JP3491340B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用いて情報
の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】近年、情報量の増大にともないコンピュ
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録および消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加
により磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録さ
れた情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用
して読み出す方式を用いた光磁気記録媒体が実用化され
ている。 【０００３】この光磁気記録媒体には、記録層として用
いられる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果
を光の干渉効果により大きくするため誘電体層および反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体層は、屈折率が大き
く光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護する効
果に優れていることが求められ、そのような材質として
ＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴａＯ等
が知られている。 【０００４】基板上の記録層側における有機保護層は、
記録層、反射層等を保護するために紫外線硬化型樹脂が
用いられており、そのような樹脂としてはアクリル系、
ウレタン系、エポキシ系等が挙げられ、特にアクリル系
紫外線硬化型樹脂が一般的に使用される。またこれらに
重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開始剤および増
感剤を含有してもよい。 【０００５】一方、他方の面におけるハ−ドコ−ト層
は、基板表面の柔らかさをカバ−し、傷つきにくくする
ために表面硬度の高いものが求められる。このような有
機膜としては紫外線硬化型樹脂が一般的に用いられ、充
分に硬度を得るために紫外線硬化による架橋度を上げる
ことが必要となる。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物が使用されている。またこれら
においても、重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開
始剤および増感剤を含有してもよい。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】現在、光磁気記録媒体
においては、記録した情報が常に安定に読み出せること
が必要である。そのためにはレ−ザ−光によって記録再
生されるハ−ドコ−ト層表面は、トラッキングサ−ボや
フォ−カスサ−ボが正常に行い記録再生できるような表
面状態が常に保たれなければならない。しかしながら、
光磁気記録媒体は、ハ−ドディスクと異なり、通常の環
境下において使用されるために、常にダストにさらされ
ている。そのためハ−ドコ−ト層表面にダスト等が付着
し、長期間使用している間にそれらのダストが蓄積さ
れ、ついには正常な記録再生ができなくなることが問題
であった。 【０００７】従来、ハ−ドコ−ト層に帯電防止剤（反応
型等を含む）を添加して、ハ−ドコ−ト層の表面抵抗値
を下げることなどが試みられていたが、表面抵抗値とダ
ストの付着しやすさには、明確な関係はなく、単にハ−
ドコ−ト層の表面抵抗をコントロ−ルするだけでは十分
ではなかった。このため、ハ−ドコ−ト表面にダストが
付着しにくいハ−ドコ−ト層の開発が求められている。 【０００８】そこで本発明はかかる従来の実状に鑑みて
提案されたものであり、ダスト付着がしにくく、長期間
に渡って記録した情報が常に安定に読み出せる高い信頼
性を有する光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を行った結果、ハ−ドコ−
ト層表面の表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ〜５ｎｍとするこ
とによってダスト付着がしにくく、長期間に渡って記録
した情報が常に安定に読み出せる高い信頼性を示す光磁
気記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。 【００１０】即ち、本発明は、基板の一方の面に少なく
とも誘電体層，磁性体からなる記録層、反射層および有
機保護層を形成し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を
形成した光磁気記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表
面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とす
る光磁気記録媒体に関する。 【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。 【００１２】図１は本発明の光磁気記録媒体の断面を示
す図である。この光磁気記録媒体は記録・再生が基板側
から行われることを前提としており、透明基板１上に第
１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５、
有機保護層６および透明基板上に直接コ−トされたハ−
ドコ−ト層７が形成されたものである。 【００１３】本発明において透明基板１は、ポリカ−ボ
ネイト樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメ
チルメタクリレ−ト樹脂等の樹脂が用いられ、例えば、
スタンパを用いたインジェクション法によって製造する
ことができる。 【００１４】次にランドおよびグル−ブが形成されてい
ない面にハ−ドコ−ト層７が形成される。この層は紫外
線硬化型樹脂によって構成され、スピンコ−ト法などに
よって基板表面に塗布した後、紫外線によって硬化させ
て形成すればよい。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物や、重合性オリゴマ−、モノマ
−、光重合性開始剤および増感剤を混合したものを使用
すればよい。 【００１５】このハ−ドコ−ト層７の表面粗さ（Ｒａ）
を１〜５ｎｍにコントロールする方法としては、例えば
金属酸化物および／またはオリゴマ−などを有機溶媒と
共に前記樹脂成分に混合する方法をあげることができ
る。金属酸化物としては、平均粒径が０．３μｍ以下、
好ましくは０．１５μｍ以下、の酸化ケイ素、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム
および酸化亜鉛等を例示することができる。オリゴマ−
としては、分子量が１０万以下、好ましくは分子量が１
０００から５００００、の脂肪族オレフィン、芳香族オ
レフィン等を例示することができる。 【００１６】有機溶媒は、上記金属酸化物および／また
はオリゴマ−と紫外線硬化型樹脂との合計重量部１００
に対して４０〜４００重量部混合すればよい。有機溶媒
としてはイソプロピルアルコ−ル、ｎ−ブタノ−ルなど
のアルコ−ル類、酢酸エチルなどのカルボン酸エステル
類、キシレン、トルエンなどの芳香族炭化水素、また
は、脂肪族炭化水素、およびケトン類などを用いること
ができる。なおハ−ドコ−ト層の膜厚は特に限定されな
いが、０．１〜３５μｍ、好ましくは５〜１５μｍであ
る。 【００１７】また、ハ−ドコ−ト表面を逆スパッタする
ことによっても、同様にＲａをコントロ−ルすることが
できる。具体的には、通常のスパッタ装置を用いてＡｒ
ガス圧力が０．９Ｐａ以下、投入電力を１００Ｗ以上の
条件にして逆スパッタを行えばよい。基板にダメ−ジを
与えずに逆スパッタできるという点で、Ａｒガス圧力は
０．６〜０．９Ｐａ，投入電力１５０Ｗ〜６００Ｗが好
ましい。 【００１８】さらに、基板を射出成型する際に、スタン
パ裏面の表面粗さをコントロ−ルして、射出成型の際に
ハ−ドコ−ト層側の基板表面上に粗さを転写することで
基板表面上の粗さを調整し、ハ−ドコ−ト剤を塗布、硬
化させたときに硬化収縮の影響でハ−ドコ−ト表面の表
面粗さをコントロ−ルすることもできる。 【００１９】次に、透明基板上に第１誘電体層を成膜す
るが、この層は、通常ＳｉＮ層で構成される。成膜は、
例えばＳｉターゲットを用いＡｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲ
Ｆ反応スパッタ法などの通常の方法で行えばよい。ガス
圧の設定はＡｒガス流量を固定し、排気系のバルブ開度
の調整で行い、成膜する誘電体層膜の屈折率はＮ2ガス
流量を調整して行えばよく、２．０〜２．４とするのが
好ましい。第２誘電体層も同様な方法によって形成する
ことができる。 【００２０】本発明で用いる誘電体層の材質は上記した
ものに限定されるものではなく、第１誘電体層としてＳ
ｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＣ等
あるいはＳｉ以外の酸化物を用いてもよい。第１誘電体
層の膜厚は１０〜１５０ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚
は５〜５０ｎｍでよいが、好ましくは第１誘電体層の膜
厚を７０〜１００ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚を１５
〜３０ｎｍとすることによって、光学特性の良好な光磁
気記録媒体が得られる。 【００２１】記録層の成膜は、記録層を構成する成分、
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをＡｒガスを用
いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲット上
を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成することができる。 【００２２】記録層としては、上に例示したＴｂＦｅＣ
ｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷移金属合金を用いるこ
とができ、更に耐蝕性向上のためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等
に代表される不動態元素を微量添加した系においても同
様に有効である。またそれ以外にもＭｎＢｉ等の金属間
化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系の人工格子薄膜などの垂直磁化
膜を用いたときにも同様な効果が得られる。記録層の膜
厚は１０〜５０ｎｍでよいが、好ましくは２５ｎｍ程度
が光学特性上よい。 【００２３】反射層は、通常ＡｌターゲットをＡｒガス
を用いＤＣスパッタすることで形成することができる。
反射層としてはＡｌタ−ゲットの他にＡｌＣｒ，ＡｌＴ
ｉ，ＡｌＴａ，ＡｌＮｉなどを用いてもよい。膜厚は３
０ｎｍ以上であればよいが好ましくは６０ｎｍ程度が記
録特性上よい。 【００２４】 【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、成膜装置に
はＵＬＶＡＣ製、商品名「ＳＭＯ−０５ＣＲ」を使用し
た。 【００２５】また、ダスト付着量、帯電量および電気特
性の評価方法については以下の通りである。ダスト付着
試験にはスピンドルを有する密閉容器にディスクをセッ
トし、ダスト源としてＪＩＳ１１種を１０ｇを容器底部
に均一に分散させ、２３℃、２４％ＲＨの環境下におい
て、３６００ｒｐｍにて１２０時間回転させた前後での
ダスト付着量を比較した。 【００２６】帯電量については２３℃、２０％ＲＨの環
境下において、ディスクに対して１０ｋＶの電圧を印加
した後、３６時間放置後のハ−ドコ−ト面における記録
エリア内での帯電量を測定した。 【００２７】さらに、電気特性はナカミチ製、商品名
「ＯＭＳ２０００Ｓ」を用いて、ダスト付着試験前後に
おける反射率およびエラ−レ−トを評価した。反射率に
ついては、ダスト試験前の反射率と試験後の反射率の差
を、試験前の反射率に対する百分率で示した。 【００２８】実施例１ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト（ＰＥ−３Ａ）：ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート（ＮＰ−Ａ）：１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レート（１．６ＨＸ−Ａ）＝４：４：２を主成分とす
る）５０ｇ、脂肪族オレフィン系オリゴマ−（分子量５
千）１５ｇをイソプロピルアルコ−ル２５０ｇに混合し
たものを、スピンコ−トにより塗布した後、紫外線照射
を積算光量６５０ｍＪ／ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化
させた。 【００２９】この基板に対して、ＳｉＮからなる第１誘
電体層をＳｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用い
たＲＦ反応スパッタで成膜した。スパッタ室内のガス圧
は０．２〜０．４Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍにな
るまで成膜した。形成するＳｉＮ膜の屈折率は、スパッ
タ時のＮ2ガス流量を調整することで約２．０５に合わ
せた。 【００３０】次に記録層を、ＴｂのターゲットとＦｅＣ
ｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲット上を交互
に通過するように回転させながらＡｒガスを用いて同時
にＤＣスパッタを行い、厚さ約２５ｎｍのＴｂ18（Ｆｅ
90Ｃｏ10）82合金膜を形成した。第２誘電体層は第１誘
電体層と同様に成膜した。膜厚は３０ｎｍ、屈折率は、
約２．０５に合わせた。 【００３１】反射層は、Ａｌターゲットを用いＡｒガス
を用いてＤＣスパッタし、膜厚約６０ｎｍに形成した。
有機保護層は、紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）
製、商品名「ＳＤ−１７」）のみをハ−ドコ−ト層と同
様な方法で膜厚１０μｍ形成し、光磁気記録媒体を製造
した。 【００３２】実施例２ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を８千に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３３】実施例３ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を１万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３４】実施例４ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を２万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３５】実施例５ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を４万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３６】実施例６ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ポリエチレングリコール
＃４００ジアクリレート（９ＥＧ−Ａ）：１．６ＨＸ−
Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ドコ
−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２００
Ｗにて１分間スパッタエッチング処理を施した。他は、
実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３７】実施例７ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて２分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。 【００３８】実施例８ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて３分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。 【００３９】比較例１ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ＮＰ−Ａ：１．６ＨＸ−
Ａ＝４：４：２を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１と
同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００４０】比較例２ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１
と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００４１】以上のディスクについて表面粗さ、ダスト
付着試験特性、電気特性を評価した。表面粗さはＡＦＭ
測定機（セイコ−電子）を用いて評価を行った。反射率
はリ−ドパワ−１．３ｍＷ、回転数１８００ｒｐｍ，半
径２４．０２ｍｍにて評価した。エラ−レ−トはダスト
試験前に最適記録パワ−にて３Ｔ〜８Ｔランダム信号を
回転数２４００ｒｐｍ記録した後、リ−ドパワ−１．３
ｍＷにて測定した。ダスト試験後は、試験前に記録した
信号を再生し評価した。表１に、実施例および比較例の
測定結果を示す。 【００４２】 【表１】【００４３】表１より、ハ−ドコ−ト表面のＲａを１．
０〜５．０ｎｍの範囲に調整することによってエラ−レ
−ト特性が劣化しないことがわかる。これらは、以下の
ように考えることができる。すなわち、表面粗さ（Ｒ
ａ）は反射率低下率、ダスト試験後のエラ−レ−ト、帯
電量、ダスト付着量と、密接な関係にあり、エラ−レ−
ト変化の原因はハ−ドコ−ト表面にダストが付着するこ
とによる反射率低下起因のＳＮＲ低下によって生じてい
ると考えられる。ダストの付着しやすさは、ディスク自
身の帯電量によるものと考えられる。しかしながら、上
述の推測はなんら本発明に影響を与えるものではない。 【００４４】 【発明の効果】本発明により、長期間にわたって良好な
エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気記録媒体を得
ることができる。
の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】近年、情報量の増大にともないコンピュ
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録および消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加
により磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録さ
れた情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用
して読み出す方式を用いた光磁気記録媒体が実用化され
ている。 【０００３】この光磁気記録媒体には、記録層として用
いられる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果
を光の干渉効果により大きくするため誘電体層および反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体層は、屈折率が大き
く光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護する効
果に優れていることが求められ、そのような材質として
ＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴａＯ等
が知られている。 【０００４】基板上の記録層側における有機保護層は、
記録層、反射層等を保護するために紫外線硬化型樹脂が
用いられており、そのような樹脂としてはアクリル系、
ウレタン系、エポキシ系等が挙げられ、特にアクリル系
紫外線硬化型樹脂が一般的に使用される。またこれらに
重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開始剤および増
感剤を含有してもよい。 【０００５】一方、他方の面におけるハ−ドコ−ト層
は、基板表面の柔らかさをカバ−し、傷つきにくくする
ために表面硬度の高いものが求められる。このような有
機膜としては紫外線硬化型樹脂が一般的に用いられ、充
分に硬度を得るために紫外線硬化による架橋度を上げる
ことが必要となる。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物が使用されている。またこれら
においても、重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開
始剤および増感剤を含有してもよい。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】現在、光磁気記録媒体
においては、記録した情報が常に安定に読み出せること
が必要である。そのためにはレ−ザ−光によって記録再
生されるハ−ドコ−ト層表面は、トラッキングサ−ボや
フォ−カスサ−ボが正常に行い記録再生できるような表
面状態が常に保たれなければならない。しかしながら、
光磁気記録媒体は、ハ−ドディスクと異なり、通常の環
境下において使用されるために、常にダストにさらされ
ている。そのためハ−ドコ−ト層表面にダスト等が付着
し、長期間使用している間にそれらのダストが蓄積さ
れ、ついには正常な記録再生ができなくなることが問題
であった。 【０００７】従来、ハ−ドコ−ト層に帯電防止剤（反応
型等を含む）を添加して、ハ−ドコ−ト層の表面抵抗値
を下げることなどが試みられていたが、表面抵抗値とダ
ストの付着しやすさには、明確な関係はなく、単にハ−
ドコ−ト層の表面抵抗をコントロ−ルするだけでは十分
ではなかった。このため、ハ−ドコ−ト表面にダストが
付着しにくいハ−ドコ−ト層の開発が求められている。 【０００８】そこで本発明はかかる従来の実状に鑑みて
提案されたものであり、ダスト付着がしにくく、長期間
に渡って記録した情報が常に安定に読み出せる高い信頼
性を有する光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を行った結果、ハ−ドコ−
ト層表面の表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ〜５ｎｍとするこ
とによってダスト付着がしにくく、長期間に渡って記録
した情報が常に安定に読み出せる高い信頼性を示す光磁
気記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。 【００１０】即ち、本発明は、基板の一方の面に少なく
とも誘電体層，磁性体からなる記録層、反射層および有
機保護層を形成し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を
形成した光磁気記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表
面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とす
る光磁気記録媒体に関する。 【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。 【００１２】図１は本発明の光磁気記録媒体の断面を示
す図である。この光磁気記録媒体は記録・再生が基板側
から行われることを前提としており、透明基板１上に第
１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５、
有機保護層６および透明基板上に直接コ−トされたハ−
ドコ−ト層７が形成されたものである。 【００１３】本発明において透明基板１は、ポリカ−ボ
ネイト樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメ
チルメタクリレ−ト樹脂等の樹脂が用いられ、例えば、
スタンパを用いたインジェクション法によって製造する
ことができる。 【００１４】次にランドおよびグル−ブが形成されてい
ない面にハ−ドコ−ト層７が形成される。この層は紫外
線硬化型樹脂によって構成され、スピンコ−ト法などに
よって基板表面に塗布した後、紫外線によって硬化させ
て形成すればよい。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物や、重合性オリゴマ−、モノマ
−、光重合性開始剤および増感剤を混合したものを使用
すればよい。 【００１５】このハ−ドコ−ト層７の表面粗さ（Ｒａ）
を１〜５ｎｍにコントロールする方法としては、例えば
金属酸化物および／またはオリゴマ−などを有機溶媒と
共に前記樹脂成分に混合する方法をあげることができ
る。金属酸化物としては、平均粒径が０．３μｍ以下、
好ましくは０．１５μｍ以下、の酸化ケイ素、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム
および酸化亜鉛等を例示することができる。オリゴマ−
としては、分子量が１０万以下、好ましくは分子量が１
０００から５００００、の脂肪族オレフィン、芳香族オ
レフィン等を例示することができる。 【００１６】有機溶媒は、上記金属酸化物および／また
はオリゴマ−と紫外線硬化型樹脂との合計重量部１００
に対して４０〜４００重量部混合すればよい。有機溶媒
としてはイソプロピルアルコ−ル、ｎ−ブタノ−ルなど
のアルコ−ル類、酢酸エチルなどのカルボン酸エステル
類、キシレン、トルエンなどの芳香族炭化水素、また
は、脂肪族炭化水素、およびケトン類などを用いること
ができる。なおハ−ドコ−ト層の膜厚は特に限定されな
いが、０．１〜３５μｍ、好ましくは５〜１５μｍであ
る。 【００１７】また、ハ−ドコ−ト表面を逆スパッタする
ことによっても、同様にＲａをコントロ−ルすることが
できる。具体的には、通常のスパッタ装置を用いてＡｒ
ガス圧力が０．９Ｐａ以下、投入電力を１００Ｗ以上の
条件にして逆スパッタを行えばよい。基板にダメ−ジを
与えずに逆スパッタできるという点で、Ａｒガス圧力は
０．６〜０．９Ｐａ，投入電力１５０Ｗ〜６００Ｗが好
ましい。 【００１８】さらに、基板を射出成型する際に、スタン
パ裏面の表面粗さをコントロ−ルして、射出成型の際に
ハ−ドコ−ト層側の基板表面上に粗さを転写することで
基板表面上の粗さを調整し、ハ−ドコ−ト剤を塗布、硬
化させたときに硬化収縮の影響でハ−ドコ−ト表面の表
面粗さをコントロ−ルすることもできる。 【００１９】次に、透明基板上に第１誘電体層を成膜す
るが、この層は、通常ＳｉＮ層で構成される。成膜は、
例えばＳｉターゲットを用いＡｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲ
Ｆ反応スパッタ法などの通常の方法で行えばよい。ガス
圧の設定はＡｒガス流量を固定し、排気系のバルブ開度
の調整で行い、成膜する誘電体層膜の屈折率はＮ2ガス
流量を調整して行えばよく、２．０〜２．４とするのが
好ましい。第２誘電体層も同様な方法によって形成する
ことができる。 【００２０】本発明で用いる誘電体層の材質は上記した
ものに限定されるものではなく、第１誘電体層としてＳ
ｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＣ等
あるいはＳｉ以外の酸化物を用いてもよい。第１誘電体
層の膜厚は１０〜１５０ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚
は５〜５０ｎｍでよいが、好ましくは第１誘電体層の膜
厚を７０〜１００ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚を１５
〜３０ｎｍとすることによって、光学特性の良好な光磁
気記録媒体が得られる。 【００２１】記録層の成膜は、記録層を構成する成分、
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをＡｒガスを用
いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲット上
を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成することができる。 【００２２】記録層としては、上に例示したＴｂＦｅＣ
ｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷移金属合金を用いるこ
とができ、更に耐蝕性向上のためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等
に代表される不動態元素を微量添加した系においても同
様に有効である。またそれ以外にもＭｎＢｉ等の金属間
化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系の人工格子薄膜などの垂直磁化
膜を用いたときにも同様な効果が得られる。記録層の膜
厚は１０〜５０ｎｍでよいが、好ましくは２５ｎｍ程度
が光学特性上よい。 【００２３】反射層は、通常ＡｌターゲットをＡｒガス
を用いＤＣスパッタすることで形成することができる。
反射層としてはＡｌタ−ゲットの他にＡｌＣｒ，ＡｌＴ
ｉ，ＡｌＴａ，ＡｌＮｉなどを用いてもよい。膜厚は３
０ｎｍ以上であればよいが好ましくは６０ｎｍ程度が記
録特性上よい。 【００２４】 【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、成膜装置に
はＵＬＶＡＣ製、商品名「ＳＭＯ−０５ＣＲ」を使用し
た。 【００２５】また、ダスト付着量、帯電量および電気特
性の評価方法については以下の通りである。ダスト付着
試験にはスピンドルを有する密閉容器にディスクをセッ
トし、ダスト源としてＪＩＳ１１種を１０ｇを容器底部
に均一に分散させ、２３℃、２４％ＲＨの環境下におい
て、３６００ｒｐｍにて１２０時間回転させた前後での
ダスト付着量を比較した。 【００２６】帯電量については２３℃、２０％ＲＨの環
境下において、ディスクに対して１０ｋＶの電圧を印加
した後、３６時間放置後のハ−ドコ−ト面における記録
エリア内での帯電量を測定した。 【００２７】さらに、電気特性はナカミチ製、商品名
「ＯＭＳ２０００Ｓ」を用いて、ダスト付着試験前後に
おける反射率およびエラ−レ−トを評価した。反射率に
ついては、ダスト試験前の反射率と試験後の反射率の差
を、試験前の反射率に対する百分率で示した。 【００２８】実施例１ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト（ＰＥ−３Ａ）：ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート（ＮＰ−Ａ）：１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レート（１．６ＨＸ−Ａ）＝４：４：２を主成分とす
る）５０ｇ、脂肪族オレフィン系オリゴマ−（分子量５
千）１５ｇをイソプロピルアルコ−ル２５０ｇに混合し
たものを、スピンコ−トにより塗布した後、紫外線照射
を積算光量６５０ｍＪ／ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化
させた。 【００２９】この基板に対して、ＳｉＮからなる第１誘
電体層をＳｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用い
たＲＦ反応スパッタで成膜した。スパッタ室内のガス圧
は０．２〜０．４Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍにな
るまで成膜した。形成するＳｉＮ膜の屈折率は、スパッ
タ時のＮ2ガス流量を調整することで約２．０５に合わ
せた。 【００３０】次に記録層を、ＴｂのターゲットとＦｅＣ
ｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲット上を交互
に通過するように回転させながらＡｒガスを用いて同時
にＤＣスパッタを行い、厚さ約２５ｎｍのＴｂ18（Ｆｅ
90Ｃｏ10）82合金膜を形成した。第２誘電体層は第１誘
電体層と同様に成膜した。膜厚は３０ｎｍ、屈折率は、
約２．０５に合わせた。 【００３１】反射層は、Ａｌターゲットを用いＡｒガス
を用いてＤＣスパッタし、膜厚約６０ｎｍに形成した。
有機保護層は、紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）
製、商品名「ＳＤ−１７」）のみをハ−ドコ−ト層と同
様な方法で膜厚１０μｍ形成し、光磁気記録媒体を製造
した。 【００３２】実施例２ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を８千に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３３】実施例３ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を１万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３４】実施例４ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を２万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３５】実施例５ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を４万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３６】実施例６ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ポリエチレングリコール
＃４００ジアクリレート（９ＥＧ−Ａ）：１．６ＨＸ−
Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ドコ
−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２００
Ｗにて１分間スパッタエッチング処理を施した。他は、
実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００３７】実施例７ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて２分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。 【００３８】実施例８ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて３分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。 【００３９】比較例１ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ＮＰ−Ａ：１．６ＨＸ−
Ａ＝４：４：２を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１と
同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００４０】比較例２ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１
と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。 【００４１】以上のディスクについて表面粗さ、ダスト
付着試験特性、電気特性を評価した。表面粗さはＡＦＭ
測定機（セイコ−電子）を用いて評価を行った。反射率
はリ−ドパワ−１．３ｍＷ、回転数１８００ｒｐｍ，半
径２４．０２ｍｍにて評価した。エラ−レ−トはダスト
試験前に最適記録パワ−にて３Ｔ〜８Ｔランダム信号を
回転数２４００ｒｐｍ記録した後、リ−ドパワ−１．３
ｍＷにて測定した。ダスト試験後は、試験前に記録した
信号を再生し評価した。表１に、実施例および比較例の
測定結果を示す。 【００４２】 【表１】【００４３】表１より、ハ−ドコ−ト表面のＲａを１．
０〜５．０ｎｍの範囲に調整することによってエラ−レ
−ト特性が劣化しないことがわかる。これらは、以下の
ように考えることができる。すなわち、表面粗さ（Ｒ
ａ）は反射率低下率、ダスト試験後のエラ−レ−ト、帯
電量、ダスト付着量と、密接な関係にあり、エラ−レ−
ト変化の原因はハ−ドコ−ト表面にダストが付着するこ
とによる反射率低下起因のＳＮＲ低下によって生じてい
ると考えられる。ダストの付着しやすさは、ディスク自
身の帯電量によるものと考えられる。しかしながら、上
述の推測はなんら本発明に影響を与えるものではない。 【００４４】 【発明の効果】本発明により、長期間にわたって良好な
エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気記録媒体を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の一実施態様の断面
を示す図である。
を示す図である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】樹脂製の基板の一方の面に少なくとも誘電
体層、磁性体からなる記録層、反射層および有機保護層
を形成し、前記基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を形成
した光磁気記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表面粗
さ（Ｒａ）が１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13704094A JP3491340B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13704094A JP3491340B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087363A JPH087363A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3491340B2 true JP3491340B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=15189462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13704094A Expired - Fee Related JP3491340B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3491340B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102017789B1 (ko) | 2015-12-03 | 2019-09-03 | 주식회사 엘지화학 | 반사 방지 필름 |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13704094A patent/JP3491340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087363A (ja) | 1996-01-12 |
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