JPH0216419Y2 - - Google Patents
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- JPH0216419Y2 JPH0216419Y2 JP16651183U JP16651183U JPH0216419Y2 JP H0216419 Y2 JPH0216419 Y2 JP H0216419Y2 JP 16651183 U JP16651183 U JP 16651183U JP 16651183 U JP16651183 U JP 16651183U JP H0216419 Y2 JPH0216419 Y2 JP H0216419Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、レーザ光等の熱及び光を用いて情報
の記録、再生を行う光磁気記録担体（以下、「記
録担体」という。）に関するものである。
の記録、再生を行う光磁気記録担体（以下、「記
録担体」という。）に関するものである。
従来、この種の光磁気記録担体としては、第１
図〜第３図に示すようなものがあつた。先ず、
（１）第１図で示すように、ガラス等の透明基板
１上に、スパツタ法によりMnBi，PtCo，
TbFeO3，GdIG，GdCo，GdFe，TbFe，
GdTbFe，CrO2等の磁気記録層２を形成し、さ
らに、磁気記録層２上に均一に塗布、乾燥し、カ
ーボンブラツクを混入した不透明で黒色のフエノ
ール樹脂の保護層３を形成する。次に、（２）第
２図によれば、ガラス等の透明基板１上に、パリ
レンや高分子材料の断熱反射防止層４を真空蒸着
法により形成し、その断熱反射防止層４上にスパ
ツタ法により磁気記録層２を形成し、最後に、磁
気記録層２上に防湿層５を形成している。さら
に、（３）第３図によれば、透明基板１上にスパ
ツタ法により磁気記録層２を形成し、磁気記録層
２上にAl，Agの反射性保護層６を形成する。
図〜第３図に示すようなものがあつた。先ず、
（１）第１図で示すように、ガラス等の透明基板
１上に、スパツタ法によりMnBi，PtCo，
TbFeO3，GdIG，GdCo，GdFe，TbFe，
GdTbFe，CrO2等の磁気記録層２を形成し、さ
らに、磁気記録層２上に均一に塗布、乾燥し、カ
ーボンブラツクを混入した不透明で黒色のフエノ
ール樹脂の保護層３を形成する。次に、（２）第
２図によれば、ガラス等の透明基板１上に、パリ
レンや高分子材料の断熱反射防止層４を真空蒸着
法により形成し、その断熱反射防止層４上にスパ
ツタ法により磁気記録層２を形成し、最後に、磁
気記録層２上に防湿層５を形成している。さら
に、（３）第３図によれば、透明基板１上にスパ
ツタ法により磁気記録層２を形成し、磁気記録層
２上にAl，Agの反射性保護層６を形成する。
しかしながら、前記（１）の記録担体は、保護
層３として、カーボンブラツクを混入したフエノ
ール樹脂を使用しているため、透明基板１側より
入射したレーザ光等の光のエネルギは、一部は磁
気記録層２を透過し、保護層３に吸収されてしま
い、入射した光のエネルギを磁気記録層に効率よ
く取り込むことができず、記録感度の低下、ばら
つきが生じてしまう欠点があつた。また、保護層
３の形成法として、塗布、乾燥をするため、作業
工程が多く、生産性が悪い欠点があつた。次に、
前記(2)の記録担体は、パリレンや高分子材料の断
熱反射防止層４を磁気記録層２に真空蒸着法によ
り密着形成して、レーザ光等の光エネルギの効率
を高めるように工夫はなされているが、真空蒸着
されたパリレンや高分子材料は吸水性が高く、磁
気記録層を劣化させる欠点があつた。また、前記
（２）の記録担体は、断熱反射防止層４を真空蒸
着法で形成し、磁気記録層２をスパツタ法で形成
しているため、同一装置内で連続形成をすること
が困難である。その結果、作業工程が多くなるの
で、ゴミやホコリの影響を受けて、各層にピンホ
ールなどの欠陥も発生しやすい欠点があつた。さ
らに、前記(3)の記録担体は、反射性保護層６とし
て、Al，Agの材料を使用しているが、透明基板
１側より入射したレーザ光等の光エネルギの一部
は、磁気記録層２を透過し、反射性保護層６によ
り反射されて一見効率よくなされているようであ
るけれども、反射性保護層６が熱伝導性のよい金
属であるため、磁気記録に必要な熱エネルギは反
射性保護層６に奪われてしまい、記録感度が劣化
する欠点があつた。
層３として、カーボンブラツクを混入したフエノ
ール樹脂を使用しているため、透明基板１側より
入射したレーザ光等の光のエネルギは、一部は磁
気記録層２を透過し、保護層３に吸収されてしま
い、入射した光のエネルギを磁気記録層に効率よ
く取り込むことができず、記録感度の低下、ばら
つきが生じてしまう欠点があつた。また、保護層
３の形成法として、塗布、乾燥をするため、作業
工程が多く、生産性が悪い欠点があつた。次に、
前記(2)の記録担体は、パリレンや高分子材料の断
熱反射防止層４を磁気記録層２に真空蒸着法によ
り密着形成して、レーザ光等の光エネルギの効率
を高めるように工夫はなされているが、真空蒸着
されたパリレンや高分子材料は吸水性が高く、磁
気記録層を劣化させる欠点があつた。また、前記
（２）の記録担体は、断熱反射防止層４を真空蒸
着法で形成し、磁気記録層２をスパツタ法で形成
しているため、同一装置内で連続形成をすること
が困難である。その結果、作業工程が多くなるの
で、ゴミやホコリの影響を受けて、各層にピンホ
ールなどの欠陥も発生しやすい欠点があつた。さ
らに、前記(3)の記録担体は、反射性保護層６とし
て、Al，Agの材料を使用しているが、透明基板
１側より入射したレーザ光等の光エネルギの一部
は、磁気記録層２を透過し、反射性保護層６によ
り反射されて一見効率よくなされているようであ
るけれども、反射性保護層６が熱伝導性のよい金
属であるため、磁気記録に必要な熱エネルギは反
射性保護層６に奪われてしまい、記録感度が劣化
する欠点があつた。
本発明は、前記のような欠点を除去するために
なされたもので、入射したレーザ光の光エネルギ
の効率を高めて記録感度を向上させると共に、磁
気記録層の劣化を防止する記録担体を提供するこ
とを目的としている。
なされたもので、入射したレーザ光の光エネルギ
の効率を高めて記録感度を向上させると共に、磁
気記録層の劣化を防止する記録担体を提供するこ
とを目的としている。
本発明の特徴は、ガラス等の透明基板上に、断
熱効果を有し吸水性の低い第１の有機プラズマ重
合膜を形成し、第１の有機プラズマ重合膜上に、
磁気記録層を形成し、次に、磁気記録層上に、第
１の有機プラズマ重合膜と同様の性質を有する第
２の有機プラズマ重合膜を形成し、さらに、第２
の有機プラズマ重合膜上に、透明基板より入射
し、第２の有機プラズマ重合膜を透過した光エネ
ルギを反射する吸水性の低い材料よりなる反射性
保護層を形成したことである。
熱効果を有し吸水性の低い第１の有機プラズマ重
合膜を形成し、第１の有機プラズマ重合膜上に、
磁気記録層を形成し、次に、磁気記録層上に、第
１の有機プラズマ重合膜と同様の性質を有する第
２の有機プラズマ重合膜を形成し、さらに、第２
の有機プラズマ重合膜上に、透明基板より入射
し、第２の有機プラズマ重合膜を透過した光エネ
ルギを反射する吸水性の低い材料よりなる反射性
保護層を形成したことである。
以下、本発明の実施例を第４図に基づき詳述す
る。先ず、超精密研摩、洗浄工程を経たソーダラ
イムガラスの透明基板１を、反応装置内に配置
し、真空度1.5×10-5パスカルまで排気し、その
後、反応装置内にエチレンガスを導入して３×
10-1パスカルにし、0.3KWの高周波電力を印加し
て、高周波プラズマを発生させ、前記透明基板１
上に約1500Åのエチレンの第１の有機プラズマ重
合膜７を形成する。次に、エチレンガスの導入を
やめ、エチレンガスを排気し、真空度が３×10-1
パスカルになるようにAr等の不活性ガスを導入
し、GdTbFeのターゲツトをスパツタリングしな
がら0.3KWの高周波電力を印加し、前記第１の
有機プラズマ重合膜７上に約300ÅのGdTbFeの
磁気記録層２を形成する。次に、Ar等の不活性
ガスの導入をやめ、排気し、再度エチレンガスを
反応装置内に導入して真空度を３×10-1パスカル
とし、前記第１の有機プラズマ重合膜７と同様
に、前記磁気記録層上に約1500Åのエチレンの第
２の有機プラズマ重合膜８を形成する。最後に、
エチレンガスの導入をやめ、エチレンガスを排気
し、Ar等の不活性ガスを３×10-1パスカル導入
し、Alターゲツトをスパツタリングしながら
0.3KWの高周波電力を印加し、前記第２の有機
プラズマ重合膜８上に約2000ÅのAlの反射性保
護層６を形成する。
る。先ず、超精密研摩、洗浄工程を経たソーダラ
イムガラスの透明基板１を、反応装置内に配置
し、真空度1.5×10-5パスカルまで排気し、その
後、反応装置内にエチレンガスを導入して３×
10-1パスカルにし、0.3KWの高周波電力を印加し
て、高周波プラズマを発生させ、前記透明基板１
上に約1500Åのエチレンの第１の有機プラズマ重
合膜７を形成する。次に、エチレンガスの導入を
やめ、エチレンガスを排気し、真空度が３×10-1
パスカルになるようにAr等の不活性ガスを導入
し、GdTbFeのターゲツトをスパツタリングしな
がら0.3KWの高周波電力を印加し、前記第１の
有機プラズマ重合膜７上に約300ÅのGdTbFeの
磁気記録層２を形成する。次に、Ar等の不活性
ガスの導入をやめ、排気し、再度エチレンガスを
反応装置内に導入して真空度を３×10-1パスカル
とし、前記第１の有機プラズマ重合膜７と同様
に、前記磁気記録層上に約1500Åのエチレンの第
２の有機プラズマ重合膜８を形成する。最後に、
エチレンガスの導入をやめ、エチレンガスを排気
し、Ar等の不活性ガスを３×10-1パスカル導入
し、Alターゲツトをスパツタリングしながら
0.3KWの高周波電力を印加し、前記第２の有機
プラズマ重合膜８上に約2000ÅのAlの反射性保
護層６を形成する。
第５図は、記録担体のSN比の経時変化特性を
示す。放置条件として温度50℃、相対湿度90％と
し、縦軸にSN比の初期値を１とした場合の変化
比率をとり、横軸に放置時間をとつて、磁気記録
層の劣化度合を示す。曲線Ａは、本実施例による
もので、曲線Ｂは、従来例(2)のパリレンや高分子
材料の断熱反射防止層を真空蒸着した記録担体の
ものである。また、従来例(3)の磁気記録層の上面
に、直ちに金属性の保護層を設けた記録担体も、
曲線Ｂと同程度である。
示す。放置条件として温度50℃、相対湿度90％と
し、縦軸にSN比の初期値を１とした場合の変化
比率をとり、横軸に放置時間をとつて、磁気記録
層の劣化度合を示す。曲線Ａは、本実施例による
もので、曲線Ｂは、従来例(2)のパリレンや高分子
材料の断熱反射防止層を真空蒸着した記録担体の
ものである。また、従来例(3)の磁気記録層の上面
に、直ちに金属性の保護層を設けた記録担体も、
曲線Ｂと同程度である。
次に、本実施例と従来例(2)のパリレンや高分子
材料の断熱反射防止層を１層設けた記録担体との
記録感度を比較すると、前記従来例の記録に必要
なレーザ光のエネルギを１とすると、本実施例の
場合は0.9で記録可能となる。また、従来例の断
熱反射防止層のないものは、本発明と比較して、
数段高いレーザ光のエネルギを必要とする。
材料の断熱反射防止層を１層設けた記録担体との
記録感度を比較すると、前記従来例の記録に必要
なレーザ光のエネルギを１とすると、本実施例の
場合は0.9で記録可能となる。また、従来例の断
熱反射防止層のないものは、本発明と比較して、
数段高いレーザ光のエネルギを必要とする。
すなわち、磁気記録層の上下面に、有機プラズ
マ重合膜を設けることにより、磁気記録層の劣化
は、単に金属性の保護層を磁気記録層上に設けた
ときや、真空蒸着による高分子材料の断熱反射防
止層を設けたときよりも優れており、さらに、記
録感度も優れている。
マ重合膜を設けることにより、磁気記録層の劣化
は、単に金属性の保護層を磁気記録層上に設けた
ときや、真空蒸着による高分子材料の断熱反射防
止層を設けたときよりも優れており、さらに、記
録感度も優れている。
以上、本実施例では、エチレンガスを用いて有
機プラズマ重合膜を形成したが、これに限定され
ず、断熱効果を有し吸水性の低いものであればよ
く、例えば、エチレン以外のオレフイン化合物、
ベンゼン類、ヘキサメチルジシロキサンなどの含
ケイ素化合物、ノルボルナジエン等の有機単量体
の一種以上を用いてもよい。
機プラズマ重合膜を形成したが、これに限定され
ず、断熱効果を有し吸水性の低いものであればよ
く、例えば、エチレン以外のオレフイン化合物、
ベンゼン類、ヘキサメチルジシロキサンなどの含
ケイ素化合物、ノルボルナジエン等の有機単量体
の一種以上を用いてもよい。
次に、第１の有機プラズマ重合膜と第２の有機
プラズマ重合膜とは、実質的に同一の材質である
必要はなく、異なる材質でもよいが、記録担体の
作業性によれば、実質的に同一の材質がよい。ま
た、第１及び第２の有機プラズマ重合膜の厚さ
は、断熱効果を生ずる厚さがあればよいが、望ま
しくは約200Å以上がよい。次に、本実施例にお
いて、第１及び第２の有機プラズマ重合膜を形成
するとき、有機単量体を導入したときの真空度を
３×10-1パスカルとしたが、１×10-1パスカル以
上で１×102パスカル以下であれば、効率よく前
記有機プラズマ重合膜を形成することができる。
すなわち、１×10-1パスカル未満であれば、安定
したプラズマが得られず、１×102パスカルを越
えると、前記有機プラズマ重合膜が形成しにく
い。次に、透明基板として、ソーダライムガラス
を用いたが、他のガラスでもよく、また、
PMMAやポリカーボネートなどのプラスチツク
も用いることができる。このことは、本発明によ
れば、透明基板と磁気記録層との間に、有機プラ
ズマ重合膜を設けるので、透明基板を通過した水
分を遮断できるからである。しかし、望ましく
は、透明基板としては、プラスチツクよりも吸水
性の低いガラスの方がよい。次に、磁気記録層の
材質は、GdTbFeに限らず、公知の材質、例え
ば、MnBi、GdIG等も用いることができ、反射
性保護層も、Alに限らず、反射性を有し吸水性
の低いものであればよく、Cu，Ag，Pb，Rh等
の金属を用いることもでき、誘電体多層膜も用い
ることができるが、本発明の形成の作業性を考慮
すると、金属が望ましい。さらに、本実施例を形
成するときに、磁気記録層及び反射性保護層の形
成にも、高周波電力を印加しておこなつたが、な
んら印加する必要もない。だが、望ましくは、磁
気記録層及び反射性保護層を形成するときも、形
成された層の均一性及び緻密性を考慮すると高周
波電力を印加した方がよい。
プラズマ重合膜とは、実質的に同一の材質である
必要はなく、異なる材質でもよいが、記録担体の
作業性によれば、実質的に同一の材質がよい。ま
た、第１及び第２の有機プラズマ重合膜の厚さ
は、断熱効果を生ずる厚さがあればよいが、望ま
しくは約200Å以上がよい。次に、本実施例にお
いて、第１及び第２の有機プラズマ重合膜を形成
するとき、有機単量体を導入したときの真空度を
３×10-1パスカルとしたが、１×10-1パスカル以
上で１×102パスカル以下であれば、効率よく前
記有機プラズマ重合膜を形成することができる。
すなわち、１×10-1パスカル未満であれば、安定
したプラズマが得られず、１×102パスカルを越
えると、前記有機プラズマ重合膜が形成しにく
い。次に、透明基板として、ソーダライムガラス
を用いたが、他のガラスでもよく、また、
PMMAやポリカーボネートなどのプラスチツク
も用いることができる。このことは、本発明によ
れば、透明基板と磁気記録層との間に、有機プラ
ズマ重合膜を設けるので、透明基板を通過した水
分を遮断できるからである。しかし、望ましく
は、透明基板としては、プラスチツクよりも吸水
性の低いガラスの方がよい。次に、磁気記録層の
材質は、GdTbFeに限らず、公知の材質、例え
ば、MnBi、GdIG等も用いることができ、反射
性保護層も、Alに限らず、反射性を有し吸水性
の低いものであればよく、Cu，Ag，Pb，Rh等
の金属を用いることもでき、誘電体多層膜も用い
ることができるが、本発明の形成の作業性を考慮
すると、金属が望ましい。さらに、本実施例を形
成するときに、磁気記録層及び反射性保護層の形
成にも、高周波電力を印加しておこなつたが、な
んら印加する必要もない。だが、望ましくは、磁
気記録層及び反射性保護層を形成するときも、形
成された層の均一性及び緻密性を考慮すると高周
波電力を印加した方がよい。
以上、本発明によれば、磁気記録層の劣化が防
止でき、透明基板より入射したレーザ光等の光エ
ネルギを効率よく取り込むことができ、記録感度
が向上し、さらに、同一反応装置内で形成するこ
ともできるので、作業工程も簡素化でき、これに
より欠陥の発生も減少する効果がある。
止でき、透明基板より入射したレーザ光等の光エ
ネルギを効率よく取り込むことができ、記録感度
が向上し、さらに、同一反応装置内で形成するこ
ともできるので、作業工程も簡素化でき、これに
より欠陥の発生も減少する効果がある。
第１図〜第３図は、従来の光磁気記録担体の構
成を示す断面図、第４図は、本発明の一実施例の
構成を示す断面図、第５図は、本発明の一実施例
と従来の光磁気記録担体のSN比の経時変化の比
較特性図である。 １……透明基板、２……磁気記録層、６……反
射性保護層、７……第１の有機プラズマ重合膜、
８……第２の有機プラズマ重合膜。
成を示す断面図、第４図は、本発明の一実施例の
構成を示す断面図、第５図は、本発明の一実施例
と従来の光磁気記録担体のSN比の経時変化の比
較特性図である。 １……透明基板、２……磁気記録層、６……反
射性保護層、７……第１の有機プラズマ重合膜、
８……第２の有機プラズマ重合膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 透明基板上に、断熱効果を有し吸水性の低い
第１の有機プラズマ重合膜、磁気記録層、断熱
効果を有し吸水性の低い第２の有機プラズマ重
合膜、反射性保護層を順次形成したことを特徴
とする光磁気記録担体。 (2) 透明基板が、ガラスであることを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の光磁気記
録担体。 (3) 反射性保護層が金属であることを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載
の光磁気記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651183U JPS6074224U (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 光磁気記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651183U JPS6074224U (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 光磁気記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074224U JPS6074224U (ja) | 1985-05-24 |
| JPH0216419Y2 true JPH0216419Y2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=30364522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16651183U Granted JPS6074224U (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 光磁気記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074224U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778915B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1995-08-23 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0789414B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | 光学記憶素子 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP16651183U patent/JPS6074224U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6074224U (ja) | 1985-05-24 |
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