターゲットを酸素と不活性ガス
中でスパッターする反応性スパッターが知られており、
後者の方が高速製膜に適する。
ンプレーティング法等が知られている。スパッタリング
法で保護膜を形成するにはTa2O5などの酸化物ターゲッ
トを用いる方法とTa金属ターゲットを酸素と不活性ガス
中でスパッターする反応性スパッターが知られており、
後者の方が高速製膜に適する。
本発明のタンタル酸化物は緻密に作製しないとタンタ
ル酸化物中の酸素が磁性層と反応し、特性を劣化させる
ため、緻密な膜を作る必要がある。またこれは高屈折率
な膜を得るためにも効果がある。
ル酸化物中の酸素が磁性層と反応し、特性を劣化させる
ため、緻密な膜を作る必要がある。またこれは高屈折率
な膜を得るためにも効果がある。
この目的のためにはPVD中スパッタリング法、イオン
プレーティング法（イオンビーム照射も同様）が適す
る。特にスパッタリング法で本タンタル酸化物膜を作製
する際は、膜が透明で且つ膜応力が極端に高くならない
範囲でできるだけスパッターガス圧を低くした方がよ
い。好ましいガス圧としては4m torr程度以下がよい。
プレーティング法（イオンビーム照射も同様）が適す
る。特にスパッタリング法で本タンタル酸化物膜を作製
する際は、膜が透明で且つ膜応力が極端に高くならない
範囲でできるだけスパッターガス圧を低くした方がよ
い。好ましいガス圧としては4m torr程度以下がよい。
次にタンタル酸化物の磁性層等との界面状態を改質す
る目的で高エネルギー粒子（１〜100eVの運動エネルギ
ー）で表面を衝撃する。通常のスパッタリング装置では
プラズマエッチング処理機構が備わっており、これによ
り基板側にプラズマをたてArガスで、作製した薄膜を衝
撃するという手段をとる。エッチング時間としては、0.
1〜1W/cm2で１分から20分程度が代表的な値である。
る目的で高エネルギー粒子（１〜100eVの運動エネルギ
ー）で表面を衝撃する。通常のスパッタリング装置では
プラズマエッチング処理機構が備わっており、これによ
り基板側にプラズマをたてArガスで、作製した薄膜を衝
撃するという手段をとる。エッチング時間としては、0.
1〜1W/cm2で１分から20分程度が代表的な値である。
（実施例） 実施例１、比較例１ ５″φのTa2O5を真空槽内カソードに取りつけポリカ
ーボネート基板を装着し、9.0×10-1torrまで排気後Ar
ガスを30SCCM流入させ、真空槽を1.0mtorrとした。予備
スパッター後高周波電力（13.56MHz）500Wを印加しスパ
ッターした。極間距離は16cm、基板回転数は90rpmとし
た。膜厚は1000Åであった。次にAr流量18SCCM、Arガス
圧3.0m torrで基板側に50Wの高周波電力を投入し５分間
エッチング処理した。
ーボネート基板を装着し、9.0×10-1torrまで排気後Ar
ガスを30SCCM流入させ、真空槽を1.0mtorrとした。予備
スパッター後高周波電力（13.56MHz）500Wを印加しスパ
ッターした。極間距離は16cm、基板回転数は90rpmとし
た。膜厚は1000Åであった。次にAr流量18SCCM、Arガス
圧3.0m torrで基板側に50Wの高周波電力を投入し５分間
エッチング処理した。
次にTbFeCo層を800Å形成し上述と同一条件で保護層
を1000Å形成した。比較例として同様の条件でアルミニ
ウム酸化物を用いた光磁気媒体を作製した。
を1000Å形成した。比較例として同様の条件でアルミニ
ウム酸化物を用いた光磁気媒体を作製した。
得られた媒体はキャリア対ノイズ比（C/N）、記録感
度に優れたものが得られた。
度に優れたものが得られた。
測定法：差動法検出 記録条件 ｒ＝45mm、600rpm ヒット長 5.0μｍ ２次歪最小になるレーザーパワーを記録感度とした。
再生条件 ｒ＝45mm、1800rpm レーザーパワー 2.4mW （発明の効果） 本発明によれば、耐食性、記録感度信号品質に優れ且
つ生産しやすい光磁気媒体が得られる。
つ生産しやすい光磁気媒体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 行男 横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 小松 昌生 横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成 工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−34747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−16439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−243150（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−281139（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に保護層と磁性層とを設けてなる光
磁気記録媒体を製造するに当り、基板上にタンタルの酸
化物からなる保護層を設けた後、保護層の表面をArガス
でプラズマエッチング処理し、その面に接して磁性層を
設けることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310116A JP2578418B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310116A JP2578418B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP311494A Division JPH07182711A (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63167450A JPS63167450A (ja) | 1988-07-11 |
| JP2578418B2 true JP2578418B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=18001369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310116A Expired - Fee Related JP2578418B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578418B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| TW527592B (en) | 2001-03-19 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording media, and the manufacturing method and record regeneration method of the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS6132242A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-14 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
| JP2662389B2 (ja) * | 1986-04-15 | 1997-10-08 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPH071559B2 (ja) * | 1986-05-30 | 1995-01-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 光磁気ディスク |
| JPS6310358A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-16 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6316439A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体の製造法 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61310116A patent/JP2578418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63167450A (ja) | 1988-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |