JPH0561688B2 - - Google Patents

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JPH0561688B2
JPH0561688B2 JP58185094A JP18509483A JPH0561688B2 JP H0561688 B2 JPH0561688 B2 JP H0561688B2 JP 58185094 A JP58185094 A JP 58185094A JP 18509483 A JP18509483 A JP 18509483A JP H0561688 B2 JPH0561688 B2 JP H0561688B2
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Japan
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magneto
optical recording
transition metal
rare earth
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Nagayoshi Tsukane
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Daicel Chemical Industries Ltd
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Description

【発明の詳现な説明】 本発明はレヌザヌを甚いお情報の蚘録・再生を
行う光磁気蚘録媒䜓に関するものであり、特に、
消去−再蚘録すなわち远蚘可胜な−DRAW甹
蚘録材料ずしお垌土類−遷移金属の非晶質局をプ
ラスチツク基盀䞊に圢成した光磁気蚘録媒䜓に関
するものである。
垌土類−遷移金属アモルフアス局を真空蒞着、
スパツタリングあるいはむオンプレヌテむング等
の手段で基盀䞊に圢成し、このアモルフアス局に
レヌザヌビヌムを圓おお熱磁気効果により情報の
曞蟌みおよび消去を行い、磁気光孊効果により情
報の読み取りを行う光磁気蚘録方法は公知であ
り、䞊蚘アモルフアス局を圢成する基盀ずしおは
ガラス板、アルミのような金属板あるいはアクリ
ル暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂のようなプラスチ
ツク板が提案されおいる。しかし、埓来は䞻ずし
おガラス板䞊にアモルフアス局を圢成するこずを
䞭心に研究が進められおきおおり、このガラス基
盀の堎合には垂盎磁化可胜なアモルフアス局を圢
成するこずが可胜であるが、プラスチツク盀に垂
盎磁化アモルフアス局を安定な状態で圢成する技
術は今日でもただ確立しおいない。すなわち、ガ
ラス基盀の堎合にはカヌ回転角が0.3床以䞊のも
のが埗られるが、プラスチツク基盀の堎合のカヌ
回転角は0.1床皋床しか埗られず、たれに0.2床以
䞊のものが埗られおも長期安定性が悪く、再珟性
も悪い。埓぀お、埓来のガラス、アルミニりムの
基盀に代぀お、取り扱いの容易なプラスチツク基
盀に安定な垂盎磁化アモルフアスを圢成する技術
の確立が匷く芁求されおいる。
垌土類−遷移金属アモルフアスの垂盎磁化特性
はアモルフアス䞭の歪みに䟝存するずされおおり
H.Takagi et alJ.Applphysics50(3)p1642−
1644参照、埓぀お、アモルフアス局を圢成する
基盀の衚面特性が重芁なフアクタヌにな぀おい
る。ガラス板䞊では垂盎磁化可胜な垌土類−遷移
金属アモルフアス局ができるがガラス板䞊では安
定にできないずいう理由は䞍明であるが、本発明
者はその原因は基本的に次の぀であるず考え
た。すなわち、 (1) 䞀般にプラスチツク基盀ずしお甚いられおい
るアクリル暹脂やポリカヌボネヌト暹脂はガラ
スに比べお衚面゚ネルギヌが小さく、垌土類−
遷移金属アモルフアスずの密着性が䜎く、その
結果アモルフアス局内に歪みが発生しにくい。
(2) プラスチツク板䞭には酞玠、氎分、モノマヌ
等が残留しおおり、これらが垌土類−遷移金属
アモルフアスを劣化させ、垂盎磁化特性を倱わ
せる。
この䞭、(2)の問題点を解決するためにSiO2
CaF2等の無機質保護局を圢成しお防湿する方法
が提案䟋えば特開昭57−27451号、特開昭58−
32238号されおいるが、この保護局だけでは(1)
の問題点を解決するこずができない。すなわち安
定した垂盎磁化特性を有する垌土類−遷移金属ア
モルフアス局を圢成するこずができない。
埓぀お、本発明の目的は長期間安定な垂盎磁化
可胜な垌土類−遷移金属アモルフアス局をプラス
チツク基盀䞊に圢成する方法を提䟛するこずにあ
る。
本発明の特城はプラスチツク基盀䞊にこのプラ
スチツク基盀ずの密着性の良いポリマヌ局を圢成
し、このポリマヌ局の䞊に垌土類−遷移金属アモ
ルフアス膜を圢成する点にある。
本発明で甚いられるプラスチツク基盀ず密着性
の良いポリマヌずしおは無機、有機の任意のポリ
マヌが䜿甚可胜であるが、特に架橋性ポリマヌが
奜たしく、この架橋性ポリマヌは垞枩硬化型のも
のでも熱硬化型のものでもよい。架橋性ポリマヌ
の材料ずしおはポリアクリル化合物、倚官胜性ア
クリル化合物、通垞の熱硬化性暹脂、アルキルシ
リケヌト加氎分解物、オルガノポリシロキサン等
があるが、芁はプラスチツク基盀ずの密着性が匷
いポリマヌであればよい。
これらのポリマヌはプレポリマヌを埌硬化させ
る方法、溶媒に溶かしお塗垃する方法等のり゚ツ
ト法が䞀般的であるがむオンプレヌテむングによ
るデポゞシペン法等のドラむ法でプラスチツク基
盀䞊に圢成するこずもできる。芁はプラスチツク
基盀䞊に均䞀なポリマヌ局が圢成できる方法であ
ればよい。り゚ツト法の堎合にはスピンコヌト、
ロヌルコヌト、バヌコヌト、デむツピング等の任
意の手段を甚いるこずができる。このポリマヌ局
の厚さはプラスチツク基盀ず密着した均䞀なガス
バリダヌ局が圢成できるような厚さでよく、䞀般
には0.01〜10Ό、奜たしくは0.1〜5Όが奜たしい。
本発明が適甚可胜な光磁気蚘録媒䜓は公知の任
意の垌土類−遷移金属アモルフアス合金でよく、
䟋えばTb−Fe系合金特公昭57−20691号、Dy
−Fe系合金特公昭57−20692号、Gd−Tb−
Fe系合金特開昭56−126907号、Gd−Tb−Dy
−Fe系合金特開昭57−94978号、Gd−Co特
開昭54−121719号Tb−Fe−Co系等があげられ
る。これらの垌土類−遷移金属アモルフアス局は
蒞着、スパツタリング、むオンプレヌテむン等の
方法で本発明のポリマヌ局䞊に圢成するのが奜た
しい。このアモルフアス局の厚さは䞀般に500〜
1500Åである。
本発明によるポリマヌ䞭間局の他に、公知の他
の䞭間局およびたたは保護局をさらに远加する
こずも可胜である。すなわち、垌土類−遷移金属
アモルフアス局の䞊方にSiOSiO2等の誘電物質
の局を圢成しお比を高め䞔぀保護局の圹目
を兌ねさせたり䟋特開昭56−74843、特開昭56
−156943、AuAg等の反射膜をさらに远加し
お比を向䞊させる䟋、特開昭56−74844
号、特開昭57−12428号こずも可胜である。
本発明により補造される光磁気蚘録媒䜓担䜓デ
むスクはカヌ効果を利甚する反射型蚘録・再生方
匏にも、フアラデヌ効果を利甚する透過型蚘録・
再生方匏にも適甚するこずができる。これら各方
匏に関しおは岩村総䞀線「ビデオデむスクず
DAD入門」株匏䌚瀟コロナ瀟昭57−11−
発行、第108〜150頁を参照されたい。
たた本発明で甚いられるプラスチツク基盀は円
盀デむスク状でもカヌド状でもよく、さらに
はフむルム状、テヌプ状あるいはベルト状でもよ
い。
プラスチツク基盀の材料ずしおは透明な合成暹
脂であれば任意のものでもよく、䟋えばアクリル
系暹脂、ポリカヌボネヌト系暹脂、PETのよう
なポリ゚ステル暹脂等が䞊げられる。これら暹脂
は任意の成圢方法、䟋えば射出成圢、圧瞮成圢、
2p法photo−polymerization等で成圢するこ
ずができる。プラスチツク基盀䞊にはトラツク甚
ガむド溝、その他の信号甚凹凞溝が圢成されおい
おも、圢成されおいなくおもよい。
第図は本発明による光磁気蚘録担䜓の基本構
成を瀺す抂念図で、はアクリル暹脂、ポリカヌ
ボネヌト暹脂等の透明プラスチツク基盀、は
TbFeGdTbFeGdTbDyFeのような垌土類−
遷移金属のアモルフアス蚘録媒䜓局、は本発明
によるポリマヌ局、は誘電物質およびたたは
反射性物質等によ぀お構成される保護局および
たたは増感局である。
本発明によるポリマヌ局の材料は䞊蚘プラス
チツク基盀ず密着する性質を有するものであれば
よいが、䟋ずしおは以䞋のものがあげられる。
 ポリアリルモノマヌ䟋えばゞ゚チレング
リコヌルビスアリルカヌボネヌト、トリアリル
シアヌレヌト、ゞアリルオキシアルキルマレヌ
ト、  倚官胜性アクリルモノマヌ䟋えば゚チレ
ングリコヌルゞメタアクリレヌトゞ、ト
リ、ポリ゚チレングリコヌルゞメタアクリ
レヌトアルカンデむオヌルゞメタアクリ
レヌトオリゎ゚ステルゞメタアクリレヌ
トアリル、ビニルメタクリレヌトメタ
アクリル酞グリシゞルメタクリレヌトメ
タアクリルアミド、  熱硬化性暹脂䟋えば䞍飜和ポリ゚ステ
ル、メラミン、ポリりレタン、  アルキルシリケヌト加氎分解物䟋えば゚
チルシリケヌトの加氎分解物、  オルガノポリシロキサン䟋えばシリコヌ
ンオキサむドテトラクロロシランメチル、
プニヌルトリアルコキシシラン。
本発明によるポリマヌ局は垌土類−遷移金属
アモルフアス蚘録媒䜓局の垂盎磁化特性を保蚌
するず同時にプラスチツク基盀偎からの酞玠、
氎分およびたたはモノマヌから蚘録媒䜓を保
護する圹目をも兌ねおいる。
アモルフアス蚘録媒䜓局を倖気からの酞玠お
よびたたは氎分から保護するために蚘録媒䜓局
の倖偎には保護局を圢成する。この保護局は
䞊蚘ポリマヌ局ず同䞀材料にするこずができる
が、その他のポリマヌ、䟋えば゚ポキシ暹脂、ポ
リ゚ステル暹脂、ゞアリルフタレヌト暹脂、ビニ
リデン暹脂、合成ゎム等のポリマヌ局の他に、
SiOCaF2等の無機防湿膜を䜿甚するこずもでき
る。この保護局の他に比を倧きくするた
めの反射膜図瀺せずを蚭けるこずもできる。
この反射膜はAlAgAuCuZnSn等の金
属で構成され、䞊蚘保護局の内偎あるいは倖偎
に蚭けるこずができる。この反射局を圢成するず
カヌ回転角、比誘電䜓保護局の膜厚ずも関
連するが、数倍皋床倧きくなる。
以䞋、本発明によるポリマヌの実斜䟋を説明す
る。各実斜䟋においお䜿甚したプラスチツク基盀
はアクリル暹脂MFRを射出成圢各機補
䜜所の商暙「ダむナメルタヌ」䜿甚したもので
あり、アモルフアス蚘録媒䜓はスパツタリング
日本真空(æ ª)瀟補によ぀お圢成した。
実斜䟋  熱硬化性暹脂−ポリりレタン暹脂 モルのεカプロラクトンずモルのヒドロキ
シ゚チルメタクリレヌトずを反応させ、プリポリ
マヌFM−を䜜る。このFM−231.9重量
ずメチルメタクリレヌト、ブチルアクリレヌト及
びメタアクリルアミドの混合アクリルモノマヌ
68.1wtずを混合したものに硬化剀ずしお䞋蚘構
造のもの商品名ゞナラネヌト24A−100旭化成
工業(æ ª)補 をNCO基ずFM−のOH基ずがモル比で
になるよう添加し、アクリル暹脂補基板䞊にスピ
ンコヌタヌを甚いお3Όの膜を圢成し、オヌブン
䞭で70℃に保持し、硬化皮膜を圢成した。
この硬化皮膜䞊に10-3Torrの真空䞋で日本真
空(æ ª)補マグネトロンスパツタリング装眮により
TbFe組成比原子比2377を1000Åの厚さ
で付着させ、曎に保護局ずしおSiO2を1000Å圢
成させお光磁気蚘録デむスクを補䜜した。ポヌラ
ヌカヌロヌテヌシペン枬定装眮で、カヌ回転角
Θkを枬定したずころ、カヌ回転角Θkは0.26゜
であり、この倀はガラス基板䞊にTbFe局を圢
成した堎合ず同じである。
埗られた蚘録担䜓はケ月埌でも同じΘkを維
持した。TbFe局が酞化劣化しおいないこずは
オヌゞ゚電子分光分析装眮により確認された。
実斜䟋  オルガノシロキサン ダむセル化孊工業(æ ª)補GRコヌト液ポリオル
ガノシロキサン即ち特開昭57−38863の実斜䟋
に蚘茉されおいる凊方に埓぀お、詊薬玚゚タ
ノヌル27郚ず脱むオン氎郚を混合し、これにメ
チルトリ゚トキシシラン加氎分解瞮合物の固䜓フ
レヌク30郚を加え、激しく撹拌しながら玄40分で
完溶し、50溶液を調補した。
別に詊薬玚゚タノヌル23郚1.8ゞアザビシク
ロりンデセン−のプノヌル塩
より成る硬化觊媒0.45郚、炭化フツ玠鎖を有する
アニオン系界面掻性剀0.1郚、詊薬玚氷酢酞17
郚をこの順序で加え良く混合しお觊媒溶液を調補
した。先の50溶液ず觊媒溶液を混合しメチルト
リ゚トキシシラン加氎分解瞮合物のフレヌク30
郚、氎郚を含有するコヌテむング液を調補し
た。
次に、メチルメタクリル暹脂補300mmφ、厚さ
1.2mmの基板を良く掗浄し䞊蚘のGRコヌト液に浞
挬しおから10mm分〜500mm分の匕䞊げ速床で
匕き䞊げ、盎ちに70℃に調節した熱颚也燥機に入
れ時間也燥ずキナアリングをした。コヌテむン
グされた塗膜の厚さは0.06〜4Όであ぀た。他の皮
膜圢成方法ずしお同じGRコヌト液をスピンコヌ
タヌ䞊に茉せたメチルメタクリル暹脂基板に滎䞋
し、200〜6000rpmの回転速床でスピンコヌトし
た。この埌盎ちに70℃の熱颚也燥機䞭に入れ時
間也燥ずキナアリングを行぀た。埗られた塗膜の
厚さは0.04〜3Όであ぀た。
以䞊埗られた硬化皮膜䞊に×10-3Torrの真
空䞋で日本真空技術(æ ª)補マグネトロン匏スパツタ
リング装眮によりTb−Fe原子組成比TbFe
2278を玄1000Åの厚さに圢成し曎に保護局ず
しおSiO2を同䞀装眮で玄1000Åの厚さに圢成し
た。埗られた光磁気蚘録デむスク衚面にセロハン
テヌプ日東電気工業(æ ª)補No.29、巟24mmを貌り
぀け玄45゜の角床で密着性をテストしたずころ党
く剥離しなか぀た。次ぎにpolarkerr Rotation
Angle枬定装眮で、カヌ回転角Θkを枬定したず
ころ0.25〜0.27゜であり、ガラス䞊にTbFb局を圢
成した堎合ず同じであ぀た。
埗られた蚘録担䜓はケ月埌でも同じΘkを維
持し、TbFe局が酞化劣化しおいないこずはオ
ヌゞ゚電子分充分析装眮により確認された。
実斜䟋  ポリアリル化合物 米囜特蚱第3465076䞉菱レむペン蚘茉の方法
によりガラス板䞊にゞ゚チレングリコヌルビスア
リルカヌボネヌトプレポノマヌを塗垃し熱硬化さ
せ泚圢板を䜜補した。この泚圢板を甚いお衚面が
ゞ゚チレングリコヌルビスアリルカヌボネヌト
商品名CR−39で芆われたPMMA板を補造し
た。この衚面被芆された基板を70℃で玄40時間真
空也燥し、これを実斜䟋ず同じ装眮を甚い同じ
方法でTbFe膜を1000Åの厚さにスパツタし、
保護膜ずしおSiO2膜を1000Å圢成した。
埗られた光磁気蚘録媒䜓のカヌ回転角Θkは
0.23゜であ぀た。たた、ケ月埌に斌おもTbFeå±€
の酞化劣化は認められなか぀た。
実斜䟋  倚官胜性アクリル化合物 日本化薬(æ ª)補DPHAゞペンタ゚リスリトヌ
ル・ヘキサアクリレヌト25郚、日本化薬(æ ª)補
P2100ポリ゚ステルアクリレヌト10郚、及び
日本化薬(æ ª)補HX220ポリ゚ステルアクリレヌ
ト郚ず、トル゚ン15郚−ブタノヌル55郚を
混合した。これに、玫倖線硬化觊媒ずしお、
CIBA瀟補元開始剀むルガキナア651を1.5郚添加
し混合しお、コヌテむング溶液を䜜成した。郚
ずあるのは党お重量郚 φ300mm、厚さ1.2mmのPMMA基板を十分に掗浄
し也燥しおからスピンコヌタヌにセツトした。䞊
蚘コヌテむング液を基板に適䞋し、500rpm〜
1000rpmで回転させお、均䞀にコヌテむングした
埌、該基板を超高圧氎銀灯ランプ匷床80W
cmから10cmの距離に眮き、玄20秒玫倖線を照射
しお硬化させた。皮膜の厚さは0.2Ό〜1Όであ぀
た。
以䞊の様にしお埗られた硬化皮膜䞊に×
10-3Torrの真空䞋で日本真空(æ ª)補マグネトロン
匏スパツタリング装眮を甚いおTbFe原子組成
比TbFe2278を玄1000Å圢成し、保護膜
ずしおSiO2を玄1000A同䞀装眮で圢成した。
埗られた光磁気蚘録デむスクの密着性を実斜䟋
ず同じセロハンテヌプ方法で詊しおみたが、実
斜䟋及び実斜䟋のいずれも剥離しなか぀た。
カヌ回転角Θkも0.26〜0.27゜でありガラス基板䞊
にTbFe局を圢成した堎合ず同じであ぀た。
実斜䟋及びのデむスクは、ケ月経過しお
も同じΘkを維持したTbFe局が酞化しおいない事
はオヌゞ゚電子分光分析装眮で確認される。
実斜䟋  保護膜 実斜䟋で埗られた元磁気蚘録デむスクの
SiO2保護局䞊に曎に同じコヌテむング液を甚い、
実斜䟋ず同䞀の方法で、硬化膜を0.2Ό2000Å
圢成した埗られたデむスクの特性は実斜䟋ずほ
が同じであ぀た。
以䞊、本発明を特殊な実斜䟋によ぀お説明した
が、本発明はこれにのみ限定されるものではな
い。䟋えば、本発明によるポリマヌ局をプラスチ
ツク基盀に盎接圢成するのではなく適圓なプラむ
マヌ局を介しお圢成したり、゚ツチング等の衚面
凊理を斜した埌に圢成するこずもできる。
以䞊の説明から明らかなように、本発明による
ポリマヌ局をプラスチツク基盀ず垌土類−アモル
フアス基盀ずの間に介圚させるこずによ぀お垂盎
磁化特性を安定に圢成するこずができ、埓来安定
性および信頌性の点で䜿甚が疑問芖されおいたプ
ラスチツク基盀を光磁気蚘録担䜓ずしお䜿甚でき
るようにな぀た。
【図面の簡単な説明】
添付図面は本発明によるポリマヌ局を有する光
磁気蚘録担䜓の局構成を瀺す抂念的断面図。 図䞭笊号、プラスチツク基盀、垌
土類−遷移金属アモルフアス蚘録媒䜓局、ポ
リマヌ局、保護増感局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  透明プラスチツク基盀ず、この透明プラスチ
    ツク基盀䞊に成膜された垌土類−遷移金属のアモ
    ルフアス局ずを有する光磁気蚘録甚担䜓におい
    お、 透明プラスチツク基盀ず垌土類−遷移金属の
    アモルフアス局ずの間に透明プラスチツク基盀
    ずの密着性が匷いポリマヌ局が蚭けられおお
    り、 䞊蚘ポリマヌ局は倚官胜性アクリル化合物、
    熱硬化性暹脂、アルキルシリケヌト加氎分解物お
    よびオルガノポリシロキサンによ぀お構成される
    矀の䞭から遞択される䞀぀のポリマヌであり、 䞊蚘ポリマヌ局は透明プラスチツク基盀䞊
    に先ず最初に圢成されたものであり、䞊蚘垌土類
    −遷移金属のアモルフアス局はその埌に䞊蚘ポ
    リマヌ局に圢成されたものであるこずを特城す
    る光磁気蚘録甚担䜓。  䞊蚘ポリマヌ局が架橋性ポリマヌである特蚱
    請求の範囲第項に蚘茉の光磁気蚘録甚担䜓。  䞊蚘ポリマヌ局の厚さが0.01〜10ÎŒmである
    特蚱請求の範囲第〜項のいずれか䞀項に蚘茉
    の光磁気蚘録甚担䜓。  䞊蚘透明プラスチツク基盀がアクリル暹脂、
    ポリカヌボネヌト系暹脂、スチレン暹脂およびポ
    リ゚ステル暹脂で構成される矀の䞭から遞択され
    る䞀぀の暹脂で䜜られおおり、䞊蚘垌土類−遷移
    金属のアモルフアス局がTb−Fe系、Tb−Fe−
    Co系、Dy−Fe系、Gd−Tb−Fe系、Gd−Tb−
    Dy−Fe系およびGd−Co系合金で構成される矀
    の䞭から遞択される材料で䜜られおいる特蚱請求
    の範囲第〜項のいずれか䞀項に蚘茉の光磁気
    蚘録甚担䜓。  䞊蚘ポリマヌ局ずは反察偎の垌土類−遷移金
    属のアモルフアス局の衚面䞊に反射局および誘電
    䜓局によ぀お構成される矀の䞭から遞択される少
    なくずも䞀぀の局が蚭けられおいる特蚱請求の範
    囲〜項のいずれか䞀項に蚘茉の光磁気蚘録甚
    担䜓。
JP58185094A 1983-10-05 1983-10-05 プラスチツク基盀䞊に垌土類−遷移金属アモルフアスの光磁気蚘録媒䜓局を圢成した蚘録担䜓 Granted JPS6079543A (ja)

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