JP2003203406A - 光磁気ディスク - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 206010052428 Wound Diseases 0.000 description 4
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- -1 AlNx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004012 SiCx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐摺動特性及び帯電防止機能を持つ表
面保護層を有する膜面入射型の光磁気ディスクを提供す
る。 【解決手段】 基板上に、少なくとも反射層、記録層、
透明誘電体層、表面保護層をこの順に積層し、浮上量５
μ以下の浮上型ヘッドを用い、膜面側からレーザー光を
照射して、記録再生を行う光磁気ディスクにおいて、表
面保護層は透明樹脂層と帯電防止保護コート層で構成さ
れ、透明樹脂層の膜厚は1μm〜15μmであり、透明樹脂
層の上層に膜厚1μm以上の帯電防止保護コート層を形成
することで、光磁気ディスク表面の電気抵抗値が5×10
11Ω/cm2以下かつ鉛筆硬度がH以上である光磁気ディス
ク。
面保護層を有する膜面入射型の光磁気ディスクを提供す
る。 【解決手段】 基板上に、少なくとも反射層、記録層、
透明誘電体層、表面保護層をこの順に積層し、浮上量５
μ以下の浮上型ヘッドを用い、膜面側からレーザー光を
照射して、記録再生を行う光磁気ディスクにおいて、表
面保護層は透明樹脂層と帯電防止保護コート層で構成さ
れ、透明樹脂層の膜厚は1μm〜15μmであり、透明樹脂
層の上層に膜厚1μm以上の帯電防止保護コート層を形成
することで、光磁気ディスク表面の電気抵抗値が5×10
11Ω/cm2以下かつ鉛筆硬度がH以上である光磁気ディス
ク。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、浮上型ヘッドを用
いて膜面側からレーザー光を照射して、記録再生を行う
光磁気ディスクにおいて、耐摺動性が優れ、かつ帯電防
止能力を有する光磁気ディスクに関する。 【０００２】 【従来の技術】マルチメディア時代の到来により、大量
の情報を高密度で記録し、かつ迅速に記録再生すること
が可能な光磁気ディスクが注目されている。光磁気ディ
スクは、CDやレーザーディスク（登録商標）のように情
報再生のみを可能とした再生専用光磁気ディスク、CD-R
のように一度だけ記録を可能とした追記型光磁気ディス
ク、光磁気記録方式や相変化記録方式を用いて何度でも
情報の書き換え消去を可能とした書換型光磁気ディスク
等に分類される。これら光磁気ディスクの中でも、高転
送レートを要求される分野では、主に光磁気ディスクが
用いられている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】ここ数年、取り扱う情
報量の増加に伴い、光記録においては記録容量を一層増
大することが求められている。この要望に応えるために
開口数（NA）が高い対物レンズと磁界発生コイルを搭載
した浮上型ヘッドが光磁気ディスク面上をシークしなが
らレーザー光を照射し記録再生を行う方法が提案されて
いる。この記録再生方式に対応した光磁気ディスクは、
ランド記録もしくはグルーブ記録が行えるように、ラン
ドもしくはグルーブを設けた基板上に、少なくとも反射
膜、記録層、透明誘電体層および表面保護層の順で積層
された構造を有する。 【０００４】上記の記録再生方式では浮上型ヘッドで記
録再生を行うので、浮上型ヘッドがシーク動作あるいは
ロードアンロード動作などを行う際、ディスク表面にヘ
ッドが接触する恐れがある。このヘッド接触により発生
するディスク表面もしくは浮上型ヘッドの損傷を防止ま
たは極力抑制する必要がある。また、光磁気ディスクの
帯電防止能力が低いと、塵埃がディスク表面に付着し易
くなる。ディスク表面に塵埃が存在すると、この塵埃が
レーザー光照射の行路を妨げ、データ読み書き時のエラ
ーの原因となる。最悪の場合、付着した塵埃が引き金と
なり浮上型ヘッドがクラッシュする可能性も考えられ
る。 【０００５】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、耐摺動性に優れ、高い帯
電防止能力を有する光磁気ディスクを提供することにあ
る。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に発明した光磁気ディスクの一例を図1に示す。図1は光
磁気ディスク100の構造断面図である。光磁気ディスク1
00は基板（1）上に、反射層（2）、記録層（3）、透明
誘電体層（4）、及び表面保護層（5）がこの順で積層さ
れている。表面保護層（5）は、透明樹脂層（6）及び帯
電防止保護コート層（7）で構成される。通常、透明樹
脂層は光磁気ディスク積層膜の腐食防止、及び外的衝撃
からディスク表面を保護するために積層されている。本
記録再生システムでは表面保護層（5）上に浮上型ヘッ
ドが存在するので、従来使用されている透明樹脂層より
も耐摺動性に優れた透明樹脂層を積層する必要がある。
また、保護層の表面電気抵抗値が高いと、塵埃がその表
面に付着しやすくなり、ヘッド／ディスククラッシュの
原因となるので、保護層の耐摺動性を高めると同時に帯
電防止効果も付与させる必要がある。そこで、透明樹脂
層（6）の上層に硬質で帯電防止効果がある帯電防止保
護コート層（7）を形成した。生産上、透明樹脂層単層
のみでディスク保護、耐摺動特性及び帯電防止効果を併
せ持つことが好ましいが、実際は、透明樹脂層を硬くす
ると、透明誘電体層と透明樹脂層との接着性が悪くな
る。また接着性を上げると透明樹脂層の硬度が下がると
いうトレードオフの関係になり実用的ではない。このた
め、本発明の光磁気ディスクの表面保護層は、透明樹脂
層と帯電防止保護コート層からなる多層構造とした。 【０００７】また、光磁気ディスク100は、記録層（3）
が存在する基板面とは反対側の基板面に、帯電防止保護
コート層（8）を形成する。必要に応じて、帯電防止保
護コート層（7）と基板（1）の間に透明樹脂層（6）を
形成しても良い。 【０００８】本発明では図1に挙げた光磁気ディスクの
みならず、図2に示すようなディスク両面から記録再生
可能な光磁気ディスク（光磁気ディスク200）において
も適用可能である。 【０００９】本発明の光磁気ディスクで用いられる基板
（1）は、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメ
チルアクリレート、ポリスチレン、ナイロン等の樹脂の
他に、ガラス、シリコン、熱酸化シリコン、アルミニウ
ム、チタンなどの金属製ディスク基板を用いることがで
きる。 【００１０】本光磁気ディスクの反射層（2）として
は、Au、Ag、Cuなどの貴金属単体もしくは合金、これら
の貴金属と他の遷移族金属、Si、Ge、Sn、Pb、Al、Ga、
In等との合金、Al単体もしくは他金属との合金等が使用
可能である。 【００１１】本光磁気ディスクの記録層（3）として
は、TbFeCo、DyFeCo、DyTbFeCo、GdFeCo等の希土類-遷
移金属アモルファス合金、CoとPt等の貴金属と遷移強磁
性金属の積層膜等が使用可能である。これらの合金中
に、Cr、Nb、Pt、Ni、Ta等が含まれていても良い。ま
た、組成の異なるアモルファスを2層以上に積層したも
のでも、アモルファス膜と積層膜を組み合わせたものを
使用しても良い。 【００１２】記録層（3）にはCAD膜を用いることができ
る。この場合の、記録再生層の構造は、上記の記録膜
（3）の部分が、光入射側から見て、GdFeCoの再生層、G
dFeのマスク層、非磁性層、TbFeCoを主体とする記録層
からなる静磁結合タイプのCADタイプの磁気超解像構造
となる。非磁性層としては、SiNx、AlNx等のセラミック
層のほかにAl、Ti、Zr等の非磁性金属も用いることがで
きる。このCAD層は、非磁性層の無い、交換結合型CADも
使用可能である。 【００１３】反射層（2）と記録層（3）の間に、熱制御
のためSiNx、AlNx、SiCx、SiOx、SiNxOy、GexN、GeNxOy
等のセラミック層、Ti、Cr、Zr、Nb、Ta等の非磁性遷移
金属層、Si、Ge、ZeS、ZeSe等の半導体層を形成しても
良い。反射層（2）は、異なる組成を有する2層以上の積
層構造としても良い。また、反射層（2）と基板（1）の
間に、耐食性、接着性等を上げるため、セラミック層も
しくは金属層を形成しても良い。 【００１４】本光磁気ディスクの透明誘電体層（4）と
しては、SiNx、SiOx、SiCx、SiNxOy、SiCxOy、SiNxCyO
z、AlNx、AlOx、AlNxOy、ZrOx、ZnS、ZnS-（SiO2）x、Z
rOx、TiOx、DLCカーボン等の透明なセラミックス層を用
いることができる。 【００１５】本光磁気ディスクの透明樹脂層（6）の材
料としては、ウレタン系、エポキシ系、ポリエステル系
のアクリレートモノマー、オリゴマー（アクリル酸エス
テル誘導体）等の紫外線硬化樹脂や、または、上記樹脂
に光重合開始剤等を添加したものを用いることができ
る。 【００１６】透明樹脂層（6）はスピンコート法により
樹脂材料がディスク上に塗布され、適切な硬化処理（例
えば紫外線照射）を行うことで形成される。塗布時のデ
ィスク回転数、回転時間などを制御することで透明樹脂
層の膜厚を決めることができる。この透明樹脂層の厚さ
はディスクの耐久性などを考慮し、膜厚で1μm〜15μm
であることが必要である。1μm〜15μm の範囲にすれ
ば、耐食性が十分で、ディスク保護としての効果が高ま
る。また、透明樹脂層の鉛筆硬度はHB以上であることが
望ましい。 【００１７】本光磁気ディスクの帯電防止保護コート層
（7）の材料として、光硬化型樹脂などに各種金属酸化
物や無機質の微粒子（フィラ−）を分散させた光硬化型
帯電防止剤を用いることができる。上記の微粒子とし
て、InOx、SnOx、インジウム‐スズ複合酸化物（IT
O）、MoOx、SbOx、IrOx、SiOx、AlOxなどを有用な材料
として用いることができる。 【００１８】帯電防止保護コート層（7）の膜厚は1μm
〜１５μｍであることが必須である。膜厚を1μm〜１５
μｍの範囲に設定することにより、所望の帯電防止効果
が得られ、かつ十分な表面硬度を得ることができる。ま
た、帯電防止保護コート層表面の電気抵抗値が1×1011
Ω/cm2以下、かつ鉛筆硬度が2H以上であることが望まし
い。 【００１９】本発明の光磁気ディスクが上記の構成を取
ることにより、光磁気ディスクの表面電気抵抗値が5×1
011Ω/cm2以下かつ鉛筆硬度がH以上となり、耐摺動性や
帯電防止能力に優れた光磁気ディスクを提供することが
できる。 【００２０】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面によ
り説明する。 （実施例1）第1図に示した構造の光磁気ディスク100を
以下に示す方法で作製した。基板（1）を予め溝とピッ
トを形成したスタンパおよびポリカーボネート樹脂を用
いて、射出圧縮成形により作製した。基板サイズは、直
径130mmである。その上にインライン式DCマグネトロン
スパッタ装置を用いて、反射層（2）としてAu層を50n
m、記録再生層（3）としてCAD膜（TbFeCo膜を50nm、窒
化シリコン層を10nm、GdFe層を30nm、GdFeCo層を30nmの
4層をこの順で積層）を成膜した。その上に、透明誘電
体層（4）として窒化シリコン層60nmを成膜した。 【００２１】透明誘電体層（4）上にアクリル系紫外線
硬化型樹脂A（25℃での粘度 100mPa・s）をスピンコー
ト法で塗布し、これに紫外線照射処理（積算照度500mJ/
cm2）を行うことで、膜厚が9.0μmの透明樹脂層（6）を
形成した。この後に、硬化後の薄膜の表面電気抵抗値が
1×1011Ω/cm2、かつ鉛筆硬度が2Hとなるよう予め調合
された主成分がアクリル系紫外線硬化型樹脂B（25℃で
の粘度 400mPa・s）とSiO2及びITO系微粒子である帯電
防止剤Cを透明樹脂層（6）上にスピンコート法で塗布
し、70℃加熱処理及び紫外線照射処理（積算照度500mJ/
cm2）を行うことで膜厚が6.0μmの帯電防止保護コート
層（7）を形成した。さらにもう一方の基板面にも帯電
防止剤Cを同様の条件で塗布及び硬化を行い、膜厚が2.0
μmの帯電防止保護コート層（8）を形成し、光磁気ディ
スク100を作製した。 【００２２】上記光磁気ディスクの表面の電気抵抗値と
鉛筆硬度を計測し、その結果を表1に示す。これらの測
定は記録層がある基板面（ヘッド浮上面側）で行った。
表面電気抵抗値はJIS-K6911の規格に従い、アドバンテ
スト社製デジタル超高抵抗メーターR8340、レジスティ
ビティー・チェンバR12704Aの装置を用い、印可電圧を5
00Vで計測した。鉛筆硬度はJIS-K5400の規格に従って測
定した。 【００２３】（実施例2）図2の構成で、基板両面に実施
例1と同様の構成、膜厚の反射層、記録層、透明誘電体
層、透明樹脂層、帯電防止保護コート層を有する光磁気
ディスク200を作製した。光磁気ディスク200の表面電気
抵抗値と鉛筆硬度を実施例1と同様の条件で計測し、結
果を表1に示す。 【００２４】（比較例 1）（実施例1）と同様の構成、
膜厚で、但し透明樹脂層（6）の膜厚が0.7μmの光磁気
ディスクを作製した。作製した光磁気ディスクの表面電
気抵抗値と鉛筆硬度を実施例1と同様の条件で計測し、
結果を表1に示す。 【００２５】（比較例2）（実施例2）と同様の構成、膜
厚で、但し帯電防止保護コート層（7）の膜厚が0.5μm
のディスクを作製した。作製した光磁気ディスクの表面
の電気抵抗値と鉛筆硬度を実施例3と同様の条件で計測
し、結果を表１に示す。 【００２６】（ランダムシーク試験）実施例1〜2、比較
例1〜2で作製した光磁気ディスクを特願平11-293684に
記載されているドライブに組み込んで、浮上ヘッドを半
径30mmから60mmの範囲でランダムシークさせながら、デ
ィスク表面(表面保護層)の傷つき度合いを調べた。試験
に用いた光磁気ディスク表面にはフッ素系の潤滑剤を塗
布した。この試験では、ディスクの回転数を毎分1200回
転として、浮上ヘッドの浮上量を約1μmとした。試験条
件は60℃、80％R.H.環境で連続100時間のランダムシー
ク試験を、各例につき10回ずつ行った。ランダムシーク
後の表面状態は、目視および光学顕微鏡(倍率:100倍)で
調べた。表面状態は5段階で評価し、試験結果を表1にま
とめて示す。評価判断基準は以下に示す通りである。 【００２７】（100時間シーク後の表面状態） 5:目視、顕微鏡でも傷は観察されない。 4:目視では傷は観察されないが、顕微鏡で観察するとデ
ィスク全面で数個傷が観察される。 3:目視で傷が観察されるが部分的である(概ねディスク
全周の1/5程度の円弧状の傷)、顕微鏡で観察すると小さ
な傷が無数観察される。 2:概ね半周から全周におよぶ傷が数本、そのほか小さな
傷が10本以上観察され、顕微鏡で観察すると小さな傷が
無数観察される、１: 概ね半周から全周におよぶ傷が10
本以上、そのほか小さな傷が無数に観察され、顕微鏡で
観察すると小さな傷が無数観察される。3以上を問題な
いレベルとする。 【００２８】 【表１】 【００２９】＊1：試験途中に透明誘電体層／透明樹脂
層間で膜剥離が発生し、試験中止。 【００３０】 【発明の効果】本発明の光磁気ディスクの表面保護層は
透明樹脂層と帯電防止保護コート層で構成され、透明樹
脂層の膜厚は1μm〜15μmであり、透明樹脂層の上層に
膜厚１μm以上の帯電防止保護コート層を形成し、光磁
気ディスクの表面電気抵抗値が5×1011Ω/cm2以下かつ
鉛筆硬度がH以上とし、透明誘電体層上に形成される表
面保護層の膜厚が2μm〜20μmとした。これにより、記
録再生時、浮上ヘッドの接触による傷付きなどに対する
ディスク表面の耐久性が向上し、且つ、優れた帯電防止
能力を付与することが可能となった。
いて膜面側からレーザー光を照射して、記録再生を行う
光磁気ディスクにおいて、耐摺動性が優れ、かつ帯電防
止能力を有する光磁気ディスクに関する。 【０００２】 【従来の技術】マルチメディア時代の到来により、大量
の情報を高密度で記録し、かつ迅速に記録再生すること
が可能な光磁気ディスクが注目されている。光磁気ディ
スクは、CDやレーザーディスク（登録商標）のように情
報再生のみを可能とした再生専用光磁気ディスク、CD-R
のように一度だけ記録を可能とした追記型光磁気ディス
ク、光磁気記録方式や相変化記録方式を用いて何度でも
情報の書き換え消去を可能とした書換型光磁気ディスク
等に分類される。これら光磁気ディスクの中でも、高転
送レートを要求される分野では、主に光磁気ディスクが
用いられている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】ここ数年、取り扱う情
報量の増加に伴い、光記録においては記録容量を一層増
大することが求められている。この要望に応えるために
開口数（NA）が高い対物レンズと磁界発生コイルを搭載
した浮上型ヘッドが光磁気ディスク面上をシークしなが
らレーザー光を照射し記録再生を行う方法が提案されて
いる。この記録再生方式に対応した光磁気ディスクは、
ランド記録もしくはグルーブ記録が行えるように、ラン
ドもしくはグルーブを設けた基板上に、少なくとも反射
膜、記録層、透明誘電体層および表面保護層の順で積層
された構造を有する。 【０００４】上記の記録再生方式では浮上型ヘッドで記
録再生を行うので、浮上型ヘッドがシーク動作あるいは
ロードアンロード動作などを行う際、ディスク表面にヘ
ッドが接触する恐れがある。このヘッド接触により発生
するディスク表面もしくは浮上型ヘッドの損傷を防止ま
たは極力抑制する必要がある。また、光磁気ディスクの
帯電防止能力が低いと、塵埃がディスク表面に付着し易
くなる。ディスク表面に塵埃が存在すると、この塵埃が
レーザー光照射の行路を妨げ、データ読み書き時のエラ
ーの原因となる。最悪の場合、付着した塵埃が引き金と
なり浮上型ヘッドがクラッシュする可能性も考えられ
る。 【０００５】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、耐摺動性に優れ、高い帯
電防止能力を有する光磁気ディスクを提供することにあ
る。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に発明した光磁気ディスクの一例を図1に示す。図1は光
磁気ディスク100の構造断面図である。光磁気ディスク1
00は基板（1）上に、反射層（2）、記録層（3）、透明
誘電体層（4）、及び表面保護層（5）がこの順で積層さ
れている。表面保護層（5）は、透明樹脂層（6）及び帯
電防止保護コート層（7）で構成される。通常、透明樹
脂層は光磁気ディスク積層膜の腐食防止、及び外的衝撃
からディスク表面を保護するために積層されている。本
記録再生システムでは表面保護層（5）上に浮上型ヘッ
ドが存在するので、従来使用されている透明樹脂層より
も耐摺動性に優れた透明樹脂層を積層する必要がある。
また、保護層の表面電気抵抗値が高いと、塵埃がその表
面に付着しやすくなり、ヘッド／ディスククラッシュの
原因となるので、保護層の耐摺動性を高めると同時に帯
電防止効果も付与させる必要がある。そこで、透明樹脂
層（6）の上層に硬質で帯電防止効果がある帯電防止保
護コート層（7）を形成した。生産上、透明樹脂層単層
のみでディスク保護、耐摺動特性及び帯電防止効果を併
せ持つことが好ましいが、実際は、透明樹脂層を硬くす
ると、透明誘電体層と透明樹脂層との接着性が悪くな
る。また接着性を上げると透明樹脂層の硬度が下がると
いうトレードオフの関係になり実用的ではない。このた
め、本発明の光磁気ディスクの表面保護層は、透明樹脂
層と帯電防止保護コート層からなる多層構造とした。 【０００７】また、光磁気ディスク100は、記録層（3）
が存在する基板面とは反対側の基板面に、帯電防止保護
コート層（8）を形成する。必要に応じて、帯電防止保
護コート層（7）と基板（1）の間に透明樹脂層（6）を
形成しても良い。 【０００８】本発明では図1に挙げた光磁気ディスクの
みならず、図2に示すようなディスク両面から記録再生
可能な光磁気ディスク（光磁気ディスク200）において
も適用可能である。 【０００９】本発明の光磁気ディスクで用いられる基板
（1）は、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメ
チルアクリレート、ポリスチレン、ナイロン等の樹脂の
他に、ガラス、シリコン、熱酸化シリコン、アルミニウ
ム、チタンなどの金属製ディスク基板を用いることがで
きる。 【００１０】本光磁気ディスクの反射層（2）として
は、Au、Ag、Cuなどの貴金属単体もしくは合金、これら
の貴金属と他の遷移族金属、Si、Ge、Sn、Pb、Al、Ga、
In等との合金、Al単体もしくは他金属との合金等が使用
可能である。 【００１１】本光磁気ディスクの記録層（3）として
は、TbFeCo、DyFeCo、DyTbFeCo、GdFeCo等の希土類-遷
移金属アモルファス合金、CoとPt等の貴金属と遷移強磁
性金属の積層膜等が使用可能である。これらの合金中
に、Cr、Nb、Pt、Ni、Ta等が含まれていても良い。ま
た、組成の異なるアモルファスを2層以上に積層したも
のでも、アモルファス膜と積層膜を組み合わせたものを
使用しても良い。 【００１２】記録層（3）にはCAD膜を用いることができ
る。この場合の、記録再生層の構造は、上記の記録膜
（3）の部分が、光入射側から見て、GdFeCoの再生層、G
dFeのマスク層、非磁性層、TbFeCoを主体とする記録層
からなる静磁結合タイプのCADタイプの磁気超解像構造
となる。非磁性層としては、SiNx、AlNx等のセラミック
層のほかにAl、Ti、Zr等の非磁性金属も用いることがで
きる。このCAD層は、非磁性層の無い、交換結合型CADも
使用可能である。 【００１３】反射層（2）と記録層（3）の間に、熱制御
のためSiNx、AlNx、SiCx、SiOx、SiNxOy、GexN、GeNxOy
等のセラミック層、Ti、Cr、Zr、Nb、Ta等の非磁性遷移
金属層、Si、Ge、ZeS、ZeSe等の半導体層を形成しても
良い。反射層（2）は、異なる組成を有する2層以上の積
層構造としても良い。また、反射層（2）と基板（1）の
間に、耐食性、接着性等を上げるため、セラミック層も
しくは金属層を形成しても良い。 【００１４】本光磁気ディスクの透明誘電体層（4）と
しては、SiNx、SiOx、SiCx、SiNxOy、SiCxOy、SiNxCyO
z、AlNx、AlOx、AlNxOy、ZrOx、ZnS、ZnS-（SiO2）x、Z
rOx、TiOx、DLCカーボン等の透明なセラミックス層を用
いることができる。 【００１５】本光磁気ディスクの透明樹脂層（6）の材
料としては、ウレタン系、エポキシ系、ポリエステル系
のアクリレートモノマー、オリゴマー（アクリル酸エス
テル誘導体）等の紫外線硬化樹脂や、または、上記樹脂
に光重合開始剤等を添加したものを用いることができ
る。 【００１６】透明樹脂層（6）はスピンコート法により
樹脂材料がディスク上に塗布され、適切な硬化処理（例
えば紫外線照射）を行うことで形成される。塗布時のデ
ィスク回転数、回転時間などを制御することで透明樹脂
層の膜厚を決めることができる。この透明樹脂層の厚さ
はディスクの耐久性などを考慮し、膜厚で1μm〜15μm
であることが必要である。1μm〜15μm の範囲にすれ
ば、耐食性が十分で、ディスク保護としての効果が高ま
る。また、透明樹脂層の鉛筆硬度はHB以上であることが
望ましい。 【００１７】本光磁気ディスクの帯電防止保護コート層
（7）の材料として、光硬化型樹脂などに各種金属酸化
物や無機質の微粒子（フィラ−）を分散させた光硬化型
帯電防止剤を用いることができる。上記の微粒子とし
て、InOx、SnOx、インジウム‐スズ複合酸化物（IT
O）、MoOx、SbOx、IrOx、SiOx、AlOxなどを有用な材料
として用いることができる。 【００１８】帯電防止保護コート層（7）の膜厚は1μm
〜１５μｍであることが必須である。膜厚を1μm〜１５
μｍの範囲に設定することにより、所望の帯電防止効果
が得られ、かつ十分な表面硬度を得ることができる。ま
た、帯電防止保護コート層表面の電気抵抗値が1×1011
Ω/cm2以下、かつ鉛筆硬度が2H以上であることが望まし
い。 【００１９】本発明の光磁気ディスクが上記の構成を取
ることにより、光磁気ディスクの表面電気抵抗値が5×1
011Ω/cm2以下かつ鉛筆硬度がH以上となり、耐摺動性や
帯電防止能力に優れた光磁気ディスクを提供することが
できる。 【００２０】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面によ
り説明する。 （実施例1）第1図に示した構造の光磁気ディスク100を
以下に示す方法で作製した。基板（1）を予め溝とピッ
トを形成したスタンパおよびポリカーボネート樹脂を用
いて、射出圧縮成形により作製した。基板サイズは、直
径130mmである。その上にインライン式DCマグネトロン
スパッタ装置を用いて、反射層（2）としてAu層を50n
m、記録再生層（3）としてCAD膜（TbFeCo膜を50nm、窒
化シリコン層を10nm、GdFe層を30nm、GdFeCo層を30nmの
4層をこの順で積層）を成膜した。その上に、透明誘電
体層（4）として窒化シリコン層60nmを成膜した。 【００２１】透明誘電体層（4）上にアクリル系紫外線
硬化型樹脂A（25℃での粘度 100mPa・s）をスピンコー
ト法で塗布し、これに紫外線照射処理（積算照度500mJ/
cm2）を行うことで、膜厚が9.0μmの透明樹脂層（6）を
形成した。この後に、硬化後の薄膜の表面電気抵抗値が
1×1011Ω/cm2、かつ鉛筆硬度が2Hとなるよう予め調合
された主成分がアクリル系紫外線硬化型樹脂B（25℃で
の粘度 400mPa・s）とSiO2及びITO系微粒子である帯電
防止剤Cを透明樹脂層（6）上にスピンコート法で塗布
し、70℃加熱処理及び紫外線照射処理（積算照度500mJ/
cm2）を行うことで膜厚が6.0μmの帯電防止保護コート
層（7）を形成した。さらにもう一方の基板面にも帯電
防止剤Cを同様の条件で塗布及び硬化を行い、膜厚が2.0
μmの帯電防止保護コート層（8）を形成し、光磁気ディ
スク100を作製した。 【００２２】上記光磁気ディスクの表面の電気抵抗値と
鉛筆硬度を計測し、その結果を表1に示す。これらの測
定は記録層がある基板面（ヘッド浮上面側）で行った。
表面電気抵抗値はJIS-K6911の規格に従い、アドバンテ
スト社製デジタル超高抵抗メーターR8340、レジスティ
ビティー・チェンバR12704Aの装置を用い、印可電圧を5
00Vで計測した。鉛筆硬度はJIS-K5400の規格に従って測
定した。 【００２３】（実施例2）図2の構成で、基板両面に実施
例1と同様の構成、膜厚の反射層、記録層、透明誘電体
層、透明樹脂層、帯電防止保護コート層を有する光磁気
ディスク200を作製した。光磁気ディスク200の表面電気
抵抗値と鉛筆硬度を実施例1と同様の条件で計測し、結
果を表1に示す。 【００２４】（比較例 1）（実施例1）と同様の構成、
膜厚で、但し透明樹脂層（6）の膜厚が0.7μmの光磁気
ディスクを作製した。作製した光磁気ディスクの表面電
気抵抗値と鉛筆硬度を実施例1と同様の条件で計測し、
結果を表1に示す。 【００２５】（比較例2）（実施例2）と同様の構成、膜
厚で、但し帯電防止保護コート層（7）の膜厚が0.5μm
のディスクを作製した。作製した光磁気ディスクの表面
の電気抵抗値と鉛筆硬度を実施例3と同様の条件で計測
し、結果を表１に示す。 【００２６】（ランダムシーク試験）実施例1〜2、比較
例1〜2で作製した光磁気ディスクを特願平11-293684に
記載されているドライブに組み込んで、浮上ヘッドを半
径30mmから60mmの範囲でランダムシークさせながら、デ
ィスク表面(表面保護層)の傷つき度合いを調べた。試験
に用いた光磁気ディスク表面にはフッ素系の潤滑剤を塗
布した。この試験では、ディスクの回転数を毎分1200回
転として、浮上ヘッドの浮上量を約1μmとした。試験条
件は60℃、80％R.H.環境で連続100時間のランダムシー
ク試験を、各例につき10回ずつ行った。ランダムシーク
後の表面状態は、目視および光学顕微鏡(倍率:100倍)で
調べた。表面状態は5段階で評価し、試験結果を表1にま
とめて示す。評価判断基準は以下に示す通りである。 【００２７】（100時間シーク後の表面状態） 5:目視、顕微鏡でも傷は観察されない。 4:目視では傷は観察されないが、顕微鏡で観察するとデ
ィスク全面で数個傷が観察される。 3:目視で傷が観察されるが部分的である(概ねディスク
全周の1/5程度の円弧状の傷)、顕微鏡で観察すると小さ
な傷が無数観察される。 2:概ね半周から全周におよぶ傷が数本、そのほか小さな
傷が10本以上観察され、顕微鏡で観察すると小さな傷が
無数観察される、１: 概ね半周から全周におよぶ傷が10
本以上、そのほか小さな傷が無数に観察され、顕微鏡で
観察すると小さな傷が無数観察される。3以上を問題な
いレベルとする。 【００２８】 【表１】 【００２９】＊1：試験途中に透明誘電体層／透明樹脂
層間で膜剥離が発生し、試験中止。 【００３０】 【発明の効果】本発明の光磁気ディスクの表面保護層は
透明樹脂層と帯電防止保護コート層で構成され、透明樹
脂層の膜厚は1μm〜15μmであり、透明樹脂層の上層に
膜厚１μm以上の帯電防止保護コート層を形成し、光磁
気ディスクの表面電気抵抗値が5×1011Ω/cm2以下かつ
鉛筆硬度がH以上とし、透明誘電体層上に形成される表
面保護層の膜厚が2μm〜20μmとした。これにより、記
録再生時、浮上ヘッドの接触による傷付きなどに対する
ディスク表面の耐久性が向上し、且つ、優れた帯電防止
能力を付与することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気ディスクの構造を説明する断面
模式図である。 【図２】本発明の光磁気ディスクの構造を説明する断面
模式図である。 【符号の説明】 1 基板 2 反射層 3 記録層 4 透明誘電体層 5 表面保護層 6 透明樹脂層 7、8 帯電防止保護コート層
模式図である。 【図２】本発明の光磁気ディスクの構造を説明する断面
模式図である。 【符号の説明】 1 基板 2 反射層 3 記録層 4 透明誘電体層 5 表面保護層 6 透明樹脂層 7、8 帯電防止保護コート層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石崎 修
大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ
クセル株式会社内
(72)発明者 大門 英夫
大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ
クセル株式会社内
Ｆターム(参考） 5D075 EE03 FG04 FG07
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上に、少なくとも反射層、記録層、
透明誘電体層、表面保護層をこの順に積層し、浮上量５
μ以下の浮上型ヘッドを用い、膜面側からレーザー光を
照射して、記録再生を行う光磁気ディスクにおいて、表
面保護層は透明樹脂層と帯電防止保護コート層で構成さ
れ、透明樹脂層の膜厚は1μm〜15μmであり、透明樹脂
層の上層に膜厚1μm以上の帯電防止保護コート層を形成
することで、光磁気ディスク表面の電気抵抗値が5×10
11Ω/cm2以下かつ鉛筆硬度がH以上であることを特徴と
する光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400083A JP2003203406A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400083A JP2003203406A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003203406A true JP2003203406A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27639798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001400083A Withdrawn JP2003203406A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003203406A (ja) |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001400083A patent/JP2003203406A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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